| 例文 |
crystallizing methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 577件
To provide an industrial method for crystallizing citalopram hydrobromide which enables ready control of the crystal characteristics such as particle size, the distribution and aspect ratio and to provide a citalopram hydrobromide crystal having characteristics useful for a pharmaceutical.例文帳に追加
1)結晶の粒度、その分布やアスペクト比などの結晶特性を簡便に調整することができる、シタロプラム臭化水素酸塩の工業的な結晶化方法を提供すること、および2)医薬原体として有用な結晶特性を有するシタロプラム臭化水素酸塩の結晶を提供すること。 - 特許庁
The method for producing zeolite includes a clear solution preparing step of preparing a clear solution which is a transparent aqueous solution containing an alkali metal silicate compound, sodium aluminate and an alkali metal hydroxide, and a crystallization step of crystallizing the prepared clear solution.例文帳に追加
本発明のゼオライト製造方法は、ケイ酸アルカリ金属化合物と、アルミン酸ナトリウムと、アルカリ金属水酸化物と、を含む透明な水溶液であるクリアー溶液を調製するクリアー溶液調製工程と、調整されたクリアー溶液を結晶化する結晶化工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
Fly ash generated from a coal steam power plant is utilized as a seed crystal and soluble calcium contained in fly ash is used as a calcium ion source and the alkalinity of fly ash is utilized to provide a crystallizing dephosphorization method not requiring the addition of calcium ions and a pH control agent.例文帳に追加
石炭火力発電所から発生するフライアッシュを種晶と利用するだけではなく、フライアッシュに含有する溶出性カルシウムをカルシウムイオン源とし、さらにアルカリ性を利用することでカルシウムイオンの添加及びpH調整剤を必要としない晶析脱リン法が提供される。 - 特許庁
This method for continuously crystallizing the tetrabromobisphenol A, characterized by separately and continuously supplying water and the methanol solution of the tetrabromobisphenol A into the first crystallization tank to obtain the slurry in which tetrabromobisphenol A is partially deposited, and then separately and continuously supplying the slurry and water into the second crystallization tank to substantially deposit the substantially whole amount of the tetrabromobisphenol A.例文帳に追加
テトラブロモビスフェノールAのメタノール溶液と水を別々に連続して第1晶析槽に供給し、テトラブロモビスフェノールAの一部が析出したスラリーを得、次いで該スラリーと水を別々に連続して第2晶析槽に供給し、テトラブロモビスフェノールAを実質的に全量析出させる。 - 特許庁
The method for producing a single crystal comprises the steps of preparing a pretreated product by melting a crystal raw material, and preparing ingot by melting and crystallizing the pretreated product, producing a crystal by heat-treating the ingot at a temperature of the melting point or lower, and after that, inspecting fluctuation of crystal axes of the crystal and screening the crystal.例文帳に追加
結晶の原料を融解して前処理品を作製し、前処理品を融解及び結晶化してインゴットを作製する工程、インゴットを融点以下で熱処理して結晶を生成する工程の後に結晶の結晶軸のばらつきを検査し、結晶の選別を行う。 - 特許庁
To provide a method for crystallizing the neck part of a synthetic resin bottle which curtails a heating time by the controlled diffusion of heat by a heating element, heats the neck part of a synthetic resin parison uniformly, and prevents the generation of deformation in the neck part of the bottle.例文帳に追加
発熱体による熱気が大気中に拡散しにくくて加熱時間が短くてすみ、また合成樹脂製パリソンの首部の加熱が一様に行われて、合成樹脂製瓶の首部に変形を生じることのない合成樹脂製瓶の首部結晶化方法を提供する。 - 特許庁
To provide a mask for silicon crystallization, a silicon crystallizing method using it, and a display device, for improving characteristics in vertical direction and improving anisotropy in both horizontal direction and vertical direction, for minimizing the number of grain boundaries of the silicon which is crystallized.例文帳に追加
結晶化されたシリコンの結晶粒界の数を最小化するための、垂直方向に対する特性の向上はもとより水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置を提供する。 - 特許庁
The arsenic-containing material treatment method comprises the steps of: adding the arsenic-containing material to the alkaline solution at pH≥10 to leach arsenic in the alkaline solution while oxidizing the arsenic-containing material; subjecting the arsenic-containing leachate to solid-liquid separation; and cooling and crystallizing an arsenic-containing leachate obtained by the solid-liquid separation to recover arsenic and the reusable alkaline solution.例文帳に追加
砒素含有物質をアルカリ溶液に加えてpH10以上にして酸化しながらアルカリ浸出した後に固液分離して得られた砒素を含む浸出液を冷却晶析することにより、砒素を回収するとともに、再利用可能なアルカリ液を回収する。 - 特許庁
This method comprises processing the solid fatty phase of a food product comprising or including a disperse system consisting of oily phase and solid fat; specifically, this method comprises the steps of bringing the solid fatty phase including a minimum amount of the oily phase in a liquid state into a cooling device, cooling the product and crystallizing the fat as rapidly as possible.例文帳に追加
油相に固形脂肪の分散系から成るかまたは該分散系を含有する食物製品の固形脂肪相を加工する方法であって、その方法が、液体状態で最小量の油相を含む固形脂肪相を冷却装置に持込み、ついで、その製品を冷却して、可能な限り迅速に脂肪の結晶化を行う各工程を含む方法。 - 特許庁
In the method of manufacturing the optical sensor in which a light receiving layer is obtained by crystallizing a semiconductor film by irradiating a semiconductor layer with a laser beam and scanning, the manufacturing method includes a step in which a light receiving element is formed so that a direction of current flowing into the light receiving element may intersect a scanning direction of the laser beam.例文帳に追加
半導体層にレーザービームをスキャンさせながら照射して前記半導体膜に結晶化を施して受光層を得る光センサの製造方法であって、前記受光素子に流れる電流の向きが前記レーザービームのスキャン方向に交差するように、前記受光素子を形成する工程を具備したことを特徴とする。 - 特許庁
The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer.例文帳に追加
下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第1ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第2ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第3ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁
To provide a method for recovering a cyclohexyl fluorinated benzene derivative, making it possible to efficiently recover the cis-trans isomer mixture of the cyclohexyl fluorinated benzene derivative from a residual mother liquid which is obtained by treating the cis-trans isomer mixture of the cyclohexyl fluorinated benzene derivative with a metal alkoxide to isomerize the cis-isomer into the trans-isomer and then crystallizing the trans-isomer.例文帳に追加
シクロヘキシルフッ素置換ベンゼン誘導体のシス−トランス混合物を金属アルコキシドで処理し、混合物中のシス体をトランス体に異性化した後、晶析する際に生じる母液残さから、シクロヘキシルフッ素置換ベンゼン誘導体のシス−トランス混合物を効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently distributing elements which promote the crystallization of amorphous silicon on the surface of an amorphous silicon film so as to stably crystallize amorphous silicon when a semiconductor device is manufactured by crystallizing an amorphous silicon film by the use of elements promoting the crystallization of amorphous silicon.例文帳に追加
非晶質珪素の結晶化を助長する元素を使って、非晶質膜珪素膜を結晶化させて半導体装置を作製するに際して、結晶化を好適に行える状態となるように前記元素を非晶質珪素膜の表面へ効率よく配することのできる半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the solid electrolyte including the synthesizing step of reacting compounds of one or more kinds selected from phosphorous sulfide, germanium sulfide, silicon sulfide and boron sulfide with lithium sulfide to generate the amorphous solid electrolyte, and the crystallizing step of heating the amorphous solid electrolyte in a solvent to crystallize the electrolyte.例文帳に追加
硫化りん、硫化ゲルマニウム、硫化ケイ素、硫化ほう素から選択される1種以上の化合物と、硫化リチウムを反応させて非晶質の固体電解質を生成させる合成工程と、前記非晶質の固体電解質を溶媒中で加熱して結晶化させる結晶化工程を含む固体電解質の製造方法。 - 特許庁
This method for the production of succinic acid contains (1) a step to aerobically culture the microorganism, (2) a step to anaerobically produce a succinic acid salt, (3) a step to convert the succinic acid salt to succinic acid and (4) a step to recover succinic acid crystal and filtrate by crystallizing succinic acid and separating into solid and liquid.例文帳に追加
本発明のコハク酸の製造方法は、好気的に微生物を培養する工程(1)、嫌気的にコハク酸塩を生産する工程(2)、コハク酸塩をコハク酸に転化する工程(3)、コハク酸を結晶化して固液分離することにより、コハク酸の結晶および濾液を回収する工程(4)を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method for crystallizing methionine comprises feeding carbon dioxide into an aqueous solution(1) containing a methionine metal salt in the presence of seed crystal to effect neutralizing crystallization, wherein the amount of the seed crystal is designed to be 0.5-2.5 wt.% of the whole methionine crystal obtained by deposition resulting from the crystallization followed by solid/liquid separation.例文帳に追加
メチオニンの金属塩を含む水溶液(1)に、種晶の存在下、炭酸ガスを供給して中和晶析するメチオニンの晶析方法であって、前記種晶の量が、晶析により析出し、固液分離して得られるメチオニン結晶全体の0.5〜2.5重量%であることを特徴とするメチオニンの晶析方法。 - 特許庁
A method of sample preparation for a matrix-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry, comprises preparing solution of 2,5-dihydroxybenzoic acid of 40 mg/ml-saturated concentration as matrix solution, dispensing the matrix solution into an analysis object sample with using an inkjet mechanism, and crystallizing the 2,5-dihydroxybenzoic acid.例文帳に追加
マトリックス溶液として2,5−ジヒドロキシ安息香酸の40mg/ml〜飽和濃度溶液を用意し、前記マトリックス溶液を、インクジェット機構を用いて分析対象試料に分注し、前記2,5−ジヒドロキシ安息香酸を結晶化させることを含む、マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析用サンプル調製法。 - 特許庁
The method for producing the nano carbon composite 1 comprises changing (imidizing) a polyamic acid-based compound to a polyimide-based resin in a dispersion containing the polyamic acid-based compound and the nano carbon 2 and crystallizing the polyimide-based resin in at least a part of the surface of the nano carbon 2 by heating the dispersion containing the polyamic acid-based compound and the nano carbon 2.例文帳に追加
このナノカーボン複合体1は、ポリアミド酸系化合物とナノカーボン2とを含有する分散液を加熱することにより、この分散液中において、ポリアミド酸系化合物をポリイミド系樹脂に変化(イミド化)させるとともに、ナノカーボン2の表面の少なくとも一部において結晶化させることにより製造される。 - 特許庁
The method for producing the crystal of the 2'-(4'-ethylbenzyl)phenyl 5-thio-β-D-glucopyranoside comprises dissolving the 2'-(4'-ethylbenzyl)phenyl 5-thio-β-D-glucopyranoside in a mixed solvent of an organic solvent and water, crystallizing the compound, and drying the obtained crystal at ≥65°C.例文帳に追加
上記の課題は、有機溶媒と水との混合溶媒に、2’−(4’−エチルベンジル)フェニル5−チオ−β−D−グルコピラノシドを溶解させた後、結晶化し、得られた結晶を65℃以上で乾燥させる2’−(4’−エチルベンジル)フェニル5−チオ−β−D−グルコピラノシドの結晶の製造方法などにより解決される。 - 特許庁
The method for producing the aromatic ether having both phenolic and alcoholic hydroxy groups involves the step of crystallizing and refining the corresponding raw aromatic ether using a solvent with a solubility parameter of 7.5-12.5.例文帳に追加
フェノール性水酸基およびアルコール性水酸基を有する芳香族エーテル類を製造する方法であって、原料芳香族エーテル類を、溶解度パラメーターが7.5〜12.5の溶媒を用いて晶析精製する工程を備えることを特徴とするフェノール性水酸基およびアルコール性水酸基を有する芳香族エーテル類の製造方法である。 - 特許庁
This PTT-POY is produced by crystallizing the fiber by heat- treating the fiber under a specific condition making the spinning condition proper, and using a special spinning method of winding the fiber at an extremely low tension, has an orientation, crystallinity and U% within specified ranges, and contains a specific amount of titanium oxide particles having a little amount of coagulated bodies.例文帳に追加
特定の条件にて繊維を熱処理して結晶化させ、紡糸条件を適正化し、極低張力にて巻き取る特殊な紡糸法を用いて製造した、特定の範囲内の配向性、結晶性、U%かつ、凝集体の少ない酸化チタン粒子を特定量含有しているPTT−POY。 - 特許庁
This method for producing the optically active β-amino acid derivative is characterized by preferentially crystallizing either one of the optical isomer salts of a β-amino acid derivative secondary amine salt represented by the general formula (1) from the solution of the optical isomers mixture, thereby obtaining the crystals excessively containing the optical isomer salt.例文帳に追加
一般式(1)で表されるβ−アミノ酸誘導体第2アミン塩の光学異性体混合物溶液から、いずれか1つの光学異性体塩を優先的に結晶化させ、当該光学異性体塩を過剰に含む結晶を得ることを特徴とする光学活性β−アミノ酸誘導体の製造方法。 - 特許庁
The method includes the steps of: forming an amorphous silicon layer on a semiconductor substrate that various elements for forming semiconductor devices are mounted on; and crystallizing first the amorphous silicon layer by means of the spike quick heat process and then forming it into an amorphous polysilicon layer having a small and uniform grain size.例文帳に追加
半導体素子を形成するためのいろいろの要素が設けられた半導体基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、スパイク急速熱処理工程で非晶質シリコン層を先に結晶化させ、グレインサイズが小さく且つ均一な非晶質ポリシリコン層に形成する段階とを含む。 - 特許庁
A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the process of forming the amorphous silicon on a gate insulating film, the process of introducing acceptor impurities to be the acceptors and crystal growth suppression impurities suppressing the growth of the crystal to the amorphous silicon and the process of crystallizing the amorphous silicon and forming p-type polycrystalline silicon.例文帳に追加
前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンを形成する工程と、前記アモルファスシリコンに、アクセプタとなるアクセプタ化不純物と、結晶粒の成長を抑制する結晶成長抑制不純物を導入する工程と、前記アモルファスシリコンを結晶化させ、前記p型多結晶シリコンを形成する工程とを含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device includes a film depositing step of forming an amorphous silicon layer 3 on a substrate 1, a crystallizing step of polycrystallizig the formed layer 3, and a quick heat treating step of heat treating a polysilicon layer 4 by blowing heated gas to the layer 4.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、基板1上にアモルファスシリコン層3を形成する成膜工程と、形成したアモルファスシリコン層3を多結晶化させる結晶化工程と、ポリシリコン層4に対して加熱した気体を吹き付けて熱処理を行う急速熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
This method for forming the semiconductor layer comprises steps of forming an amorphous silicon layer on a glass substrate 4, and thermally treating the amorphous silicon layer in a plasma atmosphere containing Ar which is an element having low reactivity to the amorphous silicon layer, thereby crystallizing at least a part of the amorphous silicon layer.例文帳に追加
この半導体層の形成方法は、ガラス基板4上に、非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層との反応性が低い元素であるArを含むプラズマ雰囲気中で、非晶質シリコン層を熱処理することによって、非晶質シリコン層の少なくとも一部を結晶化する工程とを備えている。 - 特許庁
On an oxide single crystal substrate with a perovskite structure, an amorphous film is formed by a vapor growth method at a temperature lower than the crystallization temperature, and subsequently a ferroelectric thin film with the perovskite structure is formed by crystallizing the amorphous film under heating at a temperature higher than the crystallization temperature.例文帳に追加
ペロブスカイト型構造を有する酸化物単結晶基板上に、気相成長法により、結晶化温度より低い温度でアモルファス膜を形成した後、このアモルファス膜を、結晶化温度より高い温度に加熱して結晶化させることにより、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜とする。 - 特許庁
The invention relates to the method for preparing the pravastatin sodium in a crystal state, comprises following steps, (a) preparing a solution containing pravastatin and sodium cation in a lower aliphatic alcohol (for example ethanol), (b) adding ethyl acetate to the solution, and (c) crystallizing the pravastatin sodium salt from the solution.例文帳に追加
結晶形態にあるプラバスタチンナトリウム塩の製造方法であって、以下の工程:a)低級脂肪族アルコール(例えばエタノール)中にプラバスタチンとナトリウム・カチオンを含有する溶液を用意し;b)上記溶液に酢酸エチルを添加し;c)上記溶液からプラバスタチンのナトリウム塩を結晶化させる、を含む方法。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming an amorphous semiconductor layer 43 having a thickness of 4 nm to 1 μm above an insulating layer 41; and crystallizing the semiconductor layer 43 by irradiating the semiconductor layer 43 with an energy beam having a wavelength within a range from 350 to 500 nm.例文帳に追加
絶縁層41上に厚さ4nm〜1μmの非晶質の半導体層43を形成する工程と、この半導体層43に対して、波長が350nm〜500nmの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層43を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 - 特許庁
This simple method for producing the protected 2'-deoxycytidine derivative comprises regulating the equivalent of a reactional reagent to be used, carrying out a reaction, adding a specific mixed solvent of a solvent dissolving the reactional mixture with a solvent without dissolving the protected 2'-deoxycytidine derivative which is the objective substance to the resultant reactional mixture, crystallizing and isolating only the objective substance.例文帳に追加
使用する反応試薬の当量を規定した上で反応を行い、反応混合物に対して溶解性の溶媒と目的物である保護化2’−デオキシシチジン誘導体に対して不溶性の溶媒との特定の混合溶媒を添加して目的物のみを晶析単離することにより、簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁
This method for producing the 5-amino-1-substituted-1,2,4-triazole is characterized by comprising a process for reacting a 1-substituted-1-aminoguanidine with formic acid to perform the formylation reaction, a process for dehydratively cyclizing the formylation, and a process for crystallizing and recovering the produced 5-amino-1-substituted-1,2,4-triazole from the reaction aqueous solution.例文帳に追加
1−置換—1—アミノグアニジンにギ酸を反応させてホルミル化反応を行い、次いで該ホルミル化物を脱水環化し、生成した5−アミノ—1—置換—1,2,4—トリアゾールを反応水溶液から晶析により回収する工程を含むことを特徴とする5−アミノ—1—置換—1,2,4—トリアゾールの製造方法。 - 特許庁
The method for producing the heat-resistant polylactic acid-based resin molded product comprises melting the polylactic acid-based resin composition, filling a metal mold of a molding machine set within the range of not higher than the crystallization starting temperature to not lower than the glass transition temperature with the molten polylactic acid-based resin composition and molding the composition while crystallizing the composition.例文帳に追加
(式中、RはC1〜12のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、エーテル結合を有するアルキレン基を、R^1、R^2、R^3及びR^4は水素原子、ハロゲン原子、C1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を表すか、R^1とR^2及び/又はR^3とR^4が結合して5〜8員環を形成する。) - 特許庁
The method for producing entacapone, in particular, entacapone in a polymorphic form A, comprises a step of preparing a compound of formula (V) by condensation of N,N-diethyl-cyano-acetamide with a compound of formula (IV) in the presence of a strong basic substance, a step of dealkylating the compound of formula (V) to obtain entacapone and a step of crystallizing thereof into the polymorphic form A.例文帳に追加
強塩基性物質存在下における、N,N−ジエチル−シアノ−アセトアミドと式(IV)の化合物との縮合による、式(V)の化合物の調製、エンタカポンを得るための式(V)の化合物の脱アルキル化、及び多形Aへのその結晶化、を含む、エンタカポン、特に多形Aのエンタカポンの製造方法。 - 特許庁
In the method for crystallizing the neck part of the parison, in an injection molding mold for molding the parison having a core cavity insert and a neck part cavity insert, after the parison is molded, the neck part of the parison is cooled and heated alternately by a cooling medium and a heating medium in the inside core cavity insert or the outside neck part cavity insert.例文帳に追加
パリソンの首部を結晶化する方法であって、コア入子と首部入子とを有するパリソン成形用射出成形金型において、パリソンを成形した後、パリソンの首部を内側のコア入子内、又は外側の首部入子内の冷媒と熱媒とによって、交互に冷却、加熱を行う。 - 特許庁
To provide a method for forming a polysilicon film by crystallizing an amorphous silicon film using a metallic catalyst in which the catalyst remaining as impurities in the film is eliminated substantially and a polysilicon film having uniform material characteristics over the entire film can be formed with a quick throughput.例文帳に追加
金属触媒を用いて非晶質シリコン膜を結晶化させるポリシリコン膜の形成方法において、膜中に不純物として残留する触媒が実質的になく、かつ、膜全体にわたって均一な材料特性を持つポリシリコン膜を速いスループットで形成できるポリシリコン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
This method for preparing the ammonium persulfate consists in electrolyzing a cathode raw material consisting of sulfuric acid and an anode raw material consisting of ammonium sulfate and ammonium persulfate, reacting the resulted anode produced liquid with ammonia and further crystallizing and separating the ammonium persulfate from the anode produced liquid after the reaction.例文帳に追加
硫酸からなる陰極原料、硫酸アンモニウムおよび過硫酸アンモニウムからなる陽極原料を電解し、得られた陽極生成液とアンモニアを反応させ、さらに反応後の陽極生成液から過硫酸アンモニウムを晶析分離することを特徴とする過硫酸アンモニウムの製造方法。 - 特許庁
The new crystal form copper phthalocyanine pigment whose crystal is needle or zonal shape and whose short axis direction length of the crystal is 20 nm or less, the manufacturing method for the copper phthalocyanine pigment by crystallizing the phthalocyanine pigment with supercritical water and the pigment composition including it are provided.例文帳に追加
針状、又は帯状の結晶であって、該結晶の短軸方向の長さが20nm以下である、新規な結晶形状の銅フタロシアニン顔料、及び銅フタロシアニン顔料を超臨界水で晶析することを特徴とする該銅フタロシアニン顔料の製造方法、並びにそれを含む顔料組成物。 - 特許庁
The forming method of a ferroelectric film comprises a step of crystallizing a raw material body 20 of a complex oxide which step comprises a step of performing a first heat treatment to form an initial nucleus, and a step of a second heat treatment for making crystallization growth at a temperature lower than that in the first heat treatment.例文帳に追加
本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体20を結晶化する工程を含み、 初期核を形成するための第1の熱処理を行う工程と、 結晶成長をさせるために、前記第1の熱処理と比して低い温度である第2の熱処理を行う工程と、を含む。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加
シリコン基板11の上面に多孔質な多孔質シリコン層12を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層12の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜13を形成する工程と、を備える。 - 特許庁
The method for crystallizing a semiconductor film comprises a step for performing scanning with a first pulse laser, and a step for performing scanning with a second pulse laser wherein the scanning direction of a first pulse laser intersects the scanning direction of a second pulse laser perpendicularly, and the energy density of the first pulse laser is set lower than that of the second pulse laser.例文帳に追加
第一のパルスレーザーによりスキャンする工程と第二のパルスレーザーによりスキャンする工程を有し、かつ第一のパルスレーザースキャンの進行方向と第二のパルスレーザースキャンの進行方向が互いに略直交する方向で、かつ第一のパルスレーザーのエネルギー密度を第二のパルスレーザーのエネルギー密度より小さくする。 - 特許庁
In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加
SGS法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁
To provide an organosilane compound crystallizing and forming a thin film by a simple method using a solution process, firmly adsorbing the resultant thin film on the surface of a substrate, preventing physical peeling and preparing the thin film having high orderliness (crystallinity), highly dense packing characteristics and excellent electroconductive characteristics and to provide a method for producing the compound.例文帳に追加
溶液プロセスを用いた簡便な方法により結晶化させて薄膜を形成できるとともに、得られた薄膜を基板表面に強固に吸着させて、物理的な剥がれを防止し、かつ、高い秩序性(結晶性)、高密パッキング特性、および優れた電気伝導特性を有する薄膜を作製可能な有機シラン化合物およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加
透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも1層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory.例文帳に追加
非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
The method comprises selectively crystallizing an azetidine-2-carboxylic acid tartrate having the diastereomer-excessive rate of ≥40% from a homogeneous solution formed of racemic azetidine-2-carboxylic acid and D- or L-tartaric acid; and liberating a free amino acid to produce azetidine-2-carboxylic acid having the enantiomer-excessive rate of ≥50%.例文帳に追加
ラセミアゼチジン−2−カルボン酸とD−またはL−酒石酸のいずれかとの均質溶液からジアステレオマー過剰率が40%より大きいアゼチジン−2−カルボン酸酒石酸塩を選択的に結晶化し、続いて遊離のアミノ酸を遊離化することからなるエナンチオマー過剰率が50%よりも大きいアゼチジン−2−カルボン酸の製造方法である。 - 特許庁
The method for producing the polyester resin composition has a melt-polymerization step for producing the polyester resin by melt polymerization, an addition step for adding 8-32C aliphatic monocarboxylic acid and/or its metal salt to the polyester resin to provide the polyester resin composition and a crystallization step for crystallizing the polyester resin composition after the addition step.例文帳に追加
例えば、ポリエステル樹脂を溶融重合により製造する溶融重合工程と、炭素数8〜32の脂肪族モノカルボン酸および/またはその金属塩をポリエステル樹脂に添加してポリエステル樹脂組成物とする添加工程と、添加工程後にポリエステル樹脂組成物を結晶化する結晶化工程を有する方法により製造できる。 - 特許庁
The method for immobilizing the L-rhamnose isomerase comprises adding glutaraldehyde to the L-rhamnose isomerase after precipitating, or purifying and crystallizing the L-rhamnose isomerase when an extract from a biomass is used, or as it its when the biomass itself is used to cause crosslinking by a covalent bond, and adding lysine thereto to enhance the strength by increasing the crosslinking density.例文帳に追加
L−ラムノースイソメラーゼを菌体から抽出したものを用いる場合は沈殿あるいは精製結晶化した後に、菌体そのものを用いる場合はそのまま、グルタルアルデヒドを添加し、これにより共有結合の架橋を起こさせ、さらにリジンを添加することで架橋密度をあげて強度を増すことを特徴とするL−ラムノースイソメラーゼの固定化法。 - 特許庁
The method for producing an adamantane comprises subjecting a ≥10C tricyclic saturated hydrocarbon compound to isomerization reaction, concentrating and crystallizing the obtained reaction solution and carrying out solid-liquid separation, cleaning the obtained crude adamantane with a liquid organic compound and circulating a part or the whole of the cleaning liquid to an isomerization process and/or a concentration process.例文帳に追加
炭素数10以上の三環式飽和炭化水素化合物を異性化反応し、得られた反応液に濃縮、晶析及び固液分離処理を施して得られた粗アダマンタン類を、液状有機化合物で洗浄後、洗浄液の一部又は全量を異性化工程及び/又は濃縮工程に循環するアダマンタン類の製造方法である。 - 特許庁
The manufacturing method of 2'-(1H-tetrazol-5-yl)biphenyl-4-carbaldehyde crystal of high purity comprises a step for reacting 2'-cyanobiphenyl-4-carbaldehyde with an azide salt and a step for crystallizing the crude 2'-(1H-tetrazol-5-yl)biphenyl-4-carbaldehyde crystal obtained by the above step from tetrahydrofuran.例文帳に追加
2’−シアノビフェニル−4−カルボアルデヒドを、アジド塩とを反応させる工程を含み、当該工程で得られる粗製の2’−(1H−テトラゾール−5−イル)ビフェニル−4−カルボアルデヒド結晶を、テトラヒドロフランから結晶化させる工程を含むことを特徴とする、高純度2’−(1H−テトラゾール−5−イル)ビフェニル−4−カルボアルデヒド結晶の製造方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the titanium oxide photocatalyst comprises mixing a compound of formula TiX (wherein, X is at least one nonmetallic element selected from P, N, S_2 and C) with a titanium compound in a solvent and heating and crystallizing the mixture to obtain the titanium oxide photocatalyst and enables uniform doping of nonmetallic elements in the resultant titanium oxide photocatalyst.例文帳に追加
この発明に係る酸化チタン光触媒体の製造方法は、TiX(X=P、N、S_2、Cなど非金属元素)化合物をチタン化合物に溶媒中で混合して加熱結晶化して酸化チタン光触媒体を得る方法であり、この方法により、得られる酸化チタン光触媒体中に非金属元素を均一にドープすることができる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|