「cu electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The internal electrode 2 is preferably made of copper (Cu) or copper (Cu) alloy.例文帳に追加

内部電極２は銅（Ｃｕ）又は銅（Ｃｕ）合金により構成されることが好ましい。 - 特許庁

CU-W-BASED ALLOY ELECTRODE MATERIAL FOR ELECTRIC DISCHARGE MACHINING例文帳に追加

放電加工用Ｃｕ−Ｗ系合金電極材 - 特許庁

A Cu electrode film (or Cu alloy electrode film) 22 having tri-axis orientation is provided onto a piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

圧電基板２上に、３軸配向を有するＣｕ電極膜（又はＣｕ合金電極膜）２２を配設する。 - 特許庁

A Cu electrode 3 is obtained by removing the A1 pattern 2.例文帳に追加

Ａｌパターン２を除去してＣｕ電極３を得る。 - 特許庁

Consequently, soldering can be made to a Cu cathode electrode composed of a dissimilar metal of Al on the Sn layer 23 or Sn alloy layer, and joint strength of the Al anode electrode and Cu cathode electrode can be enhanced.例文帳に追加

これにより、Sn層２３又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。 - 特許庁

The drain electrode 12 is connected and fixed to a Cu plate 6.例文帳に追加

ドレイン電極１２は、Ｃｕ板６に接続固定されている。 - 特許庁

To provide an electrode structure which can reduce the thickness of a Cu electrode which does not easily generate a crack, a void, and exfoliation in the Cu electrode even if the thickness of the Cu electrode is reduced, and is high in connection strength.例文帳に追加

Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。 - 特許庁

An external electrode 3b and the mounting pad 4b are composed of Cu.例文帳に追加

外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、Ｃｕからなる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH Cu WIRING OR ELECTRODE例文帳に追加

Ｃｕ配線或いは電極をもつ半導体装置の製造方法 - 特許庁

A side of the Cu electrode layer 72 is in an inverted taper shape.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層７２の側面は逆テーパ形状である。 - 特許庁

Then, the organic resin film 74 is formed on the Cu electrode layer 2.例文帳に追加

その後、Ｃｕ電極層２上に有機樹脂膜７４を形成する。 - 特許庁

The removal processing of a Cu oxidized film is executed to the Cu electrode pad 12 of the semiconductor chip 11 and the Cu inner lead 14 of a TAB tape 13.例文帳に追加

半導体チップ１１のＣｕ電極パッド１２とＴＡＢテープ１３のＣｕインナーリード１４に対してＣｕ酸化膜の除去処理を施す。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with structure in which a semiconductor element is connected to a Cu or Ni electrode through a junction layer composed of Cu and the Cu junction layer and the Cu or a Ni electrode are joined to each other by diffused junction.例文帳に追加

半導体素子と、ＣｕまたはＮｉ電極がＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記Ｃｕ接合層と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置。 - 特許庁

The negative electrode 2 and the Cu target 3 are connected to a power source 4, and the potential of the Cu target to the negative electrode 2 is controlled by the power source 4.例文帳に追加

陰極２及びＣｕターゲット３に電源４を接続し、該電源４によってＣｕターゲット３の陰極２に対する電位を制御する。 - 特許庁

The bump electrode 2 is connected to the projecting region of the Cu plated layer 14.例文帳に追加

バンプ電極２は、Ｃｕメッキ層１４の突出領域と接続する。 - 特許庁

In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

Cu-W-BASED ALLOY, AND ELECTRODE USING THE ALLOY FOR ELECTRIC SPARK MACHINING例文帳に追加

Ｃｕ−Ｗ系合金および該合金を用いた放電加工用電極 - 特許庁

By heat-treating the precursor at 450C° or lower, the Cu-based electrode including the Ti-based barrier film can be formed.例文帳に追加

この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 - 特許庁

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

A surface layer is obtained by fixing and solidifying an Sn-Cu-Mn molten alloy on a surface of an electrode formed of Cu or an alloy containing Cu as a primary element.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕを主要要素とする合金からなる電極の表面に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｍｎ溶融合金を定着・凝固させて表面層を得る。 - 特許庁

The transparent thin-film electrode includes a Cu-based conductive layer containing Cu and other metals, and a metal capping layer formed at the upper portion of the Cu-based conductive layer.例文帳に追加

Ｃｕ及び他の金属を含むＣｕ系導電層とＣｕ系導電層の上部に形成される金属キャッピング層とを含む透明薄膜電極である。 - 特許庁

COATED ELECTRODE FOR ARC WELDING OF AUSTENITIC STAINLESS STEEL HAVING EXCELLENT Cu BRITTLE CRACK RESISTANCE例文帳に追加

耐Ｃｕ脆化割れ性に優れたオーステナイト系ステンレス鋼被覆アーク溶接棒 - 特許庁

The electrode pad 2 includes Al as a main component and Cu as an auxiliary component, the weight ratio of Cu being ≥3.5%.例文帳に追加

電極パッド２は、主成分としてのＡｌと副成分としてのＣｕとを含み、Ｃｕの重量比が３．５％以上である。 - 特許庁

A lower electrode 18b of a capacitor is formed simultaneously with a first Cu wiring layer 18a using a first Cu film 18.例文帳に追加

キャパシタの下部電極１８ｂを第１のＣｕ膜１８を用いて第１のＣｕ配線層１８ａと同時に形成する。 - 特許庁

In the solder junction formed on a Cu electrode, the Cu_6Sn_5 phase formed on a junction interface between the Cu electrode and an Sn-based solder part has an average particle diameter D of D≤2.0 μm in a horizontal face to the Cu electrode.例文帳に追加

Ｃｕ電極上に形成されたはんだ接合体において、Ｃｕ電極とＳｎ系はんだ部との接合界面に形成するＣｕ_６Ｓｎ_５相のＣｕ電極に対する水平面における平均粒径ＤがＤ≦２．０μｍであるはんだ接合体。 - 特許庁

In an Sn-Ag-Cu based solder joint on a Cu electrode, a layer of a Cu_3Sn intermetallic compound is formed directly on the Cu electrode, and, a Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is formed thereon.例文帳に追加

Ｃｕ電極上のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ接合部では、Ｃｕ電極の直上にＣｕ_3Ｓｎ金属間化合物の層が形成され、さらにその上にＣｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層が形成される。 - 特許庁

The first Cu plating film 16 is formed on the foundation electrode layer 15.例文帳に追加

第１のＣｕめっき膜１６は、下地電極層１５の上に形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a Cu electrode 12 is formed in the first principal surface of a glass-epoxy substrate 11.例文帳に追加

ガラエポ基板１１の第１主面にＣｕ電極１２が形成されている。 - 特許庁

An external electrode 8 is formed of a baked conductor film composed principally of Cu.例文帳に追加

外部電極８を、Ｃｕを主成分とする焼付け導体膜から構成する。 - 特許庁

Next, a Cu electrode layer 2 is formed in the opening 55a through plating method.例文帳に追加

次に、その開口部５５ａにめっき法によりＣｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

The upper electrode 24b is formed simultaneously with a second Cu wiring layer 24a using a second Cu film 24 of a dual damascene wiring.例文帳に追加

上部電極２４ｂはデュアルダマシン配線である第２のＣｕ膜２４を用いて第２のＣｕ配線層２４ａと同時に形成する。 - 特許庁

A rare earth metal electrode in which the total content of Fe, Co, Ni, Cu and Al is controlled to 5 to 500 ppm is used as an electrode for rotary electrode atomizing.例文帳に追加

Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ及びＡｌの総量が５〜５００ｐｐｍである希土類金属電極を、回転電極アトマイズ用電極として使用する。 - 特許庁

Thus, an upper part 2a of the side of the Cu electrode layer 2 is formed in a forward taper shape.例文帳に追加

これにより、Ｃｕ電極層２の側面上部２ａを順テーパ形状とする。 - 特許庁

In a positive-electrode mixture, a predetermined quantity of Fe-Cu alloy powder is intentionally made contained.例文帳に追加

正極合剤中に、所定量のＦｅ−Ｃｕ合金粉末を意図的に含有させた。 - 特許庁

A Ni film 16 is formed on the Cu electrode 12 in the through-hole 14.例文帳に追加

スルーホール１４内においてＣｕ電極１２上にＮｉ膜１６が形成されている。 - 特許庁

The foundation electrode layer 15 includes a metal which can be diffused in Cu and a ceramic binding material.例文帳に追加

下地電極層１５は、Ｃｕに拡散し得る金属と、セラミック結合材とを含む。 - 特許庁

To provide a Cu-W pipe with an extra fine diameter with outer diameter ≤0.5 mm, an electrical discharge machining electrode using the Cu-W pipe, and its manufacturing method.例文帳に追加

外径が０．５ｍｍ以下の極細径のＣｕ−Ｗパイプとそれを用いた放電加工電極とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

The metal which can be diffused in Cu is diffused in at least a surface layer of the foundation electrode layer 15 in the first Cu plating film 16.例文帳に追加

第１のＣｕめっき膜１６の少なくとも下地電極層１５側の表層には、Ｃｕに拡散し得る金属が拡散している。 - 特許庁

The electrolyte layer 3 is formed of Li_2S-P_2S_5 based solid electrolyte, the electrode extraction part 20 is formed of a Cu foil, and the insulating film 25 is formed of Li_2CO_3.例文帳に追加

電解質層3はLi_2S‐P_2S_5系固体電解質で形成され、また、電極取り出し部20はCu箔で形成され、絶縁膜25はLi_2CO_3で形成されている。 - 特許庁

Due to Cu layer not being formed, a cylindrical electrode film 6 whose electrical resistance value is low, without precipitation of Cu oxide, is provided.例文帳に追加

Ｃｕ層が形成されていないことにより、Ｃｕ酸化物の析出のない、かつ、電気抵抗値が小さい筒状電極膜６が得られる。 - 特許庁

A second electrode formed on the capacitor insulating film is formed of one of a Cu layer and a Cu layer containing the substances.例文帳に追加

キャパシタ絶縁膜上に形成された第２の電極は、Ｃｕ層と、前記物質を含むＣｕ層のうちの１つにより形成されている。 - 特許庁

After forming a 1st electrode layer 4 made of Ti or a Ti alloy on a piezoelectric substrate 2, a 2nd electrode layer 5 made of Cu or a Cu alloy is formed on the 1st electrode layer 4.例文帳に追加

圧電基板２上に、ＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層４を形成した上で、この第１の電極層４上に、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層５を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF POSITIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY CONTAINING Cu, MANUFACTURING METHOD OF POSITIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY, AND POSITIVE ELECTRODE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY例文帳に追加

Ｃｕを含有する二次電池用正極材料の製造方法、二次電池用正極材料の製造方法および二次電池用正極材料 - 特許庁

Moreover, a lower layer electrode film 21 made of Ti (or a Ti alloy) is provided between the piezoelectric substrate 2 and the electrode film (or Cu alloy electrode film) 22.例文帳に追加

また、圧電基板２と、Ｃｕ電極膜（又はＣｕ合金電極膜）２２との間に、Ｔｉ（又はＴｉ合金）からなる下層電極膜２１を設ける。 - 特許庁