「diffusion field」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

A gate oxide film 107 of the lateral high-dielectric-strength MOSFET100 of a 1st conductivity type is formed to such a thickness that an electric field value to the maximum operating voltage between the source and drain is ≤4 MV/cm and a drain diffusion layer 114 is so formed that its impurity total amount is ≥2×10^12/cm^2.例文帳に追加

第１導電型の横型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ100のゲート酸化膜107の膜厚を、ソース・ドレイン間の最大動作電圧に対する電界値が４ＭＶ／ｃｍ以下となる厚さに形成し、前記ドレイン拡散層114をその不純物総量が２×１０^12／ｃｍ^2以上となるよう形成する - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3 formed on the bottom face section 1a of a recessed groove provided on the surface of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 2 and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 formed on the portions of the surface 18a of the semiconductor substrate 1 corresponding to both sides of the recessed groove.例文帳に追加

半導体基板１の表面に設けられた凹溝の底面部１ａ上にゲート絶縁膜２を介して形成されたゲート電極３と、その凹溝の両側に相当する半導体基板表面１８ａに形成された一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transmission screen using a lenticular lens sheet capable of preventing external light from irregularly being reflected by a screen surface, preventing the contrast from decreasing owing to external light within a practical field angle, and further preventing mirroring even when the lenticular lens sheet is molded out of a thermoplastic resin containing a light diffusion material by extrusion.例文帳に追加

光拡散材を含有した熱可塑性樹脂を押し出し成形して得られるレンチキュラーレンズシートであっても、スクリーン面の外光の乱反射を防ぎ、実用視野角内での外光によるコントラスト低下を防ぎ、さらに写り込みを防ぐことが可能なレンチキュラーレンズシートを用いた透過型スクリーンを提供する。 - 特許庁

This semiconductor storage comprises field effect transistors formed on one surface side of a semiconductor substrate, the plurality of ferroelectric capacitors formed in proximity to each other above the field effect transistors, an insulating film for carrying out self-aligning planarization of the gaps between the adjacent ferroelectric capacitors upon the formation thereof by covering the plurality of ferroelectric capacitors, and the hydrogen diffusion preventing film formed on the insulating film.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の一面側に形成された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの上方に互いに近接して形成された複数の強誘電体キャパシタと、前記複数の強誘電体キャパシタを覆い隣接する前記強誘電体キャパシタ間の間隙をその形成時に自己整合的に平坦化する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された水素拡散防止膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加

本発明では、ゲート電極（１）のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Ｖｔｈ調整用の半導体基板（１０）の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板（１０）と拡散層（１１、１１’、１２）との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁

To provide a diffusion situation prediction device for a diffusive substance capable of predicting efficiently an elaborate air current field around the periphery of an event generation place as the center, even in an event incapable of specifying the place in advance, capable of shortening a processing time, and capable of making the device compact, a method therefor, and a program.例文帳に追加

事前に場所の特定ができないような事象に対しても、その事象発生場所周辺を中心とした緻密な気流場を効率よく予測を行うとともに、処理時間の短縮および装置の小型化を図ることのできる拡散物質の拡散状態予測装置及びその方法並びにプログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

The substrate inspection method detects the defect on the basis of a plurality of detection brightness values and a plurality of comparison brightness values determined to detect diffusion light from a detection position on a substrate and a comparison position corresponding thereto with a plurality of detectors arranged in different directions under dark field illumination.例文帳に追加

本発明に係る基板検査方法は、暗視野照明下において基板上の検査位置及びこれに対応する比較位置からの散乱光を異なる方向に配置された複数の検出器により検出して得られた複数の検査用輝度値及び複数の比較用輝度値に基づいて欠陥を検出する基板検査方法である。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

In a switching element using the photonic crystal resonator, electrode regions are formed in regions opposed to each other through a resonator portion in a photonic crystal substrate and two-photon absorbing carriers generated in the resonator are extracted by applying an electric field to the electrode regions to remove the carriers of the resonator faster than the dispersion of carriers due to diffusion.例文帳に追加

本発明は、フォトニック結晶共振器を用いたスイッチ素子において、フォトニック結晶基板中に、共振器部位を挟んで対向する領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit apparatus, a drain D, a gate G, a source S, and a back gate BG in a high-concentration diffusion region are formed in this order, and an insulating gate field effect transistor having a drain output terminal pad is included.例文帳に追加

ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳ及び高濃度拡散領域のバックゲートＢＧが、この順序で形成され、ドレイン出力端子ｐａｄを有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含む半導体集積回路装置において、バックゲート用に形成された前記高濃度拡散領域の一部分の、ドレイン出力端子ｐａｄが設けられた位置とは反対側のみに金属配線を設ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the antiglare laminate having an antiglare layer in which the particles serving as a diffusion material for diffusing light are dispersed in a binder matrix, using a dye coating method, includes a process for applying an AC magnetic field to the coating liquid containing the particles and active energy beam cured-resin forming the binder matrix.例文帳に追加

光を拡散させる拡散材となる粒子がバインダマトリックス中に分散している防眩層を透明基材上に備える防眩性積層体をダイコーティング法を用いて製造する方法であって、該バインダマトリックスを形成する活性エネルギー線硬化樹脂と該粒子を含む塗液に交流磁場を印加する工程を経ること、を特徴とする防眩性積層体の製造方法 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

In the optical switching element for generating two-photon absorbing carriers on a predetermined position of a photonic crystal waveguide and performing switching by free electron absorption caused by the carriers, the electrode regions are formed on predetermined regions through the waveguide, two-photon absorbing carriers generated in the waveguide held between the electrode regions are extracted and removed from the waveguide faster than diffusion by applying an electric field.例文帳に追加

また、フォトニック結晶導波路の所定の位置に、二光子吸収キャリアを発生させ、該キャリアに起因する自由電子吸収によりスイッチングを行う光スイッチ素子において、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 - 特許庁

The method using an apparatus for growing the biopolymer crystal by a vapor diffusion process comprises holding a biopolymer-containing solution 11 in the void of a substrate 26 by surface tension, applying an alternating electric field to the above solution by a pair of electrodes 31 located near th void of the substrate to induce an induced dipole into the biopolymer so as to move in the solution, and thus promoting the formation of the crystal nucleus.例文帳に追加

生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液１１を表面張力により基板２６の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極３１によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。 - 特許庁