「diffusion field」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Gas flow field data is used for estimating diffusion states of diffusing substances at a plurality of estimation points in a specific region A3, and the use of the gas flow field data in which estimation points are finely set allows further detailed estimation of the diffusion states of the diffusing substances.例文帳に追加

気流場データは、特定領域Ａ３内の複数の評価地点における拡散物質の拡散状況を予測するために用いるデータであり、評価地点が細かく設定された気流場データを用いることによって、拡散物質の拡散状況をより詳細に予測することができる。 - 特許庁

In this method, a momentary electromagnetic field generated by pulse energization effects is utilized, and the nano-structured metal oxide sintered compact having a preferred orientation can be manufactured by its electric field diffusion effect.例文帳に追加

パルス通電効果により発生する瞬間的な電磁場を利用し、その電解拡散効果により優先配向をもたせたナノ構造金属酸化物焼結体を製造することができる。 - 特許庁

After forming a channel diffusion layer 11 self-alignedly with respect to the field relaxation oxide film 17 (e), an anti-oxidation film 53 is formed and then heat treatment is conducted to form a field oxide film 7 (f).例文帳に追加

電界緩和用酸化膜１７に対して自己整合的にチャネル拡散層１１を形成した後（ｅ）、耐酸化膜５３を形成し、熱処理を施してフィールド酸化膜７を形成する（ｆ）。 - 特許庁

The junction field effect transistor has such a vertical structure that a gate diffusion layer 5 comes into face contact with a channel layer 3 wherein the gate diffusion layer 5 has a spot-like plan view arranged in matrix and the channel layer 3 is formed to surround each gate diffusion layer 5.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、チャネル層３にゲート拡散層５が面接触した縦型構造を有しており、ゲート拡散層５が平面視点状の形状を有し、マトリクス状に設けられ、その各ゲート拡散層５の周囲を取り囲むようにチャネル層３が形成されている。 - 特許庁

After channel layers are formed simultaneously, a buried layer is formed beneath each channel layer, a layer for stopping diffusion of a gate diffusion layer is formed by implanting ions into a specified position on the side of an enhancement field effect transistor, and then the gate diffusion layer is formed.例文帳に追加

チャネル層を同時形成した後、各チャネル層の下方に埋め込み層をそれぞれ形成し、次いで、エンハンスメント形の電界効果トランジスタ側の所定位置にイオン注入してゲート拡散層の拡散を阻止する拡散ストップ層を形成し、その後、ゲート拡散層を形成するようにした。 - 特許庁

The modulation current, flowing between a source diffusion region 202 and a drain diffusion region 203 of the field effect transistor, is subjected to synchronous detection by the modulation frequency of the modulation means 104 in a detection circuit 205.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのソース拡散領域２０２とドレイン拡散領域２０３間を流れる変調電流は、検出回路２０５にて、変調手段１０４の変調周波数にて同期検波される - 特許庁

The atomization and the diffusion are promoted by injecting a urea aqueous solution into the spray diffusion chamber 36 capable of an injection distance L with the field temperature higher than the inside of the pipe 33b and the large passage cross-sectional area.例文帳に追加

パイプ３３ｂ内に比較して場の温度が高く、且つ通路断面積が大きくて噴射距離Ｌを確保できる噴霧拡散室３６内に尿素水溶液を噴射することにより霧化・拡散を促進する。 - 特許庁

A field oxidized layer isolates first and second high concentration diffusion regions from third and fourth high concentration diffusion regions.例文帳に追加

その導電型の第一高濃度拡散区、第一導電型と相反する第二導電型の第二高濃度拡散区、第二導電型の第三高濃度拡散区、及び第一導電型の第四高濃度拡散区は、井戸内に位置する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device wherein a dynamic range of floating diffusion can be ensured while suppressing noise induced from an electric field.例文帳に追加

フローティングディフュージョンのダイナミックレンジの確保と電界起因ノイズの抑制とを両立して実現可能な固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique that can reproduce a sensor of diffusion of a diffuse sound field by using a monaural signal with a simple system configuration.例文帳に追加

簡単なシステム構成でモノラル信号を用いた拡散音場の拡がり感を再生することが可能な技術を提供することである。 - 特許庁

The dimming display part displays a focus detection area in a finder field by superimposing it on a subject image by using the diffusion type liquid crystal.例文帳に追加

減光表示部は、拡散型液晶を用いて、被写界像に重ね合わせて焦点検出領域をファインダ視野内に表示できる。 - 特許庁

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation.例文帳に追加

従来のように簡略な近似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不純物分布のシミュレーション計算を行なう。 - 特許庁

Two optical fibers 1, 2 having a different mode field diameter are fusion-spliced and the vicinity 4 of the fusion-spliced part is thermal diffusion-processed using a heat source such as a burner.例文帳に追加

２つのモードフィールド径の異なる光ファイバ１、２を融着接続し、融着接続部近傍４をバーナ等の熱源を用いて熱拡散処理する。 - 特許庁

The field relaxing region is surrounded by the integrated impurity diffusion region 109, and extended below the second region of the gate electrode 106.例文帳に追加

ここで、電界緩和領域は、一体化した不純物拡散領域１０９に含まれ、且つ、ゲート電極１０６の第２領域の下方に延在する。 - 特許庁

A fuel cell is provided with a membrane electrode assembly, two gas diffusion layers, two current collectors, two sealing members and a flow field plate assembly.例文帳に追加

燃料電池は膜電極接合体と２つのガス拡散層と２つの電流コレクタと２つの密封部材と流れ場プレートアッセンブリとを有する。 - 特許庁

Use of such a monocentric arrangement, the diffusion surface (40) and the ball lens (30) provides exceptionally wide field of view with large viewing pupil (14).例文帳に追加

このような一つの中心を有する配置の使用、拡散面（４０）、及びボールレンズ（３０）は、例外的に、広い視野に、より大きい目視する瞳（１４）を提供する。 - 特許庁

Thereby, the image quality is enhanced by changing the pattern due to error diffusion at a high speed for each field and by making the pattern hard to observe.例文帳に追加

以上により、誤差拡散に起因する文様をフィールドごとに高速に変動させ観測されにくくしており、画質を向上させることができる。 - 特許庁

To obtain a diffusion weighted image using a b-value which is larger than what corresponds to the maximum gradient magnetic field intensity and time for applying MPG (Motion Probing Gradient) pulse.例文帳に追加

最大傾斜磁場強度およびＭＰＧパルスの印加時間に見合うよりも大きなｂ値を用いた拡散強調画像を得ることを可能とする。 - 特許庁

That is, the end of the p^+-type diffusion layer 6 is disposed to be spaced inward in a direction toward the gate insulating film 4 from the end of the field insulating film 5.例文帳に追加

すなわち、Ｐ＋型拡散層６の端は、フィールド絶縁膜５の端から、ゲート絶縁膜４の方向へ内側に離れて配置されている。 - 特許庁

Consequently, no diffusion layer needs to be provided on the incidence surface, so the color shift and visual field angle can be improved without lowering the contrast.例文帳に追加

これにより、入射面に拡散層を設ける必要はないため、コントラストを低下させることなく、カラーシフト及び視野角を改善することができる。 - 特許庁

A field effect transistor comprises a gate insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

The field effect transistor has, on a diffusion layer 17, a source electrode 21, a drain electrode 22, and a gate electrode 20 provided between the source electrode 21 and drain electrode 22.例文帳に追加

拡散層１７上に、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ソース電極２１とドレイン電極２２との間に設けられたゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor 30A having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタ３０Ａを備える。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor including a field relaxing layer which is composed of a lightly doped diffusion layer overlapped with a gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極にオーバーラップした低濃度拡散層からなる電界緩和層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, electric field concentration at an end of the silicon oxide film 19 is reduced to suppress an increase in electric field intensity, so that a breakdown when the impurity concentration of the N type diffusion layer 12 can be prevented.例文帳に追加

その結果、シリコン酸化膜１９の端部における電界集中が緩和されて電界強度の上昇が抑制され、Ｎ型拡散層１２の不純物濃度を下げた場合のブレイクダウンが防止される。 - 特許庁

The liquid crystal LC based substance has the diffusion characteristics varying with an electric field of the cell, and can build inside the cell the electric field capable of modulating a continuous spectrum from optical signals in the cell by using two or more electrodes in direct vicinity of the cell.例文帳に追加

液晶ＬＣベースの物質は、セルの電場により変化する拡散特性を持ち、セル直近の複数の電極の使用により、光信号連続スペクトルの変調の可能な電場をセル内に構築出来る。 - 特許庁

A p^- diffusion layer 11 and a p^+ diffusion layer 12 contacting it are formed right below the high-potential wiring 9 in contact with an n drain buffer layer 10 to lower electric field intensity of an insulating film 44a that the high-potential wiring 9 crosses.例文帳に追加

高電位配線９の直下にｎドレインバッファ層１０と接してｐ^-拡散層１１とこれに接するｐ^+拡散層１２を形成することで、高電位配線９が横切る絶縁膜４４ａの電界強度を低下できる。 - 特許庁

In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁

A P-type anode diffusion layer 2 is provided on an N-base layer 1, P-type field limiting rings 3a to 3m are provided continuously in ring form surrounding the anode diffusion layer 2, and a silicon oxide film 5 is provided on the rings 3a to 3m.例文帳に追加

Ｎ^-ベース層１上にＰ型のアノード拡散層２を設け、これを取り囲むように連続してリング状にＰ型のフィールド・リミッティング・リング３ａ〜３ｍを設け、このリング３ａ〜３ｍ上には、シリコン酸化膜５を設ける。 - 特許庁

In such a Schottky diode, each p-type diffusion layer 3 is pinched off by a depletion layer extending from the lower region 3b of each p-type diffusion layer 3 and a field is relaxed in the reverse direction.例文帳に追加

このようなショットキーダイオードにおいては、各ｐ型拡散層３の下部領域３ｂから伸びる空乏層によって各ｐ型拡散層３の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁

An LDMOS transistor comprises: a gate electrode formed on a semiconductor substrate via a gate insulating film; a source diffusion region and a drain diffusion region each formed in the semiconductor substrate at the both side of the gate electrode; and a field drain portion.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳトランジスタは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板中にそれぞれ形成されたソース拡散領域及びドレイン拡散領域と、フィールドドレイン部と、を備える。 - 特許庁

Heating by near field light 7a, since recording is carried out simultaneously or just after it, allows the effect of thermal diffusion to be ignored and the utilization efficiency of a laser beam to be enhanced.例文帳に追加

近接場光７ａによって過熱されると同時ないし直後に記録されるため、熱拡散の影響は無視でき、レーザ光の利用効率を高めることができる。 - 特許庁

The light diffusion particles reciprocate in the dispersion medium by an electric field generated by an AC voltage applied to electrodes 16a and 16b.例文帳に追加

光拡散粒子は電極１６ａ、１６ｂに印加される交流電圧で発生する電界により分散媒の中を往復移動しその位置を時間的に変化させる。 - 特許庁

Consequently, decrease in the breakdown voltage due to concentration of electric field at the corners of each diffusion layer 3-5 can be prevented in the end parts and the bottom of the cell section.例文帳に追加

これにより、セル部の終端部及び底部において、各拡散層３〜５のコーナー部での電界集中による耐圧低下を防止することが可能となる。 - 特許庁

The surface of a diffusion layer of at least a source region is formed of a metal silicide layer in a metal oxide field effect transistor actuating the heating element.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタの少なくともソース領域の拡散層表面を金属シリサイド層により形成する。 - 特許庁

Thus, since recording is carried out simultaneously with or immediately after heating by the near field light, the effect of heat diffusion is ignored, and laser beam utilization efficiency is increased.例文帳に追加

そのため、近接場光によって加熱されると同時又は直後に記録されるため、熱拡散の影響は無視でき、レーザ光の利用効率を高めることができる。 - 特許庁

A fuel cell module is provided with a membrane electrode assembly, two gas diffusion layers, two current collectors 303, two sealing members 20 and a flow field plate assembly 10.例文帳に追加

燃料電池モジュールは、膜電極接合体と、２つのガス拡散層と、２つの電流コレクタ３０３と、２つの密封部材２０と、流れ場プレートアッセンブリ１０と、を有する。 - 特許庁

Under a field separation film 14, a P type diffusion region 7 is discretely formed in the direction across the direction where a current flows in on-state.例文帳に追加

フィールド分離膜１４の下に、オン状態において電流が流れる方向と交差する方向に沿って離散的にＰ型拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The impurity diffusion layer 17 immediately below the dielectric film 18 is insulated from a single crystal silicon layer 13 by a field oxidized film 2 and a buried oxidized film 12.例文帳に追加

誘電体膜１８直下の不純物拡散層１７は、フィ−ルド酸化膜２、埋め込み酸化膜１２により単結晶シリコン層１３から絶縁されている。 - 特許庁

The field drain portion is an insulator formed in the semiconductor substrate under the gate electrode so as to be interposed between the gate electrode and the drain diffusion region.例文帳に追加

フィールドドレイン部は、ゲート電極とドレイン拡散領域との間に介在するように、ゲート電極の下方の半導体基板中に形成された絶縁体である。 - 特許庁

The diffusion sheet 13 and the prism sheet 14 which are electrified vibrate according to the periodical change of the direction of the electric field, if measures are not taken.例文帳に追加

そして、何ら対策を講じない場合には、静電気を帯びた拡散シート１３やプリズムシート１４が上記電界の方向の周期的な変化に応じて振動する。 - 特許庁