「diffusion field」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A diffusion plate 109, a rod integrator 110, a condenser lens 105 and a field lens 107 are arranged between the B reflection dichroic mirror 108 and the liquid crystal display element 120M in order from the light source 101R side.例文帳に追加

Ｂ反射ダイクロイックミラー１０８と液晶表示素子１２０Ｍとの間には、拡散板１０９、ロッドインテグレータ１１０、コンデンサレンズ１０５およびフィールドレンズ１０７が光源１０１Ｒ側から順に配置されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A means for stopping the irradiation of the collimator laser beam after generating the beam for a prescribed time is provided to suppress the diffusion of the Cs atoms in the horizontal direction by a bi-polar force in the magnetic field of the collimation laser beam.例文帳に追加

コリメーションレーザを一定時間だけ発生した後，出力を停止する手段を設け，コリメーションレーザ光の電場の双極子力によりセシウム原子が水平方向へ拡散するのを抑制するよう構成する。 - 特許庁

After magnetization is excited in a single-dimensional direction like a wavelet function by a combination of an RF pulse 11 and an inclined magnetic field 16, homopolar diffusion detection inclined magnetic fields 16 and 17 are arranged with a π pulse 12 sandwiched, and a readout inclined magnetic field 18 is applied in an x direction to measure a spin echo signal 19.例文帳に追加

RFパルス１１と傾斜磁場１６の組合せにより１次元方向の磁化を空間的にwavelet関数状に励起した後、πパルス１２を挟み同極性の拡散検出傾斜磁場１６、１７を配置しｘ方向リードアウト傾斜磁場１８を印加してスピンエコー信号１９を計測する。 - 特許庁

When the emulsion fuel passes through the interior of the magnetic field-impressing device 15 from the liquid-stirring device 13, an electromotive force is generated in the vertical direction to the passage direction and the impression direction of the magnetic field, and each of the molecular clusters of a micelle particles is torn off by the electromotive force to promote the mixing and diffusion of the micelle particles and to reduce the particle diameters.例文帳に追加

液体攪拌装置13から磁場印加装置15内をエマルジョン燃料が通過すると、流路方向及び磁場の印加方向に対して垂直方向に起電力が発生し、その起電力によってミセル粒子の各分子クラスタが引きちぎられ、ミセル粒子の混合及び拡散が促進されてその粒径が小さくなる。 - 特許庁

In this near field light probe provided with a through hole 4 having the micro-opening 3 in the photodetector including the first conductive type semiconductor layer 1 and a second conductivity type impurity diffusion layer 2, the second conductivity type impurity diffusion area 5 is provided along an inner circumference of the through-hole 4 in the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加

第一導電型の半導体層（１）及び第二導電型の不純物拡散層（２）を含む光検出器に微小開口（３）を有する貫通孔（４）を設けた、本発明の近接場光プローブは、第一導電型の半導体層（１）に、貫通孔（４）の内周に沿って、第二導電型の不純物拡散領域（５）を設けた。 - 特許庁

Further, a magnetic field shield 8 for preventing diffusion of the plasma produced at the plasma irradiation part 6, the charged particle and the charged dust is provided between the plasma irradiation part 6 and the unwinding device 4 and the winding device 5 at both sides of the part 6.例文帳に追加

そして、プラズマ照射部６とその両側の巻出装置４及び巻取装置５との間にプラズマ照射部６にて生成したプラズマや荷電粒子や帯電したダストなどの拡散を防止する磁場シールド８を設けている。 - 特許庁

The magnetic objective lens is designed to have a temporally constant energy diffusion in respective portions composing the lens when a focal point is changed, so that the system does not need time to stabilize when the magnetic field is changed.例文帳に追加

磁気対物レンズは、焦点を変化させたときに、レンズを構成する各部におけるエネルギー放散が時間的に略一定となるように設計されるので、磁界を変化させたとき装置を安定化させる時間を必要としない。 - 特許庁

Further, the sum of the depth-directional thickness of the N^- drift layer 1 and the depth-directional thickness of the field stop layer 3 is smaller than the diffusion length of electrons and holes when the Frenkel defect density of the N^- drift layer 1 is the heat balancing density.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の深さ方向の厚さとフィールドストップ層３の深さ方向の厚さとの和は、Ｎ^-ドリフト層１のフレンケル欠陥密度が熱平衡密度である場合の電子および正孔の拡散長よりも小さい。 - 特許庁

To provide a light diffusion film and the manufacturing method with which the transmission efficiency of incident light is high, visual field angle characteristics are excellent, the images of high contrast are provided and the images with quality without roughness are provided.例文帳に追加

入射光の透過効率が高く、視野角特性に優れ、高コントラストな画像を提供することができ、さらに、ざらつきのない画質を有する画像を提供することが可能な光拡散フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The widths of the first and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are operated as the field alleviating layer correspond to the widths L1 and L3 of the space of the first insulating film pattern, and correspond to the amount of gate overlap.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３の幅は、第１の絶縁膜パターンのスペースの幅Ｌ１、Ｌ３にそれぞれ相当すると共に、ゲートオーバーラップ量に相当する。 - 特許庁

The gate structure is a structure with a Pt-Ti-O region composed of amorphous titanium that oxygen is doped in the grain boundary 6 (including grain boundary near-field region 7) among platinum microcrystals 5 and a platinum-titanium diffusion layer.例文帳に追加

ゲート構造において、プラチナ微結晶５間の結晶粒界６（粒界近傍領域７を含む）に酸素をドープした非晶質のチタン、プラチナ−チタン拡散層からなるＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を形成した構造とする。 - 特許庁

The transmitted light through the detection visual field is received and discriminated by a modulation system to detect the intensity of light at every emission point and the diffusion characteristics of the paper are obtained from the intensity of light at every detected emission point.例文帳に追加

そして、この検出視野を経た前記透過光を受光し、前記変調方式により弁別して前記発光点毎の光の強さを検出し、この検出された前記発光点毎の光の強さから紙の拡散特性を得る。 - 特許庁

Two bell-jars 1a and 1b, which are respectively provided with antennas 6a and 6b for generating helicon waves and coils 7a and 7b for generating a magnetic field on their peripheries, are made to communicate with a diffusion chamber 2 housed with a substrate 4 of a deposition object and are parallel-arranged.例文帳に追加

ヘリコン波発生用のアンテナ６ａ，６ｂ及び磁場発生用のコイル７ａ，７ｂを周囲に設けた２個のベルジャ１ａ，１ｂが、成膜対象の基板４を収容した拡散チャンバ２に連通させて並列に配設されている。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

This structure may include a field effect transistor (FET) having a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134, 170 to a diffusion 116 adjacent to the cap-free gate, wherein the conductive contacts are borderless to the gate.例文帳に追加

この構造は、実質的に無キャップのゲート１０８と、無キャップのゲートに隣接する拡散部１１６への導電コンタクト１３４，１７０とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。 - 特許庁

The portion of the light-blocking film 130 covering the tip 124 of the projecting portion 122 of the matrix 120 for the preliminary molding 100' of the near-field probe is brought into contact with the diffusion film 144 on the substrate 140.例文帳に追加

近接場プローブの予備成形品１００'のプローブ母材１２０の突出部１２２の先端１２４を被覆している遮光膜１３０の部分を、拡散反応用の基板１４０の拡散膜１４４に接触させる。 - 特許庁

To provide a method for controlling dispersion of ion implantation and diffusion of dopant in an field effect transistor(FET) with a shallow junction that reduces a short-channel effect, and provide a device in this method.例文帳に追加

短チャンネル効果を軽減するため浅い接合深さを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）におけるイオン注入散在およびドーパント拡散を制御する方法およびその方法を使用して製作されるデバイスを提供すること。 - 特許庁

Photons directly come into an exposure drift area, so that the hole-electron pairs are excited and uniformly separated by the action of the built-in electric field, a current is outputted, and the generation of push energy loss and recombination loss is evaded due to a diffusion current.例文帳に追加

光子は直接に暴露のドリフト領域に進入するので、ホール・エレクトロンペアを励起して均一に内蔵電場作用で分離し電流を出力し拡散電流による押しエネルギー損失と再結合損失の発生を避ける。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

This method of estimating permeability of a geological layer by using the nuclear magnetic resonance method is characterized in that the permeability of a geological layer is estimated by measuring the self-diffusion coefficient of pore fluid molecules in the layer with a sensor unit held against the layer, the sensor unit comprising a static magnetic field coil, a gradient magnetic field coil, and a radiofrequency wave coil.例文帳に追加

本発明による核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押し当てて地層中の間隙流体分子の自己拡散係数を計測することにより、地層の浸透率を推定することを特徴とする。 - 特許庁

A gas diffusion layer 2 coated with catalyst ink is pinched with a pair of laminates 3 structured in a pattern shape of a ferromagnetic body and a feeble magnetic body, and an electrode catalyst layer 1 is formed by carrying out a drying operation in a magnetic field with flux density distribution.例文帳に追加

触媒インクを塗布したガス拡散層２を、強磁性体と弱磁性体によってパターン状に構成された一対の積層体３で挟持し、乾燥操作を磁束密度分布のある磁場内で行って電極触媒層１を形成する。 - 特許庁

The structure may comprise a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134 and 170 to a diffusion part 116 adjacent to the cap-free gate, and the conductive contact may include a field effect transistor (FET) borderless to the gate.例文帳に追加

この構造は、実質的に無キャップのゲート１０８と、無キャップのゲートに隣接する拡散部１１６への導電コンタクト１３４，１７０とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。 - 特許庁

The field oxide film 118 contains extending portions 160 extending to the interior of the active region, the side portions of the extending portions 160 are connected to the silicon oxide film 120c, and the exposed surface portions of the extending portions 160 become regions for hydrogen diffusion.例文帳に追加

フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 - 特許庁

To restrain deterioration in reliability of a capacitor insulating film, which is caused by decrease in trench capacitance and electric field concentration, suppress diffusion of dopant of a charge storage electrode, prevent decrease of dopant concentration, and restrain increase in resistance of the charge storage electrode.例文帳に追加

トレンチキャパシタンスの低下、電界集中によるキャパシタ絶縁膜の信頼性の劣化を抑止でき、電荷蓄積電極のドーパントの拡散を抑制し、ドーパント濃度の低下を防止し、電荷蓄積電極の抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

To realize measurement unsusceptible to gap variations with enhanced signal intensity by forming an efficient closed magnetic circuit between a magnetic field generator and a magnetic flux sensor with a loss due to the generation of leakage flux reduced by preventing harmful diffusion of magnetic flux.例文帳に追加

磁束の有害な拡散を防止して漏れ磁束の発生による損失を低減させ、磁界発生器と磁束センサとの間に効率的な閉磁路を形成することで、信号強度を向上させ、且つギャップ変動に強い測定を可能とする。 - 特許庁

The prototypic semiconductor integrated circuit is manufactured and checked, by forming impurity diffusion regions 16P and 16N of a transistor in a prescribed region (region comprising solid line part and broken line part) enclosed by field oxide film 17 on a semiconductor wafer 15 for a prototype.例文帳に追加

試作用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分と破線部分から成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して半導体集積回路を試作し、検査する。 - 特許庁

To realize illumination with little irregularity in a view field by using a diffusion plate as a surface light source together with an optical element having a one-dimensional periodical structure in a transmissive illumination apparatus for a stereomicroscope for observation in a wide magnification range.例文帳に追加

大きな倍率範囲で観察する実体顕微鏡用の透過照明装置において、面光源となる拡散板と１次元方向に周期的な構造を持つ光学素子とを併用することにより、視野ムラが少ない照明を実現すること。 - 特許庁

To provide a light diffusion body capable of ensuring light diffusing performance while suppressing the back scattering of light and capable of reducing film thickness and to provide a display device capable of increasing the angle of a visual field with no loss of light and free of the disappearance of polarized light.例文帳に追加

光の後方散乱を少なく抑えながら光拡散性を確保することでき、かつ薄膜化を図ることができる光拡散体、及び光をロスすることなく、視野角を広げることができ、偏光解消のない表示装置を提供する。 - 特許庁

In a computing circuit 12, diffusion time using a means movement distance of the particles and the field time interval of the CCD sensor is substituted in the Einstein-Stokes relation related to the Brownian movement, and then the particle size is found and displayed by a display device 13.例文帳に追加

演算回路１２にてブラウン運動に関するアインシュタイン・ストークスの関係式に粒子の平均移動距離とＣＣＤセンサーのフィールド時間間隔を用いた拡散時間を代入して粒子径を算出し、表示装置１３にて表示する。 - 特許庁

Although the illuminating device 2 is configured such that respective color light beams of red, green and blue enter a view field of the camera 1 in different directions, by using LEDs 21R, 21G and 21B arranged concentrically, any diffusion plate is not disposed at each light emitting surface.例文帳に追加

照明装置２は、同心円状に配備されたＬＥＤ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂにより、赤、緑、青の各色彩光がカメラ１の視野に対しそれぞれ異なる方向から入射するように構成されるが、光出射面には拡散板が設けられていない。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device where, in the case a semiconductor wafer or the like is plated with a metal film, for the purpose of solving the problem that ununiform electrodeposition occurs by the diffusion of plating current and the ununiformity of a fluid distribution, an electric field distribution and a fluid flow are controlled.例文帳に追加

半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。 - 特許庁

In the control method of the ferrite steel material containing an intrusion-type solid solution element, the AC high magnet field is applied to the ferrite steel material in the AC magnet field which is smaller than 0.1 to 1T, and heat treatment or processing is applied thereto while suppressing an aging phenomenon generated by the diffusion of the intrusion-type element, the spheroidization of a carbide, decarburization, and the precipitation of a carbide and a nitride.例文帳に追加

侵入型の固溶元素を含むフェライト鋼材の材質を制御する方法において、該フェライト鋼材に、０．１〜１Ｔ未満の交流磁場中で、交流強磁場を印加し、侵入型元素の拡散により引き起こされる時効現象、炭化物の球状化、脱炭、炭化物又は窒化物の析出を抑制しながら、熱処理又は加工を施すことを特徴とする。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁

The membrane electrode assembly is provided with at least a corresponding one between the two gas diffusion layers; at least a corresponding one of the two current collectors; and at least a corresponding one of the two sealing members between the flow field plate assembly and the first side face of the membrane electrode assembly.例文帳に追加

膜電極接合体は、流れ場プレートアッセンブリと膜電極接合体の第１側面との間に、２つのガス拡散層のうち対応する少なくとも１つ、２つの電流コレクタのうち対応する少なくとも１つ、および、２つの密封部材のうち対応する少なくとも１つを有する。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

To provide a high tensile strength steel sheet with a tensile strength of ≥1,180 MPa, which has excellent delayed fracture resistance, and is suitable for an automobile field and building materials by forming a diffusion region of Ni or an Ni-based alloy on the surface of a steel sheet.例文帳に追加

鋼板の表面にＮｉまたはＮｉ合金の拡散領域を形成させることによって自動車分野および建材に用いる強度部材として好適な、耐遅れ破壊特性に優れた、引張り強度１１８０ＭＰａ以上を有する高張力鋼板を提供する。 - 特許庁

On the projection surface A of the lenticular lens 162, a vertical diffusion sheet 18 which diffuses the transmitted light more widely in the vertical direction than in the horizontal direction is provided to obtain the back projection screen which has wide field angles not only horizontally, but also vertically.例文帳に追加

レンチキュラレンズ１６２の出射面Ａに、水平方向よりも垂直方向に広く透過光を拡散する作用を有する垂直拡散シート１８を設けることで、水平方向だけでなく、垂直方向にも広い視野角を有する背面投写スクリーンを得ることができる。 - 特許庁

After the concentrations of the impurities and the variable T of diffusion time have been respectively set at their initial values (Nd and Na) and 0, the electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found by setting the variable T at T+ΔT.例文帳に追加

まず、不純物濃度の初期値（Ｎｄ、Ｎａ）を設定し、拡散時間の変数Ｔに初期値０をセットした後、拡散時間の変数ＴにＴ＋ΔＴを設定し、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて求める。 - 特許庁

Provided on a vacant surface 4, a dummy component 3 is identical with a component adjacent to a memory cell field or similar, as possible, to the component, while provided in the connected diffusion regions 5 common to the component adjacent to the dummy component.例文帳に追加

空き面（４）にダミー構成素子（３）が設けられており、該ダミー構成素子は、メモリセルフィールドの隣接する構成素子と同じであるか、または当該構成素子にできるだけ類似し、ダミー構成素子と隣接する構成素子とは共通の繋がった拡散領域（５）に配置されている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁