「diffusion field」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The collected soil in a field is irradiated with an infrared ray, using a diffusion reflection measuring instrument (soil diagnostic device 1), a converged diffusion reflection light is analyzed spectrally, and an effective element component amount in the soil is measured to be compared with the optimum effective element component amount.例文帳に追加

拡散反射測定装置（土壌診断装置１）を用いて、採取した圃場の土壌に赤外線を照射して、集められた拡散反射光をスペクトル分析して、土壌中の有効元素成分量を測定し、最適な有効元素成分量と比較する。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

An image acquisition part 41 acquires data of a light field image obtained as a result of imaging a light source radiating parallel light or equal diffusion light by an imaging apparatus 2.例文帳に追加

画像取得部４１は、平行光又は均等拡散光を照射している光源が撮像装置２により撮像された結果得られる、ライトフィールド画像のデータを取得する。 - 特許庁

A magnetic shield for controlling diffusion of a magnetic field from a coil may be provided above the coil 215, and a fluid passage may be provided in a conductive plate in order to provide thermal control.例文帳に追加

コイルからの磁場の拡散を制御する磁気シールドはコイル２１５の上方に設けられてもよく、流体流路は、熱制御を提供するために導電性プレート内に設けられてもよい。 - 特許庁

According to such a forming method, since P having higher diffusion coefficient than As which has been used in a prior art is used to form the pocket layer, a strong electric field near a channel is relaxed.例文帳に追加

このような形成方法によれば、ポケット層の形成に、従来用いられているＡｓよりも拡散係数が高いＰを用いているので、チャネル近傍の強い電界が緩和される。 - 特許庁

Moreover, the side face of the island 201b can be coated with the channel protection film, and this prevents impurities from entering the semiconductor film by diffusion and an electric field and improves a characteristic of the TFT.例文帳に追加

また、チャネル保護膜によってアイランド２０１ｂの側面が被覆でき、不純物が拡散や電界により半導体膜中に入ることが防止され、ＴＦＴの特性を改善する。 - 特許庁

An annular field plate 19 and a floating limiter ring 20 are formed along the edge of a semiconductor substrate while surrounding an impurity diffusion region composing the element and an electrode.例文帳に追加

素子を構成する不純物拡散領域及び電極を囲むように、環状のフィールドプレート１９及びフローティングリミッティングリング２０が半導体基板の縁に沿って形成される。 - 特許庁

To provide a diffusion type screen of a wide visual field angle which does not produce moires during use of a liquid crystal projector, little in the transmission loss of light and having no occurrence of glaring of images and hot spots.例文帳に追加

液晶プロジェクター使用時におけるモアレ発生がなく、光の透過損失が少なく、映像のギラツキやホットスポットの発生が無く、且つ広視野角の拡散型スクリーンを提供する。 - 特許庁

To provide a light diffusing sheet having high diffusion efficiency which can suppress generation of irregular luminance and which can control the angle of the view field and to provide a back light unit which uses that sheet.例文帳に追加

拡散効率が高く、輝度ムラの発生が抑制でき、さらに視野角度の調整が可能な光拡散シート及びこれを用いたバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

Each of the semiconductor memory 31 and the semiconductor switching element 32 is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13.例文帳に追加

半導体記憶素子３１，半導体スイッチング素子３２はそれぞれ、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタからなる。 - 特許庁

The diffusion barrier layer prevents atoms from migrating between the opening part and the magnetic lip to guarantee secure performance under locally high temperature caused by the near-field transducer.例文帳に追加

拡散障壁層は、開口部と磁性リップ間における原子の移動を防止することにより、近接場トランスデューサにより生じた局所的な高温下で確実な性能を保証する。 - 特許庁

To provide a new deep trench(DT) collar process which reduces disturbance of strap diffusion to an array metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのアレイ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）に対するストラップ拡散の侵害を低減する、新しいディープ・トレンチ（ＤＴ）カラー・プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide an electron emission element for suppressing beam diffusion to reduce another color-emission and suppressing diode type electron emission caused by an anode field, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は，ビーム拡散を抑制して他色発光を減らし，アノード電界によるダイオード型電子放出を抑制するための電子放出素子とその製造方法に関する。 - 特許庁

In such a case, the mode field diameter D1 of the inner end surface 4 of the side opposite to the light receiving element 3 of the single mode fiber constituting the short fiber 2 is preferably enlarged by thermal diffusion.例文帳に追加

短尺ファイバ２を構成する単一モードファイバの受光素子３と対向する側の内端面４のモードフィールド径Ｄ_1を熱拡散によって拡大することが好適である。 - 特許庁

To provide a transmission type screen using a lenticular sheet which has no hot bars in observation, is sufficiently wide in the diffusion angle (i.e., visual field angle) of projected light and has sufficient rigidity.例文帳に追加

観察時にホットバーがなく、投影光の拡散角度（すなわち、視野角度）が充分に広いと共に、剛性も充分なレンチキュラーシートを用いた透過型スクリーンを提供する。 - 特許庁

The field sequential liquid crystal display device is characterized in that the organic EL element 1 is used for back light and a light diffusion member 2 formed by incorporating particles 21 for light diffusion into a liquid cooling medium 22 is provided between the organic EL element 1 and a liquid crystal panel 3.例文帳に追加

本発明のフィールドシーケンシャル液晶表示装置は、バックライトとして有機ＥＬ素子１を用い、この有機ＥＬ素子１と液晶パネル３との間に、液状の冷却媒体２２に光拡散用粒子２１を包含させた光拡散部材２が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

After the luminous flux of the light diffused by the first diffusion is converged about a first direction component on a plane parallel to the LCD panel, a second diffusion is partially performed on the luminous flux of the converged light for the purpose of expanding the visual field angle of the pixel of the LCD panel.例文帳に追加

前記で拡散された光の光束を前記LCDパネルとの平行平面上の第１方向成分に関して集光させた後、前記集光された光の光束に対し、前記LCDパネルの画素の視野角を拡張させるために部分的に第２次の拡散をさせる。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide such a field-effect transistor having an active layer composed of an oxide semiconductor that is capable of suppressing diffusion of electrode material into the active layer, achieving low electric resistance of the electrode material, and reducing damage to the active layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

活性層中への電極材の拡散の抑制、電極材の低電気抵抗化、さらには活性層へのダメージ低減を図ることができる、酸化物半導体からなる活性層を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A diffusion state estimating device generates the gas flow field data of each of the divided areas 50 formed by dividing the specific region A3 into a plurality of areas, combines the gas flow field data of each of the plurality of generated divided areas 50, sets the specific region A3 of wider range, and generates the gas flow field data corresponding to the specific region A3.例文帳に追加

拡散状況予測装置は、特定領域Ａ３を複数の領域に分割した分割領域５０毎に気流場データを生成し、生成された複数の分割領域５０毎の気流場データを結合し、より広い領域の特定領域Ａ３を設定し、該特定領域Ａ３に対応する気流場データを生成する。 - 特許庁

To provide a film deposition system in which the diffusion of a magnetic field in the vicinity of the surface of the object to be film-deposited is suppressed to secure a prescribed magnetic field in the vicinity of the surface of the object to be film-deposited, and the amount of plasma particles arrived at the vicinity of the surface is increased to improve a film deposition rate.例文帳に追加

被成膜物の表面近傍での磁場の拡散を抑制し被成膜物の表面近傍に所定の磁場を確保し、表面近傍に到達するプラズマ粒子量を増加させることによって成膜速度を向上させる成膜装置を提供する。 - 特許庁

In a pulse sequence for measuring the b-factor, a spin echo or a stimulated echo is measured when inclined magnetic field pulses for uses in an optional diffusion-measuring pulse sequence are applied and also when the pulses are not applied.例文帳に追加

b-factor計測用のパルスシーケンスにおいて、任意の拡散計測パルスシーケンスで用いられる傾斜磁場パルスの印加を行う場合と、行わない場合についてスピンエコーあるいはスティミュレィテッドエコーを計測する。 - 特許庁

The shielding coil 5 generates a diamagnetic field around the exciting coil 4 to suppress the diffusion of magnetic flux along the center axis L of the core 2 and the detection accuracy of the sensor head can be enhanced.例文帳に追加

遮蔽コイル５は、励磁コイル４等の周囲に反磁界を発生させてコア２の中心軸Ｌに沿った磁束の拡散を抑制し、センサヘッドの検出精度を向上させることが可能となった。 - 特許庁

To provide an electrode structure capable of exerting sufficient electrode performance by sufficiently securing a reaction field area, a gas diffusion path and a conduction characteristic even in a low-temperature range around 600°C.例文帳に追加

６００℃程度の低温域においても、反応場面積及びガス拡散パス、導電特性を十分に確保して十分な電極性能を発揮する電極構造体を提供すること。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 111a is formed on a surface part of the n-type epitaxial layer 104 being isolated from the p-type silicon substrate 101 and made a top gate of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｐ型シリコン基板１０１から離れて前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＰ型拡散層１１１ａを形成し、接合型電界効果トランジスタ１５１のトップゲートとする。 - 特許庁

The polyolefin microporous film has the product of diffusion coefficients in respective directions measured by a gradient magnetic field NMR method of 4.5×10^-31≤D(Z)×D(MD)×D(TD)≤1×10^-29.例文帳に追加

磁場勾配ＮＭＲ法によって測定された各方向の拡散係数の積が４．５×１０^−３１≦Ｄ（Ｚ）×Ｄ（ＭＤ）×Ｄ（ＴＤ）≦１×１０^−２９であるポリオレフィン微多孔膜。 - 特許庁

To improve MOS transistor characteristic by finding an ion implantation condition which retrieves concentration of the electric field on an LDD diffusion layer while suppressing threshold voltage (Vth) increase and drive current (Ids) drop.例文帳に追加

しきい値電圧（Ｖth）の増加、駆動電流（Ｉds）の低下を抑えつつ、ＬＤＤ拡散層の電界集中を緩和するイオン注入条件を見出し、ＭＯＳトランジスタ特性の向上を図る。 - 特許庁

Thereby, electric field concentration on the vicinity of a transfer gate TG end easily causing a crystal defect in the floating diffusion region FD in turning off the transfer gate is prevented, and leak current is suppressed.例文帳に追加

これにより、転送ゲートがオフ時に、フローティングディフュージョン領域ＦＤにおいて、結晶欠陥が生じ易い転送ゲートＴＧ端付近への電界集中を防ぎ、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

To prevent the generation of a carrier (electron) movement reduction phenomenon, which is generated due to the diffusion of In atoms, contained in an i-InGaAs channel layer, to the sides of n-AlGaAs carrier supply layers in a field effect transistor (FET).例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

To provide a contamination preventing technology that can clean contamination by efficient diffusion in water without causing dust in the work field of purifying contamination in water while reducing cost.例文帳に追加

水中の汚濁を浄化する作業の現場で粉塵を発生させることなく、かつ水中で効率よく拡散して汚濁を浄化することができ、しかもコストを節減し得る汚濁防止技術を提供する。 - 特許庁

To prevent reduction in carrier (electron) mobility, due to diffusion of In atoms in an i-InGaAs channel layer into n-AlGaAs carrier source layers, in a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

The bank card is equipped with a built-in microprocessor and uses the bank card in the field of a computer information security by utilizing the high security to enable encryption operation and the diffusion property of use.例文帳に追加

銀行カードは内蔵マイクロプロセッサーを備え、暗号化演算が行える高い安全性及び使用の普及性の特性を利用して、銀行カードをコンピュータ情報セキュリティ分野に使用する。 - 特許庁

In an iron or steel containing an interstitial type solution element, a phenomenon caused by diffusion phenomenon of the interstitial type element, concretely, aging and decarburizing, is controlled by applying the strong magnetic field.例文帳に追加

侵入型の固溶元素を含む鉄又は鋼であって、侵入型元素の拡散現象により引き起こされる現象、より、具体的には、時効、脱炭を、強磁場をかけることで制御する。 - 特許庁

To form a deep diffusion layer such as a field stop layer using phosphorous and boron used in a normal silicon process as a dopant, and to form a trench gate structure having a satisfactory characteristic.例文帳に追加

通常のシリコンプロセスで用いられるリンやボロンをドーパントとして用いてフィールドストップ層などの深い拡散層を形成するとともに、良好な特性を有するトレンチゲート構造を形成すること。 - 特許庁

The field effect transistor has a WN/Al drain electrode Schottky-joined to a GaN channel layer 104 via an n^+ region (diffusion region) 112 below the drain electrode 109.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, related to an MOS field effect transistor comprising a gate sidewall structure, a source/drain diffusion layer is formed very thin to suppress short- channel effect.例文帳に追加

ゲート側壁構造を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、ソース−ドレイン拡散層を極めて浅く形成しショートチャネル効果を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a field emitter electrode, in which carbon nanotubes are aligned in a direction of an electric field generation includes a step where diffusion liquid in which carbon nanotubes (CNTs) is diluted in a solvent is diffused on a base plate fixed on an upper end of a field generation unit and carbon nanotubes aligned in a direction of an electric field generation are fixed.例文帳に追加

カーボンナノチューブが電磁場の発生方向によって整列される電界放出エミッタ電極の製造方法に係り、カーボンナノチューブ（carbon nanotube；ＣＮＴ）を溶媒に希釈させた分散液を、電磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させ、電磁場の発生方向に整列されたカーボンナノチューブを固定させる段階を含む、カーボンナノチューブが電磁場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関するものである。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor having a low concentration diffusion layer which overlaps a region near the end of a gate electrode in a self-alignment process manner and works as a field alleviating layer, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極の端部近傍領域に自己整合的にオーバーラップし、電界緩和層として働く、低濃度拡散層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The junction field effect transistor has a vertical structure and normally-off type on/off characteristics wherein a semiconductor substrate 1, a channel layer 3 and a source diffusion layer 9 are mainly composed of SiC.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板１、チャネル層３およびソース拡散層９がＳｉｃを主成分として形成されている。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 3 so as to be separated form each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁