「element al」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

TWO-WAY ELEMENT MADE OF Cu-Al-Mn BASED ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ−Ｍｎ系合金製二方向素子 - 特許庁

SPUTTERING TARGET MADE FROM ALLOY COMPOSED OF Al, Ni AND RARE EARTH ELEMENT例文帳に追加

Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット - 特許庁

Thereafter, each element of the produced media data sequence is used for an AL-SDU, and the media data sequence is subjected to AL-PDU processing, MUX-SDU processing, and MUX-PDU processing in the order of reproduction to produce an H.223 bit stream (5).例文帳に追加

以後、生成されたメディアデータ列の各要素をAL-SDUとして、再生順にAL-PDU化、MUX-SDU化、MUX-PDU化を行うことでH.223ビットストリームを生成する(5)。 - 特許庁

The element cover 2 comprises an Fe-Al alloy material containing Fe as a main component and added with Al.例文帳に追加

素子カバー２は、Ｆｅを主成分としＡｌを添加したＦｅ−Ａｌ合金材料からなる。 - 特許庁

The oxidation suppressing element is one kind or two kinds of Al and V.例文帳に追加

酸化抑制元素がＡｌ、Ｖの１種または２種である。 - 特許庁

The Al cabling is made a multi-layer structure and an element which does not form a continuous solid solution with Al is added to each layer.例文帳に追加

Ａｌ配線を多層構造とし、各層にはＡｌと全率固溶しない元素を添加する。 - 特許庁

CYLINDER PRESSURE SENSOR USING AL-SUBSTITUTED LGS SINGLE CRYSTAL AS PIEZOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

Ａｌ置換ＬＧＳ系単結晶を圧電素子とした筒内圧センサ - 特許庁

It is preferable that additive concentrations of an Al element and a B element should be lower than that of the specific element.例文帳に追加

さらにＡｌ元素およびＢ元素の添加濃度が特定元素の添加濃度より小さいのが好ましい。 - 特許庁

An Al wiring 20 around a light-emitting element is formed into a ladder shape.例文帳に追加

発光素子周辺のＡｌ配線２０の形状を梯子状にする。 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

Al-Ni-B ALLOY WIRING MATERIAL, AND ELEMENT STRUCTURE USING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料及びそれを用いた素子構造 - 特許庁

An upper layer Al film 7 for the pat of a test element group TEG1 is arranged to overlap the lower layer Al interconnect 5b of the test element group TEG1.例文帳に追加

テストエレメントグループＴＥＧ１のパット用上層Ａｌ膜７を、テストエレメントグループＴＥＧ１の下層Ａｌ配線５ｂと重なるように配置する。 - 特許庁

An Al electrode 2 is formed on the element forming face of the substrate 1.例文帳に追加

基板１の素子形成面上には、Ａｌ電極２が形成されている。 - 特許庁

A sensor element 12a comprises MOSFET, and an aluminum electrode (AL) is arranged as a passive element 80.例文帳に追加

センサ要素１２ａは、ＭＯＳＦＥＴを含み、受動素子８０として、アルミ電極（ＡＬ）が配設されている。 - 特許庁

It is desirable that the electrode pattern of the surface acoustic wave element is formed of Al.例文帳に追加

弾性表面波素子の電極パタンは、Ａｌで形成する方が好ましい。 - 特許庁

HARD NITRIDE FILM MAKING Ti, Cr, Al UNDERLYING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌを基底とする硬質窒化物膜及びその製造方法 - 特許庁

A noble metal is supported on a carrier obtained by adding at least one element selected from alkali metals, alkaline earth metals and Al to ZrO_2.例文帳に追加

ZrO_2にアルカリ金属、アルカリ土類金属あるいはAlから選ばれる少なくとも一種が添加された担体に、貴金属を担持した。 - 特許庁

By using this Al film 2 as a lower electrode, dielectric and conductive layers are so laminated on the Al film 2 as to manufacture a capacitor element having no edge portion.例文帳に追加

このＡｌ膜２を下部電極とし、上部に誘電体層・導電層を積層してエッジ部のないキャパシタ素子とする。 - 特許庁

The boride sintered compact contains Al, one element M selected from the groups Ia and IIa in the Periodic Table, and borides consisting of boron.例文帳に追加

Alと、周期律表IaおよびIIa族から選ばれる一つの元素Mと、硼素とからなる硼化物を含む硼化物焼結体である。 - 特許庁

Then the oxide including rare-earth element and Al exists in a boundary division between the rare-earth magnetic particles and the Al particles.例文帳に追加

そして、希土類磁石粒子とＡｌ粒子との境界部分に、希土類元素およびＡｌを含む酸化物が存在する。 - 特許庁

The high-voltage portion 11 has an Al wiring line 21, an insulating film 22, a switching element 23, and a rectifying element 24.例文帳に追加

高圧部１１は、Ａｌ配線２１と、絶縁膜２２と、スイッチング素子２３と、整流素子２４とを備えている。 - 特許庁

In the second optical fiber 12, Al element is added to the core region in conjunction with the rare-earth element.例文帳に追加

第２の光ファイバ１２は、希土類元素に加えてＡｌ元素がコア領域に共添加されたものである。 - 特許庁

To provide a method for producing an Al-based alloy sputtering target material comprising a rare earth element and a high melting point element having a melting point higher than that of Al at a high yield.例文帳に追加

希土類元素、およびＡｌよりも高融点の高融点元素を含有するＡｌ基合金スパッタリングターゲット材を歩留良く製造できる方法を提供する。 - 特許庁

A luminous element is formed on the smooth (Al, Ga, In)N thin film 624.例文帳に追加

前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting element in which, even when an Al containing compound semiconductor layer is disposed on a face side adhered to an element substrate, Al components of the Al containing compound semiconductor layer are effectively prevented from being oxidized, and a contact resistance between the Al containing compound semiconductor layer and the element substrate, and, in addition, a forward voltage are easily reduced.例文帳に追加

素子基板との貼り合わせ面側にＡｌ含有化合物半導体層が配置される場合でも、該Ａｌ含有化合物半導体層のＡｌ成分が酸化されることが効果的に防止され、ひいては素子基板との間の接触抵抗ひいては順方向電圧の低減が容易な発光素子を提供する。 - 特許庁

The sintered alloy is obtained by subjecting the powder for an aluminum sintered alloy obtained by mixing base material powder composed of Al or an Al alloy with an additional powder composed of a transition metal element and having the maximum grain diameter of ≤30 μm to liquid phase sintering.例文帳に追加

この焼結合金は、Al又はAl合金からなる母材粉末と、遷移金属元素からなり、最大粒径が30μm以下である添加粉末とが混合されてなるアルミニウム焼結合金用粉末を液相焼結することで得られる。 - 特許庁

AL BASE MATERIAL, METAL SUBSTRATE WITH INSULATING LAYER USING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加

Ａｌ基材、それを用いた絶縁層付金属基板、半導体素子および太陽電池 - 特許庁

The porous membrane has pores with a mean pore size of not greater than 10 nm, and is composed of a porous body containing an Al element, a Ni element and an O element.例文帳に追加

本発明の多孔質膜は、平均細孔径が１０ｎｍ以下の細孔を有し、Ａｌ元素と、Ｎｉ元素と、Ｏ元素とを含む多孔質体からなる。 - 特許庁

The semiconductor laser element (semiconductor light emitting element) 50 includes a semiconductor laser element portion 10 and a metal substrate 30 made of predetermined metal (for example, Al).例文帳に追加

この半導体レーザ素子（半導体発光素子）５０は、半導体レーザ素子部１０と、所定の金属（たとえばＡｌなど）からなる金属基板３０とを備える。 - 特許庁

The electrode finger group 12a is composed of at least selected one of Al and an alloy whose main component is Al, and the alloy contains Al and a metallic element M2 whose standard electrode potential is large than the standard electrode potential of Al.例文帳に追加

電極指群１２ａは、Ａｌを主成分とする合金およびＡｌから選ばれる少なくとも１つからなり、その合金は、標準電極電位がＡｌの標準電極電位よりも大きい金属元素Ｍ２とＡｌとを含む合金である。 - 特許庁

If Mg or Al is added as a second different element in addition to the first different element, the characteristic is further improved.例文帳に追加

また、第１異種元素に加えて第２異種元素としてのＭｇあるいはＡｌを添加すると、さらに特性が向上する。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁

In addition, the stainless steel pipe can include Nb and/or Ca, and/or Cu, and/or at least one element among Ti, Zr, B and W, and/or Al, as needed.例文帳に追加

なお、Nb、および／または、Ca、および／または、Cu、および／または、Ti、Zr、Ｂ、Ｗのうちの１種以上、および／または、Alを、必要に応じて選択して含有できる。 - 特許庁

To provide a light emitting element in which the oxidation of the Al component of an Al-containing compound semiconductor layer can be prevented effectively, furthermore, contact resistance between the element and an element substrate and, in addition, the forward voltage of the element can be reduced even when the compound semiconductor layer is disposed on the side of the surface of the element stuck to the element substrate.例文帳に追加

素子基板との貼り合わせ面側にＡｌ含有化合物半導体層が配置される場合でも、該Ａｌ含有化合物半導体層のＡｌ成分が酸化されることが効果的に防止され、ひいては素子基板との間の接触抵抗ひいては順方向電圧の低減が容易な発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical semiconductor element for surely removing an Al oxide film.例文帳に追加

Ａｌ酸化膜をより確実に除去することができる光半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁

The oxidation suppressing element includes O, and includes one kind or two kinds of Al and V, or Sn.例文帳に追加

酸化抑制元素がＯを含み、さらに、Ａｌ、Ｖの１種または２種またはＳｎを含む。 - 特許庁

In the groove 14, an active layer 15 (a second semiconductor layer) including an Al element is formed.例文帳に追加

溝１４内に、Ａｌ元素を含有する活性層１５（第２の半導体層）を形成する。 - 特許庁

The added elements are made of at least one kind of element selected from Pb, Bi, Ca, Mg, Si, Al, In.例文帳に追加

添加元素は、Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｉｎからなる群より選択される少なくとも１種類の元素からなる。 - 特許庁

Al ALLOY-REFLECTING ELECTRODE FILM FOR FORMING ANODE LAYER OF TOP-EMISSION TYPE ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を形成するＡｌ合金反射電極膜 - 特許庁

The porous membrane has pores with a mean pore size of ≤10 nm, and is composed of an oxide solid solution comprising an Al element, a Ce element and a Zr element.例文帳に追加

本発明の多孔質膜は、平均細孔径が１０ｎｍ以下の細孔を有し、Ａｌ元素と、Ｃｅ元素と、Ｚｒ元素とを含む酸化物固溶体からなる。 - 特許庁

LENS COMPRISING Al-CONTAINING SEMICONDUCTOR MATERIAL, PLANAR OPTICAL ELEMENT USING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ａｌを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子、及びその製造方法 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

LENS MADE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTAINING Al, SURFACE OPTICAL ELEMENT USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING LENS例文帳に追加

Ａｌを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子及び、レンズの製造方法 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

The oxide (II) is an oxide of at least one kind of metal element selected from Zr, Ti, and Al.例文帳に追加

酸化物（ＩＩ）：Ｚｒ、Ｔｉ、およびＡｌから選ばれる少なくとも一種の金属元素の酸化物。 - 特許庁