「element pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A character string display element 22 displays a character string based on the readout character pattern data.例文帳に追加

文字列表示部２２は、読み出された文字パターンデータに基づいて文字列を表示する。 - 特許庁

THIN-FILM PATTERN FORMING METHOD, COATING MATERIAL, THIN-FILM LAMINATE AND TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

薄膜パターン形成方法、被覆材料、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 - 特許庁

ELECTROOPTICAL ELEMENT, AND DEVICE AND METHOD FOR DETECTING CIRCUIT PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

電気光学素子及びそれを用いた回路パターンの検出装置および検出方法 - 特許庁

To provide a method of forming a fine pattern of a semiconductor element.例文帳に追加

微細なパターンを形成するための半導体素子のパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A second pattern 2 is disposed opposite the first element 1 with respect to a dielectric 3.例文帳に追加

更に、誘電体３を挟んで第一の素子１に対向して第二パターン２を配置する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MASK, GRATING, MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, OPTICAL ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクの形成方法、グレーティング、マスク、パターン形成方法、光学素子、及び半導体デバイス - 特許庁

PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN USING SAME AND METHOD FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF FINE PATTERN AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

微細パターンの形成方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

PHOTORESIST CROSS-LINKING AGENT, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ—ン形成方法、及び半導体素子 - 特許庁

PHOTORESIST CROSS-LINKING AGENT, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ—ン形成方法、及び、半導体素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING PATTERN FOR MEASURING RESISTANCE OF CONDUCTIVE PLUG AND PROCESS EVALUATION METHOD例文帳に追加

導電性プラグ抵抗測定用パターンを有する半導体素子およびプロセス評価方法 - 特許庁

Next, the reproducing light from the wavelength control pattern is measured with a light receiving element (step S3).例文帳に追加

次に、波長制御パターンからの再生光を受光素子で観測する（ステップＳ３）。 - 特許庁

TRANSPARENT ELECTRODE PATTERN FORMING METHOD, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

透明電極パターン形成方法および有機電界発光素子並びにその製造方法 - 特許庁

The control system calculates a pattern to be formed on the individually controllable element array PD.例文帳に追加

制御系は個別制御可能素子アレイＰＤ上に形成されるパターンを計算する。 - 特許庁

OPTICAL ELEMENT, EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE HAVING FINE PATTERN例文帳に追加

光学素子、露光装置、露光方法、および微細パターンを有するデバイスの製造方法 - 特許庁

A pixel electrode is connected to the switching element, and a slit pattern is formed on the pixel electrode.例文帳に追加

画素電極はスイッチング素子に接続され、画素電極にはスリットパターンが形成される。 - 特許庁

Moreover, since the ground pattern 2 and the antenna element 1 are juxtaposed with each other, the miniaturization of the antenna can be achieved.例文帳に追加

また、アンテナ用エレメント１とグランドパターン２が併置されるので、小型化も可能となる。 - 特許庁

A semiconductor element is mounted on a wiring pattern formed on the multi-layered wiring substrate.例文帳に追加

この多層配線基板に形成した配線パターン上に半導体素子を実装する。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN USING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE ELEMENT, PRODUCTION OF RESIST PATTERN USING SAME AND PRODUCTION OF PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 - 特許庁

To suppress an interference pattern which is generated when plane contact between an imaging element and a filter is performed.例文帳に追加

撮像素子とフィルタとを面接触させたときに発生する干渉縞を抑制する。 - 特許庁

A layout pattern for a liquid crystal display device is designed according to the element parameters of the optimum values.例文帳に追加

最適値の素子パラメータに基づいて液晶表示装置用レイアウトパターンを設計する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING POSITION OF EDGE OF PATTERN ELEMENT ON SUBSTRATE, AND MEASURING DEVICE例文帳に追加

基板上のパターン要素のエッジをポジション決定するための方法および測定装置 - 特許庁

The TEG pattern includes a plurality of element isolation film patterns 123 with a predetermined space between; an active region pattern 125 formed between these element isolation film patterns 123; and a metal 1 contact pattern 127 formed in the active region pattern 125.例文帳に追加

テグパターンは、所定の間隔を置いて複数で形成される素子分離膜パターン１２３と、該素子分離膜パターン１２３の間に形成されたアクティブ領域パターン１２５と、及びアクティブ領域パターン１２５内に形成されたメタル１コンタクトパターン１２７とを含む。 - 特許庁

To provide an optical element capable of taking out diffracted light beams in accordance with the pattern of a diffraction optical element outside a substrate even when the pattern pitch of the patter of the diffraction optical element is less than the wavelength of incident light.例文帳に追加

回折光学素子パタンのパタンピッチが入射光の波長以下であっても、当該回折光学素子パタンによる回折光を基板外部に取り出すことができる回折型光学素子を提供する。 - 特許庁

By this setup, even when a thick circuit element is built in the circuit device, the thick circuit element is fixed on the second conductive pattern 11B that is set small in thickness, so that the thick circuit element mounted on the second thin conductive pattern 11B can be set small in thickness as a whole.例文帳に追加

このことにより、厚い回路素子が内蔵される場合であっても、それを薄く形成された第２の導電パターン１１Ｂに固着することにより、トータルの厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

A cylindrical UWB antenna device 100 has a cylindrical polymide base 131R, a single cylindrical antenna element pattern (monopole) 132R, a single cylindrical grand element pattern 133R, and a socket type coaxial connector 120 astriding the cylindrical antenna element pattern 132R and the cylindrical grand pattern 133R.例文帳に追加

筒型ＵＷＢアンテナ装置１００は、筒状のポリイミド製ベース１３１Ｒと、単一の筒状のアンテナエレメントパターン（モノポール）１３２Ｒと、単一の筒状のグランドエレメントパターン１３３Ｒと、筒状アンテナエレメントパターン１３２Ｒと筒状グランドパターン１３３Ｒとの間に跨っているソケット型同軸コネクタ１２０とを有する。 - 特許庁

To avoid the distortion of a semiconductor element pattern due to flares by sectioning a mask in a test pattern region and a chip pattern region and setting a fine pattern having a line width small enough to form no pattern in exposure on the test pattern region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

An element isolation region is formed in a boundary of the element isolation region by forming a dielectric pattern locally in a boundary of an element region and carrying out etching using the dielectric pattern as a mask, and thereafter a semiconductor film is formed in an element region adjacent to the element isolation region by selective growth using the dielectric pattern as a mask.例文帳に追加

誘電体パターンを素子領域の境界部に局所的に形成し、前記誘電体パターンをマスクにエッチングを行うことで素子分離領域を前記素子領域の境界部に形成し、その後、前記素子分離領域に隣接する素子領域に半導体膜の成膜を、前記誘電体パターンをマスクとした選択成長によりに実行する。 - 特許庁

A dummy pattern is formed in a thin pattern region on a mask by utilizing phase contrast to impart the same shape as the shape of light diffracted by a dense pattern to light diffracted by the thin pattern, thereby reducing the thin-dense deflection of an element pattern formed on a wafer.例文帳に追加

マスク上の疎らなパターン領域に位相差を利用してダミーパターンを形成して、疎らなパターンの回折光を密なパターンの回折光と同じ形にすることによって、ウェーハ上に形成される素子パターンの疎密偏差を低減する。 - 特許庁

To provide an element formation system capable of precisely and easily forming an element in specified pattern on a discharged medium.例文帳に追加

被吐出媒体上に所定パターンの素子を精度良くかつ容易に形成することができる素子形成システムを提供する。 - 特許庁

The basic equation of a non-compression Mooney-Rivlin ultra-elastic body is made discrete by a GSMAC finite element method being a sectional pattern finite element method.例文帳に追加

非圧縮Mooney-Rivlin超弾性体の基礎方程式を、分離型有限要素法であるGSMAC有限要素法により離散化する。 - 特許庁

A TEG (Test Element Group) forms an electric characteristic evaluation pattern that is provided with a plurality of unit transistors T11, T12, T13, T21, T22, T23, T31, T32, and T33.例文帳に追加

ＴＥＧ（Test Element Group）１は、格子状に配列された複数の単位トランジスタＴ１１，Ｔ１２，Ｔ１３，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ３１，Ｔ３２，Ｔ３３を備えた電気特性評価パターンである。 - 特許庁

METHOD AND EQUIPMENT FOR FORMING PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC EL ELEMENT AND COLOR FILTER, AND ORGANIC EL ELEMENT AND COLOR FILTER例文帳に追加

パターン形成方法、パターン形成装置、有機ＥＬ素子及びカラーフィルタの製造方法、並びに有機ＥＬ素子及びカラーフィルタ - 特許庁

When the multilayer board is manufactured, the single-sided conductor pattern film 21 is cut out into the element boards, and the element boards are laminated and pressed as heated.例文帳に追加

多層基板を製造するときには、片面導体パターンフィルム２１を各素板毎に切断し、積層後加熱プレスする。 - 特許庁

POLISHING MATERIAL, CMP SLURRY COMPOSITION, FORMING METHOD OF RTN PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

研磨用材料、ＣＭＰ用スラリー組成物、ＲＴＮパターンの形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

The first resistive element 15 is pattern-formed on a prescribed substrate and is smaller in power capacity than the second resistive element.例文帳に追加

第１の抵抗体１５は所定の基板上でパターン形成され、第２の抵抗体と比べて電力容量が小さい。 - 特許庁

The wiring circuit board has an emitter pattern connected to the emitter of the power semiconductor element and a gate pattern connected to the gate of the power semiconductor element, the gate pattern having an induction causing pattern extending in parallel to a direction where the current of the main electrode terminal flows while not shielded by the emitter pattern.例文帳に追加

そして、該配線回路基板は、パワー半導体素子のエミッタに接続されるエミッタパターンと、パワー半導体素子のゲートに接続されるゲートパターンとを備え、該ゲートパターンは、該エミッタパターンによりシールドされず該主電極端子の電流の流れる方向と平行方向に伸びる誘導発生用パターンとを有する。 - 特許庁

COLORED CURABLE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING COLORED PATTERN, COLORED PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING COLOR FILTER, COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色硬化性樹脂組成物、着色パターン形成方法、着色パターン、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示素子 - 特許庁

COLORED CURABLE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING COLORED PATTERN, COLORED PATTERN, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER, COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色硬化性樹脂組成物、着色パターン形成方法、着色パターン、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示素子 - 特許庁

COLORED CURABLE RESIN COMPOSITION, COLORED PATTERN FORMING METHOD, COLORED PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING COLOR FILTER, COLOR FILTER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色硬化性樹脂組成物、着色パターン形成方法、着色パターン、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示素子 - 特許庁

RESIN PATTERN, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, MANUFACTURING METHOD FOR MEMS STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR PLATING PATTERN例文帳に追加

樹脂パターン及びその製造方法、ＭＥＭＳ構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法 - 特許庁

A mesa pattern 2 is arranged at the inner part of the magnetic gap 70, and on the forward slope 2a of it, a magnetoresistive element (MR pattern) 3 is provided.例文帳に追加

磁気ギャップ７０の奥方にメサ型パタン２を設け、その前方側斜面２ａに磁気抵抗効果素子（ＭＲパタン）３を設ける。 - 特許庁

RESIN PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING MEMS STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING PLATED PATTERN例文帳に追加

樹脂パターン及びその製造方法、ＭＥＭＳ構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法 - 特許庁