「ellipsometer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Before diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer 12 is measured, when necessary, the film thickness and refractive index of a film 12b located below the structure are first measured using a spectroscopic reflectometer 60 or a spectroscopic ellipsometer.例文帳に追加

半導体ウェハ１２上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。 - 特許庁

When the thickness measured by the ellipsometer 70 of the evaporation room 12 becomes a predetermined thickness, a robot 11 for vacuum conveyance conveys a glass substrate 51 to which the evaporation object 56 is evaporated to an evaporation room 13 established in the following stage.例文帳に追加

蒸着室１２のエリプソメータ７０により計測した膜厚が、予め設定された膜厚となった場合、真空搬送用ロボット１１は次段階に設けられる蒸着室１３へ蒸着物５６が蒸着されたガラス基板５１を搬送する。 - 特許庁

When a wafer is washed over a long period of time, using ultrapure water containing ionized amine, since the surface of the wafer is gradually shaved off, the thickness of a natural oxide film on the surface of the wafer measured by means of an ellipsometer results in a large value.例文帳に追加

イオン化アミンが含まれた超純水を用いてウエハを長時間洗浄すると、ウエハ表面が徐徐に削れるため、エリプソメータを用いて測定されるウエハ表面の見かけ上の自然酸化膜の膜厚が厚くなって表れる。 - 特許庁

To provide a film thickness measuring method which can measure a film thickness with higher precision than measuring precision of a conventional ellipsometer, and further can measure the film thickness readily and in a short time; a method for manufacturing a semiconductor device; and a film thickness measuring obtain the current-v system.例文帳に追加

従来のエリプソメータの測定精度よりも高精度に膜厚を測定でき、更に、簡易に且つ短時間で膜厚測定ができる膜厚測定方法並びに半導体装置の製造方法および膜厚測定システムを提供する点にある。 - 特許庁

In the case the film thickness measured by the ellipsometer 70 of the vacuum deposition room 12 becomes to have a prescribed film thickness, a robot 11 for vacuum conveyance conveys a glass substrate 51 on which the vacuum deposition material 56 is vacuum-deposited to the vacuum deposition room 13 installed in the next stage.例文帳に追加

蒸着室１２のエリプソメータ７０により計測した膜厚が、予め設定された膜厚となった場合、真空搬送用ロボット１１は次段階に設けられる蒸着室１３へ蒸着物５６が蒸着されたガラス基板５１を搬送する。 - 特許庁

A spectral ellipsometer 1 is constituted so that voltage is applied to the sample 30 placed on a stage 4 by a feed device 18 and a continuity stand 19 and the multiwavelength light emitted from a xenon lamp 9 is turned polarized by a photoirradiator 5 to irradiate the sample 30.例文帳に追加

分光エリプソメータ１はステージ４に載置した試料３０に給電装置１８及び導通スタンド１９により電圧を印可し、キセノンランプ９で発生させた多波長の光を光照射器５で偏光状態にして試料３０へ照射する。 - 特許庁

Alternatively, the "rotary phaser type" ellipsometer is constituted by arranging one sheet of wave plate arrayed with a plurality of wave plates different in principal axis directions, and one sheet of polarizer having a fixed principal axis direction to be layered overlappedly, and by combining those with the photoreception element array.例文帳に追加

または、主軸方向が異なる複数の波長板を配列した波長板アレイ１枚と、主軸方向が一定の偏光子１枚を重なるように配置し、受光素子アレイと組み合わせることによって「回転位相子型」お偏光解析装置を構成する。 - 特許庁

A method for measuring the surface shape of a semiconductor thin film like a poly-silicon film 13 formed on a semiconductor substrate 11 includes measurement with a spectro-ellipsometer or IPA quantitative analyze with GC/MS after having exposed the semiconductor thin film in IPA vapor and having dried it.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成されたポリシリコン膜１３の如き半導体薄膜の表面形状を，分光エリプソメトリを用いて測定するか，もしくは，半導体薄膜をＩＰＡＶａｐｏｒにさらして乾燥させた後，ＧＣ．ＭａｓｓによりＩＰＡを定量分析して測定する。 - 特許庁

In addition to a spectral ellipsometer, there are a probe 9; a second light source 10 that becomes an excitation light emission means for emitting excitation light for generating near-field light; and a 3D actuator 11 that becomes a movement means for allowing the probe to approach a sample emission surface of the measurement light.例文帳に追加

分光エリプソメータに加えて、プローブ９と、近接場光を発生させる励起光を照射する励起光照射手段となる第２の光源１０と、上記プローブを測定光の試料照射面に近付ける移動手段となる３Ｄアクチュエータ１１とを備えている。 - 特許庁

This method for measuring and analyzing a thin film three-layer structure is a method for analyzing a thin film three-layer structure by using the spectroscopic ellipsometer in case where first and third layers among thin-film three layers on a substrate include an optical constant common to both while a second layer has a different optical constant.例文帳に追加

本発明による薄膜３層構造を測定し解析する方法は、基板上の薄膜３層のうち第１層と第３層がともに共通する光学定数を含み、第２層が異なる光学定数である場合の分光エリプソメータを用いた薄膜３層構造の解析方法である。 - 特許庁

By sharing an optical system used for polarization analysis and an optical system used for focus adjustment in this way in the spectroscopic ellipsometer 1, it is possible to exclude the effects of changes in the optical systems due to temperature changes etc. and perform highly accurate focus adjustment.例文帳に追加

このように、分光エリプソメータ１では、偏光解析に利用される光学系とフォーカス調整に利用される光学系とを共通とすることにより、温度変化等による光学系の変化の影響を排除し、より高精度なフォーカス調整を実現することができる。 - 特許庁

In step S4, ellipso-parameters Δand Ψof the sample are calculated using the dielectric function, and fitting is performed by regression analysis so that the average square error, between the calculated values of the elipso-parameters Δ and Ψ and the measured values by the spectral ellipsometer, is minimized or lies within an allowable range to estimate an optimum dielectric function.例文帳に追加

ステップＳ４で前記誘電関数を用いて試料のエリプソパラメータΔ，ψを計算し、前記エリプソパラメータΔ，ψの計算値と分光エリプソメータによる測定値との平均２乗誤差が最小又は許容範囲内になるように回帰解析法でフィッティングを行い最適な誘電関数を推定する。 - 特許庁

Then, each of parameters in a parameter group included in the plurality of partial dielectric function models is represented by the crystallization index κ, the value of each of parameters is changed by changing the crystallization index κ, and fitting of the theoretical dielectric function to a measured dielectric function acquired by a spectroscopic ellipsometer 3 is performed.例文帳に追加

そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ３により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。 - 特許庁

To determine a thin-film multi-layer structure by setting a combined model of film thickness and complex index of refraction, calculating the simulation spectrum thereof, and fitting the simulation spectrum to measured spectrum by using Extended Best Local Minimum Calculation (EBLMC) in the analysis method of a thin-film n-layer structure by using a spectral ellipsometer.例文帳に追加

本発明による分光エリプソメータを用いた薄膜ｎ層構造の解析方法では、膜厚や複素屈折率などの組み合わせモデルを設定し、そのシミュレーションスペクトルを算出して、そのシミュレーションスペクトルと測定スペクトルとのフィッティングを広範囲極小値計算法（ＥＢＬＭＣ）を使用して行うことにより、薄膜多層構造を決定する。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

When the thickness of the multilayer thin film measured by an ellipsometer of single wavelength is evaluated, the relationship is grasped in advance between a "measured value" as the thickness in terms of a single layer when the thickness of the thin film for constituting the multilayer thin film is changed and a "capacitance conversion value" which converts further a capacity value as electrical characteristics of this multilayered thin film into single layer conversion thickness.例文帳に追加

単一波長のエリプソメータにより測定される多層薄膜の膜厚評価に際し、予め、多層薄膜を構成する薄膜の膜厚をそれぞれ変化させたときの単層換算膜厚としての「測定値」と、同多層薄膜の電気的特性としての容量値を単層換算膜厚に更に換算した「容量換算値」との関係を把握する。 - 特許庁