「end Ed」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The core loss absorption end of each EELS spectrum data and an ELNES absorption end are searched, and difference Ed of the energy loss between them is displayed as the distribution image of (X, Y, Ed).例文帳に追加

各ＥＥＬＳスペクトルデータのコア・ロス吸収端及びＥＬＮＥＳ吸収端を探索し、両者のエネルギー損失量の差Ｅｄを（Ｘ，Ｙ，Ｅｄ）の分布像として表示する。 - 特許庁

An end ED of the source electrode 110 or drain electrode 111 is formed inside an end ES of the semiconductor layer, so that a leakage current at the end ED of the semiconductor layer is eliminated.例文帳に追加

ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１の端部ＥＤは、半導体層の端部ＥＳよりも内側に形成されているので、半導体層の端部ＥＳにおけるリーク電流を無くすことが出来る。 - 特許庁

A slope SL is provided which descends toward a coating region Rp side to a distal end ED of a mask side part SD in the state that the distal end ED is directed to the coating region Rp, and the difference in level between the mask side part SD and the surface of the substrate W is restrained small.例文帳に追加

先端ＥＤを塗布範囲Ｒpに向けた状態において、塗布範囲Ｒp側に向けてマスク辺部ＳＤの先端ＥＤにまで下るスロープＳＬを有しており、マスク辺部ＳＤと基板Ｗ表面の段差が小さく抑えられている。 - 特許庁

Intervals P1 to P7 of gratings G1 to G8 are made narrow at both the end parts ED of a grating formation part GF and made wider toward the center CE of the grating formation part.例文帳に追加

グレーティングＧ1〜Ｇ8のピッチＰ1〜Ｐ7をグレーティング形成部ＧＦの両端部ＥＤで狭く、グレーティング形成部の中央ＣＥに行くにしたがってグレーティングのピッチを広くする。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 20 is etched into a mesa shape for a gate electrode 24, and has an end (etching surface) ED creating a stepped portion S against the third p-type semiconductor layer 18.例文帳に追加

第４の半導体層２０は、ゲート電極２４のためにメサ状にエッチングされ、第３の半導体層１８との間に段差部Ｓを生じさせる端部（エッチング面）ＥＤを有する。 - 特許庁

Further, a parameter measurement section 11 measures the diagnostic parameter, such as PI or RI, in the specific region of the trace waveform set by a PS/ED (peak of systolic/end of diastolic) detecting section 10.例文帳に追加

そして、パラメータ計測部１１は、ＰＳ／ＥＤ検出部１０が設定する前記トレース波形の所定区間においてＰＩあるいはＲＩなどの診断パラメータを計測する。 - 特許庁

A power source unit Ed includes one end at a low-potential side connected to the switching element Ty2 at a side of a power line LL, and serves as an operation power source for outputting a switch signal to the switching element Ty2.例文帳に追加

電源供給部Ｅｄは電源線ＬＬ側でスイッチング素子Ｔｙ２と接続される低電位側の一端を有し、スイッチング素子Ｔｙ２へとスイッチ信号を出力するための動作電源となる。 - 特許庁

The end ED has a push-out portion 40 composed of a first side formed as a forward mesa, a second side opposite to the first side and formed as a forward mesa, and a third side formed as a reverse mesa.例文帳に追加

端部ＥＤには、順方向のメサとなる第１の側部と、第１の側部に対向し順方向のメサとなる第２の側部と、逆方向のメサとなる第３の側部とからなる迫出し部４０が形成されている。 - 特許庁

This method is used for updating a program in a wireless ad-hoc network comprising a network management terminal CD, a relay function holding terminal RD, and a plurality of end terminals ED, and having a parent-child relationship among the terminals.例文帳に追加

ネットワーク管理端末ＣＤと中継機能保持端末ＲＤと複数のエンド端末ＥＤから構成され端末間に親子関係を備えた無線アドホックネットワークにおけるプログラムの更新方法である。 - 特許庁

In this method for detecting an etching end point, only a signal change based on an etching reaction in each etching cycle is extracted, a discontinuous location in a waveform corresponding to the extracted signal change is continuously corrected with the use of a first correction waveform and then a second correction waveform CW2 to detect an etching end point ED, based on a continuos waveform after correction.例文帳に追加

各エッチングサイクルにおけるエッチング反応に基く信号変化だけを取り出すとともに、取出した信号変化に相応する波形の不連続個所を第１補正波形、次いで第２補正波形ＣＷ２によって連続させる補正を行い、補正後の連続波形よりエッチング終点ＥＤを検出する。 - 特許庁

A radiation element 3 is provided to the front side of a dielectric board 6, its one ed 3a is coupled with an excitation electrode 2 to receive power, and the other end 3b is connected to a ground conductor 1 provided to the rear side of the dielectric board 6 via one side face 6a of the dielectric board 6.例文帳に追加

誘電体基板６の表面に放射素子３が設けられ、その一端３ａ側は励振電極２と結合することにより給電され、他端３ｂ部側は誘電体基板６の一側面６ａを介して誘電体基板６の裏面に設けられる接地導体１に接続されている。 - 特許庁