「facet method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SEARCH NAVIGATION DEVICE AND METHOD USING FACET QUERY例文帳に追加

ファセットクエリを利用した検索ナビゲーション装置及び方法 - 特許庁

SERVICE INDUCTION BIDDING DEVICE AND METHOD USING FACET QUERY例文帳に追加

ファセットクエリを利用したサービス誘導入札装置及び方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING FACET CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ファセットチャンネルを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FINE FACET SHAPE ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板表面の微細ファセット形状作製方法 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DETERMINING DIRECTION OF TRANSMISSION USING MULTI-FACET ANTENNA例文帳に追加

マルチファセットアンテナを使用する伝送の方向を決定する方法とシステム - 特許庁

METHOD OF GROWING HIGH-QUALITY BULK SINGLE CRYSTAL HAVING HIGHLY FLAT FACET例文帳に追加

高平坦性ファセットを有する高品質バルク単結晶の成長法 - 特許庁

There is provided a method of allocating a pupil facet of a pupil facet mirror of an illumination optical unit of a projection exposure device to a field facet of a field facet mirror of the illumination optical unit so as to define an illumination channel for a partial beam of illumination light.例文帳に追加

照明光の部分ビームに対する照明チャンネルの定義のために投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser device capable of aligning the resonator facet of a first semiconductor laser device substrate and the resonator facet of a second semiconductor laser device substrate on the same facet.例文帳に追加

容易に、第１半導体レーザ素子基板の共振器端面と第２半導体レーザ素子基板の共振器端面とを同一面上に揃えることが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

By this method, the polyslicon film 29 joins the facet face made at the flank of the growth film, and the facet form of the growth film substantially ceases to appear.例文帳に追加

この方法により、前記成長膜の側面に形成されるファセット面にポリシリコン膜２９が接合し、前記成長膜のファセット形状が実質的に現れなくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can minimize facet formation.例文帳に追加

ファセットの形成を最少化することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an edge-illuminated refracting-facet type light receiving element using selective epitaxial growth and its manufacturing method.例文帳に追加

選択的エピタキシャルを用いた面屈折入射型受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of forming stacked bar pair by joining two device bars before facet coating.例文帳に追加

ファセット被覆の前に、２つのデバイス・バーを接合して、積み重ねたバー対を形成する製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing fine structural body controlled freely in facet on the surface of various semiconductor substrates.例文帳に追加

各種の半導体基板表面に自在にファセット制御された微細構造体を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a high quality oxide superconductive bulk material in which facet is finally grown can be produced by again treating a sample failed in the growth of the facet in a top seeding melt growth method.例文帳に追加

本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A method of setting reflecting mirrors (facets 31) constituting a heliostat 3 for condensing sun rays is disclosed, in which the facet 31 is set to allow a reflected laser beam 52 of the facet 31 so as to reach a virtual passing point 52b of a laser point measuring section 12.例文帳に追加

太陽光集光用のヘリオスタット３を構成している反射鏡（ファセット３１）の設置方法であって、ファセット３１のレーザ反射光５２が、レーザポイント測定部１２の仮想通過点５２ｂに到達するよう前記ファセット３１を設置する。 - 特許庁

To provide a surgical guide instrument and a method for working on facet joint extensions in spines, avoiding the risk of carelessly hurting a patient.例文帳に追加

椎体の関節突起を加工するための外科用案内器具及びこれに関する方法を利用可能とし、患者を不用意に傷つける危険性を避ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for restricting a facet and forming the upper edge of a trench in a gently sloping form in a step of forming the trench.例文帳に追加

トレンチの形成に際して、ファセットを抑制し、且つ、トレンチの上端部をなだらかな形状に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

CMOS DEVICE HAVING HYBRID CHANNEL ORIENTATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING CMOS DEVICE HAVING HYBRID CHANNEL ORIENTATION USING FACET EPITAXY PROCESS例文帳に追加

ハイブリッド・チャネル配向を有するＣＭＯＳデバイスおよびファセット形成エピタキシを用いてハイブリッド・チャネル配向を有するＣＭＯＳデバイを作製するための方法 - 特許庁

The method includes an example method including growing a first layer 20 of oxide on first and second facets 16a, 12a, with the first facet 16a having a faster oxide growth rate.例文帳に追加

第１のファセット１６ａ及び第２のファセット１２ａ上に酸化物の第１の層２０を成長させる段階を含み、第１のファセット１６ａがより速い酸化物成長速度を有する例示的方法を含む。 - 特許庁

The equilibrium condition decision method of the gas hydrate and a method of preservation and transportation of the gas hydrate using the same are provided in which a change in facet surface shape of the gas hydrate crystal associated with temperature increasing operation is observed under a fixed pressure in a gas hydrate-ice-gas system, and the temperature just before the facet surface shape starts to change is used as an equilibrium temperature pressure condition of the gas hydrate.例文帳に追加

ガスハイドレート-氷-ガス系において、一定の圧力下において、昇温操作に伴うガスハイドレート結晶のファセット面形状の変化を観察し、ファセット面形状が変化を始める直前の温度をガスハイドレートの平衡温度圧力条件とするガスハイドレートの平衡条件決定方法及びそれを用いたガスハイドレートの保存方法・輸送方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a light emitting semiconductor device containing a group III nitride quantum well layer contains selecting the facet orientation of the quantum well layer, controlling intensity of a piezoelectric field and/or intensity of a naturally generated electric field in the quantum well layer, and growing the quantum well layer having the selected facet orientation.例文帳に追加

III族窒化物量子井戸層を含む発光半導体デバイスを製造する方法は、量子井戸層のファセット配向を選択し、圧電界の電界強さ及び／又は量子井戸層における自然発生的電界の電界強さを制御すること、及び選択されたファセット配向をもつ前記量子井戸層を成長させることを含む。 - 特許庁

To provide an oxidation method of a material to be treated in which generation of a facet is prevented by rounding a corner of a bottom in addition to a corner of a shoulder of a trench so that the corners are formed into a shape of a curved surface.例文帳に追加

トレンチ（溝部）の肩部のコーナ部のみならず底部のコーナ部も共に丸めて曲面形状にしてファセットの発生を防止するようにした被処理体の酸化方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive constitution of a double facet illumination system in which an illumination mode thereof can be variably controlled, and to provide a method for controlling the illumination mode in such an illumination system.例文帳に追加

照明モードの可変調整を可能とする二重ファセット照明システムの高額ではない構成を提供し、そのような照明システムにおける照明モードを調整するための方法を提供する。 - 特許庁

The method explains surgical technique for the arrangement of the bone screw inserted in the cannula in each use of a translaminar facet type, a transfacet type and general orthopedics.例文帳に追加

本発明の方法はトランスラミナー−ファセット式、トランスファセット式、および一般の整形外科の各用途におけるカニューレの中に挿入される骨ねじの配置のための外科技法について説明している。 - 特許庁

To obtain a facet-free good etching shape without forming a metallic oxide film in the surface of metallic wiring in a manufacturing method of a semiconductor device for forming a contact hole or a trench in the surface of metallic wiring.例文帳に追加

金属配線の表面にコンタクトホールまたはトレンチを形成する半導体装置の製造方法において、金属配線の表面に金属酸化膜を形成することなく、ファセットのない良好なエッチング形状を得る。 - 特許庁

The method uses a molten aluminum-zinc alloy bath containing a microparticulate compound component in an amount effective to diminish the spangle facet size of a coated product and to improve tensile bending property, rust and distortion-preventive properties and coating property of the coated product.例文帳に追加

コーティングされた製品のスパングル面サイズを縮小し、引っ張り曲げ錆歪み特性及びコーティングされた製品の塗装性を向上させるために有効量の微粒子化合物成分を含むコーティング浴を改良する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide single crystal, with which a long garnet crystal without strain is grown with excellent reproducibility by producing no twist in a shape of the crystal, and suppressing occurrence of a facet on a flat growth interface.例文帳に追加

結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride substrate capable of reducing an abnormal growth of a compound semiconductor at a boundary part of a defect formed by a facet plane growth and a region formed by a C plane growth and to provide a manufacturing method of the gallium nitride substrate.例文帳に追加

ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for suppressing generation of a facet and forming a sidewall (SW) width suitable for each of transistors when forming transistors having different length on one substrate and at least ESD structure is applied to the transistor having the long gate length.例文帳に追加

一つの基板上にゲート長の異なるトランジスタを形成し、ゲート長の長いトランジスタに対して少なくともＥＳＤ構造を適用する場合に、ファセットの発生を抑制し、それぞれのトランジスタに適したサイドウォール（ＳＷ）幅を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor layer which can select the plane direction of growth plane facet of a semiconductor layer to be grown on a substrate and can suppress a piezoelectric field of the semiconductor layer or can improve its crystal quality as needed.例文帳に追加

基板上に成長させる半導体層の面方位や成長面ファセットを選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

According to one facet of trimming method, one or a plurality of components for the electrical circuit are assembled on a printed-circuit board, and one or a plurality of electrical connections and one or the plurality of components for the electrical circuit are coupled and assembled.例文帳に追加

本発明の１つの側面によれば、トリミング方法が、プリント回路ボード上における電気回路の１ないしは複数のコンポーネントの組み立てであって、１ないしは複数の電気接続と当該電気回路の１ないしは複数のコンポーネントを結合させる組み立てを含む。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming an SiC film 11; a heat treatment process of heat-treating the SiC film 11 with Si supplied to a surface of the SiC film 11; and a process of forming a facet obtained on the surface of the SiC film 11 by the heat treatment process into a channel 16.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ膜１１を形成する工程と、このＳｉＣ膜１１の表面にＳｉを供給した状態で、このＳｉＣ膜１１を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜１１の表面に得られたファセットをチャネル１６とする工程とを備えている。 - 特許庁