「facet」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

As shown in Figures 1, 2, and 3, a nonlinear optical crystal is arranged in an LD resonator composed of a Back Facet coated with a total reflection film and a fiber pigtail-side total reflection fiber Bragg diffraction, thereby constituting the LD fiber pigtail second harmonic output resonator which efficiently converts a near infrared LD wavelength to a visible wavelength.例文帳に追加

図１、図２と図３の様に、全反射膜付きバックファシトとファイバピグテール側全反射ファイバブラッグ格子と構成されるＬＤ共振器内部に、非線形光学結晶を置くことにより、近赤外ＬＤ波長から可視波長へ効率よく変換するＬＤファイバピグテール第二高調波出力共振器構造。 - 特許庁

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces.例文帳に追加

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming an SiC film 11; a heat treatment process of heat-treating the SiC film 11 with Si supplied to a surface of the SiC film 11; and a process of forming a facet obtained on the surface of the SiC film 11 by the heat treatment process into a channel 16.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ膜１１を形成する工程と、このＳｉＣ膜１１の表面にＳｉを供給した状態で、このＳｉＣ膜１１を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜１１の表面に得られたファセットをチャネル１６とする工程とを備えている。 - 特許庁

In this accessory structure, an object or a design 11 as a subject is provided on the lower side or the bottom of the transparent stone 10 subjected to facet cutting, and in a top view or a top perspective view of the transparent stone 10 the visibility of target article or design 11 is varied and reflected on facets 12.例文帳に追加

ファセットカットを施した透明石１０の下方あるいは底部に被写対象となる物体または意匠１１を有し、透明石１０の上方視あるいは上方斜視で、被写対象となる物体または意匠１１の視認性が変化してファセット１２に映り込むことを特徴とする。 - 特許庁

Further, since the ridge or the like in the hard cubic structure 14 having the facet 15 has characteristic crystal orientation and is also clear, the cut line 21 of the gallium nitride crystal body 27 subjected to cutting in parallel with the ridge or the like of the cubic structure 14 can be used for the orientation flat as the reference line of device working.例文帳に追加

しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 - 特許庁

Each reflecting mirror 23 is composed of the facet face of the nitride semiconductor grown obliquely to the substrate 22 by selective growth, and is constituted to upwardly change the emitting direction of laser light emitted from the semiconductor layer 21 against the main bearing face of the substrate 22 by reflecting the laser light.例文帳に追加

反射鏡２３は、選択成長により基板に対して斜めに成長した窒化物半導体のファセット面からなり、半導体レーザ２１から発せられたレーザ光を反射することにより、レーザ光の出射方向を基板２２の主方位面に対して上方向に変えるように構成されている。 - 特許庁

The entire village operated in a manner similar to an industrial estate, with craftsmen all specializing in a particular facet of firearm production such as those who manufactured important components such as the barrels, others known as 'taishi' who crafted the stocks, and those called 'karakuri' who made the mechanical parts and various metal components as well as the decoration and inlaying that was applied to the barrel and base plate. 例文帳に追加

村がひとつの工業団地的性格を持ち、銃身等主要部分を作る鍛冶のほかに、銃床を作る「台師」、「からくり」と呼ばれる機関部や各種の金属部品それに銃身や地板（機関部基板）等に施す装飾の象嵌等にそれぞれの専門職人が居り、分業体制がとられていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This Schottky emitter cathode includes a filament 2 of a first high-melting point metal; a monocrystal needle 1 of a second high-melting point metal having a facet, joined to the filament 2; and a reservoir 3 disposed on at least one of the monocrystal needle 1, the filament 2 and the junction part between the monocrystal needle 1 and the filament 2.例文帳に追加

(１)第一高融点金属製のフィラメント２、(２)ファセットを有し及び前記フィラメントに結合した第二高融点金属製の単結晶ニードル１、及び(３)前記単結晶ニードル１、前記フィラメント２及び前記単結晶ニードル１と前記フィラメント２との結合部の少なくとも一つの上に配置されたリザーバー３を含むショットキーエミッタカソードに関する。 - 特許庁

In regions located on both sides of the gate electrode out of the element formation region 170, sidewalls inclined with respect to a principal surface of the semiconductor substrate 101 for exposing a facet surface of a semiconductor single crystal are included, recesses 130 having corners rounded are formed, and the source/drain regions 150 are formed of a silicon mixed crystal embedded in the recess 130.例文帳に追加

素子形成領域１７０のうちゲート電極の両側方に位置する領域には、半導体基板１０１の主面に対して傾いた半導体単結晶のファセット面を露出させる側壁を有し、コーナー部が丸められたリセス１３０が形成されており、ソース／ドレイン領域１５０は、リセス１３０に埋め込まれたシリコン混晶で構成されている。 - 特許庁

An optical lens (Lc) for condensing light from the center of an object area, optical lenses (L1) and (Lr) for separately condensing light from the left and the right sides of the object area are supported in the same plane, and facet images (kl, kc, and kr) individually formed by the optical lenses are formed as a wide-angle object area image by a microprocessor 6.例文帳に追加

被写領域の中央からの光を集光する光学レンズＬｃと、被写領域の左右からの光を集光する光学レンズＬｌ、Ｌｒとが同一平面内に支持され、各光学レンズによって形成された個眼像ｋｌ、ｋｃ、ｋｒがマイクロプロセッサ６により広角の被写領域画像として生成される。 - 特許庁

The step of growing the group III nitride semiconductor layer 12 includes: the step of growing the first group III nitride semiconductor layer 121 by three-dimensional growth while growing facet structure on the upper part of carbide layer 11; and the step of forming the second group III nitride semiconductor layer 122 on the first group III nitride semiconductor layer 121 by two-dimensional growth.例文帳に追加

III族窒化物半導体層１２を成長させる工程は、炭化物層１１の上部にファセット構造を形成しながら、３次元成長により第一のIII族窒化物半導体層１２１を成長させる工程と、第一のIII族窒化物半導体層１２１上に２次元成長により第二のIII族窒化物半導体層１２２を形成する工程とを含む。 - 特許庁