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fixed layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2785件
In the direction of a magnetic field applied by a longitudinal bias layer 2b, the length of a free layer 3b is made longer than that of a fixed layer 5 and the free layer 3b is arranged in the vicinity of the longitudinal bias layer 2b while the distance between the fixed layer 5 and the longitudinal bias layer 2b is being kept.例文帳に追加
縦バイアス層2bにより印加される磁界方向において、フリー層3bの長さを固定層5の長さよりも長くし、固定層5と縦バイアス層2bとの間の距離を保ったまま、フリー層3bが縦バイアス層2bの近傍に配置する。 - 特許庁
The magnetization direction of the magnetization variable layer is made to be variable by a two-way current passing through the magnetization fixed layer, the intermediate layer, and the magnetization variable layer.例文帳に追加
磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。 - 特許庁
A multi-layer film T1 is formed of a fixed magnetic layer 23 and a free magnetic layer 25 laminated with a non-magnetic material layer 24 interposed.例文帳に追加
非磁性材料層24を介して積層された固定磁性層23とフリー磁性層25とを有する多層膜T1が形成されている。 - 特許庁
The magnetoresistive element is provided with an antiferromagnetic layer 5, a fixed ferromagnetic layer 20, a tunnel insulating layer 9 and a free ferromagnetic layer 21.例文帳に追加
反強磁性層5と固定強磁性層20とトンネル絶縁層9と自由強磁性層21とを具備する磁気抵抗素子を用いる。 - 特許庁
The fixed layer is provided in the carbon nano tube structure oppositely to the liquid crystal layer.例文帳に追加
前記固定層が前記液晶層に対向して前記カーボンナノチューブ構造体に設置されている。 - 特許庁
Thus, the spin-dependent bulk dispersion coefficient β of the free magnetic layer and fixed magnetic layer is improved.例文帳に追加
これにより、フリー磁性層や固定磁性層のスピン依存バルク散乱係数βが向上する。 - 特許庁
A magnetoresistive element 32 includes a fixed layer 35, a tunnel insulating film 38, and a free layer 37.例文帳に追加
磁気抵抗素子32は、固定層35と、トンネル絶縁膜38と、自由層37とを含む。 - 特許庁
The magnetization free layer is laminated along the first magnetization fixed layer and a first axis and performs spin torque oscillation.例文帳に追加
磁化自由層は、第1磁化固着層と第1軸に沿って積層されスピントルク発振する。 - 特許庁
The wiping inner layer is made of nonwoven fabric material and is fixed in the intermediate layer bottom part by thermal fusion.例文帳に追加
該拭き掃除内層は不織布材質で、熱溶解により中間層底部において固定する。 - 特許庁
The direction of magnetization of the stationary-side ferromagnetic layer 53 is fixed by the function of an antiferromagnetic layer 52.例文帳に追加
固定側強磁性層53の磁化方向は反強磁性層52の働きで固定される。 - 特許庁
The water swelling layer 14 is fixed through an intermediate bonding layer 19 onto the base material 12.例文帳に追加
水膨潤層14は中間接着層19により基材12上に固定されている。 - 特許庁
The sliding layer 21 abutting on the sliding side plate spring 102 is lower in hardness than the fixed layer 11.例文帳に追加
摺動側板ばね102に当接する摺動層21は、固定層11よりも硬度が低い。 - 特許庁
The metal chip 12 is fixed on the braid layer 13 or an outer layer 16 by caulking.例文帳に追加
金属チップ12はブレード層13あるいは外層16の上にカシメなどで固着されている。 - 特許庁
The magnetization direction 53 in the magnetization fixed layer of the third MR element is the same as the magnetization direction 51 in the magnetization fixed layer of the first MR element.例文帳に追加
第3のMR素子の磁化固定層の磁化53が、第1のMR素子の磁化固定層の磁化方向51と同じである。 - 特許庁
RELUCTANCE SENSOR HAVING ANISOTROPIC FIXED LAYER FOR IMPROVING FIXATION例文帳に追加
固定化改善のための異方性固定層を有する磁気抵抗センサ - 特許庁
The conductive layer is electrically connected to the fixed potential electrode.例文帳に追加
導電層は固定電位電極と電気的に接続されている。 - 特許庁
The barrier walls 2al to 2dl are fixed to the discharge protection layer 7.例文帳に追加
隔壁2a1〜2d1は、放電保護膜7に固定されている。 - 特許庁
The main part of the disk 7 has a structure where, from the separation protection layer side, a fixed protection layer, a data layer, a reflective layer, a protective film and a label layer are sequentially laminated.例文帳に追加
ディスク本体部7は、分離保護層側から、順に、固定保護層とデータ層と反射層と保護膜とラベル層とが一体的に積層された構造を有している。 - 特許庁
The magnetic head has a structure formed by laminating a magnetic conductive layer 4 to be a free layer and a magnetic conductive layer 5 to be a fixed layer on a nonmagnetic conductive layer 1 via barrier layers 2 and 3.例文帳に追加
自由層となる磁性導電層4と固定層となる磁性導電層5とを、障壁層2,3を介して、非磁性導電層1上に積層した構造とする。 - 特許庁
The magnetic memory device includes a fixed layer formed on an antiferromagnetic layer, an information storage layer, and a free layer, wherein the information storage layer is formed with SAF structure.例文帳に追加
反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、SAF構造で形成される磁気メモリ素子である。 - 特許庁
To increase an exchange-coupling energy between an antiferromagnetic layer and a fixed layer to improve the stability of magnetization of the fixed layer in an exchange-coupling film including the stacked antiferromagnetic layer and fixed layer, a magneto-resistance effect head, a magnetic sensor and a magnetic memory including the film.例文帳に追加
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。 - 特許庁
The semiconductor device comprises: a lower electrode layer (5) fixed to a lower IGBT (1); an upper electrode layer (6) fixed to the lower electrode layer (5); an upper IGBT (2) fixed to an upper electrode layer (6); and a solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) to the upper IGBT (2).例文帳に追加
下部IGBT(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部IGBT(2)と、上部電極層(6)と上部IGBT(2)とを接続する半田(7)とを備える。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a lower electrode layer (5) fixed to the lower IGBT (1), an upper electrode layer (6) fixed on the lower electrode layer (5), the upper IGBT (2) fixed on the upper electrode layer (6) and a solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) to the upper IGBT (2).例文帳に追加
下部IGBT(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部IGBT(2)と、上部電極層(6)と上部IGBT(2)とを接続する半田(7)とを備える。 - 特許庁
The fixed resistance elements 4, 5 are composed of an element part 12 provided with a fixed magnetic layer, nonmagnetic layer and free magnetic layer and a first soft magnetic material 23 positioning above the elementary part 12.例文帳に追加
固定抵抗素子4,5は、固定磁性層、非磁性層及びフリー磁性層を備える素子部12と、素子部12の上方に位置する第1軟磁性体23を備える。 - 特許庁
The fixed contact 33 has an insulating layer 43 and a base layer 44 stacked on a fixed contact substrate 41, and a conductive layer 45 formed thereon through electrolytic plating.例文帳に追加
固定接点部33は、固定接点基板41の上に絶縁層43と下地層44が積層され、その上に電解メッキ等により導電層45が形成される。 - 特許庁
The magnetic resistance element 4 includes a fixed ferromagnetic layer 1, a free ferromagnetic layer 3 and a nonmagnetic layer 2 provided between the fixed ferromagnetic layer 1 and the free ferromagnetic layer 3, so as to store data in the free ferromagnetic layer 3.例文帳に追加
磁気抵抗素子4は、固定強磁性層1と、自由強磁性層3と、固定強磁性層1と自由強磁性層3との間に介設された非磁性層2とを備えており、自由強磁性層3にデータを記憶するように構成されている。 - 特許庁
Magnetization of the free magnetic layer and the fixed magnetic layer can be made orthogonal easily and surely as compared with the prior art by employing a multilayer structure of a first hard magnetic layer 21, a nonmagnetic layer 22 and a second hard magnetic layer 23 in the fixed magnetic layer 24.例文帳に追加
固定磁性層24を第1硬磁性層21と非磁性層22と第2硬磁性層23の積層構造とすることで、従来に比べてフリー磁性層と固定磁性層との磁化を簡単に且つ確実に直交化させることが可能である。 - 特許庁
A method of manufacturing the MR element 5 includes a step of forming a magnetization fixed layer 22 on an underlying layer 21, a step of forming a tunnel barrier layer 23 on the magnetization fixed layer 22, and a step of forming the free layer 24 on the tunnel barrier layer 23.例文帳に追加
MR素子5の製造方法は、下地層21の上に磁化固定層22を形成する工程と、磁化固定層22の上にトンネルバリア層23を形成する工程と、トンネルバリア層23の上に自由層24を形成する工程とを備えている。 - 特許庁
In a spin implantation magnetization reversal element with a ferromagnetic fixed layer, separating layer, and a ferromagnetic free layer, a ferromagnetic fixed layer area adjacent to the separating layer is larger than a ferromagnetic free layer area adjacent to the separating area.例文帳に追加
強磁性固定層、分離層および強磁性フリー層備えたスピン注入磁化反転素子において、強磁性固定層が分離層に接している面積が、強磁性フリー層が分離層に接している面積よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁
A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.例文帳に追加
磁気抵抗素子10は、第1の電極層12と、第1の電極層12上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層14と、固定層14上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層15と、トンネルバリア層15上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層16と、自由層16上に設けられた第2の電極層17とを含む。 - 特許庁
The layer 103 is fixed to the substrate 105 across a partially provided spacer layer 103 so that the layer 103 to serve as the movable electrode and the layer 106 to serve as the fixed electrode face each other.例文帳に追加
可動電極となる層103と固定電極となる層106が向かい合うように、部分的に設けられたスペーサ層103を挟んで、可動電極となる層103を基板105に固定する。 - 特許庁
In this toy firework, an inside layer 3 formed of a nonflammable material is fixed to the inflammable shaft 1, a sodium silica layer 5 is formed on the inside layer, and the powder 7 is fixed onto the sodium silica layer.例文帳に追加
可燃軸(1)に不燃物よりなる内側層(3)を固着し、該内側層上にケイ酸ソーダ層(5)を形成し、該ケイ酸ソーダ層上に火薬(7)を固着したことを特徴とする玩具花火。 - 特許庁
Further, a fixed enzyme layer 4 in which an enzyme having a catalytic function is fixed in an organic high polymer and a limited permeation layer 5 made of a fluoroalcohol ester layer of a methacrylic acid resin are sequentially formed over the bonding layer 3.例文帳に追加
そして、さらにその上に、有機高分子中に触媒機能をもつ酵素を固定化した固定化酵素層4、メタクリル酸樹脂のフルオロアルコールエステル層からなる制限透過層5を順次形成する。 - 特許庁
The magnetic recording layer comprises: a first magnetization fixed area; a second magnetization fixed area; and a magnetization free area sandwiched between the first magnetization fixed area and the second magnetization fixed area.例文帳に追加
磁気記録層は、第1磁化固定領域と、第2磁化固定領域と、第1磁化固定領域と第2磁化固定領域との間に挟まれた磁化自由領域と、を含む。 - 特許庁
In the magnetic detecting element; a multilayered film 31 containing an antiferromagnetic layer 23, a fixed magnetic layer 24, a nonmagnetic material layer 25, and a free magnetic layer 26 is formed on a substrate.例文帳に追加
基板上に、反強磁性層23と固定磁性層24と非磁性材料層25とフリー磁性層26とを含む多層膜31が形成されている。 - 特許庁
The position of a gravity center Ga of the recording layer 3 in its thickness direction is located at a position of the interior of the recording layer 3 biased by 1/2 of the layer thickness toward the fixed layer 1.例文帳に追加
記録層3の膜厚方向における磁化の重心Gaの位置が記録層3の膜厚の1/2よりも固着層1側に位置している。 - 特許庁
The layer 3 forming the magnetic resistance element is provided with a magnetized fixed layer 3a, an intermediate layer 3b, and a magnetization free layer 3c in the sequence from the side of the lower electrode 1.例文帳に追加
磁気抵抗素子を形成する層3は、下部電極1側から順に磁化固定層3aと中間層3bと、磁化自由層3cと、を有している。 - 特許庁
The magnetic orientation of the ferromagnetic layer 33 is fixed by the antiferromagnetic layer 35, and the ferromagnetic layer is made thicker than the free layer 27.例文帳に追加
強磁性層33は、反強磁性層35により磁化方向が固定されており、磁気膜厚がフリー層27の磁気膜厚よりも大きく設定されている。 - 特許庁
The MR element 5 includes a non-magnetic conductive layer 24, and a fixed layer 23 and a free layer 25 which are arranged to sandwich the non-magnetic conductive layer 24.例文帳に追加
MR素子5は、非磁性導電層24と、非磁性導電層24を挟むように配置された固定層23およびフリー層25を備えている。 - 特許庁
The direction of magnetization of the magnetization variable layer varies depending on the bidirectional current penetrating through the first magnetization fixed layer, the first intermediate layer and the magnetization variable layer.例文帳に追加
第1磁化固定層と第1中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 - 特許庁
The ferroelectric thin film having the fixed orientation can be obtained by joining with the conductive layer without forming a different layer or a change layer between these thin films.例文帳に追加
異層や変化層を介さずに導電層と接合して、一定の配向を有する強誘電体薄膜が得られる。 - 特許庁
A non-magnetic layer 7 and a fixed layer 8 are formed on the surface of the soft magnetic layer 6 by overhead filming and a spin valve film 5 is formed.例文帳に追加
軟磁性層6の上面に非磁性層7,固定層8を直上成膜により形成し、スピンバルブ膜5を形成する。 - 特許庁
At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixed layer and a carbon nanotube structure.例文帳に追加
前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方は、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁
Further, a Ta film (ground layer 14) is formed on the magnetization fixed layer 15 on the side opposite to the insulation layer 16 side.例文帳に追加
さらに磁化固定層15の絶縁層側とは反対側の面に接してTa膜(下地層14)が形成されている。 - 特許庁
A first tunnel junction film is comprised of a first fixed-side ferromagnetic layer 53, an insulation layer 54, and a free-side ferromagnetic layer 55.例文帳に追加
第1固定側強磁性層53、絶縁層54および自由側強磁性層55は第1トンネル接合膜を構成する。 - 特許庁
A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加
磁化自由層28と、磁化固定層26と、前記磁化自由層28と前記磁化固定層26との間に配置されたバリア層27とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層27として、MgO層/Mg層/ZnO層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁
A layer 106 to serve as a fixed electrode is formed on another substrate 105.例文帳に追加
別の基板105に固定電極となる層106を形成する。 - 特許庁
The surface layer includes: fixed portions 141 to 144 fixed to a substrate via an intermediate layer; and a free portion free from the substrate.例文帳に追加
表面層は、中間層を介して基板に固定されている固定範囲141〜144と、基板から遊離している遊離範囲を備えている。 - 特許庁
To provide a magnetism detection element capable of fixing magnetization of a fixed magnetic layer by the uniaxial anisotropy of the fixed magnetic layer itself, with a large magnetic distortion of the fixed magnetic layer and a large magnetoelastic effect.例文帳に追加
固定磁性層の磁化を、固定磁性層自体の一軸異方性によって固定する磁気検出素子であって、固定磁性層の磁歪が大きく、磁気弾性効果の大きな磁気検出素子を提供する。 - 特許庁
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