「gap effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A rotary transformer 1 which has rotor side core 1b counterposed to a stator side core 1a and transmits and receives a signal between the cores by an electo-magnetic induction effect is provided with an air inflow groove 5 for forming the gap between both cores by flowing the air in between the core 1b and the core 1a and a levitation mehcanism consisting of fins.例文帳に追加

本発明は、ロータ側コア１ｂとステータ側コア１ａとが対向配置され、電磁誘導効果によってコア間で信号の送受を行うロータリトランス１において、ロータ側コア１ｂとステータ側コア１ａとの間に空気を流入することで両コア間のギャップを形成する空気流入溝５やフィンから成る浮上機構を備えている。 - 特許庁

To provide a fuel cell making flow of reaction gas through a blocked clearance passage difficult, making generation of a gap between a seal and a gas diffusion layer difficult, enhancing sealing effect, and effectively enhancing power generation efficiency when the clearance passage short-circuiting a manifold inlet and a manifold outlet is blocked with the seal.例文帳に追加

本発明は、マニホールド入口とマニホールド出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくい、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させることが可能な燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a magnetic head, a gap on a floating surface between an upper part magnetic shield and a lower part magnetic shield is narrower than that between the upper part magnetic shield and the lower part magnetic shield which are formed at a part in which an electrode formed to contact with a magnetic domain control film is formed to be the thickest in the element height direction of a magneto-resistive effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔が、磁区制御膜に接して形成された電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔より狭いことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell making flow of reaction gas through a blocked clearance passage difficult and making the generation of a gap between a seal and a gas diffusion layer difficult, enhancing sealing effect, and effectively enhancing power generation efficiency when the clearance passage short-circuiting a manifold inlet and a manifold outlet is blocked with the seal.例文帳に追加

本発明は、マニホールド入口とマニホールド出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくく、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させることが可能な燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a weighing instrument being in no danger of breaking a diaphragm even if cleaning is performed by means of a high-pressure cleaner, etc. although a gap between a connecting member projecting from a weight detector and a through hole formed in an instrument body is waterproofed with a diaphragm, and not causing a harmful effect such as allowing dust, etc. to accumulate around the diaphragm.例文帳に追加

重量検出器から突出する連結部材と装置本体に形成される貫通孔の隙間がダイヤフラムで防水処理された計量装置でありながら、高圧洗浄機等で清掃してもダイヤフラムを破損させるおそれがなく、また、ダイヤフラム回りにゴミ等を堆積させたりする弊害を招くことがない計量装置を提供。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Data are displayed by using a liquid crystal display element, having a relation p/d>10 between a twist pitch p of a twisted nematic liquid crystal layer and a gap d being thickness of the twisted nematic liquid crystal layer, and adjusting the resetting voltage and the writing voltage of the displayed data as a driving condition so as to generate back flow effect.例文帳に追加

ツイストネマティック液晶層のねじれピッチｐとツイストネマティック液晶層の厚みとなる間隙ｄとの間に、ｐ／ｄ＞１０の関係を有する液晶表示素子を使用するとともに、駆動条件として、リセット電圧と表示データの書き込み電圧を調整して、バックフロー効果を生じさせて、データ表示を行なうようにされている。 - 特許庁

The method for forming a fine pattern includes processes of treating a substrate having a photoresist pattern to convert into hydrophilic and then applying a coating agent for producing a finer pattern on the substrate; thermally shrinking the coating agent by heat treatment to narrow the gap in the photoresist pattern by using the heat shrinking effect; and removing the above coating agent.例文帳に追加

ホトレジストパターンを有する基板を親水化処理した後、該基板上にパターン微細化用被覆形成剤を塗布する工程、熱処理により前記被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。 - 特許庁

The big gap between the UK government’s announcement and the results of other policy evaluations is likely to have stemmed from the fact that all the policy evaluation estimates other than that of the UK government looked at the pure impact to exclude job creation unrelated to the introduction of the New Deal policy, such as an increase in employment ascribable to a general recovery in the UK economy and a substitution effect in employment.例文帳に追加

英国政府の発表と、他の政策評価の結果が大きく異なるのは、英国政府以外の政策評価においては、英国経済の一般的な回復に起因する雇用増や雇用代替効果等、プログラムの有無と関係のない雇用創出を除いた純粋な効果を評価したことによると考えられる。 - 経済産業省

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a semiconductor layer 5; a source electrode 1 that is in ohmic contact with the semiconductor layer 5; a drain electrode 2 that is in ohmic contact with the semiconductor layer 5; a gate electrode 3 that is in Schottky contact with the semiconductor layer 5; and a Schottky electrode 4 that is provided in a gap formed in a portion of the source electrode 1 and is in Schottky contact with the semiconductor layer 5.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極３と、ソース電極１の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and its manufacturing method in which opposed electrodes can be easily located to be connected with a reduced contact resistance, and a channel length can be shortened compared to a gap length between the electrodes, and to provide a field-effect transistor including the semiconductor element, its manufacturing method and a semiconductor device including the semiconductor element.例文帳に追加

接触抵抗を小さく抑えた状態で対向電極間をつなぐように配置することが容易で、しかも、電極間ギャップ長に比べてチャネル長を短縮することのできる半導体素子及びその製造方法、その半導体素子を配置した電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びにその半導体素子を配置した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

An elastic membrane body 31 is swelled and deformed by injecting under pressure the permeable waterproofing agent S into a filling gap 35 formed between the concrete wall surface 1a and the elastic membrane body 31, and the permeable waterproofing agent S permeates to an exposed crack 2 within the region surrounded by the frame member 32, thereby creating water repellent and impermeable substances as secular changes and realizing water stop effect.例文帳に追加

コンクリート壁面１ａと弾性膜体３１の間に画成された注入空間３５に浸透性防水剤Ｓを加圧注入することによって弾性膜体３１を膨出変形させ、その圧力によって、浸透性防水剤Ｓは枠部材３２で囲まれた領域内に露出したクラック２へ浸透し、経時的に不溶性及び撥水性の物質を生成して止水効果を発現する。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a substrate 11; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with a larger band gap compared to the first nitride semiconductor layer 13; a first insulating film 15 composed of a crystalline silicon nitride and formed on the second nitride semiconductor layer 14; and a second insulating film 16 formed on the first insulating film 15.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁