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gate valueの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 842件
The gate resistance B is set to a lower resistance value than that of the gate resistance A.例文帳に追加
ゲート抵抗Aの抵抗値に対してゲート抵抗Bの抵抗値を小さくする。 - 特許庁
An adjustment circuit 20 adjusts the resistance value of the gate resistance of the transistor gate 30 based on the current value of the negative gate currents Ig(-) of the transistor 30.例文帳に追加
調整回路20は、トランジスタ30の負のゲート電流Ig(-)の電流値に基づいて、トランジスタ30のゲート抵抗の抵抗値を調整する。 - 特許庁
A gate generation part 53 sets a gate based on a difference absolute value between a value of a pixel of a noticing frame and a value of a pixel of a frame of the background image.例文帳に追加
ゲート生成部53は、注目フレームの画素の値と、背景画像のフレームの画素の値との差分絶対値に基づいてゲートを設定する。 - 特許庁
The addition capacity value of a fringe capacity value and a gate overlapping capacity value between a plurality of MISFET sharing gate source drains is deviated from the analysis of the difference of the differentiation value.例文帳に追加
そして、上記微分値の差の分析から複数のMISFET共通のゲート−ソース・ドレイン間のフリンジ容量値とゲートオーバラップ容量値の和容量値を導出する。 - 特許庁
A gate drive signal output from a gate pulse generation circuit (21) is output to a sense gate terminal Gs and a main gate terminal Gm and an input end of an MPU (24) via each correction resistor of a gate resistance value correction circuit 1 (22) and a gate resistance value correction circuit 2 (23).例文帳に追加
ゲートパルス発生回路(21)から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1(22)及びゲート抵抗値補正回路2(23)の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。 - 特許庁
As a result, the gate 50 stops in the position corresponding to the gate stopping target opening value (Step S207).例文帳に追加
この結果、ゲート50は、ゲート停止目標開度値に対応する位置で停止する(ステップS207)。 - 特許庁
ULTRASONIC IMAGE AND CALIBRATION OF GATE-CONTROLLED POSITION MEASUREMENT VALUE例文帳に追加
超音波画像およびゲート制御された位置測定値の較正 - 特許庁
In addition, the gate length dependency of the capacity between the gate source drains is deviated at prescribed gate voltage, the overlapping length ΔL is calculated from the addition capacity value on the basis of the gate length dependency of the capacity, and the fringe capacity value and the gate overlapping capacity value are found.例文帳に追加
また、所定のゲート電圧でのゲート−ソース・ドレイン間の容量のゲート長依存性を導出し、上記容量のゲート長依存性に基づいて上記和容量値からオーバラップ長ΔLを算出し、上記フリンジ容量値、ゲートオーバラップ容量値を求める。 - 特許庁
The other-side ends of the gate resistor R1 and R2 are connected with a control circuit 6, and the resistance value of the gate resistor R2 is higher than the resistance value of the gate resistor R1.例文帳に追加
ゲート抵抗R1,R2の他端は、制御回路6に接続され、ゲート抵抗R2の抵抗値がゲート抵抗R1の抵抗値に比べて大きくなっている。 - 特許庁
When the voltage value of the gate terminal 2 reaches V_1, I_2 is supplied to the gate terminal 2 in addition to I_1.例文帳に追加
ゲート端子2の電圧値がV_1に達すると、I_1に加えてI_2をゲート端子2に供給する。 - 特許庁
A resistance value of the gate electrode in a place near the gate pad is higher than that in a place far from the gate pad.例文帳に追加
そして、該ゲート電極の抵抗値は、該ゲートパッドから近い場所の方が、該ゲートパッドから遠い場所よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁
The gate driver comprises a means for measuring the gate current flowing through a gate resistor or a means for integrating the gate current, and a means for comparing it with a normal value range, and a means for transmitting a signal to a gate drive circuit.例文帳に追加
ゲート抵抗に流れるゲート電流を測定する手段、あるいはゲート電流を積分する手段を設け、正常値範囲と比較し、ゲート駆動回路に信号を伝達する手段を設ける。 - 特許庁
The digital synchronization system is provided with a gate circuit that outputs the zero cross signal, by using a gate signal and controlling the gate phase of the gate signal with an integrated value of the gate outputs, can generate a synchronizing signal by minimizing the integrated value.例文帳に追加
この零クロス信号をゲート信号でゲート出力するゲート回路を設け、このゲート出力の積算値で前記ゲート信号のゲート位相を制御して積算値が極小値になるようにして同期信号を生成するようにしたものである。 - 特許庁
To adjust a threshold value of a complementary transistor having a gate stack structure of a high dielectric constant gate insulating film and a metal gate electrode using a simple procedure.例文帳に追加
簡易な手順で、高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極とのゲートスタック構造を有する相補型トランジスタの閾値を調整する。 - 特許庁
When the calculation value is within a range from a first set value to a second set value, the size of the antenna violation gate group is adjusted.例文帳に追加
その算出値が第1設定値から第2設定値の範囲である場合、アンテナ違反ゲート群の大きさを調整する。 - 特許庁
For the value of the capacitor 7 for through-current prevention, an optimum value exists from the relation among the gate capacity value of an n-channel power MOSFET 9, the gate capacity value of a p-channel power MOSFET 12, and the resistance value of a PNP emitter follower bias.例文帳に追加
貫通電流防止用コンデンサ7の値はNチャンネルパワーMOSFET9のゲート容量値とPチャンネルパワーMOSFET12のゲート容量値とPNPエミッタフォロワーバイアス抵抗値の関係から最適な値が存在する。 - 特許庁
An adjustment value storage memory 24 stores an adjustment value to set a gate voltage of the FET.例文帳に追加
調整値格納メモリ24は、FETのゲート電圧値を設定するための調整値を格納している。 - 特許庁
To accurately stop a gate in a position corresponding to a target opening value.例文帳に追加
ゲートを目標開度値に対応する位置に正確に停止させること。 - 特許庁
Compared to the BT test, the evaluation of the gate current value can be performed in a simpler manner, as the measurement of the gate current value takes short time, for example.例文帳に追加
ゲート電流値の測定は、必要となる時間が短いなど、BT試験と比較して簡便な方法によって評価を行うことが可能である。 - 特許庁
Accordingly, a switching time for turning on can be shortened by increasing the gate current by setting the resistance value of a gate resistor 33 to a small value.例文帳に追加
したがって、ゲート抵抗33の抵抗値を小さく設定することによって、ゲート電流を大きくし、ターンオンするスイッチング時間を短くすることができる。 - 特許庁
The gate voltage VG (-3V) is a negative voltage, the absolute value of which is smaller than the absolute value of a gate voltage VG (-10. 5V) to be applied during data erasing.例文帳に追加
このゲート電圧VG(−3V)は、データ消去時に印加されるゲート電圧VG(−10.5V)の絶対値よりもその絶対値が小さな負電圧にされる。 - 特許庁
The gate voltage control part 33 controls a voltage value applied to a gate terminal of the field effect transistor 31 such that the current value detected by the current value detection part 32 becomes constant.例文帳に追加
ゲート電圧制御部33は、電流値検出部32により検出された電流値が一定となるように、電界効果トランジスタ31のゲート端子に与える電圧値を制御する。 - 特許庁
The forward voltage (gate voltage VG) across the gate-source of the JFET 2 is limited to a voltage value (Vo) lower than a built-in voltage between the gate and source, and therefore a gate current is also restrained.例文帳に追加
JFET2のゲート−ソース間の順方向電圧(ゲート電圧VG)は、ゲート−ソース間のビルトイン電圧よりも低い値(Vo)に抑制され、ゲート電流IGも抑制されることになる。 - 特許庁
When an insulating film is formed on the gate interconnection, the absolute value of a gate voltage, applied to the liquid crystal in a period in which the gate interconnection is not selected, can be reduced.例文帳に追加
ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。 - 特許庁
By provision of an insulation film on a gate wire, an absolute value of a gate voltage applied on liquid crystal while the gate wire is not selected can be reduced.例文帳に追加
ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。 - 特許庁
The light intensity value near the gate edge of the gate pattern is calculated and the dimension shift quantity of the gate line width by a proximity effect is calculated in accordance with the light intensity value in a dimension shift quantity calculating section 605.例文帳に追加
ゲートパタンのゲートエッジ近傍における光強度値を計算し、寸法シフト量計算部605で光強度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸法シフト量を計算する。 - 特許庁
A handle wheel controls closing of a gate valve or opening of the gate value to release gas from the cylinder.例文帳に追加
ハンドル車は、ゲート弁を閉鎖するかまたはシリンダから気体を解放するためにゲート弁を開口するのを制御する。 - 特許庁
To set a slack value to a gate on a data path at high speed.例文帳に追加
データパス上のゲートにスラック値を高速に設定することができるようにする。 - 特許庁
After that, the gate voltage holds the set value, and gentle switching is realized.例文帳に追加
その後はゲート電圧は設定値を保持して、緩やかなスイッチングを実現する。 - 特許庁
The gate circuit 4, when switched off, holds the output at an initial value level.例文帳に追加
ゲート回路は、オフに切り換えられた場合、出力を初期値レベルに維持する。 - 特許庁
To reduce the threshold value of a CMIS element in which metal is used for a gate electrode material.例文帳に追加
メタルをゲート電極材料に用いたCMIS素子の閾値を低減する。 - 特許庁
The initial value of the potential difference VGS between a gate and a source of a switching transistor upon a verify process is varied in accordance with the resistance value level of the multi-value information.例文帳に追加
スイッチングトランジスタのゲート・ソース間の電位差VGSのベリファイ時の初期値を、多値情報の抵抗値レベルに応じて異なる値とする。 - 特許庁
The control device compares the estimated value (mcpest) with the measured value (mafm) of the intake flow rate, and adjusts the correspondence relation between the estimated value (wgv) of the waste gate valve opening and the operation quantity of the waste gate valve on the basis of the comparison results.例文帳に追加
そして、その推定値(mcpest)と吸気流量の計測値(mafm)とを比較し、その比較結果に基づいてウェイストゲートバルブ開度の推定値(wgv)とウェイストゲートバルブの操作量との対応関係を調整する。 - 特許庁
Consequently, the finished gate lengths of the transistors TrA-TrF can be fixed roughly to a fixed value by suppressing the effect of the increase in the gate length caused by a hammer head and the increase in the gate length caused by gate flaring.例文帳に追加
その結果、ハンマヘッドによるゲート長太り及びゲートフレアリングによるゲート長太りの効果が抑制され、TrA〜TrFの仕上がりゲート長をほぼ一定値にすることが可能となる。 - 特許庁
When the logical value of either the gate circuit 32 or 34 is '1', an index circuit corresponding to the gate circuit whose logical value is '1' among index circuits 38 and 40 is selected.例文帳に追加
これに対し、ゲート回路32,34の一方が論理値の「1」のときは、インデックス回路38,40のうちの「1」の論理値のゲート回路に対応するインデックス回路を選択する。 - 特許庁
To shorten a time for setting the gate potential of a drive transistor as an expected value.例文帳に追加
駆動トランジスタのゲートの電位を所期値に設定するための時間を短縮する。 - 特許庁
a person who walks from house to house and performs some type of entertainment at the gate of the house in hopes of receiving money or other goods of value 例文帳に追加
人家の門口で芸能を演じ金品をもらい受けて歩く人 - EDR日英対訳辞書
To provide a trench gate type transistor and a method of manufacturing the same, wherein the resistance value of a gate electrode provided in a trench is made small.例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタ及びその製造方法において、トレンチ内に設けられたゲート電極の抵抗値を小さくする。 - 特許庁
A metal material has a resistance value smaller than that of a metal material used for a gate electrode 27 for p-types, and is used for a gate electrode 25 for n-types and gate wiring 26.例文帳に追加
P型用ゲート電極27に用いる金属材料の抵抗値より抵抗値が小さな金属材料をN型用ゲート電極25およびゲート配線26に用いる。 - 特許庁
The gate length of each gate of a P channel transistor 12a and an N channel transistor 13a is set to value that is larger than the gate length of the other complimentarily connected FET.例文帳に追加
PchTr12aとNchTr13bの各ゲートのゲート長が、コンプリメンタリ接続されている他方のFETのゲート長よりも大きい値に設定されている。 - 特許庁
Independently of a main gate current to an IGBT 1 applied through a gate resistance A by a gate drive circuit 2, a voltage-compensated gate control circuit 3-6 injects a voltage-compensated gate current via a gate resistance B when a collector-emitter voltage Vce of the IGBT 1 exceeds a threshold value, and stops injecting the voltage-compensated gate current when the voltage Vce falls below the threshold value.例文帳に追加
ゲートドライブ回路2によるゲート抵抗Aを通したIGBT1の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路3〜6はIGBT1のコレクタ・エミッタ間電圧Vceがしきい値を超えたときにゲート抵抗Bを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Vceがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。 - 特許庁
When the value of the drive counter 14 is larger than an initial value, a drive wave is output from an output gate 20.例文帳に追加
そして、このドライブカウンタ14の値が初期値より大きいときに出力ゲーT20から駆動波を出力する。 - 特許庁
To actualize a semiconductor device including a full-silicide gate electrode having a stable work function value and a threshold value.例文帳に追加
仕事関数の値及び閾値が安定したフルシリサイドゲート電極を有する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁
The gate discharge resistor portion 101 changes a resistance value from a resistance value of a resistance 4 to a resistance value provided by a synthetic resistance of a resistance 4 and a resistance 5.例文帳に追加
ゲート放電抵抗部101は、抵抗値を抵抗4の抵抗値から抵抗4と抵抗5の合成抵抗で与えられる抵抗値に変更する。 - 特許庁
To provide a method for measuring a capacity value and a capacity-value measuring instrument capable of stably computing the capacity value C of a gate insulating film with a high accuracy.例文帳に追加
ゲート絶縁膜の容量値Cを高精度に且つ安定して算出することが可能な容量値測定方法及び容量値測定器を提供する。 - 特許庁
A driving method of the liquid crystal display device comprises: a process of calculating a difference value between a number of gate lines and a number of the gate channels; a process of generating a gate shift clock signal including at least one dummy shift clock, based on the difference value; and a process of supplying gate pulses to the gate lines in accordance with the gate clock signal.例文帳に追加
また、本発明の1つの実施の形態に係る液晶表示装置の駆動方法は、ゲートラインの本数とゲートチャンネルの個数の差分を演算するステップと、差分に基づいて少なくとも1つのダミーシフトクロックを含むゲートシフトクロック信号を生成するステップと、ゲートシフトクロック信号に従ってゲートラインへゲートパルスを供給するステップとを含む。 - 特許庁
To suppress an excessive drain current when a gate voltage approaches a value close to a threshold.例文帳に追加
ゲート電圧が閾値近傍に近づくときに発生する過剰なドレイン電流を抑制する。 - 特許庁
To suppress excessive drain currents that occur when a gate voltage approaches a threshold value.例文帳に追加
ゲート電圧が閾値近傍に近づくときに発生する過剰なドレイン電流を抑制する。 - 特許庁
A variable resistor 22 is set to the gate resistance value in response to the control signal.例文帳に追加
可変抵抗22は制御信号に応答して前記ゲート抵抗値に設定される。 - 特許庁
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