「ge surface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

A second reflection surface pair 16, a third reflection surface pair 22, and a fourth reflection surface pair 28 are used for diffracting the X-ray by Ge {400} plane, Ge {422} plane, and Ge {511}plane, respectively.例文帳に追加

第２の反射面ペア１６はＧｅ｛４００｝面、第３の反射面ペア２２はＧｅ｛４２２｝面、第４の反射面ペア２８はＧｅ｛５１１｝面でそれぞれＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加

Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

The whole other than a surface layer is composed of an alloy having an Au-Ge eutectic composition or an alloy having a composition near the eutectic composition, and the surface layer is composed of an Au solid solution in which Au and Ge are solid-soluted.例文帳に追加

表面層を除く全体が、ＡｕとＧｅの共晶もしくは共晶近傍の合金からなり、表面層は、ＡｕがＧｅを固溶しているＡｕ固溶体からなる。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

As a result, dislocation density around the center of the top surface of the Ge island 2 can be reduced.例文帳に追加

そのため、Ｇｅアイランド２の上面中心付近の転位密度を低減させることができる。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

Next, a Ge layer 20 is formed on the periodical structure arranged on the upper side surface of the substrate.例文帳に追加

次に、基板の上側表面上に設けられた周期構造上にＧｅ層２０を形成する。 - 特許庁

By exposing the surface of the substrate to atomic hydrogen, the ratio of Ge atoms attached to H atoms to all Ge atoms present on the outermost surface, where growth is proceeding, is increased compared with that prior to exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

原子状水素を基板上に暴露することにより、成長が起こっている最表面に存在するＧｅ原子のうちＨ原子が付着しているＧｅ原子の割合は、原子状水素暴露前よりも増加する。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

The gold alloy for casting includes: 5-50 mass% of at least one of Pt and Pd; 0.8-5 mass% Ge; and the balance Au, wherein the surface thereof is covered with a white oxide layer.例文帳に追加

Pt及びPdの少なくとも１種を5〜50mass％、Geを0.8〜5mass％含み、残部がAuからなり、合金表面が白色酸化物層で覆われていることを特徴とする鋳造用金合金。 - 特許庁

A first reflection surface pair 11 is used for diffracting X-rays by Ge {220} plane or {440} plane.例文帳に追加

第１の反射面ペア１１はＧｅ｛２２０｝面または｛４４０｝面でＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁

In the plated member, a plating film of an alloy comprising Ge as an essential component is formed on the surface.例文帳に追加

表面に、Ｇｅを必須成分として含有する合金のめっき皮膜が成膜されているめっき部材。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

After the supply of the ozone gas is stopped, the Ge substrate 2 is heated up to the room temperature to oxidize the surface of the substrate through the ozone molecule layer, thereby forming the Ge oxide film.例文帳に追加

次いで、前記オゾンガスの供給を遮断させた後、Ｇｅ基板２を室温まで加熱することにより前記オゾン分子層によって当該基板の表面を酸化させてＧｅ酸化膜を形成させる。 - 特許庁

As a result, the ratio of Ge atoms to all atoms on the outermost surface, where growth is proceeding, can be reduced and C atoms having low affinity with Ge atoms is rendered more likely to occupy lattice positions in the crystal.例文帳に追加

その結果、結晶が成長している最表面においてＧｅ原子の占める割合を少なくすることができ、Ｇｅ原子と相性の悪いＣ原子が、結晶の格子位置に入りやすくなる。 - 特許庁

A fifth reflection surface pair 34 used for asymmetrically reflecting the X-rays by Ge {111} plane, and a reflecting surface 38 is non parallel with the {111} face.例文帳に追加

第５の反射面ペア３４はＧｅ｛１１１｝面でＸ線を非対称反射させるものであり、反射面３８は｛１１１｝面に対して非平行である。 - 特許庁

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

最表面のＧｅ原子にＨ原子が付着すると、そのＧｅ原子と、その下層に存在するＳｉ原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のＧｅ原子がＳｉ原子と入れ替わることになる。 - 特許庁

Next, after a support substrate is adhered and the Ge substrate is removed, a back surface electrode 15 is formed and the support substrate is detached.例文帳に追加

次に、支持基板を接着してＧｅ基板が除去された後に裏面電極１５が形成されて支持基板が取外される。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

A gate electrode GE and a source electrode are formed on a second surface opposite to the first surface of the semiconductor chip 3, and metal plate terminals 6G, 6S are joined to the gate electrode GE and the source electrode SE via connection materials 5b, 5c.例文帳に追加

この半導体チップ３の第１面の反対面である第２面にはゲート電極ＧＥおよびソース電極が形成されており、そのゲート電極ＧＥおよびソース電極ＳＥには接続材５ｂ，５ｃを介して金属板端子６Ｇ，６Ｓが接合されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, impurities consisting of Ge, Sn, C, or N are introduced onto a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃ、及びＮのいずれかの不純物を半導体基板の表面に導入する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

From a surface of an insulating film (High-k film) 32 of a Ge substrate 31 for which the insulating film 32 is laminated on an upper surface, plasma of process gas containing oxygen-atom-containing gas is radiated.例文帳に追加

上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

The solder powder of the Sn-Zn alloy of which the area ≥50% of the surface is coated with a layer of an Sn alloy consisting essentially of Sn and containing at least one element of Ag, In, Ge, Cu or Bi.例文帳に追加

本発明は、Sn−Zn合金のはんだ粉末において、Snを主成分としAg, In, Ge, Cu,又はBiの少なくとも一元素を含有したSn合金の被覆層により、該はんだ粉末の表面積の５０％以上が被覆されているSn−Zn合金のはんだ粉末を提供する。 - 特許庁

Prior to depositing the electrode film, ion implantation may be performed in order to render the surface amorphous by Ar ions, Ge ions or Xe ions.例文帳に追加

また、電極膜を成膜する前に、ＡｒイオンやＧｅイオンやＸｅイオンによって表面を非晶質化するためのイオン注入をおこなってもよい。 - 特許庁

On the opposite sides of the gate electrode 13, an NiGe layer 15 which is a Germanide layer composed of NiGe is formed on the surface layer of a Ge substrate 2.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側におけるＧｅ基板２の表層には、ＮｉＧｅで構成されたGermanide層であるＮｉＧｅ層１５が形成されている。 - 特許庁

The infrared filter is provided with: a substrate 2 transmitting infrared light; and Ge films and YF_3 films which are alternately laminated on the surface of the substrate 2 in multilayer.例文帳に追加

赤外線フィルタ１は、赤外線を透過する基板２と、基板２表面上に交互に多層積層されたＧｅ膜及びＹＦ_３膜とを備える。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C.例文帳に追加

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。 - 特許庁

The electromagnetic wave transmitting decoration substrate comprises: an electromagnetic wave transmitting glass substrate 1; an Si layer 2 formed on the glass substrate 1 to have a thickness of 5 to 30 nm; a Ge layer 3 formed on the surface of the Si layer 2 to have a thickness of 1 to 35 nm; and the decoration layer is formed as a laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3.例文帳に追加

電磁波透過性のガラス基板１上に、Ｓｉ層２を５ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚となるように形成し、Ｓｉ層２の表面に、Ｇｅ層３を１ｎｍ〜３５ｎｍの膜厚となるように形成して、加飾層をＳｉ層２とＧｅ層３の積層体とする。 - 特許庁

An Si_x(Ge_yC_1-y)_1-x layer (where 0<x<1, 0<y≤1) 12 is formed to reduce the composition ratio of Ge from a lower layer side to a surface on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、下層側から表面にかけてＧｅの組成比が減少するようにＳｉ_x（Ｇｅ_yＣ_1-y）_1-x層（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ≦１）１２を形成する。 - 特許庁

The surface layer part 12 may be a metal capable of being solid-soluted for the solder part 11, for example, a metal containing one or more elements selectable from among Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Sb, Ge, In, and Bi.例文帳に追加

表層部１２は、ハンダ部１１に対して固溶可能な金属、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂｉから選択される１種あるいは２種以上の元素を含んだものであればよい。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

After forming a high-melting-point metal film 25 in the surface of the obtained structure, near the surface of the crystallized semiconductor film 15 is made amorphous by introducing Si or Ge through the high-melting-point metal film 25.例文帳に追加

得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。 - 特許庁

The memory comprises a single crystal Ge substrate 11 whose main surface is a (001) crystal face, memory cells 12 arranged in a matrix on the main surface, memory boundary lines 13 partioning the memory cells 12, and a dimer 15 constituted of four dimers 15 formed of Ge atoms 14 on the uppermost of the crystal face and arranged in 2 lines 2 rows.例文帳に追加

主面を（００１）結晶面とする単結晶Ｇｅ基板１１と、主面上にマトリックス状に配列されたメモリセル１２と、メモリセル１２同士を区切るメモリ境界線１３などから構成し、メモリセル１２は、結晶面の最表面にあるＧｅ原子１４が形成するダイマー１５が２行２列に並んだ４つのダイマー１５から構成されている。 - 特許庁

A PMOSFET is equipped with a compressive strain Si-Ge channel layer 19 which is sandwiched in between P+ drain/source diffusion layers 18 is formed on the surface of the Si substrate 10.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴはＳｉ基板１０の表面にトランジスタのソース又はドレインであるｐ^+ 拡散層１８に挟まれて圧縮歪みＳｉ−Ｇｅチャネル層１９が形成されている。 - 特許庁

MISFETs containing a gate electrode GE and a source/drain region in which a metal silicide layer 11b is formed on an upper part are formed by a plurality of numbers on a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥと上部に金属シリサイド層１１ｂが形成されたソース・ドレイン領域とを有するＭＩＳＦＥＴが半導体基板１の主面に複数形成されている。 - 特許庁