「igbt element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As a result, one IGBT element is not cut off prior to the other, and the load is thererby prevented from concentrating to the delayed other IGBT element.例文帳に追加

したがって、一方のＩＧＢＴ素子が先に遮断して、遅れた他方のＩＧＢＴ素子に負担が集中するということがない。 - 特許庁

A drive control means (1) receives input signals (UPin) and (UNin) and outputs signals (UPout) and (UNout) for driving a switching element (IGBT).例文帳に追加

駆動制御手段(１)は、入力信号(UPin)(UNin)を受けてスイッチング素子(IGBT)を駆動するための信号(UPout)(UNout)を出力する。 - 特許庁

The IGBT element 3 and diode element 4 are respectively provided with electrodes at the front and rear surfaces of these elements.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子３およびダイオード素子４は、表面と裏面にそれぞれ電極を備える。 - 特許庁

The gate voltage of the IGBT 2 is decreased by these diodes 31-33, thereby suppressing the current that flows to the IGBT 2, and element destruction of the IGBT can be prevented.例文帳に追加

これらのダイオード３１〜３３によりＩＧＢＴ２のゲート電圧を下げることでＩＧＢＴ２に流れる電流を抑え、その素子破壊を防止することができる。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises a diode element 10 and a switching element (IGBT) 20.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置では、ダイオード素子１０と、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）２０とを、備えている。 - 特許庁

For example, although a PDP sustain circuit requires a high element breakdown voltage, because the IGBT can reduce the voltage drop at the time of conduction with little dependence of the element breakdown voltage, the defect of the IGBT can be compensated by combining the sustain circuit with the AC-type PDP.例文帳に追加

例えば、素子耐圧が高いことが要求されるPDPのサステイン回路に、素子耐圧にあまり依存せずに導通時の電圧降下を小さくできるIGBTの欠点を、AC型PDPと組み合わせることで補うことができる。 - 特許庁

Due to this structure, the time when the FWD element is working and the time when the IGBT element is working are detected by the single temperature sensitive element 10.例文帳に追加

これにより、ＦＷＤ素子の動作時とＩＧＢＴ素子の動作時とを１つの感温素子１０で検出する。 - 特許庁

To reduce the snapback voltage of an IGBT element in an IGBT having freewheel diodes of inverse-parallel connection in the same chip.例文帳に追加

同一チップ内に逆並列接続した環流ダイオードを有するＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ素子のスナップバック電圧を低減する。 - 特許庁

To provide an element structure that improves latch-up operation of a vertical power IGBT.例文帳に追加

縦型パワーＩＧＢＴのラッチアップ動作を改善する素子構造を提供する。 - 特許庁

When switching an IGBT element region 24 to on-state, a positive polar voltage is applied to at least the trench gate electrode group 6a of the IGBT element region 24.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子領域２４をオン状態に切換える際には、少なくともＩＧＢＴ素子領域２４のトレンチゲート電極群６ａに正極性の電圧を印加する。 - 特許庁

An IGBT 10 includes one trench gate electrode 6 inside an element region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、素子領域内に１本のトレンチゲート電極６を有している。 - 特許庁

The converter 12 includes reactor L1A, and an IGBT element Q2A connected with the reactor L1A.例文帳に追加

コンバータ１２は、リアクトルＬ１Ａに接続されたＩＧＢＴ素子Ｑ２Ａとを含む。 - 特許庁

Furthermore, an interconnecting terminal block 20 is disposed on the major surface of an elongated heat spreader 25 on the outside of the IGBT element 1 wherein the interconnecting terminal block 20, the IGBT element 1 and the diode element 2 are arranged in a row.例文帳に追加

また、ヒートスプレッダ２５の主面上には、ＩＧＢＴ素子１よりも外側に中継端子台２０が配設され、中継端子台２０、ＩＧＢＴ素子１およびダイオード素子２は一列をなしている。 - 特許庁

To miniaturize a heat radiator for radiating heat absorbed from a heating element such as an IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴ等の発熱体から吸熱した熱を放熱するための放熱器を小型にする。 - 特許庁

The constants G1-Gn and VOFFSFT1- VOFFSETn are individually prepared at every switching element (IGBT).例文帳に追加

定数Ｇ_1〜Ｇ_n，Ｖ_OFFSET1〜Ｖ_OFFSETn，Ｋ_ijは、ｎ個のスイッチング素子の各々ごとに、個別に作成される。 - 特許庁

An IGBT chip 10 (power semiconductor element) is mounted on an insulation substrate 2.例文帳に追加

絶縁基板２上にＩＧＢＴチップ１０（電力用半導体素子）が実装されている。 - 特許庁

The second electrode layer 26 is formed only above the IGBT element region 8b.例文帳に追加

第２の電極層２６は、ＩＧＢＴ素子領域８ｂの上方にのみ形成されている。 - 特許庁

An MOSFET 7 and an IGBT 22 are connected in parallel to constitute a switching element 21.例文帳に追加

ＭＯＳ型ＦＥＴ７とＩＧＢＴ22とを並列接続して、スイッチング素子21を構成する。 - 特許庁

A semiconductor element (an IGBT 11, a diode 10) is bonded and fixed to a film-like membrane 20.例文帳に追加

半導体素子（ＩＧＢＴ１１、ダイオード１０）をフィルム状膜２０に接着・固定する。 - 特許庁

The control unit 142 of an inverter 140 measures the thermal resistance of an IGBT element 141.例文帳に追加

インバータ１４０のコントロールユニット１４２は、ＩＧＢＴ素子１４１の熱抵抗を測定する。 - 特許庁

Collector voltage is given to the collector C of the IGBT element 2 from a common collector terminal.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子２のコレクタＣには、共通のコレクタ端子からコレクタ電圧が与えられる。 - 特許庁

A semiconductor module 1 having an IGBT element 2, a collector electrode terminal 3 and an emitter electrode terminal 7 that are electrically connected to electrode layers of the IGBT element 2, comprises a spring electrode 6 between the IGBT element 2 and the emitter electrode terminal 7.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子２と、このＩＧＢＴ素子２の電極層と電気的に接続されるコレクタ電極端子３及びエミッタ電極端子７とを備えた半導体モジュール１において、ＩＧＢＴ素子２とエミッタ電極端子７との間にばね電極６を備える。 - 特許庁

The power element device comprises an IGBT 53 with a mounting electrode board and a housing 5 accommodating the IGBT 53.例文帳に追加

パワー素子デバイスは、実装用電極板付ＩＧＢＴ５３と、その内部に実装用電極板付ＩＧＢＴ５３を収納する筐体からなる。 - 特許庁

To avoid interference of a diode element with a gate signal of an IGBT element and prevent an increase in forward loss of a diode in a semiconductor device with a diode built-in IGBT.例文帳に追加

ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。 - 特許庁

The IGBT element also includes temperature dependency that the withstand voltage of the element decreases as the temperature of the inverter Tiv decreases.例文帳に追加

またＩＧＢＴ素子は、インバータ温度Ｔｉｖの低下に伴なって素子耐圧が低下する温度依存性を有する。 - 特許庁

A balance control element 11 is installed on each of IGBT elements 5 and free wheeling diode elements 4.例文帳に追加

バランス制御素子１１をＩＧＢＴ素子５およびフリーホイルダイオード素子４上に設置する。 - 特許庁

A power supply 20 is connected to the semiconductor element 10 to be evaluated via an IGBT switch 24.例文帳に追加

評価すべき半導体素子１０にＩＧＢＴスイッチ２４を介して電源２０を接続する。 - 特許庁

An element 20 being a pair of an element 10 of an IGBT or the like is connected, the element 10 is driven by a driver 22, and gate voltage is controlled by a control circuit 24.例文帳に追加

ＩＧＢＴ等の素子１０と対の素子２０を接続し、素子１０をドライバ２２で駆動するとともに制御回路２４でゲート電圧を制御する。 - 特許庁

A current is periodically carried from a power drive part 12 to an IGBT element disposed in a thermostatic chamber 10, and the temperature of the IGBT element is recorded by a recorder 14 and monitored by a temperature monitor 16.例文帳に追加

恒温槽１０に配置されたＩＧＢＴ素子には、電源駆動部１２から周期的な通電が行われ、ＩＧＢＴ素子の温度はレコーダ１４で記録されるとともに温度モニタ１６で監視される。 - 特許庁

POWER ELEMENT DEVICE WITH MOUNTING ELECTRODE BOARD, IGBT THEREWITH, POWER ELEMENT MODULE, POWER ELEMENT WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING POWER ELEMENT DEVICE WITH MOUNTING ELECTRODE BOARD, AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER ELEMENT MODULE例文帳に追加

実装用電極板付パワー素子デバイス、実装用電極板付ＩＧＢＴ、パワー素子モジュール、パワー素子ウェーハ、実装用電極板付パワー素子デバイスの製造方法、およびパワー素子モジュールの製造方法 - 特許庁

To equalize the heat balance of the entire inverter circuit by cooling an IGBT element more than IGBT elements on the first stage and the final stage of a triple bridge inverter circuit.例文帳に追加

トリプルブリッジインバータ回路の初段及び最終段のＩＧＢＴ素子よりも中段のＩＧＢＴ素子をより冷却してインバータ回路全体の熱バランスを均等化する。 - 特許庁

The semiconductor element driving circuit 13 changes a gate-emitter voltage Vge of the IGBT 11 to control the turn-on and turn-off of the IGBT 11.例文帳に追加

半導体素子駆動回路１３は、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅを可変することによって、ＩＧＢＴ１１のターンオン及びターンオフを制御する。 - 特許庁

For example, sense resistors 11, 12 are connected in series with an emitter of the IGBT element 10.例文帳に追加

たとえば、ＩＧＢＴ素子１０のエミッタに、センス抵抗１１とセンス抵抗１２とを直列に接続する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an IGBT element 402, a first metal wiring board 25 which is solder-jointed to one surface of the IGBT element 402 and has an external terminal, and a temperature sensor 501 which is mounted on an end piece 25b of the first metal wiring board 25 that is solder-jointed to the upper surface of the IGBT element 402.例文帳に追加

この半導体装置は、ＩＧＢＴ素子４０２と、このＩＧＢＴ素子４０２の一面に半田接合されると共に外部端子を有する第１金属配線板２５と、ＩＧＢＴ素子４０２の上面に半田接合された第１金属配線板２５の端部片２５ｂの上に実装される温度センサ５０１とを備える。 - 特許庁

Thereby, resistance of the semiconductor substrate 10 is reduced, and the on-current of the IGBT element can be lowered.例文帳に追加

このため、半導体基板１０の抵抗が下がり、ＩＧＢＴ素子のオン電圧を下げることができる。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING SWITCHING SPEED OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT) ELEMENT, ITS STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子のスイッチング速度の制御方法、その構造及び製造方法 - 特許庁

An IGBT element 110 constituting a power conversion circuit outputs a current signal and a temperature one.例文帳に追加

電力変換回路を構成するＩＧＢＴ素子１１０は、電流信号と温度信号を出力する。 - 特許庁

The saturation voltage between the collector and emitter does not reach twice the breakdown voltage of the IGBT element if it is set twice.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子の耐圧を２倍にしてもコレクタ・エミッタ間の飽和電圧は２倍に達しない。 - 特許庁

After charges stored in the capacitor element Cge between the gate and emitter of the IGBT are discharged to the capacitor element Cgc between the gate and collector of the IGBT, at least the capacitor element Cge between the gate and the emitter is charged from the power source Vcc through the capacitor Cex.例文帳に追加

ＩＧＢＴのゲートエミッタ間容量Ｃｇｅに蓄積された電荷が、ＩＧＢＴのゲートコレクタ間容量Ｃｇｃへ放電された後、コンデンサＣｅｘを介して、電源Ｖｃｃから少なくともゲートエミッタ間容量Ｃｇｅを充電する。 - 特許庁

A control part 1 is turned off in advance prior to the timing for turning off the semiconductor element 10 by the delay time of the IGBT switch 24, and the IGBT switch 24 is turned off approximately concurrent with the timing for turning off the semiconductor element 10.例文帳に追加

制御部１は、半導体素子１０のオフのタイミングに先立ってＩＧＢＴスイッチ２４の遅れ時間分だけ先にオフにし、半導体素子１０のオフタイミングとほぼ同時にＩＧＢＴスイッチ２４をオフとする。 - 特許庁

An IGBT element region 8b having a plurality of gate electrodes 18, a diode element region 6b surrounding a periphery of the IGBT element region 8b, and a nonactive region 2 surrounding a periphery of the diode element region 6b are formed on the semiconductor substrate 36 of the semiconductor device 10.例文帳に追加

半導体装置１０の半導体基板３６には、複数のゲート電極１８を有するＩＧＢＴ素子領域８ｂと、ＩＧＢＴ素子領域８ｂの周囲を囲んでいるダイオード素子領域６ｂと、ダイオード素子領域６ｂの周囲を囲んでいる非活性領域２と、が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an RC-IGBT element allowing an FWD element to be uniformly operated and suppressing snapback of an FWD element.例文帳に追加

ＲＣ−ＩＧＢＴ素子を備え、ＦＷＤ素子を均一に動作させるとともに、ＦＷＤ素子のスナップバックを抑制することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the sense element region 18, a first emitter electrode 10, to which a sense current flowing through an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) element in the sense element region 18 flows, is formed.例文帳に追加

センス素子領域１８には、センス素子領域１８内のＩＧＢＴ素子を流れるセンス電流が流れ込む第１のエミッタ電極１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can realize a large current of an IGBT element by restraining the action of a parasitic thyristor in a lateral element part.例文帳に追加

ラテラル素子部における寄生サイリスタの動作を抑制してＩＧＢＴ素子の大電流化を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An IGBT element T2 and a diode element D2 are electrically connected with a middle side electrode 3 and a low side electrode 2 to constitute a lower arm unit.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子Ｔ２とダイオード素子Ｄ２とは、ミドルサイド電極３とローサイド電極２とに電気的に接続され、下アームユニットを構成する。 - 特許庁