「insulation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method has a voltage application process for sequentially stacking the transparent electrode 3, an insulation layer 3, the organic layer 5 and the back electrode 6 on the glass substrate 2, and thereafter separating a part where at least the back electrode 6 is in contact with the transparent electrode 3 from the transparent electrode 3 by applying a reverse bias voltage between both electrodes 3 and 6 in a nitrogen environment having a predetermined oxygen concentration.例文帳に追加

ガラス基板２上に透明電極３，絶縁層３，有機層５及び背面電極６を順次積層した後、所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中にて、両電極３，６間に所定の逆バイアス電圧を印加することで、少なくとも背面電極６が透明電極３に接触している部分を透明電極３から剥離させる電圧印加工程を有している。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the through-electrode has a process for forming a porous layer 15 by making at least the porous wall surface of a fine pore 12 formed in a vertical direction with respect to the main surface of a semiconductor substrate 11 porous, an oxidation process for oxidizing the porous layer for forming the insulation layer 16, and a metal charging process for charging conductive matter 17 to the fine pore.例文帳に追加

貫通電極の製造方法が、少なくとも、半導体基板１１の主面に対し垂直方向に形成された細孔１２の孔壁表面を多孔質化して多孔質層１５を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を酸化して絶縁層１６を形成する酸化工程と、前記細孔に導電性物質１７を充填する金属充填工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a foundation region including an interlayer insulation film 108 on a semiconductor substrate 100; forming an alumina film 117 on the foundation region; forming a hole in the alumina film, filling up the hole with bottom electrode films 118 and 119, forming a dielectric film 121 on the bottom electrode films; and forming a top electrode film 122 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板１００上に、層間絶縁膜１０８を含む下地領域を形成する工程と、下地領域上にアルミナ膜１１７を形成する工程と、アルミナ膜に穴を形成する工程と、穴を下部電極膜１１８，１１９で埋める工程と、下部電極膜上に誘電体膜１２１を形成する工程と、誘電体膜上に上部電極膜１２２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for producing the optical plastic fibers comprises the step of extruding the molten resin in strands via the spinning hole(s) of the spinneret 1, the step of passing the spun fibers through the thermal insulation chimney 2 having the blocking plate 3 mentioned above, and the step of cooling the molten spun fibers by the cooling unit 4 mentioned above.例文帳に追加

１つ以上の紡糸口金１よりストランド状に溶融樹脂が吐出する吐出工程と、前記紡糸口金１に隣接して設けられ、前記紡糸口金と反対側に位置する端部に遮断板３を有する保温筒２を通過させる保温工程と、前記保温筒２の前記端部に近接して設けられた多段構造型の冷却装置４によって溶融樹脂を冷却固化する冷却工程とを有するプラスチック光ファイバの製造装置及び製造方法。 - 特許庁

To provide a polishing laminate which is used for a polishing pad suitable for surface flattening work of a semiconductor device wafer such as an interlayer insulation film or metallic wiring, allows optical detection of a terminal point of polishing, and realizes high accuracy polishing by solving problems of in-plane dispersion and aging fluctuation of the polishing pad with an aperture complying with an optical detecting method of conventional structure.例文帳に追加

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体デバイスウエハの表面平坦化加工に好適な研磨パッドに用いられる、光学的に研磨の終点検知が可能な研磨用積層体を提供するためのもので、その目的とするところは、従来構造の光学的検知法に対応した窓付き研磨パッドの、面内ばらつきや経時変動の問題を解消し、高精度の研磨を実現することのできる研磨用積層体を提供すること。 - 特許庁

In a foaming injection-molding method of a foamed molded product by injecting a foamable resin into a cavity 13 formed between a fixed mold and movable molds 11 or between the movable molds 11, the surface facing to the cavity 13 of at least one of the fixed mold and the movable molds 11 is coated with a heat-resistant resin or a ceramic as a heat insulation layer 9.例文帳に追加

固定金型と可動金型１１との間、或いは可動金型１１間に形成されるキャビティ１３内に発泡性樹脂を射出して発泡成形品を成形する発泡射出成形方法において、該固定金型と可動金型１１のうち少なくとも一方の金型のキャビティ１３に面する面に断熱層９として耐熱性樹脂或いはセラミックをコーティングした金型を用いる発泡射出成形方法である。 - 特許庁

To provide a connection structure of a multicore cable equipped with a plurality of extra-fine coaxial cables each having a center conductor which is connected to a conductor pattern portion of a member to be connected, wherein the connection structure is capable of preventing occurrence of short circuit by maintaining insulation among the center conductors, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、中心導体を有する極細同軸ケーブルを複数本備えた多心ケーブルの、中心導体が被接続部材の導体パターン部に接続された多心ケーブルの接続構造体において、中心導体間の絶縁性を維持して短絡の発生を防止することができる多心ケーブルの接続構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor film with large crystalline size is obtained by the method for fabricating the thin film transistor comprising applying layer beam to an island like noncrystalline semiconductor film on a insulation film, scanning the region irradiated with the laser beam to crystallize the island like noncrystalline semiconductor film, and forming an active layer including a source region, a drain region and a channel forming region.例文帳に追加

絶縁表面上の島状の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記島状の非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた島状の半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing a thin film transistor element sheet in which a plurality of thin film transistors each having a gate electrode, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode on a support are connected through a gate bus line and a source bus line, the drain electrode is connected with a pixel electrode and a step for forming the pixel electrode of a fluid electrode material is included.例文帳に追加

支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタが、ゲートバスラインおよびソースバスラインを介して、複数個、連結された薄膜トランジスタ素子シートの製造方法において、該ドレイン電極に画素電極が連結され、且つ、該画素電極が流動性電極材料から形成される工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの製造方法。 - 特許庁

The method for producing an insulation film comprises a first heating step for generating a siloxane bond after coating a substrate with a coating liquid containing at least one kind of compound capable of generating a siloxane bond through dehydration condensation, and an organic polymer, and a second heating step for removing the organic polymer wherein a oxygen concentration is not higher than 1000 ppm when a substrate temperature is not lower than 200°C.例文帳に追加

脱水縮合によりシロキサン結合を生成し得る少なくとも１種類以上の化合物と、有機高分子と、を含有する塗布液を基板上に塗布した後、シロキサン結合を生成させるための第一の加熱工程と、引き続き、有機高分子を除去するための第二の加熱工程とからなる絶縁膜の製造方法において、基板温度が２００℃以上となっている場合の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする絶縁膜の製造方法。 - 特許庁

The present invention relates to a film thickness evaluation method for measuring the distribution of film thickness of an insulation thin film by using an atomic force microscope which applies a variable DC voltage between a sample and a probe held by a cantilever.例文帳に追加

試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。 - 特許庁

The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film.例文帳に追加

絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a multilayer circuit board comprises 1) bringing the surface of an electric insulation layer formed by hardening a hardening resin composition containing alicyclic olefin polymer or aromatic polyether polymer in contact with permanganate or plasma, 2) dry plating it by dry plating, 3) repeating the dry plating several times by wet or dry plating, or 4) plating by wet plating and then annealing to form a conductor layer.例文帳に追加

脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層の表面を、１）過マンガン酸塩又はプラズマと接触させ、次いで乾式メッキすることによって、２）乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキすることによって、３）乾式メッキを複数回繰り返した後、湿式メッキをすることによって、又は４）メッキした後、アニーリングすることによって導電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method enables the production equipment to be simplified and the production cost to be reduced because of no need of providing any thermal insulation equipment on the whole circulating line.例文帳に追加

１少なくともビフェニルおよびオレフィンを、アルキル基を複数個有するポリアルキルベンゼンを少なくとも含有する溶剤とともに流通式反応器に供給して固体酸触媒の存在下で反応させることにより、少なくともアルキルビフェニルを含む反応混合物を得る工程、２前記反応混合物からビフェニルおよび溶剤の少なくとも一部を分離する工程、３前記工程２において分離したビフェニルおよび溶剤を前記反応器に循環する工程、および４前記工程２を経た反応混合物からアルキルビフェニルの少なくとも一部を回収する工程。 - 特許庁

A method for manufacturing an electronic component jointed body comprises a step (1) for applying a coating of adhesive 4 to a surface insulation layer 2 of a substrate or other electronic component 3, a step (2) for laminating the electronic component 3, a step (3) for forming a fillet, and a step (4) for curing the adhesive 4.例文帳に追加

電子部品接合体を製造する方法で、基板又は他の電子部品３の表面絶縁層２上に、接着剤４を塗布する工程（１）と、電子部品３を積層する工程（２）と、フィレットを形成する工程（３）と、接着剤４を硬化する工程（４）とを有し、工程（４）の後の接着剤厚みをｄｔ、電子部品３の厚みをＤｅ、外周長さをＬ、接合する領域の面積をＡ、接合する領域から開口部までの距離の平均値をＤｄ、工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、工程（２）の直後に接着剤４が濡れ拡がる領域の面積をＳ、工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。 - 特許庁