「insulation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed.例文帳に追加

樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。 - 特許庁

To maintain sufficient insulation of an organic insulating film, while securing favorable electrical connection between an electrode on a chip and wiring connected thereto in a semiconductor device, in which the surface of a semiconductor chip is covered with the organic insulating film (polyimide layer or the like) and a metal layer (aluminium (Al) layer or the like) constituting an electrode pad is exposed, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体チップの表面が有機絶縁膜（ポリイミド層など）で覆われ、電極パッドを構成する金属層（アルミニウム（Ａｌ）層など）が露出している半導体装置及びその製造方法において、有機絶縁膜の十分な絶縁性を維持しながら、チップ上の電極とこれに接続される配線との間に良好な電気的接続を確保することを目的とする。 - 特許庁

In the testing method for accelerating the deterioration in the electrophotographic photoreceptor in which an electrifying step by an electrifier and an exposure step by an exposure device are simultaneously carried out, a sample presser member is arranged between the photoreceptor and the electrifier and the material of the surface of the sample presser member facing the electrifier is formed of a material having insulation properties.例文帳に追加

電子写真用感光体に、帯電器による帯電工程と露光装置による露光工程とを同時に行う電子写真用感光体劣化加速試験方法において、前記感光体と前記帯電器との間にサンプル押さえ部材が配置され、該サンプル押さえ部材の前記帯電器に対向する面の材質が絶縁性を有する材料で形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

One layer of armature winding is composed of a subwinding divided into at least two layers in the longitudinal direction wherein each subwinding is dislocated independently and connected with the armature winding in other slot by at least two kinds of connection method while sustaining insulation of the subwinding at the end of the armature winding, and the subwinding constitutes a parallel circuit by the armature winding in a plurality of slots.例文帳に追加

１層の電機子巻線を縦方向に少なくとも２層に分けた副巻線で構成し、副巻線はそれぞれ独立に転位が施され、電機子巻線端部で副巻線の絶縁を保持したまま別のスロットの電機子巻線に少なくとも２種類以上の接続方法で接続されるとともに、副巻線は複数スロットの電機子巻線で並列回路を構成する。 - 特許庁

To obtain a curable oxetane composition free of degradation after curing in its physical properties such as transparency, electrical insulation, and crosslink density; to provide a method for easily manufacturing a cured matter free of degradation in its physical properties; and to produce a cured matter free of degradation in its physical properties.例文帳に追加

硬化後の樹脂の透明性、電気絶縁性、架橋密度等の物理的特性の低下を起こさない硬化性オキセタン組成物、透明性、電気絶縁性、架橋密度等の物理的特性の低下を起こさない硬化物を容易に得ることのできる硬化物の製造方法及び透明性、電気絶縁性、架橋密度等の物理的特性の低下を起こさない硬化物を提供する。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a wiring board comprises a step for laying a composite sheet 10, where an adhesive sheet 12 containing thermosetting resin is boded to or impregnated partially with a porous film 13, on a wiring layer 2 having a wiring pattern 2a formed on an insulation layer 1 and then integrating the multilayer by hot press or hot press following to press.例文帳に追加

絶縁層１上に配線パターン２ａが形成された配線層２に対し、熱硬化性樹脂を含有する接着性シート１２が多孔質膜１３に接着又はその少なくとも一部が含浸された複合シート１０を少なくとも積層した状態で、その積層物を加熱加圧又は加圧後に加熱加圧して一体化させる工程を含む配線基板の製造方法。 - 特許庁

By depositing insulating polymer compounds in a fiber state by the electro-spinning method, the thin insulating porous film which is porous enough for an electrolytic solution to pass freely, which has sufficient insulation property to prevent short-circuit between the electrodes effectively, and which does not damage thin-wall forming property of a film-type solar cell can be formed easily.例文帳に追加

エレクトロスピニング法により、絶縁性の高分子化合物を繊維状に堆積させることにより、電解液が自由に通過することができるだけの十分な多孔質で、かつ電極間の短絡を有効に防止し得るに十分な絶縁性を有し、しかも、フィルム型太陽電池の薄肉性を損なうことのない薄肉の絶縁性多孔質膜を容易に形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a tube, capable of improving productivity by simplifying its production processes, effectively preventing a working environment from deterioration by using a non-solvent varnish, and suitably used for electric insulation, heat resistant protection, mechanical protection, bundling, etc., of e.g. home electric utensils, industrial machines, measuring instruments, medical instruments and automobiles.例文帳に追加

製造工程を簡略化して生産性を向上させることができるととともに、無溶剤のワニスを使用することにより作業環境の悪化を効果的に防止することが可能な、例えば、家電機器、産業機器、計測機器、医療機器、自動車等の電気絶縁用、耐熱保護用、機械的保護用、集束用等で好適に使用されるチューブを製造する製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent a short circuit and disconnection due to large deformation of bonding wires for connecting electrodes of semiconductor chips and the conductor pattern of a printed wiring board in a semiconductor device manufacturing method, wherein the semiconductor chips are mounted face up on the printed wiring board formed with a protective insulation film by using a film-like resist, and then the plurality of semiconductor chips are collectively sealed by transfer molding.例文帳に追加

フィルム状レジストを用いて保護絶縁膜を形成したプリント配線板に半導体チップをフェースアップ実装し、トランスファモールドで前記複数の半導体チップを一括して封止する半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの電極とプリント配線板の導体パターンを接続するボンディングワイヤの大きな変形による短絡、断線を防ぐ。 - 特許庁

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed.例文帳に追加

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線２や上層配線４との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス（例えば、ＣＨＦ_3）を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜３をエッチング除去して、不良原因（異物５）を解析する。 - 特許庁

To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.例文帳に追加

２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an excellent insulation spacer capable of always maintaining high level adhesion strength without causing stripping in adhesion interface of resin and metal even if it is exposed to high temperature when manufactured or its temperature is elevated by turning on a product for a long time; and its manufacturing method, and implement a small gas-insulated switchgear having high reliability and large capacity.例文帳に追加

絶縁スペーサ製造時に高温に曝されたり、製品として長期間の通電による温度上昇が与えられたりしても、樹脂と金属との接着界面に剥離を生じさせることなく、常に高いレベルの接着強度を維持できる優れた絶縁スペーサとその製造方法を提供し、さらには信頼性の高い小型、大容量のガス絶縁開閉装置の実現に寄与する。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The method for fabricating the capacitor comprises steps for forming an interlayer insulation film pattern on a semiconductor substrate having an opening for exposing the upper surface of the semiconductor substrate, for forming a silicide pattern on the exposed semiconductor substrate, for forming a lower electrode covering the inner wall of the opening where the silicide pattern is formed, and for forming a dielectric film and an upper electrode film sequentially thereon.例文帳に追加

このキャパシタの製造方法は、半導体基板上に半導体基板を露出させる開口部を有する層間絶縁膜パターンを形成し、露出された半導体基板にシリサイドパターンを形成し、シリサイドパターンが形成された開口部の内壁を覆う下部電極を形成した後に、その結果物上に誘電膜及び上部電極膜を順次に形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a winding assembling method for motor stator and the motor stator having high reliability and high binding strength of wires by constituting a winding using the wire having a fusion layer made of a thermoplastic resin material at an insulation coating outer layer, shortening an excited heating time to the winding, and stopping the generation of bubbles at the fusion layer.例文帳に追加

本発明は、絶縁被膜外層に熱可塑性樹脂材からなる融着層を備えた電線を用いて巻線を構成し、巻線に対する通電加熱時間が短くてすみ、融着層に気泡の発生のないところから、電線相互の固着強度が大であって、信頼性の高い電動機の固定子における巻線組立て方法と、電動機の固定子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a printed wiring board in which a high accuracy transmission line suitable for a high speed signal and a high frequency circuit can be formed, by making uniform the distribution of resin and fibers of an insulation basic material in order to make uniform the dielectric constant of a dielectric layer, i.e., the compositional material of the printed wiring board, thereby stabilizing the characteristic impedance.例文帳に追加

プリント配線板の構成材料である誘電体層の比誘電率を均一にさせるために絶縁基材の樹脂と繊維の分布を均一にすることで、特性インピーダンスを安定させ高速信号および高周波回路に適する高精度の伝送線路が形成できるというプリント配線板の製造方法を提供するということを目的とするものである。 - 特許庁

To provide an ESD current occurrence prevention method by which a steep ESD current does not flow in a base made of metal from an insulation sheet constituted of an insulating sheet and a magnetic shield plate or constituted of the insulating sheet, the magnetic shield plate, a sound absorption member and the like and a leakage magnetic flux is effectively attenuated at a low cost and to provide a magnetic disk apparatus.例文帳に追加

本発明は、絶縁シートと磁気シールド板から構成される、あるいは絶縁シート、磁気シールド板および吸音部材等から構成されるインシュレーションシートから、金属製のベースに急峻なＥＳＤ電流が流れ込まないようにし、かつ、低コストで効果的に漏洩磁束を減衰させる方法およびこの方法を具現化する磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor package employing flip-chip mounting curing flux which does not need washing to remove remaining flux after soldering, can maintain the electrical insulation even in a high temperature and high humidity environment, and enables solder connection with high strength and high reliability when a semiconductor chip is mounted on a mounting board with flip-chip mounting, and to provide a semiconductor device using the package.例文帳に追加

半導体チップを実装基板にフリップチップ実装する際、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とする、フリップチップ実装用硬化性フラックスを用いた半導体パッケージとその製造方法、及び、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide metal barrier ribs for image display devices, of which the oxide layer has both of high brightness and high insulation reliability in orde to make image display devices have them, and also provide its manufacturing method which is capable of producing the metal barrier ribs at high speed and low cost due to its superior productivity in an insulating treatment.例文帳に追加

蛍光体が発光した光を反射させ、高輝度でかつ絶縁信頼性の高い画像表示装置とすべく、画像表示用金属隔壁の酸化物層が絶縁信頼性と、高輝度の特性を併せ持つ画像表示装置用金属隔壁と、絶縁処理の生産性から高速化・低コスト化が可能な画像表示装置用金属隔壁の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrical inspection method of a film carrier tape for mounting determinable electronic components, without generating external appearance defects due to discharge breakage until a distance between projections extended between pieces of wiring is a comparatively long wiring pattern so that the insulation fault can be caused by folding a film carrier, and to provide an electrical device and a computer-readable recording medium.例文帳に追加

例えばフィルムキャリアを折り曲げることにより絶縁不良が引き起こされる可能性があるような、配線間に延出する突起間の距離が比較的長い配線パターンまで、放電破壊による外観不良を生じることなく判別可能な電子部品実装用フィルムキャリアテープの電気検査方法および電気検査装置ならびにコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the probe substrate for inspection that is provided with a substrate having insulation properties, a specific wiring pattern that is formed on the substrate, and a metal-plated projection that is formed, so that it is electrically connected onto the wiring pattern and comes into contact with the external terminal of a semiconductor device an electronic device, the metal- plated projection is formed through electroless plating method.例文帳に追加

絶縁性がある基板と、前記基板上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置もしくは電子装置の外部端子と接触する金属めっき突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属めっき突起は、無電解めっき法で形成された金属めっき突起である。 - 特許庁

To provide a method of forming, inserting, and permanently bonding ribs in boiler tubes, for the purpose of providing allocation of flow inside the tubes under a preventive control of an operating condition in which, for example, steam bubbles formed during nuclear boiling and stagnant form an insulation layer, impeding thermal transfer to a flow inside the tubes through tube walls.例文帳に追加

核沸騰中に形成され、停滞する蒸気泡が絶縁層を形成し、管壁を介して管内の流れに向かう熱移動を阻害する如き運転状況を防止する制御下の管内流れ配分を提供するための、リブを形成し、ボイラー管内に挿通し、恒久的に結合するための、リブを形成し、ボイラー管内に挿通し、恒久的に結合するための方法を提供することである。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a substrate, a member for display composed of this substrate, and a display using this wherein insulating performance is superior, displaying malfunction caused by insulation breakdown of an insulator layer does not occur, flatness of the surface of the insulator layer is high, and even if an electrode is formed by a photosensitive paste method, development residue does not remain, and manufacturing with a superior yield is possible.例文帳に追加

絶縁性能に優れ、絶縁体層の絶縁破壊に起因する表示不良を発生することがないばかりか、絶縁体層表面の平坦度が高く、電極を感光性ペースト法により形成しても現像残渣が残ることがなく、歩留まり良く製造可能な基板、この基板からなるディスプレイ用部材およびこれを用いたディスプレイを提供する。 - 特許庁

The film forming method comprises a step for carrying a transparent insulation substrate out of a reaction chamber 111 of a plasma CVD apparatus 101, self-cleaning the interior thereof with a cleaning gas, forming a silicon nitride film on the inner wall of the reaction chamber 111, forming an amorphous silicon film thereon, and forming a silicon nitride film thereon, thereby making TFT characteristics satisfactory and suppressing the number of particles.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１０１の反応室１１１内部から透明絶縁基板を搬出した後、クリーニングガスによってその内部をセルフクリーニングした後、反応室１１１の内壁に窒化シリコン膜を形成し、その上に非晶質シリコン膜を形成し、その上にさらに窒化シリコン膜を成膜することによって、ＴＦＴ特性を良好にし、パーティクル数も抑制する。 - 特許庁

A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film.例文帳に追加

絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises a step of forming, on the substrate 100 on which the circuit is formed, the electrode pad 200 having a protrusion part 201 connected to the circuit and protruded from the protection insulation film 300, a step of performing an operation test by contacting a probe terminal 500 with the electrode pad 200, and a step of polishing at least a surface of the protrusion part 201.例文帳に追加

また、このような半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板１００上に、この回路に接続し、かつ、保護絶縁膜３００から突出した突出部２０１を有する電極パッド２００を形成する工程と、プローブ端子５００を電極パッド２００に接触させることにより、回路の動作テストを行う工程と、突出部２０１の少なくとも表面を研磨する工程と、有する。 - 特許庁

To provide an adhesive composition which has excellent connection reliability and insulation reliability and is used for sealing connection parts in a semiconductor device where connection parts of a semiconductor chip and a wiring circuit board are electrically connected with each other or in a semiconductor device where connection parts of multiple semiconductor chips are electrically connected with each other, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the adhesive composition and the semiconductor device.例文帳に追加

半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止するための接続信頼性及び絶縁信頼性に優れた接着剤組成物、それを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of a hydrogen separation film-electrolyte membrane assembly (100) includes an electrolyte membrane forming process to form an electrolyte membrane (20) having proton conductivity on a hydrogen separation film (10) having hydrogen permeability, a metal material forming process to form a metal material (30) having insulation after oxidation in pinholes of the electrolyte membrane, and an oxidation treatment process to apply an oxidation treatment on the metal material.例文帳に追加

水素分離膜−電解質膜接合体（１００）の製造方法は、水素透過性を有する水素分離膜（１０）上にプロトン伝導性を有する電解質膜（２０）を成膜する電解質膜成膜工程と、酸化後に絶縁性を有する金属材料（３０）を、電解質膜のピンホール内に形成する金属材料形成工程と、金属材料に対して酸化処理を施す酸化処理工程と、を含む。 - 特許庁

A spacer 20a comprising a substance having a high corrosion selection ratio for an interlayer insulation film 26 is formed on the side wall of a gate electrode 16, and the contact hole exposed between the gate electrodes 16 can be formed by a self matching method by forming the upper part of the gate electrode and the upper part of the substrate forming the source and drain areas in high melting point metal silicide films 18a, 22.例文帳に追加

層間絶縁膜２６に対して高食刻選択比を有する物質からなるスペーサ２０ａをゲート電極１６の側壁に形成し、ゲート電極１６の上部とソース及びドレイン領域が形成される基板の上部を高融点金属シリサイド膜１８ａ，２２として形成することにより、ゲート電極１６とゲート電極１６との間を露出させるコンタクトホールを自己整合方式で形成可能とする。 - 特許庁

The method includes a step of filling a wiring groove or a contact hole, by stacking a wiring metal in the wiring groove or the contact hole formed on the insulation film on a semiconductor substrate, a step for exposing the insulating film by polishing the wiring metal, a step of cleaning the semiconductor substrate, and a step for recess etching the surface of the wiring metal embedded in the wiring groove or the contact hole.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。 - 特許庁

The method for forming the compound insulation layer includes a step to form on a metallic foil 1 an adhesive layer 2 containing a partly imidic polyamide acid, a step to apply a solution 3 containing a polyamide acid to the surface of the adhesive layer 2, a step to separate the phase of the applied solution 3 and form a porous layer 4, and a step to convert the adhesive layer 2 and the porous layer 4 into imide.例文帳に追加

部分イミド化されたポリアミド酸を含有する接着層２を金属箔１上に形成する工程と、その接着層２の表面にポリアミド酸を含有する溶液３を塗布する工程と、前記塗布した溶液３を相分離させて多孔質層４を形成する工程と、前記接着層２および多孔質層４のイミド転化を行う工程とを含む複合絶縁層の形成方法。 - 特許庁

For the manufacturing method of the sodium-sulfur cell comprising a negative pole container housing negative activator, a positive pole container housing negative activator, a solid electrolyte with sodium ion conductivity, and an insulation ring material joined to the upper part of a solid electrolyte tube housing the solid electrolyte, sodium poly sulfide is used as a positive pole activator.例文帳に追加

負極活物質を収納する負極容器と、正極活物質を収納する正極容器と、ナトリウムイオン伝導性を有する固体電解質と、該固体電解質を収納する固体電解質管の上部に絶縁リング材を接合してなるナトリウム−硫黄電池の製造方法において、前記の正極活物質に多硫化ナトリウムを用いることを特徴とするナトリウムー硫黄電池のリサイクルシステム。 - 特許庁

The electric insulation includes at least three thermoplastic resin layers and two paper layers alternately laminated, both outermost layers being the thermoplastic resin layers, the thermoplastic resin layers are formed on the paper layer by the melt extrusion laminating method, and the paper layer is formed of pulp fibers of which Canadian Standard Freeness is 400-600 ml and contains a rosin sizing agent.例文帳に追加

少なくとも、３層の熱可塑性樹脂層と２層の紙層とが交互に積層されてなり、かつ両最外層が熱可塑性樹脂層である電気絶縁紙であって、前記熱可塑性樹脂層は溶融押出ラミネート法によって紙層上に形成された層であり、前記紙層は、カナダ式標準ろ水度が４００ｍｌ〜６００ｍｌのパルプ繊維から形成されるとともにロジン系サイズ剤を含有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of applying SOG(spin-on glass) much containing hydrogen to form a layer insulation film filling gaps between gate electrodes, a step of firstly baking at a first temperature in nitrogen atmosphere, a step of forming contact holes, and a step of secondly baking at a second temperature higher than the first temperature in nitrogen atmosphere or dilute steam after forming the contact holes.例文帳に追加

ゲート電極間を埋め込む層間絶縁膜として、水素を多量に含むＳＯＧ(Spin-on Glass)を塗布する工程と、窒素雰囲気中で第１の温度にて第１の焼成を行う工程と、コンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホール形成後に、窒素雰囲気中もしくは希釈スチーム中で前記第１の温度よりも高温である第２の温度にて第２の焼成を行う工程と、を含む。 - 特許庁

This method for manufacturing the stamper for molding the optical disk substrate comprises forming a Ni-electroformed layer of a film state having a transferring surface on a photoresist master disk provided with a transferring surface pattern by an electroforming unit 101 and forming a heat insulating layer of a film state having thermal insulation property on the Ni-electroformed layer by a heat insulating layer molding unit 106.例文帳に追加

転写面パターンを備えたフォトレジスト原盤上に転写面を有するＮｉ電鋳層を成膜形成する電鋳ユニット１０１を設け、Ｎｉ電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニット１０６を設け、これらの電鋳ユニット１０１と断熱材成形ユニット１０６とによって断熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパを製造する。 - 特許庁

To provide a polishing solution for polishing hard barrier layers and layer insulation films while the surface of cupper or a cupper alloy in a recess is protected during polishing to obtain a polished superior-flatness clean substrate surface, in the manufacturing of an electronic apparatus such as a semiconductor device, and to provide a high reliability chemical/mechanical polishing method superior in microprocessing, thinning, and dimension accuracy.例文帳に追加

半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

To provide a separator which enables to manufacture a battery efficiently and has not only an excellent ion permeability and electric insulation but also high efficiency as well as high safety due to functioning as a junction of electrode/separator having strong adhesiveness between electrode sheets, and to provide a manufacturing method of the above separator and a battery using the above separator.例文帳に追加

電池を効率よく製造することができ、しかも、電池の製造後は、イオン透過性と電気絶縁性のいずれにもすぐれるのみならず、電極シートとの間に強い接着を有する電極シート／セパレータ接合体として機能して、高性能で、しかも、安全性にすぐれる電池を与える電池用セパレータと該電池用セパレータの製造方法、更に該電池用セパレータを用いる電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recycling method of waste cables such as SL cables or H cables having oil-containing insulation paper as an insulator, in which pretreatment for decomposition is easy, work time can be greatly reduced, dangerous works can be avoided, valuable conductive bodies can be quickly and simply taken out to allow material recycling, and thermal recycling of organic matter contained in the cables.例文帳に追加

含油絶縁紙を絶縁体とするＳＬケーブル、Ｈケーブルなどのリサイクル処理方法であって、分解前処理が容易で、作業時間の大幅な短縮と危険作業の回避ができるとともに、有価物である導体の迅速、簡単な取り出しによりマテリアルリサイクルが可能となり、かつ、ケーブルに含有される有機物のサーマルリサイクルが可能となる、廃棄ケーブルのリサイクル処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a powder magnetic core of high performance having a low core loss, high initial magnetic permeability μi, quality coefficient Q, flat DC superposition characteristics, and excellent insulation characteristics in combination by using iron-based metal powder of a high saturation magnetic flux density Bs and to provide magnetite-iron-cobalt composite powder which is the metal powder appropriate for realization of the same and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

飽和磁束密度Ｂｓの高い鉄系の金属粉末を用いて、低いコアロスと、高い初透磁率μｉおよび品質係数Ｑ、平坦な直流重畳特性、優れた絶縁性を兼ね備えた高性能な圧粉磁芯を提供すること、および、これを実現するために好適な金属粉末であるマグネタイト−鉄−コバルト複合粉末およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁