「junctioned」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Since a plurality of the processing stations 2a, 2b and 2c having such a same constitution can be junctioned serially, a system increase and decrease can be made dynamically and effectively.例文帳に追加

このような同一構成の複数の処理ステーション２ａ、２ｂ、２ｃを連接可能であるので、システムの増減をダイナミックに且つ効率的に行うことができる。 - 特許庁

A silicon substrate 15, on which diaphragms 12a and a detecting circuit have been formed, are bonded to the glass substrate 16 by using an anode bonding method, and a junctioned board 14 is constituted.例文帳に追加

ダイヤフラム１２ａ及び検知回路を形成しておいたシリコン基板１５を、そのガラス基板１６と陽極接合法により接合して接合基板１４を構成する。 - 特許庁

The pinned printed wiring board in this invention is in a simple structure adopting a PGA type wherein a plurality of metallic pins for outer connecting terminals are junctioned on the underside 1a also reinforcing plate 5 with a plurality of stepped through holes 4 corresponding to the metallic pins 3 formed thereon is junctioned with the junction face 1a of the metallic pins 3 by bonding process.例文帳に追加

本発明のピン付きプリント配線板は、プリント配線板１の下面１ａに外部接続端子用の金属ピン３が複数接合され、金属ピンの接合面１ａにはさらに、金属ピン３に対応する複数の段付き貫通孔４が形成された補強板５が接着により接合され、ＰＧＡタイプを採用した簡単な構造となっている。 - 特許庁

Oxygen, which is generated when the cover 60 is anode-junctioned with a frame body 20, flows also in the recessed parts 61a to 61c (sealed spaces SS), which are positioned between the inside and outside surfaces in the widthwise direction of the cover 60.例文帳に追加

陽極接合の際に発生する酸素は、ガラス蓋６０の幅方向の内側面と外側面との間に位置する凹部６１ａ〜６１ｃ（密閉空間ＳＳ）にも流れ込む。 - 特許庁

This n layer 11a of the element 42b is formed on the position to be a channel region on an ordinary transistor to be junctioned with an n layer 12a normally as a conductive region.例文帳に追加

この素子４２ｂのｎ層１１ａは、通常のトランジスタであればチャネル領域となるべき部位に形成されており、Ｎ層１２ａと接合されて常時導電領域とされている。 - 特許庁

In this semiconductor device, there is formed on a semiconductor substrate 21, an epitaxial layer 23 of high resistivity in which the resistivity is 100 to 5,000 Ωcm, and this is junctioned and isolated to form an island region 25.例文帳に追加

半導体基板２１上に比抵抗が１００〜５０００Ω・ｃｍもの高比抵抗のエピタキシャル層２３を形成し、これを接合分離して島領域２５を形成する。 - 特許庁

A hole 30 is provided on the backing, a gold plating with a pillar shape is formed in the hole and the junction terminal of the semiconductor chip 90, and the junction terminal of the substrate is junctioned via the gold plating with a pillar shape.例文帳に追加

また、該基材に穴３０を設けて、該穴３０に柱状金メッキを形成し、該柱状金メッキを介して半導体チップ９０の接続端子と基板の接続端子を接続する。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au gate electrode 24a of T-type structure which is Schottky-junctioned to the n-AlGaAs electron supply layer 13 via the opening part 18b is formed in the recess channel 23.例文帳に追加

そして、リセス溝２３内において開口部１８ｂを介してｎ−ＡｌＧａＡｓ電子供給層１３にショットキー接続するＴ型構造のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕゲート電極２４ａが形成されている。 - 特許庁

A bus bar 12 is fixed on a circuit board 11, a junction terminal 15A for a relay 15 and so on is junctioned with the bus bar 12 and the circuit board 11, and the bus bar 12, the relay 15 and so on are sealed by heat radiating resin 23.例文帳に追加

配線基板１１にブスバー１２を固定し、ブスバー１２にリレー１５等の接続端子１５Ａが接続され、配線基板１１とブスバー１２とリレー１５等が放熱用樹脂２３で封止されている。 - 特許庁

To prevent complicated structure or manufacturing processes, prevent damage to commutator pieces, and implement favorable electrical contact between the commutator pieces and metal pieces in a disk commutator of noncommutator surface junctioned.例文帳に追加

構造及び製造工程の複雑化を抑止し、整流子片の損傷を防ぎつつ、反整流面接合構造の円盤型整流子における整流子片と金属片との良好な電気的接触を実現すること。 - 特許庁

The backing having the insulating layer 10 is provided with a hole to be fulfilled by gold plating, additionally a gold bump 40 is formed by making the gold plating grow, and a junction terminal of the semiconductor chip 90 and a junction terminal of the substrate are junctioned via the bump 40.例文帳に追加

また、該絶縁層１０を有する基材に穴を設けて、該穴を金メッキで充填し、さらに該金メッキを生長させて金バンプ４０を形成し、該バンプ４０を介して半導体チップ９０の接続端子と基板の接続端子を接続する。 - 特許庁

To provide an electrode terminal junction ceramic member for semiconductor manufacturing device, such as a wafer-holding body or shower head which is reduced in thickness by using a metallized layer of a high-melting point metal as a heater wiring, an electrode for electrostatic chuck, etc., and in which an electrode terminal is junctioned directly to the metallized layer, without having to use a brazing material solder.例文帳に追加

ヒーター配線や静電チャック用電極などとして高融点金属メタライズ層を用いて厚みを薄くし、その高融点金属メタライズ層にロウ材や半田を用いずに電極端子を直接接合した、ウェハ保持体やシャワーヘッドのような半導体製造装置用の電極端子接合セラミックス部材を提供する。 - 特許庁

The cutter roller is characterized in that a main body of the cuter roller is composed of separate parts where a cutter part made from a cemented carbide special steel product and a support part made from a general steel product, and the cutter part and the support part are assembled and pressurized while a diffusion-insert material being interpose between bonded surface and diffusion heat treatment junctioned.例文帳に追加

カッターロール本体を、超硬特殊鋼材で構成されるカッター部と一般鋼材で構成される支持部とに分けて部品構成し、前記カッター部及び前記支持部との間の接合面に拡散インサート材を介在させて組立て加圧し拡散熱処理接合して成ることを特徴とするカッターロール。 - 特許庁

A solder ball 5 is transfer-coated with a metallic paste 14 comprising a flux containing conductive metallic powder in excellent solder wettability and then this solder ball 5 coated with this metallic paste is shifted to an electrode of a work for heating thereby enabling the solder ball 5 to be junctioned with an electrode for the formation of the solder bump 5.例文帳に追加

半田ボールに、導電性で半田濡れ性の良い金属粉末を体積比で１０〜４０％の範囲内でフラックスに含有させて成る金属ペーストを転写により塗布し、この金属ペーストが塗布された半田ボールをワークの電極上に移載し加熱することにより、半田ボールを電極に接合して半田バンプを形成する。 - 特許庁

A first metal layer 51 formed on one main surface of a compound semiconductor crystal layer 2 and a second metal layer 53 formed on one main surface of a conductive substrate 6 are junctioned through a silver-based junction layer 52 obtained by reduction processing of silver oxide particle dispersed in a liquid-like or paste-like substance.例文帳に追加

化合物半導体結晶層２の一方の主表面に形成された第１金属層５１と、導電性基板６の一方の主表面に形成された第２金属層５３とを、液状またはペースト状の物質中に分散された酸化銀粒子を還元処理することにより得られる銀系接合層５２を介して接合する。 - 特許庁

The thickness of the copper patterns 109 in the TAB junction is made thinner than that in the regions excluding the junction i.e., the thickness to the extent of sufficiently filling up the gaps between adjacent copper patterns 109 with an adhesive so that, when the copper patterns 109 are junctioned by the thermal pressure fixing process etc., the gaps between the adjacent copper patterns 109 may be removed.例文帳に追加

ＴＡＢの接合部の銅パターンの厚みを接合部以外の領域部分の厚みより薄くする事により、接合部の銅パターンの厚みが隣り合う銅パターン間の隙間に接着剤が充分充填する程度の薄さであるため、加熱圧着等の方法で接合した場合、隣り合う銅パターン間の隙間の空隙が無くなる。 - 特許庁

A thin-film metal layer is formed which is laminated on a semiconductor layer, Schottky-junctioned with the semiconductor layer and has a film thickness of ≤100 nm, a modulated voltage or modulated light is applied to the thin-film metal layer to generate a response current responding to the modulated voltage or modulated light between a first electrode and a second electrode which are ohmic-connected with the thin-film metal layer.例文帳に追加

半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。 - 特許庁