「mbe layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, in the MBE device, a current constriction layer, a lower part clad layer, an active layer, and an upper-part clad layer are formed, while an upper-part DBR mirror and a contact layer are formed in the MOCVD device.例文帳に追加

続いて、ＭＢＥ装置内で、電流狭窄層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を形成し、ＭＯＣＶＤ装置内で、上部ＤＢＲミラー、コンタクト層を形成する。 - 特許庁

Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法により、ＧａＡｓ層５３にストライプ状の溝５４を形成した後、ＭＢＥ法によりＩｎＡｓ層を形成する。 - 特許庁

A high concentration semiconductor layer 16 which turns into a source/drain region is epitaxially grown by MOCVD or MBE.例文帳に追加

次にソース／ドレイン領域となる高濃度の半導体層１６をＭＯＣＶＤ又はＭＢＥなどでエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The growth direction and composition distribution of the p-GaN layer 23 can be controlled with good accuracy by using an MBE technique.例文帳に追加

また、ＭＢＥ法を用いることにより、ｐ−ＧａＮ層２３の成長方向や組成分布を精度良く制御できる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

To provide an MBE(molecular beam epitaxial) apparatus, which can increase the used rate of a molecular beam material, enhance crystallization and stabilize the growth conditions of a growth layer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, an electron beam irradiated film 1a is formed on the CaF_2 buffer layer 3 by irradiating an electron beam to make a CuCl thin film grown with MBE method.例文帳に追加

さらに、ＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３上に、電子線を照射しながらＣｕＣｌ薄膜をＭＢＥ法によって成長させ、電子線照射膜１ａを形成する。 - 特許庁

A substrate consisting of sapphire substrate, etc., is set on an MBE apparatus and is heated to a temperature lower than a growth temperature of the desired ZnO oxide semiconductor layer (S1).例文帳に追加

サファイア基板などからなる基板を、ＭＢＥ装置にセッティングし、目的とするＺｎＯ系酸化物半導体層の成長温度より低温度に昇温する（Ｓ１）。 - 特許庁

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer 17 is formed, for example, by growing GaN added with Eu and Mg on the nitride semiconductor layer 16 by MBE method using NH_3 as a nitrogen source.例文帳に追加

窒化物半導体層１７の形成は、たとえば、窒化物半導体層１６上に、ＮＨ_３を窒素源として用いたＭＢＥ法によりＥｕ及びＭｇが添加されたＧａＮを成長させることにより行う。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

The axial directional outer end P of the layer 7 is positioned in a range between the axial directional outer end MBe of the ply MB having the maximum width and the axial directional outer end UBe of the ply UB.例文帳に追加

バンド層７の軸方向外端Ｐは、最大巾のベルトプライＭＢの軸方向外端ＭＢｅと、上のベルトプライＵＢの軸方向外端ＵＢｅとの間の範囲に位置している。 - 特許庁

In a semiconductor device, a conductive layer 12 composed of undoped InAs grown by the MBE method is provided on an insulating semiconductor substrate 11 composed of a GaAs crystal, and ohmic electrodes 13 and 14 which are used for injecting an electric current into the conductive layer 12 are provided on the layer 12.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からなる絶縁性半導体基板１１上に、ＭＢＥ法によって成長したノンドープＩｎＡｓからなる導電層１２を設け、この導電層１２に電流を注入するために用いるオーム型の電極１３，１４を設けている。 - 特許庁

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1.例文帳に追加

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process of growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen on a substrate by an MBE method and a process of growing the group III-V compound semiconductor layer including phosphor on the nitrogen-containing semiconductor layer by a chloride vapor growth method.例文帳に追加

基板上に、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、ＭＢＥ法により成長する工程と、その窒素含有半導体層上に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、塩化物気相成長法により成長する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The axial directional distance L2 between the end P and the end MBe of the ply MB having the maximum width of the layer 7 has a relation 2≤L2≤(L1-4), mm as a unit, and moreover the width W of the layer 7b has a relation 10 mm≤W≤ 30 mm.例文帳に追加

バンド層７の軸方向外端Ｐと最大巾のベルトプライＭＢの軸方向外端ＭＢｅとの間の軸方向距離Ｌ２はｍｍを単位として、２≦Ｌ２≦（Ｌ１−４）、しかもバンド層の巾Ｗは１０ｍｍ≦Ｗ≦３０ｍｍである。 - 特許庁

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。 - 特許庁

On an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based layer 3 is grown by an MBE method and then heat treatment is carried out between 600 to 800°C to set the average hydrogen concentration of the N-containing InGaAs-based layer 3 to be 2×10^17 number/cm^3 or lower by the heat treatment.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for reducing the lattice defects on an n-type nitride semiconductor layer and growing an n-type nitride semiconductor at the time of growing it on the surface of a substrate for which lattice coherence is not obtained by a vapor growth method such as MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁