「microcrystal thin film」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MICROCRYSTAL SILICON DISPERSED RESIN THIN FILM, AND THIN- FILM ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子とその製造方法 - 特許庁

To provide a method for forming a microcrystal thin film with high mobility.例文帳に追加

高移動度の微結晶薄膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a picture display device using a thin film transistor having a microcrystal thin film with high mobility.例文帳に追加

高移動度の微結晶薄膜を有する薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

A bottom gate thin film transistor is formed using the microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

前記微結晶半導体膜を用いて、ボトムゲートの薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

Then, a thin film transistor is formed using the microcrystal semiconductor film in a channel forming region.例文帳に追加

次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

The film thickness of the microcrystal silicon thin film 5 is 70 nm and thicker.例文帳に追加

また、マイクロクリスタルシリコン薄膜５の膜厚は７０ｎｍ以上である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MICROCRYSTAL THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR, AND PICTURE DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 - 特許庁

Resistivity of the lower layer microcrystal silicon thin film 5 is 1 Ωcm and lower, and the width of of the upper layer metal thin film 6 is smaller than the width of the lower layer microcrystal silicon thin film 5.例文帳に追加

下層マイクロクリスタルシリコン薄膜５の抵抗率は１Ωｃｍ以下であり、上層金属薄膜６の幅が下層マイクロクリスタルシリコン膜５の幅より小さい。 - 特許庁

To prevent a microcrystal silicon thin film from being peeled by suppressing excessive silicidation reaction between the microcrystal silicon thin film and a metal thin film.例文帳に追加

マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NANO-MICROCRYSTAL THIN FILM OF COMPOUND OXIDE BY LASER ABLATION例文帳に追加

レーザーアブレーションによる複合酸化物ナノ微結晶薄膜の製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND METHOD OF FORMING MICROCRYSTAL METAL THIN FILM例文帳に追加

磁気記録媒体及びその製造方法並びに微結晶金属薄膜の形成方法 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor junction made of the silicon-based thin film, at least one of the silicon-based thin films contains a microcrystal, and the microcrystal at least at one interface region of the silicon-based thin film containing the microcrystal is not orientated.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、シリコン系薄膜からなる半導体接合を有する半導体素子において、前記シリコン系薄膜の少なくともひとつが微結晶を含んでおり、前記微結晶を含んだシリコン系薄膜の少なくとも一方の界面領域の微結晶が、無配向性であることを特徴とする。 - 特許庁

An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface.例文帳に追加

前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium using a microcrystal metal thin film with small crystal grain, a manufacturing method of the recording medium, and a method of forming the microcrystal metal thin film.例文帳に追加

結晶粒の小さな微結晶金属薄膜を用いた磁気記録媒体及びその製造方法、並びに微結晶金属薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve efficiency in a non-single crystal thin-film solar battery having a pin or pn junction that is made of an amorphous thin film containing a microcrystal phase.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐｉｎまたはｐｎ接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

The amorphous thin film 12 has resistance to a process performed at a temperature equal to or more than 300°C when the microcrystal thin film 13 having the cubic structure is formed.例文帳に追加

前記非晶質薄膜１２は、立方晶構造を有する微結晶薄膜１３を形成する際の３００℃以上のプロセスに耐性を有する。 - 特許庁

To provide a microcrystal silicon film of proper crystallinity, a semiconductor device such as a thin-film transistor employing it, and a photovoltaic conversion device.例文帳に追加

結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。 - 特許庁

By using a heating and holding method to generate thermal gradient, the microcrystal thin film structural body having specific solute part and the microcrystal part gradiently existing is manufactured.例文帳に追加

また熱勾配を生じるような加熱および保持方法を用いることにより、比し溶質部分と微結晶部分が傾斜的に存在する微結晶薄膜構造体を製造する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed on the polysilicon thin film 3, and the gate electrode constituted of a two-layer structure of an upper layer metal thin film 6 and a lower layer microcrystal silicon thin film 5 is formed.例文帳に追加

そして、このポリシリコン薄膜３上にゲート絶縁膜４を形成し、このゲート絶縁膜４上に上層金属薄膜６及び下層マイクロクリスタルシリコン薄膜５の２層構造からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

The use of SiH_4 and H_2 for the raw material gas can manufacture a microcrystal silicon thin film, having satisfactory crystallinity on the substrate.例文帳に追加

原料ガスとしてＳｉＨ_４及びＨ_２を用いた場合、基板上に結晶性の良好な微結晶シリコン薄膜を作製することができる。 - 特許庁

To form a thin film by the plasma CVD method by accurately controlling a band gap in the thickness direction of an amorphous or microcrystal alloy semiconductor thin film without changing a reaction pressure when forming the thin film.例文帳に追加

薄膜形成の際の反応圧力を変化させることなく、非晶質または微結晶合金半導体薄膜の厚み方向のバンドギャップを高精度に制御してプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する。 - 特許庁

This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.例文帳に追加

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor using a microcrystal semiconductor film capable of obtaining a higher mobility and ON-current, and to provide a semiconductor device using the thin film transistor.例文帳に追加

より高い移動度及びオン電流を得ることができる微結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method capable of forming a microcrystal silicon thin film uniformly with excellent reproducibility as the film of excellent quality and accelerating the deposition speed.例文帳に追加

マイクロクリスタルシリコン薄膜を、均一でかつ再現性良く、良質な膜として形成することができ、堆積速度を早くすることが可能となる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium comprises the microcrystal metal thin film 102 which is made of a polycrystal thin film which contains one or more kinds of metals selected from transition metals including nickel, iron, and cobalt and group IV elements and is a soft magnetic material.例文帳に追加

ニッケル、鉄、コバルトを含む遷移金属から選択される少なくとも１種の金属とＩＶ族元素とを含み、軟磁性体である多結晶薄膜からなる微結晶金属薄膜１０２を含む。 - 特許庁

After a microcrystal silicon thin film 5 is deposited as a lower layer gate electrode, a metal thin film 6 is deposited continuously as an upper layer gate electrode.例文帳に追加

次に、下層ゲート電極としてマイクロクリスタルシリコン薄膜５を堆積した後、上層ゲート電極として金属薄膜６を続けて堆積する。 - 特許庁

The microcrystal semiconductor film containing the metallic element of which crystallinity on the interface between itself and the gate insulating film is raised is used as a channel forming region to form this thin film transistor.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた金属元素を含む微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a film structure in which a soft magnetic substrate layer 12, a microcrystal thin film 13, a nonmagnetic layer 14, and a perpendicular magnetized film 15 are deposited in this order on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、軟磁性下地層１２，微結晶薄膜１３，非磁性層１４および垂直磁化膜１５を、この順序で成膜した膜構造を有している。 - 特許庁

The antioxidant film formed on the surface of the microcrystalline semiconductor film can prevent a surface of a microcrystal grain from being oxidized, thereby preventing the mobility of the thin film transistor from decreasing.例文帳に追加

微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜を形成するため、微結晶粒の表面が酸化することを低減することが可能であるため、薄膜トランジスタの移動度の低下を防止することができる。 - 特許庁

The microcrystal thin film 13 is a film in which magnetic particles are magnetically isolated in an in-plane direction, and constituted of one selected from a semihard ferrite, a soft magnetic granular film, a soft magnetic nano crystal, etc.例文帳に追加

微結晶薄膜１３は、磁性粒子が面内方向において磁気的に孤立化した膜でなり、セミハードのフェライト、軟磁性グラニュラー膜、軟磁性ナノ結晶等から選択したものから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor film forming method forming a microcrystal semiconductor film on a large area substrate at a low cost, and a method of manufacturing a thin film transistor.例文帳に追加

大面積の基板上に低コストで微結晶性の半導体膜を形成することが可能な半導体膜の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To speed up laser machining, without increasing the output of laser and without power generating burrs in a thin-film solar cell containing the generation layer of a microcrystal-based silicon film.例文帳に追加

微結晶系シリコン膜の発電層を含む薄膜太陽電池において、レーザーの出力を高めることなくバリを発生させずにレーザー加工の速度を速める。 - 特許庁

To develop a easy film forming method where control of characteristics is easy and find a condition for realizing device functions, regarding a microcrystal silicon dispersed resin thin film and a thin-film element, which have effective characteristics as an electronic component such as a varistor and a photoelectric device.例文帳に追加

バリスタや光電デバイスなどの電子部品として有効な特性をもつ微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子について、簡便で特性の制御が容易な成膜法の開発と、デバイス機能を実現するための条件を見出すことにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for a solar cell, the method not inhibiting thin-film formation of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation property when forming a thin film-based solar cell with a microcrystal silicon film applied to the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板の製造方法を得ること。 - 特許庁

That is, a graphite thin film constructed of a graphite microcrystal is adhered on the substrate, and the graphite portion deposited on the adhered layer is removed.例文帳に追加

すなわち、グラファイト微結晶から構成されるグラファイト薄膜を基板上に固着させ、その固着している層の上に堆積しているグラファイト部分を除去することにより上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a thin film transistor capable of using microcrystal silicon as a channel region and favorably suppressing a leakage current, and a method of manufacturing it.例文帳に追加

微結晶シリコンをチャンネル領域として用い、良好にリーク電流を抑制することが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for more efficiently manufacturing a photoelectric converter that has excellent photoelectric conversion efficiency and includes a high-quality microcrystal silicon thin-film having a high crystalization rate and a high crystal orientation as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。 - 特許庁

To adjust in-plane power generation characteristics of a thin film solar cell by changing in-plane crystallinity of a power generation layer of microcrystal silicon and a lifetime of a carrier.例文帳に追加

微結晶シリコンの発電層の面内の結晶性及びキャリアのライフタイムを変化させることにより、薄膜太陽電池の面内の発電特性を調整する。 - 特許庁

To suppress an optical leakage current of a microcrystal Si thin film transistor, and to reduce deterioration in display characteristics, such as crosstalk and a decrease in contrast, of a liquid crystal display etc., during in use being irradiated with light.例文帳に追加

微結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの光リーク電流を抑制し、液晶ディスプレイ等の光照射下で使用する場合に、クロストークやコントラストの低下等の表示特性の劣化を低減する。 - 特許庁

The method for manufacturing the photovoltaic element comprises the steps of forming an extra-thin film made of the amorphous silicon layer or the microcrystal silicon at an initial time of depositing the silicon on the transparent conductive film, and thereafter forming the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

透明導電膜上に、シリコンを堆積する初期にアモルファスシリコン層もしくは微結晶シリコンからなる極薄膜を成膜し、その後に光電変換層を形成する事を特徴とする光起電力素子の作製方法である。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency of a general solar cell using a general plastic film since a thin film solar cell having a photoelectric conversion layer using amorphous silicon or microcrystal silicon and a dye-sensitized solar cell using electrodes constituted by carrying dye on a semiconductor layer surface has the most important problem of low efficiency of conversion from sunlight to electricity associated with solar cell popularization.例文帳に追加

アモルファスシリコンや微結晶シリコンを光電変換層とした薄膜太陽電池や半導体層表面に色素を担持させて構成した電極を用いた色素増感太陽電池では、太陽光から電気への変換効率の低さが太陽電池普及への最大の問題となっている。 - 特許庁

Concerning the photovoltaic power unit, with which pin type noncrystalline thin film semiconductor layers 3, 4 and 5, a rear metal film 6 and a rear protecting film 7 are formed on the front of a transparent conductive film 2 provided on a substrate 1 in this order, an adhesion improving film 8 composed of a microcrystal silicon film is provided between the rear metal film 6 and the rear protecting film 7.例文帳に追加

基板１上に設けられた透明導電膜２の表面上に、ｐｉｎ型の非晶質薄膜半導体層３、４、５と裏面金属膜６と裏面保護膜７とがこの順序で形成された光起電力装置であって、前記裏面金属膜６と裏面保護膜７との間に微結晶シリコン膜からなる密着性向上膜８が設けられている。 - 特許庁

By vapor depositing Ge5 and Sn6 on an ultra-thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 using a molecular beam epitaxial method, a microcrystal(nano-dots) 3 of nanometer-size of GeSn semiconductor is formed at an ultra high density, thus obtaining a GeSn semiconductor device.例文帳に追加

シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。 - 特許庁

In a photovoltaic device, on a light-receiving surface side surface of a first conductivity type semiconductor substrate 11, an amorphous thin film 12 containing silicon and carbon and whose composition ratio of the silicon and the carbon is 7:3 to 5:5, and a microcrystal thin film 13 containing silicon, carbon and second conductivity type impurities and having a cubic structure, are laminated in this order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１の受光面側の表面に、シリコンと炭素とを含みシリコンと炭素との組成比が７：３〜５：５である非晶質薄膜１２と、シリコンと炭素と第２導電型の不純物とを含み立方晶構造を有する微結晶薄膜１３と、がこの順で積層される。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode provided on a substrate, a gate insulating film provided to cover the gate electrode, a channel layer provided on the gate insulating film and including a microcrystal Si layer and an amorphous Si layer, a source electrode provided on one side on the channel layer, and a drain electrode provided on the other side on the channel layer.例文帳に追加

基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を被覆するように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、微結晶Ｓｉ層と非晶質Ｓｉ層とを含むチャネル層と、チャネル層上の一方に設けられたソース電極と、チャネル層上の他方に設けられたドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタに関する。 - 特許庁