| 意味 | 例文 |
multi gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 165件
MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マルチゲート半導体デバイス - 特許庁
MULTI-AXIS FLUX GATE MAGNETIC DETECTOR例文帳に追加
多軸フラックスゲート磁気検出器 - 特許庁
VACUUM GATE VALVE, VALVE PLATE, AND MULTI-FUNCTIONAL TOOL例文帳に追加
真空ゲートバルブ、バルブ板および多機能工具 - 特許庁
ASYMMETRIC MULTI GATE TRANSISTOR, AND METHOD OF FORMATION例文帳に追加
非対称マルチゲート型トランジスタ及び形成方法 - 特許庁
MECHANISM ADJUSTING OPENING/CLOSING TIMING FOR NOZZLE GATE OF MULTI-POINT INJECTION MOLDING MACHINE AND MULTI-POINT GATE INJECTION MOLDING METHOD例文帳に追加
多点ゲート射出成形機におけるノズルゲート開閉タイミング調整機構及び多点ゲート射出成形方法 - 特許庁
To reduce the gate resistance and the gate/drain capacitance simultaneously, in an MOS transistor of multi-fingered gate structure.例文帳に追加
多フィンガーゲート構造のMOSトランジスタにおいて、ゲート抵抗とゲート・ドレイン間容量を、同時に低減する。 - 特許庁
METHOD FOR UTILIZING MULTILAYER/MULTI-INPUT/MULTI-OUTPUT (MLMIMO) MODEL TO METAL GATE STRUCTURE例文帳に追加
金属ゲート構造への多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデルの使用方法 - 特許庁
MULTI-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
マルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
To reduce leakage current of a multi-gate type pixel transistor.例文帳に追加
マルチゲート型の画素トランジスターのリーク電流を低減する。 - 特許庁
MULTI-GATE MOSFET STRUCTURE HAVING STRAINED SILICON FIN BODY例文帳に追加
歪シリコン・フィン型ボディを有するマルチ・ゲートMOSFET構造 - 特許庁
To provide an asymmetric multi gate transistor and its forming method.例文帳に追加
非対称マルチゲート型トランジスタ及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFT例文帳に追加
低温ポリシリコンTFTのための多層高品質ゲート誘電体 - 特許庁
MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY UTILIZING NON-CONDUCTIVE CHARGE TRAP GATE例文帳に追加
非導電性のチャージトラップゲートを利用した多ビット不揮発性メモリ - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTI-GATE INSULATING FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
マルチゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD FOR MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY BY CONTROL OF GATE VOLTAGE例文帳に追加
ゲート電圧の制御よるマルチレベル不揮発性メモリのプログラミング方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF MULTI-LAYERED RESIST STRUCTURE SUBSTRATE AND T TYPE DUMMY GATE STRUCTURE SUBSTRATE例文帳に追加
多層レジスト構造基板およびT型ダミーゲート構造基板の製造方法 - 特許庁
To enable the simultaneous filling of an injection mold having a multi-cavity pinpoint gate.例文帳に追加
多数個取りのピンポイントゲートを有する射出成形金型の同時充填。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MULTI-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IMPROVED CARRIER MOBILITY例文帳に追加
改良されたキャリア移動度を有するマルチゲート半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
GATE CIRCUIT USING DOUBLE INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, SRAM CELL CIRCUIT, MULTI-INPUT CMOS GATE CIRCUIT, CMOS-SRAM CELL CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
二重絶縁ゲート型電界効果トランジスタを用いたゲート回路、SRAMセル回路、多入力CMOSゲート回路、CMOS−SRAMセル回路、集積回路 - 特許庁
METHOD FOR DESIGNING HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR, AND HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR WITH MULTI-FINGER GATE例文帳に追加
高周波トランジスタの設計方法、および、マルチフィンガーゲートを有する高周波トランジスタ - 特許庁
The gate electrode GN is configured of a multi-crystal silicion layer 63, and the gate electrode GP is provided with the laminate structure of metallic layer 64/multi-crystal silicion layer 63.例文帳に追加
ゲート電極GNは多結晶シリコン層63で構成される一方、ゲート電極GPは金属層64/多結晶シリコン層63の積層構造を備えている。 - 特許庁
Optical multi-token-ring networking using smart pixels with field programmable gate arrays (FPGAs) 例文帳に追加
フィールド・ブログラマブル・ゲートアレイ(FPGA)を持ったスマート・ピクセルを使う光学マルチトークンリング・ネットワーキング - コンピューター用語辞典
A multi-finger transistor 400 comprises an active region 420, a multi-finger gate 450, a source region 460, and a drain region 470.例文帳に追加
マルチフィンガートランジスタ400は、アクティブ領域420、マルチフィンガーゲート450、ソース領域460、及びドレイン領域470を含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a multi-gate insulating film and a producing method therefor.例文帳に追加
多重ゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To restrain an electric field concentration at a corner of a channel in a multi-gate MIS transistor.例文帳に追加
マルチゲートMISトランジスタにおいて、チャネルの角部での電界集中を抑制する。 - 特許庁
On that night, Negoro-ji Temple was destroyed by fire except a part of it such as the Hondo (main hall), Tahoto pagoda (a "multi-treasure" pagoda) (big pagoda) and Nandai-mon gate (great south gate). 例文帳に追加
その夜根来寺は出火して炎上し、本堂、多宝塔(大塔)や南大門など一部を残して灰燼に帰した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The multi-finger gate includes a plurality of gate fingers 452 formed in the active region, and a gate connection part 454 which connects the gate fingers to one another and is formed between two active regions.例文帳に追加
マルチフィンガーゲートは、アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー452、及びゲートフィンガーを互いに接続して二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部454を含む。 - 特許庁
To increase the mobility in a multi-gate device by introducing strain to the multi-gate device, thereby controlling and alleviating this strain for NMOS or PMOS.例文帳に追加
マルチゲートデバイスに歪を導入することにより、そしてNMOSまたはPMOSに対してこの歪を制御しながら緩和することにより、マルチゲートデバイス中の移動度を増大させる。 - 特許庁
The stone foundation was excavated to form a tunnel ('Ketsu' (gate provided with Rokaku (multi-storied building) in ancient China)), on which a wooden multi-storied building was constructed with a 'tablet' showing the name of the gate. 例文帳に追加
石造りの土台をくり抜き、トンネル状として(これを「闕(けつ)」という)その上部に木造重層の楼閣が建てられ、その上には門の名称を記した「扁額」が掲げられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Moreover, the gate driver 2 has a multi-layer area where multi-layer structured elements are formed; a non-multi-layer area where elements other than the multi-layered elements are formed; and the sealing part 4 is formed in the periphery of the peripheral display part 1, the gate driver 2, and the drain driver 3 at least to avoid the multi-layered area.例文帳に追加
また、ゲートドライバ2は、多層構造を有する多層素子が形成された多層領域と、多層素子以外の素子が形成された非多層領域とを有し、シール部4は、少なくとも多層領域にかからないように、画像表示部1、ゲートドライバ2、及び、ドレインドライバ3の周囲に形成されている。 - 特許庁
MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER USING INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, HIGH-GAIN MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER, HIGHLY STABLE MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER, HIGH-GAIN HIGHLY STABLE MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER, AND MULTI-INPUT CMOS DIFFERENTIAL AMPLIFIER例文帳に追加
絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いた多入力CMOS増幅器と、それを用いた高利得多入力CMOS増幅器、高安定多入力CMOS増幅器、高利得高安定多入力CMOS増幅器、多入力CMOS差動増幅器 - 特許庁
To supply a multi-axis flux-gate magnetic sensor correct sensing irrespective of a fluctuation in temperature.例文帳に追加
温度変動に関わらず正確なセンシングができる多軸フラックスゲート型磁気センサを供給する。 - 特許庁
A capacitor-less memory device is based upon a multi-gate MOSFET and requires a relatively low bias voltage.例文帳に追加
マルチゲートMOSFETをベースとした、比較的低いバイアス電圧を要するキャパシタレスのメモリデバイス。 - 特許庁
A gate insulting film 5 and a multi-crystal Si film 6 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Si基板1上にゲート絶縁膜5および多結晶Si膜6を順次形成する。 - 特許庁
In addition, a top gate-type TFT that is of the multi-gate structure and a top gate-type TFT that is of a single gate structure can be formed on the same substrate by merely changing the mask without increasing the number of processes.例文帳に追加
また、マスクを変更するだけで、工程数を増やすことなく、同一基板上に上記マルチゲート構造であるトップゲート型TFTとシングルゲート構造であるトップゲート型TFTを形成することができる。 - 特許庁
The delay time difference among signals passing through the multi-input logic gate circuit is changed in the delay step of the minimum unit depending on an input terminal used for the multi-input logic gate circuit.例文帳に追加
多入力論理ゲート回路の使用する入力端子の違いに応じて、多入力論理ゲート回路内を通過する信号の遅延時間差が上記最小単位の遅延ステップで変化する。 - 特許庁
A switch is added between gate lines on two rows to short-circuit gate lines currently being turned on and gate lies on the next row, so that charges of gate lines on the two rows are neutralized to generate the secondary ON voltage, and thus multi-level gate voltage is achieved.例文帳に追加
本発明は、スイッチを二つの行のゲートラインの間に増設することにより、オンされているゲートラインと次の行のゲートラインとの間を短絡させ、二つの行のゲートラインでの電荷を中和させて、第2レベルオン電圧を生成し、複数段ゲート電圧を実現する。 - 特許庁
To form a highly reliable multi-gate insulating film on a semiconductor device easily and precisely.例文帳に追加
半導体装置に、信頼性の高いマルチゲート絶縁膜が、簡便で高精度に形成できるようにする。 - 特許庁
To provide a multi-gate semiconductor device that can operate as a memory cell without requiring a high bias voltage.例文帳に追加
高いバイアス電圧を必要とせずに、メモリセルとして動作可能なマルチゲート半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
FLOW CONTROL VALVE IN MULTI-POINT GATE INJECTION MOLDING PROCESS, INJECTION MOLDING MACHINE AND INJECTION MOLDING METHOD例文帳に追加
多点ゲート射出成形における流量調節弁、射出成形機及び射出成形方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF ROM MULTI-VALUE LEVEL MEMORY IN DUAL- GATE CMOS PROCESS AND ROM CONFIGURATION例文帳に追加
デュアルゲ—ト型のCMOSプロセスに於けるROM型の多値レベルメモリの製造方法およびROM構造 - 特許庁
A fully differential phase and frequency detector utilizes a multi-function differential logic gate to implement a differential AND gate operation and provides a fully differential D-flip-flop.例文帳に追加
完全差動位相周波数検出器は差動ANDゲート演算を実現するのに多機能差動論理ゲートを用い、完全差動Dフリップフロップを提供する。 - 特許庁
In another embodiment, such asymmetric multi gate transistor as comprises a gate dielectrics which is formed on the semiconductor fin and has a different thickness is disclosed.例文帳に追加
別の実施形態において、半導体フィン上に形成され、厚さが異なるゲート誘電体を有する非対称マルチゲート型トランジスタが示される。 - 特許庁
Capacitances (Cgd) between gate and drain lines of transistor steps on the side near to a data line are increased and those on the side near to a pixel electrode are decreased in the multi-gate type transistor.例文帳に追加
マルチゲート・トランジスターにおいてデータ線に近い側のトランジスター段のゲート・ドレイン間容量(Cgd)を多く、画素電極に近い側を少なくする。 - 特許庁
CMOS AMPLIFIER USING FOUR-TERMINAL DOUBLE INSULATION GATE FIELD TRANSISTOR, MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER, HIGH GAIN MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER, HIGH GAIN HIGHLY STABLE MULTI-INPUT CMOS AMPLIFIER, AND MULTI-INPUT CMOS DIFFERENTIAL AMPLIFIER例文帳に追加
四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたCMOS増幅器、それを用いた多入力CMOS増幅器、高利得多入力CMOS増幅器、高利得高安定多入力CMOS増幅器および多入力CMOS差動増幅器 - 特許庁
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