「n.m.」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The tunnel barrier layer 15 has thickness from 0.1 nm or more to 0.6 nm or less, and has interface roughness of less than 0.5 nm.例文帳に追加

そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 - 特許庁

The reflection mirror 2 is configured by connecting three fiber gratings having reflection in 1,455 nm, 1,476 nm and 1,495 nm in series.例文帳に追加

反射ミラー２は、それぞれ１４５５ｎｍ、１４７６ｎｍ、１４９５ｎｍで反射を有する３つのファイバグレーティングを直列に接続して構成した。 - 特許庁

Also, it is assumed that the central wavelength of a laser is 6 nm or more to 35 nm or less, and difference between the maximum value of the central wavelength and the minimum value is less than 100 nm.例文帳に追加

又レーザの中心波長の間隔が6nm 以上35nm以下、中心波長の最大値と最小値の差は100nm 以内とする。 - 特許庁

The hollow fiber-like organic nanotube has 70-500 nm average outer diameter, 40-300 nm average inner diameter (average diameter of hollow) and about several hundred nm-several hundred μm length.例文帳に追加

その平均外径は７０〜５００ｎｍ、平均内径（中空の平均径）は４０〜３００ｎｍ、長さは数百ｎｍ〜数百μｍ程度である。 - 特許庁

The amount of polishing is set at 5% with respect to the entire Ir film thickness of 210 nm, that is about 10 nm, and the ultimate film thickness is set at 200 nm.例文帳に追加

ポリッシング量は全体のＩｒ膜の膜厚２１０ｎｍに対して５％、即ち、約１０ｎｍとし、最終的な膜厚を２００ｎｍとした。 - 特許庁

Consequently, respective retardation values are rR=150 nm, rR>rG=138 nm, rG>rB=113 nm in this order.例文帳に追加

これにより、各位相差値（リタデーション）は、当該順に、ｒＲ＝１５０ｎｍ、ｒＲ＞ｒＧ＝１３８ｎｍ、ｒＧ＞ｒＢ＝１１３ｎｍとなっている。 - 特許庁

The optical pick-up device 100 is provided with first, second and third light sources 1A, 1B and 1C for emitting light of 405 nm, 660 nm and 790 nm.例文帳に追加

光ピックアップ装置１００は、４０５ｎｍ、６６０ｎｍ、７９０ｎｍの光を発する第１、第２、第３光源１Ａ、１Ｂ、１Ｃを備える。 - 特許庁

The retardation at 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths of the retardation film satisfies the following relation (7) and (8).例文帳に追加

Ｒ（４５０）＜Ｒ（５５０）＜Ｒ（６５０） （７） Ｌ=〔((450/550)-R(450)/R(550))^2+((650/550)-R(650)/R(550))^2〕^1/2＜0.10 （８） 〔式中、R(450)、R(550)、R(650)は、それぞれの波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍにおける高分子配向フィルムの面内位相差である。 - 特許庁

The thickness dimension of the non-magnetic layer 4 is in the range of 1-50 nm and surface roughness (P-V) is in the range of ≥2 nm and ≤20 nm.例文帳に追加

非磁性層４の厚さ寸法は、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲、表面粗さ（Ｐ−Ｖ）が２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.例文帳に追加

基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁

The film of the side wall is 20 nm to 30 nm thick when the film the gate insulating film is made 10 nm thick, for example.例文帳に追加

サイドウォールの膜厚は、例えばゲート絶縁膜の膜厚を１０ｎｍとするとき、２０ｎｍから３０ｎｍである。 - 特許庁

In the optical film, the value is ≥1.1 and ratios of front retardation values Re to retardation values Rth in the film thickness direction in 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths and mutual ratios of the respective front retardation values Re in 450 nm, 550 nm and 650 nm wavelengths are in specified ranges.例文帳に追加

また、上記比の値が１．１以上であり、かつ、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍにおける正面レターデーションＲｅと、膜厚方向のレターデーションＲｔｈの比及び波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍの各Ｒｅの相互の比が特定範囲内である光学フィルム。 - 特許庁

This single-phased phosphor emitting the white-colored light as the continuous spectrum in 380 to 720 nm wavelength visible light range by being excited with the ultraviolet light having 250 to 260 nm wavelength is provided by containing bismuth as an activator, or the bismuth and manganese as a double-activator.例文帳に追加

波長250 nm〜260 nmの紫外光によって励起されて、波長380 nm〜720 nmの可視光領域において連続スペクトルで白色発光する単相の蛍光体であって、ビスマスを付活剤として含有又はビスマスとマンガンを二重付活剤として含有している。 - 特許庁

A wavelength dispersion in wavelength 1,383 nm is ≥0.1 ps/nm/km and ≤5.5 ps/nm/km and the wavelength dispersion in the range of wavelength 1,530 nm-1,565 nm is ≥0.1 ps/nm/km and ≤16.5 ps/nm/km.例文帳に追加

波長１３８３ｎｍにおける波長分散は０．１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上かつ５．５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下、そして１５３０ｎｍ〜１５６５ｎｍの波長範囲における波長分散は０．１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上かつ１６．５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下である。 - 特許庁

The retardation of a liq. crystal layer 1, retardation in the substrate normal direction of the optical phase difference compensation plate 8, and retardation of the optical phase difference compensation plate 9 are brought into a range from 170 nm to 290 nm, from 80 nm to 150 nm, and from 200 nm to 360 nm, respectively.例文帳に追加

液晶層１のリタデーションを１７０ｎｍ以上２９０ｎｍ以下とし、光学位相差補償板８の基板法線方向のリタデーションを８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とし、光学位相差補償板９のリタデーションを２００ｎｍ以上３６０ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The toner for electrostatic charge image development contains inorganic particles externally added, wherein the number-basis distribution of the inorganic particles has a peak or inflection point each from 5 nm to 15 nm and from 25 nm to 50 nm and frequency of 5% to 10% at 60 nm or more, and 90% of particles having 20 nm or more particle diameter form aggregates.例文帳に追加

無機粒子を外添してなる静電荷像現像用トナーであって、前記無機粒子が、５ｎｍ〜１５ｎｍと２５ｎｍ〜５０ｎｍにそれぞれピークまたは変曲点を有し、６０ｎｍ以上の度数が５％〜１０％、２０ｎｍ以上の粒子の９０％以上が凝集物を形成する。 - 特許庁

The fluorescent substance exhibits a narrow band light emission spectrum within a wave length region of ≥540 nm and ≤550 nm, and a broad band light emission spectrum within a wave length region of ≥500 nm and ≤600 nm when being excited by the light having the light emission peak within the region of ≥370 nm and ≤460 nm.例文帳に追加

３７０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の領域に発光ピークを有する光で励起した際、５４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域における狭帯域発光スペクトルと、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域における広帯域発光スペクトルとを示すことを特徴とする。 - 特許庁

A torque command value calculating part 22 calculates a torque command value Tq(t) for matching the motor rotation speed Nm with a target motor rotation speed Nm_target based on the input/output history, linear model and Nm(t), and outputs the value as an input command value in the time t.例文帳に追加

トルク指令値演算部２２は、上記の入出力履歴、線形モデル、およびNm(t)に基づいて、電動機回転速度Nmを目標電動機回転速度Nm_targetと一致させるためのトルク指令値Tq(t)を算出し、その値を時刻tにおける入力指令値として出力する。 - 特許庁

Typical escape depths for Auger electrons do not exceed 3 nm and are commonly below 1 nm. 例文帳に追加

オージェ電子の典型的な脱出深さは3nmを超えず、一般的には1nmを下回る。 - 科学技術論文動詞集

As the laser, solid laser having a wavelength of 1 nm or more and 380 nm or less is used.例文帳に追加

また、前記レーザーとして、１ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長を有する固体レーザーを用いる。 - 特許庁

The ultraviolet lamp 6 irradiates an ultraviolet ray having a wavelength of 254 nm and 184 nm.例文帳に追加

紫外線ランプ６は、２５４ｎｍ及び１８４ｎｍの波長を有する紫外線を照射する。 - 特許庁

The band gap wavelengths of active layer and diffraction grating are about 1540 nm and about 1510 nm.例文帳に追加

活性層及び回折格子のバンドギャップ波長は、約１５３０ｎｍ、及び約１５１０ｎｍである。 - 特許庁

The second laser beam used has the wavelength longer than 350 nm but shorter than 800 nm.例文帳に追加

第２のレーザビームは、波長が３５０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さいレーザビームを用いる。 - 特許庁

Perylene pigment (Me-PTC) is used as the photoconductive organic semiconductor, and the thickness of the film is set to 500 nm.例文帳に追加

光導電性有機半導体としてペリレン顔料(Me-PTC)を用い、膜厚は500 nmとした。 - 特許庁

For example, one light source has a central wavelength of 810 nm, and the other light source has a central wavelength of 850 nm.例文帳に追加

例えば、一方には中心波長が810nmの光源を使用し、もう一方は850nmの光源を使用する。 - 特許庁

The Ru layer has a thickness of 0.45±0.05 nm or 0.9±0.1 nm.例文帳に追加

そしてＲｕ層の厚みは、０．４５±０．０５ｎｍあるいは０．９±０．１ｎｍとする。 - 特許庁

The wavelength of a laser beam source of the laser exposure device 3 is specified to 400 nm below 500 nm.例文帳に追加

レーザ露光装置３のレーザ光源の波長を５００ｎｍ以下の４００ｎｍとする。 - 特許庁

It is desirable that the film thickness of the zirconium containing film is ≥2.5 nm and ≤10 nm.例文帳に追加

ジルコニウム含有膜の膜厚は、２．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

Advantageously, the maximum in the wavelength range 1400 nm to 1650 nm is a single maximum.例文帳に追加

有利には、１４００〜１６５０ｎｍの波長範囲で波長分散の最大値が１つである。 - 特許庁

To provide perfluoropolyethers with improved absorbance at wavelength less than 250 nm.例文帳に追加

250 nm未満の波長での向上した吸光度を有するペルフルオロポリエーテルを提供する。 - 特許庁

To provide a photoresist composition with low absorbance at 193 nm and 157 nm.例文帳に追加

193nm、及び157nm波長での光吸収度が低いフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

(i) The wavelength λir at the central sensitivity of the spectral sensitivity distribution is 580 nm<λir≤700 nm.例文帳に追加

（ｉ）分光感度分布の重心感度波長λｉｒが５８０ｎｍ＜λｉｒ≦７００ｎｍである。 - 特許庁

The light transmittance is detected through the use of light of the wavelength region between 640 nm and 680 nm.例文帳に追加

光透過率は、６４０ｎｍ〜６８０ｎｍの波長域内の光を利用して検出される。 - 特許庁

The phosphor converting light having wavelength of 500 nm or less to that having wavelength of 500-600 nm is used.例文帳に追加

蛍光体には、波長５００ｎｍ以下の光を波長５００〜６００ｎｍの光に変換するもの用いる。 - 特許庁

The intermediate layer is made of ruthenium and has ≥15 nm and ≤45 nm film thickness.例文帳に追加

また、中間層をルテニウム（Ｒｕ）とし、その膜厚を１５ｎｍ以上、４５ｎｍ以下とする。 - 特許庁

The first optical element corrects optical axis shifting between the laser lights of wavelengths 650 nm and 780 nm.例文帳に追加

第１の光学素子は、波長６５０ｎｍと７８０ｎｍのレーザ光との光軸ずれを補正する。 - 特許庁

Thereafter, a laminate film is processed by ion milling to satisfy w=100 nm and l=100 nm.例文帳に追加

その後、イオンミリングにより積層膜をｗ＝１００ｎｍ、ｌ＝１００ｎｍとなるように加工する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium capable of recording at optional two wavelengths from 635 nm to 660 nm.例文帳に追加

６３５nmから６６０nmの間の任意の２波長で記録できる光記録媒体を提供する。 - 特許庁

The ITO (tin-doped indium oxide) layer has refraction of 1.85-2.35 with the light of 400 nm in wavelength and is 5-50 nm in film thickness.例文帳に追加

ＩＴＯ層は、波長４００ｎｍの光の屈折率が１．８５〜２．３５、膜厚が５〜５０ｎｍである。 - 特許庁

The light emitting diode 6 is a semiconductor tip 13 having the peak wave length of ≥310 nm and ≤530 nm.例文帳に追加

発光ダイオード６は、ピーク波長が３１０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の半導体チップ13とする。 - 特許庁

The upper metal layer 27 is set larger than 10 nm but smaller than 20 nm in thickness.例文帳に追加

上部金属層２７の厚さを１０ｎｍより厚くかつ２０ｎｍより薄くする。 - 特許庁

The LED 57 has a peak wavelength in light emission of 380 nm approximatelly and a half value width of 20 nm approximatelly.例文帳に追加

ＬＥＤ５７は、発光ピーク波長約３８０ｎｍ、半値幅約２０ｎｍである。 - 特許庁

Furthmore, the layer thickness of the undoped GaAs buffer layer 4 is formed 10 nm to 100 nm.例文帳に追加

また、アンドープＧａＡｓバッファ層４の層厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍに形成されている。 - 特許庁

A substance carrier has nanocarbon having an inner diameter of 2-5 nm and an opening having a diameter of 1-2.5 nm in a wall surface.例文帳に追加

物質担体は壁面に１〜２．５ｎｍの径の開口を備えた内径が２〜５ｎｍのナノ炭素を有する。 - 特許庁

The interlayer distance d002 of a plurality of the crystallites is set to 0.388 nm≤d002≤0.420 nm.例文帳に追加

複数の結晶子の層間距離ｄ_002 は０．３８８ｎｍ≦ｄ_002 ≦０．４２０ｎｍに設定される。 - 特許庁