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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > p‐n junctionの意味・解説 > p‐n junctionに関連した英語例文

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p‐n junctionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 345



例文

a semiconductor that consists of a p-n junction 例文帳に追加

P−N接合の半導体 - 日本語WordNet

a p-n junction has marked rectifying characteristics 例文帳に追加

p-n接合は整流特性の特徴がある - 日本語WordNet

of electronics, a laser that uses a specific p-n junction of a semiconductor 例文帳に追加

半導体のp-n接合の特性を利用したレーザー - EDR日英対訳辞書

P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

P—N接合素子及びその製造方法、P−N接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁

例文

The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.例文帳に追加

光電変換素子1は、p−n接合を含む。 - 特許庁


例文

TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE例文帳に追加

透明酸化物p−n接合ダイオード - 特許庁

DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅pn接合の形成方法 - 特許庁

P-N JUNCTION ORGANIC DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

pn接合型有機ダイオードとその製造方法 - 特許庁

例文

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH p-n JUNCTION例文帳に追加

pn接合を有する化合物半導体基板 - 特許庁

例文

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のPN接合素子、第二のPN接合素子、第三のPN接合素子、および第四のPN接合素子のうちの少なくとも2つのPN接合素子を、異なる2つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量15はPN接合を持ち、このPN接合はPN接合面から離れるに従ってN型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

To provide an organic photocatalyst the production process of which can be simplified and to provide a p-n junction particle and a method for producing the p-n junction particle.例文帳に追加

製造プロセスの簡便化を実現可能な有機光触媒、並びにp−n接合型粒子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

pn接合を有するIII−V族化合物半導体装置 - 特許庁

THIN-FILM CRYSTAL WAFER HAVING P-N JUNCTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

pn接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

Moreover, the present invention provides a manufacturing method of the P-N junction element.例文帳に追加

さらに、本発明は、P−N結合素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

To provide a P-N junction element and its manufacturing method, especially the P-N junction element including an organic composite material, to provide its manufacturing method, and to provide an organic transistor using the P-N junction.例文帳に追加

本発明は、P—N接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むP—N接合素子及びその製造方法、該P−N接合を利用する有機トランジスタに関する。 - 特許庁

SCHOTTKY, P-N JUNCTION DIODE, AND PIN JUNCTION DIODE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法 - 特許庁

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源9は、pn接合又はpin接合9a等を用いることができ、pn接合9ap層6a又はn層6bが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

diode such that light emitted at a p-n junction is proportional to the bias current 例文帳に追加

バイアス電流と比例するそのようなその光がPN接合で放射されたダイオード - 日本語WordNet

The solar cell includes a substrate having a light collecting surface and a P-N rectifying junction.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、光受容表面及びP−N整流接合を有する基板を含む。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER HAVING LATERAL P-N JUNCTION FORMED BY SINGLE ELOG GROWTH例文帳に追加

単一のELOG成長により形成される横方向のp−n接合を有する窒化物半導体レーザ - 特許庁

To provide an optical semiconductor element which reduces inductance and capacitance generated between a terminal resistor and a p-n junction.例文帳に追加

終端抵抗器とpn接合との間に生じるインダクタンスやキャパシタンスを低減する。 - 特許庁

A p-n junction multilayer structure is then formed atop the roughened substrate surface to form the LED.例文帳に追加

そして、pn接合多層構造が基板粗面上に形成されて、LEDが形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can surely perform an ON/OFF control in a vertical P-N junction.例文帳に追加

縦型PN接合において確実にオン/オフの制御をすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An inclination side 11 is formed on a silicon semiconductor substrate having a P-N junction 12.例文帳に追加

PN接合12を有するシリコン半導体基体2に傾斜側面11を形成する。 - 特許庁

SCANNING PROBE MICROSCOPE AND DETECTION METHOD FOR p-n JUNCTION POSITION BY USING THE SAME例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡とそれを用いたp−n接合位置検出方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING THIN FILM OF COPPER-ALUMINUM OXIDE SEMICONDUCTOR AND p-n JUNCTION STRUCTURE USING IT例文帳に追加

銅・アルミ酸化物半導体薄膜の製造方法及びこれを用いたpn接合構造 - 特許庁

Thus, the P-N junction surface 5 is tilted against the bottom surface 1B of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、このPN接合面5は、半導体基板1の底面1Bに対して傾斜している。 - 特許庁

The back gate region BG forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is a second conductivity type one.例文帳に追加

バックゲート領域BGはエピタキシャル層EPとpn接合を構成し、第2導電型である。 - 特許庁

When an electric current flows to the P-N junction, infrared rays are emitted by recoupled minority carriers.例文帳に追加

このPN接合部は、電流が流れると、少数キャリアの再結合で赤外線を発光する。 - 特許庁

To increase speed of signal processing and improve S/N ratio by reducing P-N junction capacitance.例文帳に追加

P−N接合容量の低減で信号処理速度の高速化とS/N比改善を図る。 - 特許庁

P-N JUNCTION BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT SOURCE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

pn接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 - 特許庁

To reduce the voltage dependency of a capacitance element and increase the p-n junction breakdown voltage thereof.例文帳に追加

容量素子の電圧依存性を小さくすると共に、PN接合耐圧を向上する。 - 特許庁

The terminal resistor 130 is integrated on the same chip with the p-n junction structure.例文帳に追加

終端抵抗器130は、pn接合構造と同一のチップに集積されている。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

N型ZnOとしてはAlをドープしたものを用いてPN接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

The second clad layer 21 and the third clad layer 23 make up a p-n junction 27.例文帳に追加

第2のクラッド層21及び第3のクラッド層23はpn接合27を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device can be also applied to ohmic electrode, such as a p-n junction diode.例文帳に追加

本発明はpn接合ダイオードなどのオーミック電極にも応用できる。 - 特許庁

Therefore, the terminal resistor and the p-n junction structure are connected wirelessly.例文帳に追加

このため、終端抵抗器とpn接合構造とをワイヤを用いずに接続できる。 - 特許庁

Based on the results of analysis, an amount of electron injected to the p-n junction 13 is specified.例文帳に追加

その解析結果により、pn接合13に入射した中性子量が特定される。 - 特許庁

To provide the subject microscope capable of observing fine P-N junction in an LSI.例文帳に追加

LSI中の微細なpn接合を観察可能とする顕微鏡装置の提供。 - 特許庁

The reduced capacity at the p-n junction part accelerates the switching sped of the transistor.例文帳に追加

減少したpn接合部容量は、トランジスタのスイッチング速度を加速する。 - 特許庁

Moreover, the present invention provides an organic transistor using the P-N junction element.例文帳に追加

また、本発明は、P−N結合素子を利用する有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

FABRICATION OF DRIFT TYPE SILICON RADIATION DETECTOR HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

PN接合部分を有するドリフト型シリコン放射線検出器の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING HIGH VOLTAGE p++/n- WELL JUNCTION AND DEVICE OBTAINED THEREOF例文帳に追加

高耐圧p++/n−ウエル接合部を処理形成する方法および該方法によって得られた装置 - 特許庁

The semiconductor device comprises at least one n/p or p/n first junction adjoining a first terminal and at least one another p/n or n/p second junction adjoining a second terminal.例文帳に追加

この半導体装置は、第一の端子に隣接した少なくとも一つのn/pまたはp/nの第一接合と、第二端子に隣接した少なくとも一つのもう一方のp/nまたはn/pの第二接合を含む。 - 特許庁

A photoelectric conversion element having an ideal p/n junction interface profile, i.e., graded-junction structure, can be manufactured by employing such a micelle electrolysis method.例文帳に追加

このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-N JUNCTION, P-N JUNCTION, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR例文帳に追加

タンパク質半導体の製造方法、タンパク質半導体、pn接合の製造方法、pn接合、半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器およびタンパク質半導体の導電型の制御方法 - 特許庁

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記PN接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、PN接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

例文

The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加

トレンチ溝GRVは、ホトダイオードPD1,PD2におけるpn接合の形成後に、このpn接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁

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