「p‐n junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A diffusion control layer 24 is provided to a part of an aperture 28 of a diffusing mask 26 in a process of form p-n junction with diffusion.例文帳に追加

拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

In response to the fact that the device is exposed to the light on the front thereof, the p-n junction generates a voltage in the device.例文帳に追加

装置が当該装置の前面において光に露出されることに反応して、ｐ−ｎ接合は当該装置に電圧を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress the parasitic capacitance low at a p-n junction and also changes due to applied voltages in the depletion layer width.例文帳に追加

ｐｎ接合における寄生容量を低く抑えつつ、印加電圧による空乏層幅の変化を抑制できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Since a P-N junction is not formed in the lattice defect regions 53 and 54, the parasitic capacity among the N+ region 14 and the P+ regions 15 and 16 is reduced.例文帳に追加

格子欠陥領域５３、５４にはＰＮ接合が形成されないので、Ｎ^+領域１４とＰ^+領域１５、１６との間の寄生容量が少ない。 - 特許庁

To reduce an area for elements, while an area for P-N junction is enlarged, when a diode structure is formed on a comparatively thin polycrystal line silicon layer.例文帳に追加

比較的薄い多結晶シリコン層上にダイオード構造を形成する場合に、ＰＮ接合の面積を大きくしながら、素子面積を低減する。 - 特許庁

To improve energy conversion efficiency by preventing the destruction in the p-n junction part of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のｐｎ接合部における破壊を防止してエネルギー変換効率を向上させることのできる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable that an area of the p-n junction is not more than 300 μm^2 per 1 μm^3 of the active layer, and an active layer in a photoelectric conversion element contains fullerene derivatives and polymer compounds.例文帳に追加

また、光電変換素子中の活性層がフラーレン誘導体と高分子化合物とを含むことが好ましい。 - 特許庁

To provide a low-cost semiconductor integrated circuit device in which a chip area is reduced by using p-n junction isolation for isolating side faces.例文帳に追加

側面の分離にｐｎ接合分離を用い、チップ面積を縮小化し、低コストの半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

This spike prevents diffusion of dopants into another layer, without having to form a p-n junction in the layer.例文帳に追加

スパイクによって、ｐｎ接合を層内に形成することなく、別の層にドーパントが拡散することが防止される。 - 特許庁

At least a part of the wave guide path 8 is formed of a P-N junction and has an end to which light to be detected is supplied.例文帳に追加

導波路8 の少なくとも一部はＰＮ接合部によって形成され、検出すべき光を供給される端部を有する。 - 特許庁

To promote the miniaturization and speedup of an MISFET by making the suppression of the short channel effect compatible with the reduction of the p-n junction capacitance.例文帳に追加

短チャネル効果の抑制とｐｎ接合容量の低減とを両立させることによって、ＭＩＳＦＥＴの微細化、高速化を推進する。 - 特許庁

A bypass capacitor C1 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2e and a P-type substrate 2, on the side of an analog circuit block 20.例文帳に追加

アナログ回路ブロック２０側では、Ｎウェル領域２ｅとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁

In this process, a region inside the outer edge of the conducting electrode 2 is caused to contact with the p-n junction 17.例文帳に追加

このとき、通電電極２を、該通電電極２の外縁よりも内部で、ｐ−ｎ接合部１７と接触させる。 - 特許庁

In the region for absorbing noise charges, a P-N junction is formed simultaneously with the formation of a photodiode, and one end of the region is fixed to a power source voltage.例文帳に追加

ノイズ電荷吸収領域には、フォトダイオードと同時にＰＮ接合が形成され、その一端が電源電圧に固定される。 - 特許庁

At first, p/n junction is formed in a semiconductor material and then separation is operated so that a main body 10 and a separated piece 9 can be obtained.例文帳に追加

半導体材料内にｐ−ｎ接合を形成させた後に主ボディと切離し片とが得られるように分離する。 - 特許庁

In a p-n junction structure (S1/S2), layers generating carriers associated with optical current by optical excitation are light detection layers (c) and (d).例文帳に追加

ｐｎ接合構造（Ｓ１／Ｓ２）中、光励起によって光電流に係るキャリアを発生する層が光検出層（ｃ、ｄ）である。 - 特許庁

A voltage is applied to a p-n junction of a surface light emission type semiconductor element by a modulation circuit installed in a surface light emission type semiconductor element and modulated.例文帳に追加

面発光型半導体素子に設置した変調回路により面発光型半導体素子のｐｎ接合に電圧を印加し変調する。 - 特許庁

In the outer peripheral part of the base layer 2, a p-type RESURF layer 5 of low concentration is formed and relieves an electric field in a p-n junction part.例文帳に追加

ｐ型ベース層２の外周部には、低濃度のｐ型リサーフ層５が形成され、ｐｎ接合部での電界緩和を行っている。 - 特許庁

To measure the concentration and distribution of an impurity near a p-n junction where a depletion layer is formed in a no-bias state.例文帳に追加

無バイアス状態で空乏層の形成される、ｐｎ接合近傍領域の不純物濃度およびその分布を測定する。 - 特許庁

To provide a method for making a conductive copper-aluminum oxide film having a large area in air and p-n junction formed by using the film.例文帳に追加

大面積の導電性銅アルミ酸化物を常圧の大気中にて作成する方法及びそれを用いて構成したｐｎ接合を提供する。 - 特許庁

In a CMOS transistor 100 consisting of transistors 1, 2, there is the p-n junction J5 which is formed with the semiconductor layers 10, 20.例文帳に追加

トランジスタ１，２から構成されるＣＭＯＳトランジスタ１００において半導体層１０，２０が形成するｐｎ接合Ｊ５が存在する。 - 特許庁

The projected guard ring area 17 forms a p-n junction 23 on the second area 13c of the barium nitride semiconductor layer 13 of a first conductivity type.例文帳に追加

凸状のガードリング領域１７は第１導電型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃにｐｎ接合２３を成す。 - 特許庁

The back of a semiconductor substrate 2 is polished, for example, when the thickness for transmitting a short-wave length laser beam, having a wavelength of approximately becomes 1 μm, and then the short-wavelength laser beam is applied to a section, where a p-n junction has been formed, OBIC starts to flow at the p-n junction section.例文帳に追加

半導体基板２の裏面を研磨し、たとえば波長が約１μｍ以下の短波長レーザの透過できる膜厚となった時に、その短波長レーザをｐｎ接合が形成されている部分に照射すると、そのｐｎ接合部にはＯＢＩＣが流れ始める。 - 特許庁

Since the metallic film 30 covers the P-N junction of the zap diode, the zap diode is short-circuited to the metallic film 39 provided on the P-N junction and becomes a resistor when a puncture or destruction occurs due to an impressed reverse bias voltage higher than a breakdown voltage.例文帳に追加

この金属膜３９でザップダイオードのＰＮ接合部を覆うことにより、降伏電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって破裂破壊が起こっても、ザップダイオードがＰＮ接合部上の金属膜３９により短絡して抵抗となる構成とする。 - 特許庁

In a solar cell made of semiconductor Si having a p-n junction, Si layers 3 and 4 forming the p-n junction are formed in an insulation substrate 1 provided with a plurality of through holes 1a, and the front and rear sides of the substrate 1 are electrically connected with each other by means of Si parts buried in the through holes 1a.例文帳に追加

半導体Ｓｉのｐｎ接合を有する太陽電池において、ｐｎ接合を構成するＳｉ層３、４が、複数の貫通穴１ａを有する絶縁性基板１に形成され、その基板１の表裏が貫通穴１ａに埋め込まれたＳｉ部を介して電気的に接続された構成とする。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

Therefore, a p-n junction is formed along the hole 2 of the porous silicon layer 3 so that since the area of the p-n junction per unit area in the silicon substrate 1 can be substantially increased, a highly efficient light-emitting element is realized.例文帳に追加

従って、多孔質シリコン層３の孔２に沿ってｐｎ接合が形成されているので、シリコン基板１における単位面積当たりのｐｎ接合の面積を実質的に大きくすることができるので、高効率の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

When the semiconductor depletion layer capacitor is used, the dopant density in the vicinity of a junction of a P-N junction or the like is made higher than that of a region isolated from the junction.例文帳に追加

半導体空乏層容量を用いる場合には、ｐｎ接合等の接合近傍のドーパント密度を、接合から離れた領域のドーパント密度よりも高くしておく。 - 特許庁

To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加

シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photodiode also comprises a region (4) which extends transversely relative to the planes of the layers, where the region (4) is in contact with the collection layer (2) and the confinement layer (3) and has a conductivity type opposite to the first conductivity type so as to form a p-n junction with the stack.例文帳に追加

そのフォトダイオードは、前記層の面に対して横断して延在する領域(4)も含み、前記領域はコレクション層(2)と閉じ込め層(3)に接触し、前記スタックとp-n接合を形成するために前記第1導電型と反対の導電型を有する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

In this manner, an impurity profile of the p-n junction becomes abrupt, and further, an impurity concentration of a junction region forming the p-n junction with the gate region GR in the channel-formed region is higher than those of a center region in the channel-formed region and of an epitaxial layer EPI.例文帳に追加

これにより、ｐｎ接合の不純物プロファイルを急峻にするとともに、チャネル形成領域のうち、ゲート領域ＧＲとｐｎ接合を形成する接合領域の不純物濃度が、チャネル形成領域の中央領域の不純物濃度およびエピタキシャル層ＥＰＩの不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor junction layer which forms a p-n junction is provided in the area immediately below the pedestal electrode and ohmic electrodes are dispersedly arranged in the open light emitting area.例文帳に追加

台座電極の直下の領域にｐｎ接合を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体接合層を設置し、且つ、開放発光領域にオーミック性電極を分散させて敷設する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING ASYMMETRIC P/N JUNCTION FOR FET DEVICE, AND METHOD OF FORMING FET DEVICE (ASYMMETRIC SOURCE/DRAIN JUNCTION FOR LOW-POWER SILICON-ON-INSULATOR DEVICE)例文帳に追加

半導体デバイス、ＦＥＴデバイスに非対称的なｐ／ｎ接合を形成する方法及びＦＥＴデバイスを形成する方法（低電力消費のシリコン・オン・インシュレータ・デバイスのための非対称的なソース／ドレイン接合） - 特許庁

A capacitance is parasitic with respect to the inductor results in a series connection of a MOS junction capacitance and a p-n junction capacitance to the semiconductor substrate, thus reducing the parasitic capacitance.例文帳に追加

こうすると、インダクターに寄生する容量はＭＯＳ容量とＰＮ接合容量とを半導体基板に対して直列接続した構成になり、その寄生容量が低減できる。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a junction gate field effect transistor which suppresses the variation in p-layer impurity in a gate region and can attain proper p-n junction characteristics for the transistor.例文帳に追加

ゲート領域でのｐ層不純物のばらつきを抑制すると共に、良好なｐｎ接合特性を得る接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element isolation structure for semiconductor device which can suppress the occurrence of parasitic transistors, while the breakdown voltage is secured in a junction and trench isolation structure combining the P-N junction isolation and trench insulating isolation.例文帳に追加

ＰＮ接合分離とトレンチ絶縁分離を組み合わせた接合・トレンチ分離構造において、耐圧を確保しつつ寄生トランジスタ動作を抑制できる半導体装置の素子分離構造を提供する。 - 特許庁

The trenches 29 are formed in a depth of (b), which is shallower than the deepest junction depth (a) of the channel layer 26, and the trenches 29 are formed so as to be in contact with a p-n junction of the channel layer 26.例文帳に追加

チャネル層２６の最も深い接合深さａよりもトレンチ２９の深さ寸法ｂを浅く形成し、トレンチ２９は側面でチャネル層２６のｐｎ接合と接するように形成する。 - 特許庁

To realize a defective junction detecting method, which can accurately detect a defective location in a p-n junction in a semiconductor device and can avoid etching of an impurity inlet region by the defective detection.例文帳に追加

半導体装置中のｐｎ接合不良個所を精確に検出し、かつ、検出によって不純物導入領域をエッチングしてしまわない、接合不良の検出方法を実現することを目的とする。 - 特許庁

A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加

接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

In a transistor part 10a, a junction capacity of a p-n junction between a p-type base layer 4 and the emitter layer 51 is limited to a low level, to prevent a decrease in high-frequency characteristics.例文帳に追加

トランジスタ部１０ａでは、ｐ型ベース層４とエミッタ層５１との間に形成されるｐｎ接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is formed into a Schottky type or p-n junction type or Schottky/p-n junction composite type horizontal diode structure which has a horizontal main conductive path in a conductive layer 1, and unit anodes 5u and unit cathode electrodes 2u that are adjacent to each other in horizontally integrated arrangement.例文帳に追加

半導体素子１０を、導電層１内において水平方向に主導通経路を有し、かつ、単位アノード部５ｕと単位カソード電極２ｕとを互いに隣接する形で横方向に集積化してなる、ショットキー型もしくはＰ−Ｎ接合型の、あるいはこれらが複合された横型ダイオード構造とする。 - 特許庁