「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a type P- type epitaxial layer 3 is formed at the type P- type semiconductor substrate 1 and a type P+ type embedded contact layer 5 is formed in the type P- type epitaxial layer 3.例文帳に追加

次にＰ−型半導体基板１上にＰ−型エピタキシャル層３を形成し、該Ｐ−型エピタキシャル層３内にＰ＋型埋め込みコンタクト層５を形成する。 - 特許庁

In a prediction model memory 201, a proportional expression λ∝P^2/3 is memorized as a prediction model indicative of an increase in a frequency λ of communication between users in relation to an increase in a service coverage P.例文帳に追加

予測モデル記憶部２０１には、サービス普及率Pの増加に対するユーザ間通信頻度λの伸びを表す予測モデルとして、比例式λ∝P^2/3が記憶されている。 - 特許庁

A point interior-dividing H and G into HP:PG=1:3 is P, a straight line in parallel to the surface of the substrate passing P is L_1, and points intersecting the cross section of the deep color separation picture wall by L_1 are B_1 and B_2.例文帳に追加

HとGをHP:PG=1:3に内分する点をPとし、Pを通り基板表面に平行な直線をL_1とし、L_1が濃色離画壁の断面と交わる点をB_1、B_2とする。 - 特許庁

3) Promotion of practical applications of private-sector R&D (fiscal 2012 budget: ¥300 million) (Continuation) (See p. 213.) 例文帳に追加

③民間実用化研究促進事業【24 年度予算：3.0億円】（継続）（p.220参照） - 経済産業省

Formula 2: 3.6×(P+30)/100≤D≤5.2×(P+65)/100 and formula 3: 0.013×P≤t≤0.36×D.例文帳に追加

式２ ： ３．６×（Ｐ＋３０）／１００≦ Ｄ ≦５．２×（Ｐ＋６５）／１００ 式３ ： ０．０１３×Ｐ≦ ｔ ≦ ０．３６×Ｄ - 特許庁

Also, the diameter (size) of the sphere 3 which is placed in the sheath pipe P' becomes the gap between the sheath pipe P' and the new pipe P.例文帳に追加

また、さや管内Ｐ’に敷かれた球体３の径（大きさ）が、さや管Ｐ’と新管Ｐとのすき間となる。 - 特許庁

130. l-Menthyl Acetate (p-Menthan-3-yl Acetate) 例文帳に追加

百三十　酢酸ｌ—メンチル（別名ｌ—酢酸メンチル） - 日本法令外国語訳データベースシステム

Spheres 3 are laid down in a buried sheath pipe P' and the new pipe P is placed on the spheres 3 which are inserted into the above sheath pipe P'.例文帳に追加

埋設されたさや管Ｐ’内に球体３を敷き、前記さや管Ｐ’内に挿入した上記新管Ｐを前記球体３上に載せる。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

The p+ layer 3 extends in a lateral direction from a p-type electrode end, and the width Lp of the p+ layer is larger than the width of the p-type electrode.例文帳に追加

ｐ＋層３はｐ型電極端部から横方向に延在し、ｐ＋層の幅Ｌｐが前記ｐ型電極の幅よりも大きい。 - 特許庁

R^1{CH= CR^2[P(O)(OR^3)Ar]_n [1], R^1{C[P(O)(OR^3)Ar]=CHR^2}_n [2].例文帳に追加

Ｒ^１｛ＣＨ＝ＣＲ^２［Ｐ(Ｏ)(ＯＲ^３)Ａｒ］｝_ｎ ［１］ Ｒ^１｛Ｃ［Ｐ(Ｏ)(ＯＲ^３)Ａｒ］＝ＣＨＲ^２｝_ｎ ［２］ - 特許庁

On the surface of well 3, a p-type diffusion layer 6 as well as a source 4 and a drain 5 of the n-type diffusion layer are formed.例文帳に追加

ウエル3の表面には、p型の拡散層6と、n型の拡散層のソース4及びドレイン5とが形成されている。 - 特許庁

Lower end 5 of a ball prism 3 is placed at a measuring point P and then the ball prism 3 is inclined about the measuring point P.例文帳に追加

ポールプリズム３の下端５を測点Ｐに置き、測点Ｐを回転中心にしてポールプリズム３を傾動させる。 - 特許庁

In formula (2), R^3 to R^5 are each a 1-12C organic group; x is an integer of 1-3; and p, q, and r are each an integer of 0-3, provided that 1≤p+q+r≤3.例文帳に追加

（２）中、Ｒ^３〜Ｒ^５は炭素数１〜１２の有機基、ｘは１〜３の整数、ｐ、ｑ及びｒは０〜３の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦３。 - 特許庁

A paper feeding roller 3 feeds paper P to a recording part keeping the paper P in contact with its roller surface.例文帳に追加

給紙ローラ３は，用紙Ｐをそのローラ面に接触させて記録部に給送する。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

A p well 2 is formed on the surface of a p-type substrate, and then an n well 3 is formed within the p well 2 in a plane view.例文帳に追加

Ｐ型基板の表面にＰウエル２を形成し、平面視でＰウエル２の内部にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

The p-type dopant diffused region becomes a p-type semiconductor layer 3, and this forms a p-n junction 17 between the two layers 4 and 3.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントが拡散された領域がｐ型半導体層３とされ、ｎ型半導体層４との間でｐ−ｎ接合部１７が形成される。 - 特許庁

Position detection antennas p-1, p-2, and p-3 as well as shelf-wireless tags s, s, and s are prepared at each of shelves 10-1, 10-2, and 10-3 as the objects.例文帳に追加

対象物である棚１０-１，１０-２，１０-３のそれぞれには、位置検出アンテナｐ-１，ｐ-２，ｐ-３と棚・無線タグｓ，ｓ，ｓが設けられている。 - 特許庁

A gripping device 1 includes: a gripping metal fitting 2 for gripping without fastening a pipe body P; and a fixing metal fitting 3 coupled with the gripping metal fitting 2 and fixed to the pipe body P.例文帳に追加

把持装置１は、管体Pを締め付けることなく把持する把持金具２と、これに結合され管体Pに固定される固定金具３とからなる。 - 特許庁

The N RESURF layers 2 and the P RESURF layers 3 are repeatedly formed alternately in a direction substantially vertically to the direction of connecting the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10.例文帳に追加

Nリサーフ層２とPリサーフ層３は、Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０とを結ぶ方向と概略垂直方向に交互に繰り返し形成されている。 - 特許庁

The yarn package supply apparatus 1 includes a parts feeder conveyor 2, a parts feeder 3 for aligning and supplying a plurality of yarn packages P dropped from the parts feeder conveyor 2, and the yarn end cutting device 4 for cutting a yarn end Q extending from each of the yarn packages P dropped to the parts feeder 3 so as to straddle between the parts feeder conveyor 2 and the parts feeder 3.例文帳に追加

パーツフィーダコンベア2と、このパーツフィーダコンベア2から投下された複数の管糸Pを整列させて供給するパーツフィーダ3と、パーツフィーダ3に投下された管糸Pからパーツフィーダコンベア2とパーツフィーダ3の間に跨るように延びる糸端Qを切断する糸端切断装置4と、を備える。 - 特許庁

A p-type well 3 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上層にｐ型ウェル３を形成する。 - 特許庁

Further, the p^+-type isolation layer 11 is in contact with the channel stopper 3.例文帳に追加

また、ｐ^+型分離層１１は、チャネルストッパー３に接する。 - 特許庁

A glass epoxy electronic component sealing package P of a three-layer structure is formed by laminating glass epoxy copper-clad laminated plates 1, 2, and 3.例文帳に追加

ガラスエポキシ銅張積層板1, 2, 3を積層して三層構造のガラスエポキシ製電子部品封入パッケージPを形成する。 - 特許庁

Projectors P 1 to P 3 are arranged on both sides and the lower side of a dome 4 and the control of the projectors P 1 to P 3 and the screens S 1 to S 9 is performed according to the prescribed sequences by a personal computer 3.例文帳に追加

ドーム４の両側および下側にはプロジェクタＰ１〜Ｐ３が配置され、これらプロジェクタＰ１〜Ｐ３およびスクリーンＳ１〜Ｓ９の制御は、パーソナルコンピュータ３により所定のシーケンスに従って行われる。 - 特許庁

The p-type GaN layer 12 is doped with p-type impurities, i.e., Mg (magnesium) and O (oxygen), by about 1×10^20 cm^-3 and 3×10^19 cm^-3, respectively.例文帳に追加

ここで、ｐ型ＧａＮ層１２は、ｐ型不純物のＭｇ（マグネシウム）とＯ（酸素）が、それぞれ、Ｍｇは１×１０^20ｃｍ^-3程度、Ｏ（酸素）は３×１０^19ｃｍ^-3程度ドーピングされている。 - 特許庁

The rotating plate 3 receives the product P at a horizontal location, and makes the product P stand at a vertical location.例文帳に追加

回動板３は水平位置で製品Ｐを受け取り、垂直位置で製品Ｐを起立させる。 - 特許庁

The screens S 1 to S 9 of projection objects are allocated to the respective projectors P 1 to P 3.例文帳に追加

各プロジェクタＰ１〜Ｐ３には投影対象のスクリーンＳ１〜Ｓ９が割り当てられている。 - 特許庁

On the surface of the P well 4, n- and p-type diffusion layers 2, 3 are formed.例文帳に追加

Ｐウェル４の表面には、ｎ型拡散層２とｐ型拡散層３が形成されている。 - 特許庁

When the treatment materials P are carried between the yards at this time, the treatment materials P are passed through the pulverizing machine 3.例文帳に追加

このとき、処理材Ｐがヤード間を運ばれる際に、処理材Ｐは、粉砕機３に通される。 - 特許庁

(3) A P position detection switch 44 detecting a P position is arranged on the ECU basic plate 30.例文帳に追加

（３）Ｐ位置を検出するＰ位置検出スイッチ４４がＥＣＵ基板３０に配されている。 - 特許庁

This motor pump comprises a submergible motor 3 and a pump P driven by the submergible motor 3.例文帳に追加

水中モータ３と水中モータ３によって駆動されるポンプＰとを具備する。 - 特許庁

There is a tendency to eat an afternoon snack generally at about 3 p. m. in Japan now. 例文帳に追加

現在では一般に午後3時が日本では定着している傾向が見られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The ejection mechanism 3 is composed of a first ejection part 4 ejecting the movable mold 1 side end part Pa of the molding P and a second ejection part 5 ejecting the movable mold 1 side end part Pe of the recess Pd of the molding P.例文帳に追加

突出し機構3は、成形品Pの可動側金型1側端部Paを突き出す第一突出し部4と、成形品Pの凹部Pdの可動側金型1側端部Peを突き出す第二突出し部5と、から構成される。 - 特許庁

The fixing belt 1 and the recording paper P start coming into contact with the magnetic path of the induction heating device 3 at the outside of the recording paper P on an upstream side in a moving direction, and are separated at outside on a downstream side.例文帳に追加

定着ベルト1と記録用紙Pが、誘導加熱装置3の磁路に対して、記録用紙Pの移動方向の上流側の外側において接触を開始し、同下流側の外側において離隔する。 - 特許庁

A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁

The washer 3 is composed of a construction material having hardness larger than the pipe P.例文帳に追加

ワッシャ３がパイプＰよりも硬度が大きい材質から成る。 - 特許庁

The memory cell MC includes P channel MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors (TRs) 1 to 3.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１〜３を含む。 - 特許庁

A capacitor 5 is connected in series with the P-channel transistor 3.例文帳に追加

キャパシタ５は、Ｐチャネルトランジスタ３に直列接続されている。 - 特許庁

First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加

まず、ｐ型基板１上に、ゲート構造２，３を形成する。 - 特許庁