「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface side of the p-type silicon layer 3 is formed with an insulating film 12.例文帳に追加

ｐ形シリコン層３の表面側には絶縁膜１２を形成してある。 - 特許庁

A mold lubricant is coated on a P mold 2 to form a mold lubricant-treated layer 3.例文帳に追加

Ｐ型２に離形剤を塗布し離形剤処理層３を形成させる。 - 特許庁

An n^- dopant layer 4 is formed on the surface of the p^+ isolation layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋分離層３の表面にはＮ−不純物層４が形成されている。 - 特許庁

An n well 3 is formed on one of principal planes of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の一方主面にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

Consequently, impurity profile of the p-type base layer 3 is flat in the lateral direction.例文帳に追加

このため、ｐ型ベース層３の横方向の不純物プロファイルは平坦である。 - 特許庁

(p) Poly-2,4,4,4,5,5,6,6-heptafluoro-2-trifluoro methyl-3-oxaheptane-1,7-diol formal 例文帳に追加

タ　ポリ—二・四・四・五・五・六・六—ヘプタフルオロ—二—トリフルオロメチル—三—オキサヘプタン—一・七—ジオールフォルマール - 日本法令外国語訳データベースシステム

A transparent conducting film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3 (c).例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン層３上に、透明導電膜４を形成する（ｃ）。 - 特許庁

The sub-cell arrays 41-1 and 41-2 use the p-type cell well 3 in common.例文帳に追加

サブセルアレイ４１−１，４１−２は、ｐ型のセルウェル３を共用している。 - 特許庁

An n-type impurity region 3 is located under the p-type well region 2.例文帳に追加

ｎ型不純物領域３はｐ型ウエル領域２の下に位置している。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 3 is formed on a P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型シリコン基板１上にＮ−型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。 - 特許庁

The glass pipe 2 and the glass rod 3 are unified while setting the pressure P[kPa] to the atmosphere in the glass pipe 2 so that the pressure P satisfies following relation: -10kPa≤P<0kPa.例文帳に追加

ガラスパイプ２内の大気圧に対する圧力Ｐ［ｋＰａ］を、−１０ｋＰａ≦Ｐ＜０ｋＰａを満たすように設定して、ガラスパイプ２とガラスロッド３との一体化を行う。 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

A p^+ impurity area 4 is formed from the upper surface of an n^- semiconductor layer 3 on a p^- semiconductor substrate 1 to an interface of the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上のｎ^-半導体層３には、その上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｐ^+不純物領域４が設けられている。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

Furthermore, a part composed of the p^+-layers 15, the n^--layer 5, an FS layer 4 and a p^+-layer 3 has a pnp transistor structure.例文帳に追加

また、Ｐ＋層１５、Ｎ−層５、ＦＳ層４およびＰ＋層３からなる部分が、ＰＮＰトランジスタ構造になっている。 - 特許庁

H_mXY_12O_40 (1) (X: either of P and Si; Y: either of W and Mo; when X=P, m=3; when X=Si, m=4).例文帳に追加

Ｈ_mＸＹ_12Ｏ_40 （１）（Ｘ：Ｐ、Ｓｉのいずれか、Ｙ：Ｗ、Ｍｏのいずれか ｍ：Ｘ＝Ｐの場合はｍ＝３ Ｘ＝Ｓｉの場合はｍ＝４） - 特許庁

An I-P conversion section 1, an enlargement/reduction section 2, and a P-I conversion section 3 convert 480i and 480p to 1440i.例文帳に追加

Ｉ−Ｐ変換部１，拡大縮小部２，Ｐ−Ｉ変換部３によって４８０ｉ，４８０ｐを１４４０ｉに変換する。 - 特許庁

Since the polycrystalline SiGe film 3 has many p-type defect levels, it exhibits p-type conduction when doped with a small quantity of phosphorus.例文帳に追加

多結晶ＳｉＧｅ膜３はｐ型の欠陥準位を多く持っているので、少量のリンドープではｐ型伝導を示す。 - 特許庁

As the specified electron accepting compound, N-(p-toluene sulfonyl)-N '-(3-p-toluene sulfonyloxyphenyl) urea, etc., are cited.例文帳に追加

特定の電子受容性化合物としては、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−Ｎ'−（３−ｐ−トルエンスルホニルオキシフェニル）尿素等が挙げられる。 - 特許庁

Furthermore, the layers 3-5 have p type regions 3c-5c between the p^+ type regions 3a-5a and the n type regions 3b-5b.例文帳に追加

さらに、層３〜５は、ｐ^+型領域３ａ〜５ａとｎ型領域３ｂ〜５ｂとの間に、ｐ型領域３ｃ〜５ｃを有する。 - 特許庁

The thyristor 100 includes a p region 1, an n region 2, a p region 3 and an n region 4 sequentially bonded.例文帳に追加

サイリスタ１００は、ｐ領域１とｎ領域２とｐ領域３とｎ領域４とが順に接合されるサイリスタを有する。 - 特許庁

The channel layer 3 has a p-type impurity layer 3a at the lower portion thereof and has an undoped layer 3b on the p-type impurity layer 3a.例文帳に追加

チャネル層３は、該チャネル層３の下部にｐ型不純物層３ａを有し、その上にアンドープ層３ｂを有している。 - 特許庁

On the N type collector layer 4, a P+ type base layer 3 including the P type impurities of a high concentration is entirely formed.例文帳に追加

Ｎ型コレクタ層４上には、高濃度のＰ型不純物を含むＰ＋型ベース層３が全面的に形成されている。 - 特許庁

On an n-epitaxial layer 1, p field relaxation layer and p-well layer 2 and 3, and n-well layers 4 and 5 are formed simultaneously.例文帳に追加

ｎエピタキシャル層１にｐ電界緩和層２とｐウェル層３、ｎウェル層４とｎウェル層５をそれぞれ同時に形成する。 - 特許庁

A p-type electrode 3 is formed on the p-type active layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type active layer 2a.例文帳に追加

ｐ型活性層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型活性層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁

Pole surface layer of the p-type well 3 is implanted with arsenic ions 4 and heat treated to form a p-type lightly doped layer 5.例文帳に追加

ｐ型ウェル３の極表層に砒素イオン４を注入し、熱処理を行うことによりｐ型低濃度層５を形成する。 - 特許庁

Then, the p-type semiconductor region 3a is polished by a predetermined thickness whereby a p-type semiconductor region 3 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型半導体領域３ａを所定の厚さだけ研磨することにより、ｐ型半導体領域３を形成する。 - 特許庁

A matrix P calculation means 305 calculates a matrix P from the calculations of the matrix L^i calculation means 303.例文帳に追加

行列Ｐ計算手段305は、行列Ｌ^ｉ計算手段303の計算結果から数式3にしたがって行列Ｐを計算する。 - 特許庁

Related to the p-type partition region 38b, 3-stage of p-type embedded diffusion unit regions Up are connected mutually in the vertical direction.例文帳に追加

ｐ型の仕切領域３８ｂは３段のｐ型の埋め込み拡散単位領域Ｕ_p を縦方向に相互連結して成る。 - 特許庁

1. Provision of turnaround support by “Industrial Recovery Consultation Centers” and “Industry Reconstruction Corporation” (fiscal 2012 budget (reconstruction framework): ¥300 million) (Continuation) (See p. 189.) 例文帳に追加

1 ．「 産業復興相談センター」及び「産業復興機構」による再生支援【24年度予算（復興枠）：3億円】（継続）（p.189参照） - 経済産業省

The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加

第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁

A P-type well 3 is provided at an upper part of an N-type substrate 2, an embedded photodiode 6 and an electric charge detection part 7 are provided in the P-type well 3, and the P-type well 3 at a lower part of the electric charge detection part 7 is completely depleted.例文帳に追加

Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。 - 特許庁

(xcv) 3-chloro-N-(3-chloro-5-trifluoromethyl-2-pyridyl)-α,α,α-trifluoro-2,6-dinitro-p-toluidine; fluazinam 例文帳に追加

九十五　三―クロロ―Ｎ―（三―クロロ―五―トリフルオロメチル―二―ピリジル）―アルファ・アルファ・アルファ―トリフルオロ―二・六―ジニトロ―パラ―トルイジン（別名フルアジナム） - 日本法令外国語訳データベースシステム

(cxvii) (RS)-1-p-chlorophenyl-4,4-dimethyl-3-(1H-1,2,4-triazol-1-ylmethyl)pentan-3-ol; tebuconazole 例文帳に追加

百十七　（ＲＳ）―一―パラ―クロロフェニル―四・四―ジメチル―三―（一Ｈ―一・二・四―トリアゾール―一―イルメチル）ペンタン―三―オール（別名テブコナゾール） - 日本法令外国語訳データベースシステム

Preferable substance is a Y(P, V)O4: Eu3+ fluorescent material doped with trivalent Tb3+ ion and bivalent Mg2+ ion.例文帳に追加

好ましい物質は、三価のＴｂ^3+イオンと二価のＭｇ^^2+イオンをドープしたＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_4：Ｅｕ^3+蛍光体である。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

In setting an integer, which the arithmetic value y2 of a remainder calculation means 105 can range, to be (p), a storing means 103 holds the value of 2 (p/c) as G (P) with respect to P of 0 to 3 to store by the fixed decimal point format.例文帳に追加

記憶手段１０３は、剰余算手段１０５の演算値ｙ２に対し、とり得る範囲の整数をｐとすると０〜３のＰに対し、２∧（ｐ／ｃ）の値をＧ（Ｐ）として保持し、固定小数点フォーマットで格納する。 - 特許庁

Further, it is preferable that a p+ layer 3 and a p-type electrode 5 connected to the p+ layer and wire-connected to the cathode electrode are provided on an upper surface of the p-type substrate positioned to the outside of the n-well layer.例文帳に追加

さらに、ｎウェル層の外側に位置するｐ型基板の上部表面には、ｐ＋層３と、該ｐ＋層に接続しかつカソード電極に結線されたｐ型電極５と、を更に備えることが好ましい。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁

Error position polynomial-numerical polynomial arithmetic circuits 2a, 2b, 2c receive the syndrome orderly from the syndrome arithmetic circuit 1 without interruption, and respectively calculate them in parallel by (n/p) clock where (n/p) satisfies a relation of 3×(n/P)≥L>2×(n/P).例文帳に追加

誤り位置多項式・数値多項式演算回路２ａ，２ｂ，２ｃはシンドローム演算回路１から順次、途切れることなくシンドロームを受け取って、それぞれ３×（ｎ／Ｐ）≧Ｌ＞２×（ｎ／Ｐ）クロックで並列に演算する。 - 特許庁

The useful substance-spraying system is provided with; an electrostatic spray device (2) which atomizes a useful substance-containing aqueous solution and discharges it with its charged state; and a conductive mat (3) which makes a person (P) earthed.例文帳に追加

有用物が含まれる水溶液を霧化させ且つ帯電させた状態で放出する静電噴霧装置（2）と、人（P）を接地させる導電性マット（3）とを備える。 - 特許庁

The bacterial strain proliferates under various culturing conditions and produces the maytansinoid ansamitocins such as ansamitocin P-3, in improved yields as compared with those of conventionally known strains.例文帳に追加

該菌株は、様々な培養条件のもとで増殖し、従来知られる株と比較して改良された収率でアンサマイトシンP-3などのメイタンシノイド・アンサマイトシンを産生。 - 特許庁

After a gate oxide film 3 is formed on the upper layer of a low-density P-type semiconductor substrate 1, a P-type gate electrode 4 is formed on the upper layer of the gate oxide film 3.例文帳に追加

低濃度Ｐ型の半導体基板１の上層にゲート酸化膜３を形成した後、ゲート酸化膜３上層にＰ型のゲート電極４を形成する。 - 特許庁

This lock member 4 rotates by pushing an end 6 in inserting the pipe P into the opening part 3, and closes the opening part 3 from the outside of the pipe P.例文帳に追加

このロック部材４は、開口部３内にパイプＰを挿入する際に端部６が押されることにより回転し、パイプＰの外側から開口部３を閉鎖する。 - 特許庁