「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

The IGBT selectively forms an n^+-type extended region (9) in a p^+-type collector region (1), and forms a p-type base region (3) and a diode together with an n-type base region (2).例文帳に追加

ＩＧＢＴは、Ｎ＋型延長領域(9)をＰ＋型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、Ｎ型ベース領域(2)と共にＰ型ベース領域(3)とダイオードを形成する。 - 特許庁

An n+-type layer 4 is formed to fill up the recessed part of the p-type layer 3.例文帳に追加

さらにｐ型層３の凹部内を埋め込むようにｎ^+型層４を成膜する。 - 特許庁

The layers 3-6 have p^+ type regions 3a-6a and n type regions 3b-6b.例文帳に追加

層３〜６はｐ^+型領域３ａ〜６ａとｎ型領域３ｂ〜６ｂとを有する。 - 特許庁

A second N-well 3 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1 and a P+-type semiconductor layer 8 is formed on the surface of the second N-well 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に第２のＮウエル３が形成され、その第２のＮウエル３の表面にＰ＋型半導体層８が形成されている。 - 特許庁

A tungsten plug 13 is formed in a reduction atmosphere on a P-type substrate 3.例文帳に追加

タングステンプラグ１３は、Ｐ型基板３上に、還元雰囲気中で形成される。 - 特許庁

This string uses printf(3)like notation, where %l prints the line number,%c prints the column number, %p prints the insert position offset, and%s prints the current file size. 例文帳に追加

この文字列はprintf(3) に似た記法を用いる。 つまり、%lは行番号を表示し、%cはカラム番号を表示し、%pは挿入位置のオフセットを表示し、%sは現在のファイルサイズを表示する。 - XFree86

This imaging device is equipped with a printing part 3 for printing image information that has a developing tank 17, a paper-supplying and carrying part 4 for supplying and carrying paper P to be printed, a paper ejection part 5 for ejecting the printed paper P, and a control unit for controlling those parts.例文帳に追加

画像形成装置は、画像情報を印字する現像槽17を有する印字部3と、印字される用紙Pを供給して搬送する給紙搬送部4と、印字された用紙Pを排出する排紙部5と、これらを制御する制御部とを備えている。 - 特許庁

The electromagnetic wave transmitter/receiver has at least one radiation element (P"1, P"2, P"3, P"4) for transmitting/receiving specified polarized signals and feed arrays (L1, L2, L3, L4, L'2, L'3) produced by the microstrip technique for obtaining parasitic radiations.例文帳に追加

本発明の電磁波送受信装置は、所定の偏波の信号を送受信する少なくとも一つの放射素子（Ｐ”１，Ｐ”２、Ｐ”３，Ｐ”４）と、マイクロストリップ技術で製作され寄生放射が得られるよう構成された線を含む給電アレイ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ’２，Ｌ’３）とを有する。 - 特許庁

To do this, type n to create a new partition, then p to tell fdisk that you want a primary partition. Then type 3 to create the third primary partition, /dev/sda3in our case. 例文帳に追加

この作業のためには、新規パーティションを作成するのにn、基本パーティションを選択するのにpを入力します. そして3番目の基本パーティション、この例では/dev/hda3を作成するのに3と入力します。 - Gentoo Linux

To do this, type n to create a new partition, then p to tell fdisk that you want a primary partition. Then type 3 to create the third primary partition, /dev/sda3 in our case.例文帳に追加

この作業のためには、新規パーティションを作成するのにn、基本パーティションを選択するのにpを入力します. そして3番目の基本パーティション、この例では/dev/sda3を作成するのに3と入力します。 - Gentoo Linux

The p type carrier concentration of the p type InGaAsP diffraction grid layer is specified so as to be 1.5×10^18 cm^-3-4.0×10^18 cm^-3 and especially so as to be 2.0×10^18 cm^-3-3.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回析格子層のｐ型キャリア濃度を１．５×１０^１８ｃｍ^−３から４．０×１０^１８ｃｍ^−３、特に２．０×１０^１８ｃｍ^−^３から３．０×１０^１８ｃｍ^−３とする。 - 特許庁

In the case of a PAL system, a counter 2 for delay and a flip-flop circuit 3 obtain a pseudo-vertical synchronizing signal PV(P)' obtained by delaying the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(P) of the system and the signal PV(P)' is supplied to the counter 1 through the PAL terminal of the circuit 4.例文帳に追加

ＰＡＬ方式の場合、遅延用カウンタ２及びフリップ・フロップ回路３により、該方式の垂直同期信号Ｐ_V(P)の後縁が遅延された疑似垂直同期信号Ｐ_V(P)’が得られ、切換回路４のＰＡＬ端子を介してカウンタ１に供給される。 - 特許庁

By arranging a P- diffused region 4 under a P+ diffused region 8 to include the P+ diffused region 8, a parasitic PNP bipolar transistor 13 is constituted by the combination of a P-well region 2, an N-well region 3, and P- diffused region 4.例文帳に追加

Ｐ^+ 型拡散領域８の下にＰ^+ 型拡散領域８を含むようにＰ^- 型拡散領域４を配置することで、寄生ＰＮＰバイポーラトランジスタ１３は、Ｐ型ウエル領域２、Ｎ型ウエル領域３、Ｐ^- 型拡散領域４の組み合わせで構成される。 - 特許庁

It is preferable that 1,5-(3-oxapentamethylene)bis(3-(3-(p-toluenesulfonyl)ureido)benzoate) is 3-100 mass% to the compound expressed by the specified chemical formula.例文帳に追加

特定の化学式で表される化合物に対して、１，５−（３−オキサペンタメチレン）ビス（３−（３−（ｐ−トルエンスルホニル）ウレイド）ベンゾエート）が３〜１００質量％であることが好ましい。 - 特許庁

When the print P is obtained, the print order receiving center 3 delivers the print P to the photo shop 2 indicated by the agent information J.例文帳に追加

プリントＰが得られると、プリント受注センタ３は、受取店情報Ｊにより表される写真店２にプリントＰを配送する。 - 特許庁

This binding device presses the superimposing part P of a big band 1 without shifting the part with a flapper 3 in putting the band 1 around a binding bundle S.例文帳に追加

束Ｓの周りに大帯１を巻回して結束する際、大帯１の重なり部分Pがずれないようにフラッパ３で押圧する。 - 特許庁

On the super laterally long display 3, a pointer P is displayed, and a display position of the pointer P moves by operating a switch 2B.例文帳に追加

超横長ディスプレイ３には、ポインタＰが表示されており、ポインタＰの表示位置は、スイッチ２Ｂを操作することによって移動する。 - 特許庁

The power supply ground-pair transmission line 20 is connected to the drain layer 3 of the driver transistor 10 and a P^+-type layer 7 in a P-type well 2.例文帳に追加

そして、電源グランドペア伝送線路２０はドライバトランジスタのドレイン層３、Ｐウエル２中のＰ^＋層７にそれぞれ接続される。 - 特許庁

Then, K (=C1 exponential (S3×λ(3,Λ) mod q)×(y4k) exponential (λ(4,Λ) mod p) mod p) is calculated by using Cl, y4k and S3 and a common key K is obtained.例文帳に追加

Ｃ1とｙ_4^kとＳ_3を用いて、Ｋ(＝Ｃ1^(Ｓ_3×λ(３,Λ) modｑ)×(ｙ_4^k)^(λ(４,Λ) modｑ) modｐ)を計算し、共有鍵Ｋを求める。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

An error pattern calculating circuit 3 takes logical OR with an overlapping part from the outputs of the circuits 2-1 through 2-p.例文帳に追加

誤りパターン算出回路３によって、誤りパターン生成回路２-1〜２-pの出力から重複分に対しそれぞれ論理和をとる。 - 特許庁

A constant current is injected into the light gain region 3 from a first current source 11 through a p-side electrode 9 and an n-side common electrode 7.例文帳に追加

光利得領域には、p側電極9とn側共通電極7とを介して第1電流源11から定電流が注入される。 - 特許庁

When the print head 1 moves toward a platen that supports the printing paper sheet P, the carrier stopper 3 is pressed against the printing paper sheet P.例文帳に追加

印字ヘッド１が印字用紙Ｐを支持するプラテンに向かう方向に移動すると、キャリアストッパ３が印字用紙Ｐに押し付けられる。 - 特許庁

Thus, the amplitude P of a RGB inversion signal applied to the signal driver circuit 3 from a chroma-interface circuit 5 is made P/S.例文帳に追加

これによりクロマインターフェース回路５から信号ドライバ回路３に印加されるＲＧＢ反転信号の振幅ＰをＰ／Ｓにする。 - 特許庁

The polishing surface P has some of the foams 3 opened thereon as openings 4.例文帳に追加

研磨面Ｐでは発泡３の一部が開孔しており、開孔４が形成されている。 - 特許庁

A positive pole 4 is made by integrally joining a conductor 3 joined to P.例文帳に追加

Ｐに接合した良導体３も一つにまとめて接合し、これを＋極４とする。 - 特許庁

By attaching a saber saw 3 to the body 1, the steel pipe P can be correctly cut.例文帳に追加

本体１にセーバーソー３を取付ければ鋼管Ｐを正確に切断することができる。 - 特許庁

The protection member 3 has a hard layer 31 of a harder material than the touch pen P.例文帳に追加

保護部材３は、タッチペンＰよりも硬質の材料から成る硬質層３１を有する。 - 特許庁

The heat transfer pipe preferably contains 0.3-3 mass% of P.例文帳に追加

この伝熱管において、前記Ｐは０．３乃至３質量％であることが好ましい。 - 特許庁

To generate a hyperelliptic curve of a characteristics p (>3) with respect to a hyperelliptic curve cryptograph.例文帳に追加

超楕円曲線暗号に関し、標数ｐ（＞３）の超楕円曲線を生成する。 - 特許庁

The shunt circuit 4 is connected to the p^+ diffusion region 3 by a plurality of contacts.例文帳に追加

そして、シャント配線４を複数のコンタクトによりｐ^＋拡散領域３に接続する。 - 特許庁

The reception means 3 receives distance information from the white line 7 to the stop line P.例文帳に追加

前記受信手段３が白線７から停止線Ｐまでの距離情報を受信する。 - 特許庁

A placing block 3 moves back and forth to alternately divide two pallets P at changing positions.例文帳に追加

載置台３は前後方向に移動して、２枚のパレットＰを交換位置に交互に割り出す。 - 特許庁

The telephone P is detachably mounted on an upper surface of the front half of the plate 3.例文帳に追加

このスライド板３の前半部上面に携帯電話機Ｐを着脱自在に取り付ける。 - 特許庁

Wherein, θ is a shaft angle (degree), P is the max. iron tapping ratio (t/d.m3).例文帳に追加

θ≧７０．３＋５．０５×Ｐ ただし、θ：シャフト角（度）、 Ｐ：最大出銑比（ｔ／ｄ・ｍ^3 ）。 - 特許庁

The image sensor 31 of a cartridge 3 detects the movement of a player P in the three-dimensional space.例文帳に追加

カートリッジ３のイメージセンサ３１は、プレイヤＰの三次元空間中の動きを検出する。 - 特許庁

The undercoat layer 4 is formed in the state where particles P adhere onto the glass substrate 3.例文帳に追加

ガラス基板３上にパーティクルＰが付着した状態でアンダーコート層４を形成する。 - 特許庁

The imaging part 3 is operated when the imaged picture P is recorded in the storage part 4.例文帳に追加

撮像部３は、撮像した映像Ｐを記憶部４に記録する場合には動作している。 - 特許庁

An aperture 4 where part of the foams 3 open is formed on the polishing surface P.例文帳に追加

研磨面Ｐには発泡３の一部が開口した開孔４が形成されている。 - 特許庁

P polarized light which is the transmitted light of the PBS 3 is made incident on the wavelength plate 10G for G.例文帳に追加

Ｇ用波長板１０Ｇは、ＰＢＳ３の透過光であるＰ偏光が入射する。 - 特許庁

Layers from the reflection layer 3 to the p-type clad layer 7 are epitaxially grown on the substrate 2.例文帳に追加

反射層３〜ｐ型クラッド層７は基板２上にエピタキシャル成長させられている。 - 特許庁

In the same way, P-type MOSFET chips 61, 62 are directly installed to the circuit board 3.例文帳に追加

また、同様にＰ型ＭＯＳＦＥＴチップ６１，６２を直接回路基板３に組付ける。 - 特許庁

The wheel speed sensor P is laterally provided inside the hub cap 3 left as a dead space in a conventional one.例文帳に追加

車輪速センサＰは、従来デットスペースであったハブキャップ３内に横向きに設ける。 - 特許庁

The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2.例文帳に追加

このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。 - 特許庁