「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In a second in-plane direction DR2, p^- semiconductor layer 2 includes conductive parts 21 to 23, and the p^+ semiconductor layer 3 includes conductive parts 31 to 33.例文帳に追加

第２の面内方向ＤＲ２において、ｐ^−半導体層２は導電部２１〜２３を含み、ｐ^＋半導体層３は、導電部３１〜３３を含む。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

In a delta-doped layer, at least one p-type semiconductor layer 3 is made of a gallium-doped p layer 31 and an i-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ層３１、ｉ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

The positioned image areas p^0-p^3 are superimposed to perform the high resolution processing so that the character and the sign included in a high resolution conversion image are read.例文帳に追加

位置が合わされた画像領域ｐ0〜ｐ3を重ね合わせ高解像度処理を行い、高解像度化画像に含まれる文字や記号を読み取る。 - 特許庁

The crushed pieces P are preheated in a preheating device 5 in a process feeding the crushed pieces P by a feeder 2 before charged in the treatment tank 3.例文帳に追加

粉砕片Ｐを処理槽３に投入する前に、その粉砕片Ｐが搬送装置２にて搬送される過程で予備加熱装置５にて予備加熱する。 - 特許庁

However, an additional tax of 10% will be added onto the amount of corporation tax as a special corporation tax to fund reconstruction during the period from April 1, 2012, to March 31, 2015. (Continuation) (See p. 197.) 例文帳に追加

ただし、2012 年4 月1 日から2015年3 月31日までの間、復興特別法人税として、法人税額に10％の加算税が上乗せされる。（継続）（p.199参照） - 経済産業省

During discharging the paper sheet P, the blow out of the upper blow hole 3 is stopped and gas is blown out of a lower blow hole 4 between the paper sheet P being discharged and a paper sheet P discharged right before to thrust the paper sheet P downward with a gas stream between the paper sheet P and the paper sheet P.例文帳に追加

枚葉用紙Ｐの排紙途中で、上部噴出口３からの噴出を停止すると共に、下部噴出口４から排紙中の枚葉用紙Ｐと直前に排紙された前枚葉用紙Ｐとの間に気体を噴出させ、前枚葉用紙Ｐと枚葉用紙Ｐとの間の気流により前枚葉用紙Ｐを下方に向けて押圧する。 - 特許庁

The semiconductor device has, on a P type semiconductor substrate 1, a P+ type collector layer 8 electrically connected to a collector electrode 15 of an IGBT, a P+ type buried layer 4 connected with the P+ type collector layer 8, an N type buried layer 2 below the P+ type buried layer 4, and an N+ type buried layer 3 between the P+ type buried layer 4 and the N type buried layer 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に、ＩＧＢＴのコレクタ電極１５と電気的に接続するＰ＋型コレクタ層８と、当該Ｐ＋型コレクタ層８と連続するＰ＋型埋め込み層４と、該Ｐ＋型埋め込み層４の下層のＮ型埋め込み層２と、該Ｐ＋型埋め込み層４と該Ｎ型埋め込み層２の間のＮ＋型埋め込み層３とを形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, an undoped GaN buffer layer 3, an n-type GaN layer 3 and a p-type GaN layer 4 are formed in sequence on a saphire substrate 1, and a part between the p-type GaN layer 4 and the n-type GaN layer 3 is removed to expose the n-type GaN layer 3.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

In the plasma generating part, arc discharge is executed in the space between a discharge anode 3 and a discharge cathode 4, carrier gas fed from an introducing hole 5a for carrier gas is made into plasma, and a plasma jet P is jetted from an opening 3b formed at the discharge anode 3 toward a substrate S.例文帳に追加

前記プラズマ発生部では、放電陽極(3) と放電陽極(4) との間でアーク放電を行い、キャリアガスの導入孔(5a)から供給されたキャリアガスをプラズマ化し、前記放電陽極(3) に形成された開口(3b)から、基板(S) へ向けてプラズマジェット(P) を噴き出す。 - 特許庁

When the heating element 10 in a thermal head 3 is driven to be heated at the time of thermal recording onto the thermal coloring layer of a recording sheet P, excess heat generated from the heating element 10 is conducted to the optical fixing unit 5 through the heat conduction plate 7.例文帳に追加

記録紙(P) の感熱発色層への熱記録時にサーマルヘッド(3) の発熱素子(10)が発熱駆動されると、サーマルヘッド(3) の発熱素子(10)から発生した余分な熱が熱伝導板(7) を介して光定着器(5) に伝導する。 - 特許庁

An inner edge part of the through hole 3 is locked to a screw thread P1 of the connection bolt P, when the connection bolt P in the through hole 3 is brought into a state substantially orthogonal to the through hole 3, and the spacer is rotated along the screw thread P1.例文帳に追加

挿通孔３内の連結ボルトＰが該挿通孔３に対して略直交する状態のときに挿通孔３の内側縁部が連結ボルトＰのネジ山Ｐ１に係止し、スペーサーがネジ山Ｐ１に沿って回転するように設ける。 - 特許庁

The lead-out electrode 3, which is formed in a self-aligned manner for forming a P+-type diffusion layer and composed of P+-type polycrystalline silicon, is laid out so that the lengths of the electrode 3 from the four sides of the opening 4 of the electrode 3 become equal to each other.例文帳に追加

Ｐ^+型拡散層を形成するためのＰ^+型多結晶シリコンからなる引き出し電極３の長さを、セルフアラインで形成した引き出し電極３の開口部４の四辺から等しくなるようにレイアウトする。 - 特許庁

A hopper 2 is raised, the paper P is pressed by a feeding roller 3, a separating pad 11a is brought into contact with the feeding roller 3, and the feeding roller 3 and a conveying roller 6 are forwardly rotated to feed the paper P to the conveying roller 6.例文帳に追加

ホッパ２が上昇して，用紙Ｐが給紙ローラ３に押圧されるとともに，分離パッド１１ａが給紙ローラ３に当接した後，給紙ローラ３および搬送ローラ６が正転して用紙Ｐが搬送ローラ６まで給送される。 - 特許庁

The method for producing an optically active 3-aminopiperidine comprises reacting 3-aminopiperidine in the form of racemic modification with an optically active N-p-toluylglutamic acid and separating an optically active N-p-toluylglutamate of the produced optically active 3-aminopiperidine.例文帳に追加

ラセミ体の３−アミノピペリジンと光学活性Ｎ−ｐ−トルイルグルタミン酸を反応させ、生成する光学活性３−アミノピペリジンの光学活性Ｎ−ｐ−トルイルグルタミン酸塩を分離する光学活性３−アミノピペリジンの製造方法。 - 特許庁

The correction method of a cutter blade forcing pressure of a resin underwater cutting device is to achieve an optimal cutting operation in compliance with a change in the molten resin pressure (P), by changing a bias value (B) through detecting the internal molten resin pressure (P) of a die (3) and controlling the forcing pressure (Po) of the cutter drive shaft (12).例文帳に追加

本発明による樹脂水中カッティング装置におけるカッター刃押し付け圧の補正方法は、ダイス(3)内側の溶融樹脂圧力(P)を検出してバイアス値(B)を変更し、カッター駆動軸(12)の押し付け圧(Po)を制御することにより、溶融樹脂圧力(P)の変化に応じて最適のカッティング動作を得ることができる方法である。 - 特許庁

The cooling device comprises: a cooling roller 1 for cooling the recording media P on which the toner is fixed, in contact with a principal surface of the recording media P; a conveyance roller 3 which supports the recording media P which is inserted between the conveyance roller 3 and the cooling roller 1; and an excitation mechanism part 5 for vibrating the cooling roller 1 to a thickness direction of the recording media P to pass through.例文帳に追加

トナーが定着された記録媒体Ｐの主面に接触して該記録媒体Ｐを冷却する冷却ローラ１と、冷却ローラ１との間で記録媒体Ｐを挟んで支持する搬送ローラ３と、冷却ローラ１を、通過する記録媒体Ｐの厚み方向に振動させる加振機構部５と、を備える。 - 特許庁

In this way, since the impurity concentration of the p-type base region 3 can be reduced, the p-type base region 3 can be easily inverted to form a wide channel region and channel mobility is increased.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の不純物濃度を薄くできるため、ｐ型ベース領域３が容易に反転し、広いチャネル領域を形成することが可能となってチャネル移動度が高くなる。 - 特許庁

The well 2 is connected to a power source terminal Vcc, at a position not shown in the Fig. by an n-type diffusion layer 7 formed on the surface, with a p-type well 3 which is shallower than the well 2 formed on the surface.例文帳に追加

ウエル2は表面に形成されたn型の拡散層7により、図示しない位置において電源端子Vccへ接続され、表面には、ウエル2よりも深さが浅いp型のウエル3が形成されている。 - 特許庁

The connector includes a band body 2 to be wound around and mounted to the structure P, a band fastening structure 3 for tightening and fixing the band body 2 to the structure P, and a screw body 4 provided in the band fastening structure 3.例文帳に追加

連結具は、構造体Ｐに巻回装着されるバンド体２と、バンド体２を構造体Ｐに締付固定するバンド締付構造３と、バンド締付構造３に設けたねじ体４とを含む。 - 特許庁

A p^+-type semiconductor region 7 is provided in the n^--type semiconductor region 3, and a pn junction is formed between the n^--type semiconductor region 3 and p^+-type semiconductor region 7.例文帳に追加

ｎ^−型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ^−型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

Next, a buffer layer 3, having composition of Al_pGa_qIn_1-p-qN (0≤p≤1, 0<q≤1), is formed on the AlN base layer 2, and a group 4 of GaN semiconductor layers are formed on this buffer layer 3.例文帳に追加

次いで、ＡｌＮ下地層２に、Ａｌ_ｐＧａ_ｑＩｎ_１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１，０＜ｑ≦１）なる組成を有するバッファ層３を形成し、このバッファ層３上に、ＧａＮ半導体層群４を形成する。 - 特許庁

The expression amount of the foreign gene is higher closer to 3' of negative chain RNA and a high expression is obtained when the foreign gene is inserted into especially before an NP gene and between the NP gene and a P gene.例文帳に追加

外来遺伝子の発現量は、ネガティブ鎖RNAの3'に近いほど高く、特にNP遺伝子の前、およびNP遺伝子とP遺伝子の間に外来遺伝子を挿入した場合に高い発現が得られた。 - 特許庁

The thyristor 100 further includes a low-voltage region 10 formed to contact the n region 2 and the p region 3 having a junction withstand voltage lower than that of the n region 2 and the p region 3.例文帳に追加

また、サイリスタ１００は、ｎ領域２とｐ領域３とに接して形成され、ｎ領域２とｐ領域３との接合耐圧より接合耐圧が低い低耐圧領域１０を有する。 - 特許庁

In a process adopting the shallow trench isolation, small dummy patterns 2 are formed inside a p-well 3 and an n-well 4, and large dummy pattern patterns 1 are formed outside the p-well 3 and the n-well 4.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、Ｐウェル３とＮウェル４の内側にはダミーパターン小２を形成し、Ｐウェル３とＮウェル４の外側には大きなダミーパターン大１を形成する。 - 特許庁

A carbon nanotube CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) 1 is composed of an N-type carbon nanotube FET (field-effect transistor) 2 (hereinafter called as an N-type CN-FET 2) and a P-type carbon nanotube FET 3 (hereinafter called as a P-type CN-FET 3).例文帳に追加

カーボンナノチューブＣＭＯＳ１は、Ｎ型カーボンナノチューブＦＥＴ２（以下、Ｎ型ＣＮ−ＦＥＴ２という）とＰ型カーボンナノチューブＦＥＴ３（以下、Ｐ型ＣＮ−ＦＥＴ３という）とから構成される。 - 特許庁

Additionally, an n diffusion region 4 is formed adjacent to the p diffusion region 3, and a source electrode 11 is formed in contact with both the surfaces of the n diffusion region 4 and the p diffusion region 3.例文帳に追加

また、ｐ拡散領域３と隣接してｎ拡散領域４が形成され、このｎ拡散領域４とｐ拡散領域３との双方の表面に接触してソース電極１１が形成される。 - 特許庁

The printing paper having a brightness based on JIS P 8123 of ≥75%, a density based on JIS P 8118 of ≤0.50 g/cm^3 and a fading characteristics of ≤6.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｐ ８１２３に準拠した白色度が７５％以上、ＪＩＳ Ｐ ８１１８に準拠した密度が０．５０ｇ／ｃｍ^3以下、かつ褪色性が６以下であることを特徴とする、印刷用紙。 - 特許庁

Chemicals containing a moisturizer, a softener, an antioxidant and the like is applied to substrate paper at the rate of 46.0-160.0 mg/cm^3 an the oil absorbency which is defined by JIS P 8141 is set to 7 mm or less.例文帳に追加

保湿剤、柔軟剤、抗酸化剤等を含む薬液を、基材紙に対し単位容積当たり４６．０〜１６０．０ｍｇ／ｃｍ^3の塗布し、JIS P 8141に規定される吸油度が７ｍｍ以下となるようにする。 - 特許庁

The diode part 3 of the P+ type region 10 is then irradiated with laser light and patterned by laser annealing thus forming an N+ type region 13 selectively in the P+ type region 10 (Fig. 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｐ＋型領域１０のうちダイオード部３にレーザ光を照射してレーザアニールすることによりパターニングし、Ｐ＋型領域１０にＮ＋型領域１３を選択的に形成する（図３（ｃ））。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁

On the other hand, printing is carried out on both surfaces of the recording paper P by moving the inkjet head 3 to the second position and delivering the ink on the recording paper P from the nozzles 11 of the inkjet heads 2 and 3.例文帳に追加

一方、インクジェットヘッド３を上記第２位置に移動させて、インクジェットヘッド２、３のノズル１１から記録用紙Ｐにインクを吐出することにより、記録用紙Ｐの両面に印刷を行う。 - 特許庁

A p--channel area 50 with an effective concentration of acceptor of 1×1013-1×1016 cm-3 which is lower than that of the inside is provided on the surface layer of a p base area 42 just beneath a gate oxide film 45.例文帳に追加

ゲート酸化膜４５直下のｐベース領域４２の表面層に、実効的なアクセプタ濃度が１×１０^13〜１×１０^16ｃｍ^-3と内部より低濃度のｐ^- チャネル領域５０を設ける。 - 特許庁

The position information point P is set with percentage of a distance to the point information point P from a start point 3 of the travel route 1 to the whole distance to an end point 4 from the start point 3 as position information Q.例文帳に追加

位置情報ポイントＰは走行ルート１の始点３から終点４までの全距離に対する始点３から位置情報ポイントＰまでの距離の百分率を位置情報Ｑとして設定する。 - 特許庁

Forming an n-type impurity layer 6 along a side of a p^+type impurity layer 3 makes an expanse of depletion layer extending from a side part of the p^+type impurity layer 3 to a n^-type drift layer 2 small.例文帳に追加

ｐ^+型不純物層３の側面部に沿ってｎ型不純物層６を形成することで、ｐ^+型不純物層３の側面部からｎ^-型ドリフト層２に伸びる空乏層の広がりを小さくする。 - 特許庁

When the monitor B receives the DPVL packet P 2, the monitor freshly generates the DPVL packet P 3 based on the image data ([C]) and the header section H 3 like with the monitor A and transmits the same to a monitor C.例文帳に追加

モニタＢは、ＤＰＶＬパケットＰ２を受信すると、モニタＡと同様にして、画像データ（［Ｃ］）及びヘッダ部Ｈ３に基づいて、新たにＤＰＶＬパケットＰ３を生成し、モニタＣへ送信する。 - 特許庁

Printing is carried out on only the upper surface of the recording paper P by moving the inkjet head 3 to the first position and delivering the ink on the recording paper P from the nozzles 11 of the inkjet heads 2 and 3.例文帳に追加

そして、インクジェットヘッド３を上記第１位置に移動させて、インクジェットヘッド２、３のノズル１１から記録用紙Ｐにインクを吐出することにより記録用紙Ｐの上面にのみ印刷を行う。 - 特許庁

The periphery of a transistor T is surrounded by a P-type element separation region 3, and the P-type element separation region 3 is included in the outer periphery of an N-type photodiode periphery cathode region 6 also in a PIN photodiode PD.例文帳に追加

トランジスタＴの周囲をＰ型の素子隔離領域３で囲み、ＰＩＮホトダイオードＰＤもＮ型のフォトダイオード周辺カソード領域６の外周にＰ型の素子隔離領域３を介在させる。 - 特許庁

An air layer P is present between the front surface of the back guard 9 and the wall surface 3 to reduce a heat transfer from a stove 17 to the wall surface 3.例文帳に追加

バックガード９の前面と壁面３との間には、空気層Ｐが存在し、コンロ１７から壁面３への伝熱を低減できる。 - 特許庁

The plant P being an object of cultivation is stored into a container 3 and the device for plants cultivation 1 is set in the container 3.例文帳に追加

栽培対象となる植物Ｐは容器３内に収納されており、植物栽培装置１は容器３に設置されている。 - 特許庁

As a result of this setup, the carrier concentration of the p-AlGaAs film is set at 1×1018 cm-3 on both the (111) A face and (100) face.例文帳に追加

これにより、（１００）面上及び（１１１）Ａ面上のｐ−ＡｌＧａＡｓ膜のキャリア濃度が１×１０^18ｃｍ^-3になる。 - 特許庁

In the Sn-Cu based lead-free soldering alloy containing 0.1-3 mass% Cu, 0.001-0.1 mass% P is added either alone or together with 0.001-0.1 mass% Ge.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

In the example of (p=2, q=3, r=3), two sets of orbits having the cycle of 2^2 and four sets of orbits having the cycle of 2 coexist (Figure C).例文帳に追加

（ｐ＝２，ｑ＝３，ｒ＝３）の例では、２^2の周期を持つ軌道が２組、周期２の周期軌道が４組，共存している（図１Ｃ）。 - 特許庁

Small parts 3, 3 shaped like figures are embedded in the urethane elastomer P injected into some of the recessed portions 7c-7f.例文帳に追加

また、一部の凹状部分７ｃ〜７ｆに注入されたウレタンエラストマーＰの内部には、数字を型取った小型パーツ３，３・・が埋め込まれている。 - 特許庁