「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

More preferably, the method for manufacturing a three-dimensional photonic crystal (C) includes: forming regular holes or grooves on the substrate (Q); packing the holes or grooves with a slurry of the spherical particles (P); and applying centrifugal force perpendicular to the surface of the substrate (Q) to accumulate the spherical particles (P) in the holes or grooves.例文帳に追加

特に好ましくは、基板（Q）に規則的な穴又は溝を形成し、その穴又は溝に真球状粒子（P）のスラリーを充填し、遠心力を基板（Q）の表面に対して垂直に加えて穴又は溝に真球状粒子（P）を集積する3次元フォトニック結晶（C）の製造方法である。 - 特許庁

An n-type clad layer 3 consisting of n-type AlGaN, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 consisting of p-type AlGaN, and a p-type contact layer 6 consisting of p-type GaN, are sequentially laminated on the n-type contact layer 2, so that part of the n-type contact layer 2 is exposed.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２の一部を露出させるように、ｎ型コンタクト層２の上には、ｎ型のＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層３と、発光層４と、ｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５と、ｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層６とが順次積層されている。 - 特許庁

The punch press 1 is equipped with a punch P and die D for performing press on a planar workpiece W, a striker 3 for freely striking and pressurizing the punch P, and a working fluid supply device for feeding so as to jet the working fluid to a guide hole in the punch P when the punch P is struck and pressurized by the striker 3.例文帳に追加

パンチプレス１は、板状のワークＷにプレス加工を行うためのパンチＰ及びダイＤが備えられ、前記パンチＰを打圧自在のストライカ３が備えられ、かつ前記ストライカ３によるパンチＰの打圧時に、当該パンチＰに備えた導入孔へ作動流体を噴出供給する作動流体供給装置が備えられている。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

A recording head substrate 2 having many heating resistors 3 for recording a visible image on a rewritable medium P by selectively activating the heating resistors 3 and an erasing head substrate 5 having at least one heating resistor 6 for erasing the visible image formed on the rewritable medium P by activating the heating resistor 6 are integrally provided on a single heat radiating member 7, thereby forming an imaging device.例文帳に追加

多数の発熱抵抗体3 を有し、これら発熱抵抗体3 を選択的に発熱させることによりリライタブル媒体P に可視像を記録する記録用ヘッド基板2 と、少なくとも１個の発熱抵抗体6 を有し、該発熱抵抗体6 を発熱させることによりリライタブル媒体P に形成されている可視像を消去する消去用ヘッド基板5 を、単一の放熱部材7 に一体的に取着することにより画像装置を構成する。 - 特許庁

At a running-on mode, the multiplying printing is executed in the printing equipments 2 and 3 under the condition that the conveying speed of the printing equipment 3 is employed as the conveying speed of the continuous paper P in the respective printing equipments 2 and 3.例文帳に追加

本印刷モードでは、各印刷装置２，３での連続紙Ｐの搬送速度を印刷装置３の搬送速度にして印刷装置２と３で重連印刷を行う。 - 特許庁

A region surrounded with the trench in the p-type layer 3 is a floating "p" region 3b, a part having an n^+ source region 4 between adjacent trenches is a channel region 3d, and a region other than them is a p-type base region 3a.例文帳に追加

ｐ型層３の内のトレンチに囲まれた領域がフローティングｐ領域３ｂとなり、隣接するトレンチ間でｎ^+ソース領域４を備える部分がチャネル領域３ｄとなり、それ以外の領域がｐ型ベース領域３ａとなる。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor laser device is equipped with a p-side electrode 10 which is formed in such a way that the electrode 10 contacts to an exposed upper surface of a ridge, and a p-side pad electrode 11 with a large thickness of about 3 μm which is formed on the p-side electrode 10.例文帳に追加

リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたｐ側電極１０と、そのｐ側電極１０上に形成された約３μｍの大きな厚みを有するｐ側パッド電極１１とを備える。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, an n-type GaN contact layer 2, an n-type AlInGaN/AlGaN super lattice layer 3, an active layer 4, a p-type AlGaN block layer 8, and a p-type GaN contact layer 5 are formed, and an n-type electrode 7 and a p-type electrode 6 are provided.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。 - 特許庁

The power supplied to the heating body 3 from a power source while recording paper P passes through a nip is set higher when the trailing edge side of the paper P in the carrying direction passes through the nip than when the leading edge side of the paper P in the carrying direction passes through the nip.例文帳に追加

記録紙Ｐのニップ通過中における電源から加熱体３への電力を、記録紙Ｐの搬送方向後端部側のニップ通過時に記録紙Ｐの搬送方向先端部側のニップ通過時よりも大きくする。 - 特許庁

Also, the value loss processing means (3) has a structure for disposing the recording medium P, and the reading means (4) has a structure for reading information in the recording medium P at the time when the recording medium P is disposed.例文帳に追加

また、前記価値喪失処理手段（３）は、記録媒体Ｐを破棄する構成であり、前記読み取り手段４は、記録媒体Ｐが破棄される際に該記録媒体Ｐの情報を読み取る構成であることを特徴とする。 - 特許庁

Bead apex rubber 8 is terminated in a tire radial direction inward of a minimum thickness part P, or cut in a radial direction inward and outward at the minimum thickness part P, and tire thickness T0 at the minimum thickness part P is set to 3-7 mm.例文帳に追加

ビードエーペックスゴム８は、最小厚さ部Ｐよりもタイヤ半径方向内方で終端する又は該最小厚さ部Ｐで半径方向内外に途切れるとともに、最小厚さ部Ｐにおけるタイヤ厚さＴ０を３〜７ｍｍとした。 - 特許庁

The epitaxial wafer for light-emitting diode has a double heterostructure, wherein a p-type GaAlAs clad layer 3, a p-type GaAlAs active layer 2, and an n-type GaAlAs clad layer 1 are formed successively on a p-type GaAs substrate 4.例文帳に追加

発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ｐ型ＧａＡｓ基板４上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１を順次形成したダブルヘテロ構造をしている。 - 特許庁

One portion of the n-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, a p-type nitride semiconductor layer 4, the side of a p electrode 5, and one portion of the upper side of the p electrode 5 are covered with a protective insulating film 6 up to a step A.例文帳に追加

この段差Ａの部分まで、保護絶縁膜６によりｎ型窒化物半導体層２の一部、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４、ｐ電極５の側面とｐ電極５の上側一部にかけて覆われている。 - 特許庁

A part of the n-type nitride semiconductor layer 2, the active layer 3, a p-type nitride semiconductor layer 4, a part of a side of a p-electrode 5, and an upper side of the p-electrode 5 to a part of the level difference A, are covered by a protection insulating film 6.例文帳に追加

この段差Ａの部分まで、保護絶縁膜６によりｎ型窒化物半導体層２の一部、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４、ｐ電極５の側面とｐ電極５の上側一部にかけて覆われている。 - 特許庁

An n^- drift layer 2, a first gate layer (p^+ layer) 3, and a p-type source layer 4 are formed on an n^+SiC substrate 1 successively, and at the same time a second gate layer (p^+ layer) 8 is formed in a trench 6 via an n^- channel layer 7.例文帳に追加

ｎ^+ＳｉＣ基板１の上にｎ^-ドリフト層２と第１のゲート層（ｐ^+層）３とｐ型ソース層４とが順に形成されるとともに、トレンチ６内においてｎ^-チャネル層７を介して第２のゲート層（ｐ^+層）８が形成されている。 - 特許庁

The device is provided with a p-side electrode 10 formed so that it is brought into contact with the exposed upper face of a ridge part and a p-side pad electrode 11 which is formed on the p-side electrode 10 and has the large thickness of about 3 μm.例文帳に追加

リッジ部の露出された上面に接触するように形成されたｐ側電極１０と、そのｐ側電極１０上に形成された約３μｍの大きな厚みを有するｐ側パッド電極１１とを備える。 - 特許庁

It comprises construction laminated in turn with n-InP clad layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-InP clad layer 4, p-InGaAsP contact layer 5, and p-side electrode 6 on an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に、順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ｐ側電極６を積層した構造を有する。 - 特許庁

This vacuum seal device maintains vacuum in a hermetic package P with a laminar getter 4 formed in a predetermined portion within the hermetic package P, and the hermetic package P is formed of a part of the device body 1 and packaging substrates 2, 3.例文帳に追加

気密パッケージＰ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、デバイス本体１の一部とパッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。 - 特許庁

An N^+ type diffusion layer 3 is formed by injecting N-type impurities to the surface of a silicon board 1, a P^+ type diffusion layer 4 is formed by injecting P-type impurities, and the P^+ type diffusion layer 4 is melted by irradiation with laser beams.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にＮ型不純物を注入してＮ^＋型拡散層３を形成し、Ｐ型不純物を注入してＰ^＋型拡散層４を形成し、レーザ光を照射してＰ^＋型拡散層４を溶融させる。 - 特許庁

When the paper turning-over means 3 is driven, travel of the paper P in the direction B of paper width is regulated by a paper feeding fence 1, a part in the vicinity of a rear end corner part moves in the oblique direction and is lifted inward to separate the paper P from the paper P below it.例文帳に追加

用紙めくり手段３が駆動されると、用紙Ｐは幅方向Ｂの移動を給紙フェンス１で規制され、後端角部付近が斜め方向に移動して内方で持ち上がり、下方の用紙Ｐと分離される。 - 特許庁

Then, the control system performs the release control of the nip of the printing paper P until the rear end of the printing paper P passes the guide roller 3 and the timing roller 4, and turns the guide release solenoid off when the printing paper P has passed.例文帳に追加

そして、制御系は、印刷用紙Ｐの後端がガイドローラ３ならびにタイミングローラ４を通過するまで印刷用紙Ｐのニップを解放制御し、印刷用紙Ｐの通過完了後、ガイド解放ソレノイドをオフ状態に戻す。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

Further, the unit 3 is not drawn from or inserted into the direction of an optical axis P, but the board 11 is drawn from or inserted into the unit exit/entrance 14, formed at the side face of a housing 3 in a direction perpendicularly crossing the optical axis P in the housing 3.例文帳に追加

更に、この照明ユニット４は、光軸Ｐ方向に抜き差しさせるのではなく、筺体３の側面に形成したユニット出入口１４に対し、取付け基板１１が筺体３内の光軸Ｐを垂直に横切る方向に抜き差しされる構成になっている。 - 特許庁

Further, when a p-type impurity region 4 is formed on the n-type impurity region 3, only the n-type impurity region 3 is formed, in advance, or that both the n-type impurity region 3 and the p type impurity region 4 can be formed in advance.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域３の上にｐ型不純物領域４を形成する場合、ｎ型不純物領域３だけを先に形成したり、あるいは、ｎ型不純物領域３とｐ型不純物領域４の両方を先に形成することが可能である。 - 特許庁

The semiconductor device having an N-type SiC layer 3, which has a hexagonal crystal structure, a P-type SiC region 4 provided on the main plane of the N-type SiC layer 3, and a P-type conductive layer 6 provided on the surface of the P-type SiC region 4, wherein the P-type SiC region 4 includes cubic structure SiC in the part touching the P-type conductive layer 6.例文帳に追加

六方晶構造を有するＮ型ＳｉＣ層３と、Ｎ型ＳｉＣ層３の主面に設けられたＰ型ＳｉＣ領域４と、Ｐ型ＳｉＣ領域４の表面上に設けられたＰ型導電層６と、を備え、Ｐ型ＳｉＣ領域４のうちのＰ型導電層６に接する部分は、立方晶構造のＳｉＣを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

An operation propriety decision section 3 decides the propriety for each operation based on operation information from a reproduction section P.例文帳に追加

操作可否判断部３は、再生部Ｐから得られる操作情報に基づいて、操作ごとの可否を判断する。 - 特許庁

The carrier stopper 3 is disposed in the print head 1 so as to be located closer to a printing paper sheet P than a ribbon mask 2.例文帳に追加

印字ヘッド１に、リボンマスク２よりも印字用紙Ｐに近い位置となるように、キャリアストッパ３を設ける。 - 特許庁

A RESURF (reduced surface field) isolation region is demarcated by a p-impurity region 3 in an n^--semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ不純物領域３によってｎ^−半導体層２内にＲＥＳＵＲＦ分離領域が区分されている。 - 特許庁

A pick up roller 11 presses against the uppermost layer of the paper P on the lift plate 3 and feeds out the same to a downstream side.例文帳に追加

ピックアップローラ１１は、リフト板３上の用紙Ｐの最上層に圧接して下流側へと送り出す。 - 特許庁

The pickup roller 11 is provided above the downstream part of the lift plate 3 to be brought into pressure contact with the uppermost layer of the paper sheets P.例文帳に追加

ピックアップローラ１１は、リフト板３の下流部上方に備えられ、用紙Ｐの最上層に圧接する。 - 特許庁

A guide plate 5 guides the product P being transferred to the inside of the container 1 in an area from the rotating plate 3 to the container 1.例文帳に追加

案内板５は移送中の製品Ｐを回動板３との間でコンテナ１の内側まで案内する。 - 特許庁

A p body region 4 and an n buffer region 7 are provided separately on the surface layer of an n^- drift region 3.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域３の表面層にｐボディ領域４と、ｎバッファ領域７とが離れて設けられている。 - 特許庁

Since a part of the foams 3 opens on the polishing surface P of the polishing pad 1, opening holes 4 are formed.例文帳に追加

研磨パッド１の研磨面Ｐでは発泡３の一部が開孔しており、開孔４が形成されている。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A p well 12, an n well 14 and an n well 16 are formed in the semiconductor board of the SRAM part 3.例文帳に追加

ＳＲＡＭ部３の半導体基板内には、ｐウェル１２、ｎウェル１４、ｎウェル１６が形成されている。 - 特許庁

As a result, a slide motion in the vertical direction of the shaft 3 is blocked to maintain the projection angle of a projector P constant.例文帳に追加

その結果、シャフト３の上下方向のスライドが阻止されて、プロジェクタＰの投射角度が一定に維持される。 - 特許庁

The cross flow fan 3 is placed on a base member 1 so that the under half thereof is positioned inside the path P.例文帳に追加

クロスフローファン３は下半部が通路Ｐの内部に位置するようにベース部材１の上方に配置されている。 - 特許庁

The mat-like bedding body P has an upper component 2, a middle component 3 and a lower component 4.例文帳に追加

マット状寝具本体Ｐは上部構成体片２と中部構成体３と下部構成体４とを備えている。 - 特許庁

In the lateral junction type field effect transistor, an n-type epitaxial layer 4 and a gate region 5 are formed successively on a p^--epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル層３上に、ｎ型エピタキシャル層４とゲート領域５とが順に形成されている。 - 特許庁

A P^---type impurity layer 12 is provided under N^--type impurity layers 2 and 3 which become a drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのドレインとなるＮ^−型不純物層２、３の下に、Ｐ^−−型不純物層１２を設ける。 - 特許庁

For example, the rotation axis P of the irradiation unit 3 is arranged inclined to the long side direction X of the building 6.例文帳に追加

例えば、照射装置３の回転軸Ｐを建屋６の長辺方向Ｘに対して傾斜して配置する。 - 特許庁

In the pyrolysis chamber 3, a feed port 6 for substances P to be treated and an exhaust outlet 7 for the combustible gas G1 are provided.例文帳に追加

熱分解室３には被処理物Ｐの供給口６と可燃性ガスＧ１の排気口７とを設ける。 - 特許庁

The sensor rotor 2 is concentrically fitted to a hub 1 for a wheel, and the wheel speed sensor P is fitted to a hub cap 3.例文帳に追加

車輪用ハブ１にセンサロータ２を同一心に取付け、ハブキャップ３には車輪速センサＰを取付ける。 - 特許庁

(1) A rib 3 is disposed at a position x1 corresponding to a machining point P on which a maximum shearing load Fy exerts.例文帳に追加

（１）最大のせん断荷重Ｆｙが作用する加工点Ｐに対応する位置ｘ１にはリブ３を配置する。 - 特許庁