「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

This production facility P is provided with an injection molding machine 2, the first die replacing machine 3, and a die automatic opening and closing device 4.例文帳に追加

生産設備Ｐは、射出成形機２、第１金型交換機３、及び金型自動開閉装置４を備える。 - 特許庁

An air hole P which can vent the bubbles of the gap 5 to the outside of the outer shell body R is provided to the skin plate 3.例文帳に追加

スキンプレート３には、空隙５の気泡を外殻体Ｒの外方に抜くことができる空気孔Ｐを備えている。 - 特許庁

After that, the transparent electrode 4 (ITO) is formed on the p-type a-Si layer 3, without conducting breaking to the atmosphere (d).例文帳に追加

その後、大気ブレイクすることなく、ｐ型ａ−Ｓｉ層３上に透明電極４（ＩＴＯ）を形成する（ｄ）。 - 特許庁

A p-type silicon region 5 having circular openings periodically is formed on the surface of an n-type silicon region 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン領域３の表面に、円形の開口部を周期的に有するｐ型シリコン領域５を形成する。 - 特許庁

(by mol); (B) RF/L=(1/3)-(1/15) (by weight); and (C) P/RFL=(1/10)-(1/15) (by weight).例文帳に追加

（Ａ）Ｒ／Ｆ＝１／０．５〜１／３ （モル比）（Ｂ）ＲＦ／Ｌ＝１／３〜１／１５ （重量比）（Ｃ）Ｐ／ＲＦＬ＝１／１０〜１／１５ （重量比） - 特許庁

A p-type semiconductor diamond layer 3 serving as a light emitting layer is selectively formed on the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加

また、高抵抗ダイヤモンド層２上には、発光層となるｐ型半導体ダイヤモンド層３を選択的に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on a P-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

A PIN diode 2 comprises an anode electrode 6, a P layer 3, an I layer 4, an N layer 5, and a cathode electrode 7.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２は、アノード電極６、Ｐ層３、Ｉ層４、Ｎ層５およびカソード電極７により構成される。 - 特許庁

The thickness of the polyurethane sheet 2 becomes approximately uniform and a polishing surface P having the approximately uniform opening diameter of the foamings 3 is formed.例文帳に追加

ポリウレタンシート２の厚さがほぼ一様となり、発泡３の開孔径が略均一な研磨面Ｐが形成される。 - 特許庁

The thickness of the metal plating layer 3 in a midportion (P portion) of the resin substrate 2 is preferably 5 μm or more.例文帳に追加

樹脂基材２の中央部（Ｐ部位）における金属めっき層３の厚みは５μｍ以上であることが好ましい。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P type buried diffusion layer 4 is formed on a substrate 2 and an epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、基板２とエピタキシャル層３とにＰ型の埋込拡散層４が形成されている。 - 特許庁

When the suction pump P is activated, the urine received by the receiver 3 is suctioned and is discharged outside the chassis 2.例文帳に追加

吸引ポンプＰが作動すると、レシーバ３によって受け容れられた尿が吸引され、シャーシ２外に排出される。 - 特許庁

When the user presses an arbitrary operating button P, a corresponding switch 3 is actuated accordingly to turn an antenna 2 on.例文帳に追加

使用者が任意の操作ボタンＰを押すと、これと連動して対応するスイッチ３が動作し、アンテナ２がＯＮになる。 - 特許庁

A p-type amorphous silicon film 3 and a surface electrode 4 are formed successively on an i-type amorphous silicon film 2.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜２上にｐ型非晶質シリコン膜３および表面電極４が順に形成されている。 - 特許庁

In a nitrogen atmosphere, the laminate structure portion 3 is subjected to annealing processing for activating p-type impurities.例文帳に追加

そして、窒素雰囲気中において、積層構造部３に対して、ｐ型不純物を活性化させるアニール処理を行なう。 - 特許庁

This vehicle seat comprises a seat backrest 5, a seat body 4, and a support 3 installed on a floor P of a vehicle.例文帳に追加

乗物シートは、シート背もたれ５と、シート本体４と、乗物の床Ｐ上に取り付けられた支持体３とを有する。 - 特許庁

For example, the rotation axis P of the irradiation device 3 is arranged inclined to the direction X of the long side of the building 6.例文帳に追加

例えば、照射装置３の回転軸Ｐを建屋６の長辺方向Ｘに対して傾斜して配置する。 - 特許庁

An N+ region 2, which is to be a source and drain, is formed on a P-type substrate 1, and then an SiO2 film (oxide film) 3 is formed.例文帳に追加

Ｐ型基板１にソースおよびドレインとなるＮ＋領域２を形成し、ＳｉＯ_2膜（酸化膜）３を形成する。 - 特許庁

A lift plate 3 having paper P mounted thereon is provided on an inner bottom surface of a paper storage part 2 of a paper feeding device 1.例文帳に追加

用紙供給装置１の用紙収容部２の内底面には、用紙Ｐが積載されたリフト板３を備える。 - 特許庁

The hemiacetal hydroxyl group of a saccharide containing the hemiacetal hydroxyl group can be specifically oxidized by Acinetobacter baumannii No.7W2-3 (FERM P-17,631), Burkholderia cepacia No.24-2-1 (FERM P-17,632), deuteromycetes 28-2 strain (FERM P-18,103) or deuteromycetes DK-3 strain (FERM P-18,104).例文帳に追加

アシネトバクター バウマンニ Ｎｏ．７Ｗ２−３（Acinetobacter baumannii Ｎｏ．７Ｗ２−３）（ＦＥＲＭ Ｐ−１７６３１）、ブルクホルデリア セパシア Ｎｏ．２４−２−１（Burkholderia cepacia Ｎｏ．２４−２−１）(ＦＥＲＭ Ｐ−１７６３２）、不完全菌類２８−２株(ＦＥＲＭＰ−１８１０３）および不完全菌類ＫＤ−３株(ＦＥＲＭ Ｐ−１８１０４）によれば、ヘミアセタール水酸基を有する糖の前記水酸基を特異的に酸化することができる。 - 特許庁

This method for producing the Japanese paper-formed article is provided by filling a filler at the inside of a net 3, immersing the net 3 filled with the filler into a solution M dispersed with paper raw material to make paper P on the surface of the net 3.例文帳に追加

網３の内側に、充填材ｆを充填し、充填材ｆを充填した網３を、紙原料を分散した溶液Ｍ中に浸漬し、網３の表面に紙Ｐを抄くようにした。 - 特許庁

Moreover, in consideration of influence affected to a gain P of the adaptive filter 3 by variation of a filter length of the adaptive filter 3, a filter length search section 6 dynamically searches the filter length required for the adaptive filter 3.例文帳に追加

また、フィルタ長探索部６が、適応フィルタ３のフィルタ長の変化が適応フィルタ３の利得Ｐに及ぼす影響を考慮して、適応フィルタ３に必要なフィルタ長を動的に探索する。 - 特許庁

To provide a dispersion liquid being stable in the manufacture of a material, 1,5-(3-oxopentene)=bis(3-3'-(p-toluensulfonyl)ureido)benzoate, which provides a heat-sensitive recording body being excellent in image stability.例文帳に追加

画像安定性に優れた感熱記録体を提供する材料１，５−（３−オキソペンチレン）＝ビス（３−３’−（ｐ—トルエンスルホニル）ウレイド）ベンゾエートの製造上安定した分散液を提供することを目的とする。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

The fluoran compound represented by formula (1), such as 3-di(n-amyl)amino-6-methyl-7-(N-p-tolylsulfonylaminocarbonyl)anilinofluoran, is obtained by the reaction of a fluoran compound, e.g. 3-di(n-amyl)amino-6- methyl-7-anilinofluoran, with an isocyanate compound such as p-tolylisocyanate and p-tolylsulfonyl isocyanate.例文帳に追加

３−ジ（ｎ−アミル）アミノ−６−メチル−７−（Ｎ−ｐ−トリルスルホニルアミノカルボニル）アニリノフルオランなどの一般式（１）で示されるフルオラン化合物は、例えば３−ジ（ｎ−アミル）アミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランなどのフルオラン化合物とｐ−トリルイソシアネート、ｐ−トリルスルホニルイソシアネートなどのイソシアネート化合物との反応により得られる。 - 特許庁

A lower end level of the regulating body 26 is set in a position near a delivery height level where the photographic paper P is delivered from the conveying mechanism 3, and thereby, the speed is reduced by abutting with the regulating body 26 when the photographic paper P delivered from the conveying mechanism 3 is floated, and the photographic paper P is suitably dropped on an upper surface of the tray T.例文帳に追加

この規制体２６の下端レベルを搬送機構３から印画紙Ｐが排出される排出高さレベルの近傍位置に設定することにより、搬送機構３から排出された印画紙Ｐが浮き上がる場合には規制体２６との接触により減速させ、トレイＴの上面に適正に落下させる。 - 特許庁

The electrostatic atomizer includes: a substrate 10; an N-type pattern 3 formed on the substrate 10 using an N-type thermoelectric material; a P-type pattern 4 formed on the substrate 10 using a P-type thermoelectric material; and a discharge electrode 6 connected between the N-type pattern 3 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

静電霧化装置は、基板１０と、Ｎ型熱電材料を用いて基板１０上に形成されたＮ型パターン３と、Ｐ型熱電材料を用いて基板１０上に形成されたＰ型パターン４と、Ｎ型パターン３とＰ型パターン４の間に接続される放電電極６とを備えたものとする。 - 特許庁

Because a portion which does not have the filled conductor 3 in the penetration hole 2 functions as a guide hole of a metal pin P, the connection of the metal pin P to the conductor 3 is easy and secure, and by a conductive path including the metal pin P, the semiconductor device and the external electric circuit 6 can be electrically connected easily and securely.例文帳に追加

貫通孔２のうち導体３が充填されていない部分が金属ピンＰのガイド孔として機能するため、金属ピンＰと導体３との接続が容易かつ確実であり、金属ピンＰを含む導電路によって半導体素子と外部電気回路６とを容易かつ確実に電気的に接続させることができる。 - 特許庁

A bill discriminator 1 comprises a carrying belt 2 carrying a bill P along a carrying passage 3, a reference roller 6 having a circumferential surface 7 flushed with the carrying passage 3 and exposed, an optical device 4 optically detecting the surface of the bill P carried, and a guide member 10 for preventing scattering of the bill P.例文帳に追加

紙幣判別装置１は、搬送路３に沿って紙幣Ｐを搬送する搬送ベルト２、搬送路３に面一で露出した周面７を有する基準ローラ６、搬送される紙幣Ｐの表面を光学的に検出する光学装置４、および紙幣Ｐの飛散を防止するためのガイド部材１０を有する。 - 特許庁

The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.例文帳に追加

ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁

The system is provided with an image scanner 3 for reading personal images previously printed on a bankbook P, and when a customer brings the bankbook P and personal information, the personal information is entered from a photograph 13 or the like by the image scanner 3 and a personal image entered in the end leaves of a cover of the brought bankbook P is printed out by a printer 4.例文帳に追加

通帳Ｐに予め印刷されている個人画像を読取るイメージスキャナ３を設け、顧客が通帳Ｐと個人情報を持参した際に、写真１３等からイメージスキャナ３により個人情報を取り込み、持参した通帳Ｐの表紙の見返し部に取り込んだ個人画像をプリンタ４により印刷する。 - 特許庁

A friction coefficient between the separating pad 11a and paper P in a paper feeder is set larger than a friction coefficient between the mutual paper P, and is set smaller than a friction coefficient between the paper P and a roller surface of the paper feeding roller 3, and is set larger than a friction coefficient between the paper P and a guide surface of a paper guide member 16.例文帳に追加

分離パッド１１ａと用紙Ｐとの間の摩擦係数は，用紙Ｐ相互間の摩擦係数より大きく，かつ，用紙Ｐと給紙ローラ３のローラ面との間の摩擦係数より小さく設定されているとともに，用紙Ｐと用紙ガイド部材１６のガイド面との間の摩擦係数より大きく設定されている。 - 特許庁

A friction coefficient between a separation pad 11a and paper P is set to be larger than a friction coefficient between two sheets of paper P, smaller than a friction coefficient between the paper P and a roller surface of a paper feeding roller 3, and larger than a friction coefficient between the paper P and a guide surface of a paper guide member 16.例文帳に追加

分離パッド１１ａと用紙Ｐとの間の摩擦係数は，用紙Ｐ相互間の摩擦係数より大きく，かつ，用紙Ｐと給紙ローラ３のローラ面との間の摩擦係数より小さく設定されているとともに，用紙Ｐと用紙ガイド部材１６のガイド面との間の摩擦係数より大きく設定されている。 - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on one main surface of a sapphire board 1, and a p-side electrode 3 and an n-side electrode 4 are formed thereon to form a laser chip, wherein the p-side electrode 3 and the n-side electrode 4 are bonded on a sub-mount 5.例文帳に追加

サファイア基板１の一方の主面上にＧａＮ系半導体層２を形成し、その上にｐ側電極３およびｎ側電極４を形成したレーザチップのｐ側電極３およびｎ側電極４側をサブマウント５上に接着する。 - 特許庁

The P-type gerumanium piece 3 may be composed of a gerumanium crystal containing the inpurities of 1, 11 group atom as much as 1×1013 to 1×1022 pieces/cm3, but a P-type gerumanium layer may be formed only on the side of a padste board 4.例文帳に追加

Ｐ型ゲルマニウム片３はIII族原子の不純物を１ｘ１０^13から１ｘ１０^22個／ｃｍ^3含むようにされたゲルマニウム結晶から構成されていても良いが、台紙４側のみにＰ型ゲルマニウム層を形成した構成でも良い。 - 特許庁

In parallel with an n-channel MOS transistor 3 of p-channel MOS transistors 1 and 2 and the n-channel MOS transistor 3 connected in parallel and constituting the switch circuit, a p-channel MOS transistor 12 to perform ON/OFF operation reverse opposite to it is added.例文帳に追加

スイッチ回路を構成する並列接続されたｐチャネルＭＯＳトランジスタ１、２およびｎチャネルＭＯＳトランジスタ３のｎチャネルＭＯＳトランジスタ３と並列に、これと逆のＯＮ／ＯＦＦ動作するｐチャネルＭＯＳトランジスタ１２を付加する。 - 特許庁

The fluid source is likely to accumulate in the narrow separating groove 7 to flatten the separating groove 7, so that the step which a p-side electrode wiring 3 goes over is smaller, thus preventing the step-cut of a p-side electrode wiring 3.例文帳に追加

上記の流動体ソースは、幅の狭い分離溝７に溜まりやすく、分離溝７が平坦化され、ｐ側電極配線３が乗り越える段差を小さくすることができるので、ｐ側電極配線３の段切れを防止することができる。 - 特許庁

Total amount (about 3 μm) of a thickness of the p-side electrode 10 and the thickness of the p-side pad electrode 11 is larger than a distance (about 1.0 μm to about 2.1 μm) from an under surface of a n-type clad layer 3 under a MQW active layer 4 to the upper surface of the ridge.例文帳に追加

そして、ｐ側電極１０とｐ側パッド電極１１との合計厚み（約３μｍ）は、ＭＱＷ活性層４の下のｎ型クラッド層３の下面からリッジ部の上面までの距離（約１．０μｍ〜約２．１μｍ）よりも大きい。 - 特許庁

The nitride semiconductor device according to the present invention has the P-type contact layer 1 of a nitride semiconductor, an AuGaMg film 3 formed on the P-type contact layer 1, and an Au film 4 formed on the AuGaMg film 3.例文帳に追加

本発明による窒化物半導体装置は、窒化物半導体であるＰ型コンタクト層１と、Ｐ型コンタクト層１上に形成されるＡｕＧａＭｇ膜３と、ＡｕＧａＭｇ膜３上に形成されるＡｕ膜４とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the panel P comprising a reinforcement material 2 arranged between a pair of face plates 1, 1, a recessed groove 3 opened on the outer side of the panel P is provided in the reinforcement material 2, and the water supply pipe 10 including a spray nozzle 6 is arranged within the recessed groove 3.例文帳に追加

一対の面材１と面材１間に配置される補強材２からなるパネルＰにおいて、補強材２にパネルＰの外方に開口する凹溝３を設け、凹溝３内に噴霧用ノズル６を有する給水管１０を配設する。 - 特許庁

A back plate 21 having a flat receiving surface 26 corresponding to the printing section P of a bag 3 is disposed at the rear surface side of the bag 3, while a pair of bag pressing members 22, 23 are disposed on the front surface side (on the side where the printing section P exists) of the bag, respectively coming into contact with or separated away from one another.例文帳に追加

袋３の印字部Ｐに対応する平らな受面部２６を有する背板２１を、袋３の背面側に配置し、一対の袋押圧部材２２，２３を袋の表面側（印字部Ｐのある側）に配置し、互いに接離可能とする。 - 特許庁

An N-type GaAlAs clad layer 2 and P-type GaAlAs clad layer 4 confine injection carriers in a P-type GaAlAs active layer 3, while an N-type GaAs block layer 5 concentrates a current in the light-emission region of the active layer 3.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２およびＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４によってＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層３内の注入キャリアを閉じ込め、Ｎ型ＧａＡｓブロック層５によって、活性層３の発光領域に電流を集中させる。 - 特許庁

A wiring harness A is attached along a vehicle body panel P by inserting three anchor parts 3 disposed on an outer sheath protection member 2 of a wiring harness fixture 1 into three holes Pa formed on the vehicle body panel P and engaging the anchor parts 3 with the holes Pa.例文帳に追加

ワイヤハーネス固定具１の外装保護部材２上に配置した３箇所のアンカー部３を、車体パネルＰに形成した３箇所の孔部Ｐａにそれぞれ差し込んで係止することにより、ワイヤハーネスＡを車体パネルＰに沿って取り付ける。 - 特許庁

The field-emission-type electron source 2 is composed of a base part 3, comprising a p-type crystalline silicon layer, cone-shaped protrusions 4 comprising n-type crystalline silicon only in the top parts, and an i layer (p-crystalline silicon layer) 5 between the base part 3 and the protrusions 4.例文帳に追加

電界放射型電子源２を、ｐ型結晶シリコン層からなる基底部３と、先端部のみがｎ型結晶シリコンからなるコーン状の突起４と、基底部３と突起４との間のｉ層（ｐ^- 結晶シリコン層）５とで構成する。 - 特許庁

This pump includes: a passage P; a shaft 3 rotatably provided in the passage P; two or more blades 4 provided on the outer periphery of the shaft 3 and formed of a magnet; and a stator provided on the outer periphery of the passage to generate a rotary magnetic field.例文帳に追加

流路Ｐと、流路Ｐ内に回転自在に設けた軸３と、軸３の外周に設けた磁石で構成された複数の羽根４と、流路の外周に設けた回転磁界を発生するステータとを備えたことを特徴とするポンプ。 - 特許庁