「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A blood vessel pattern X is extracted from the frame image PF of an endoscope animation P obtained by a pattern extraction means 3.例文帳に追加

パターン抽出手段３により取得した内視鏡動画像Ｐのフレーム画像ＰＦから血管パターンＸが抽出される。 - 特許庁

A polysilicon layer 12 is deposited by an LCVD method on the entire surface of a P type silicon substrate 1, having a floating gate 3 formed thereon.例文帳に追加

フローティングゲート３が形成されたＰ型シリコン基板１上の全面にポリシリコン層１２をＬＣＶＤ法により堆積する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 3 is formed so that an n++-type drain region 104 and a p+-type well region 105 are disposed apart from each other.例文帳に追加

ｎ形半導体層３は、ｎ^++形ドレイン領域１０４とｐ^+形ウェル領域１０５とが離間して形成される。 - 特許庁

A lens unit 3 provided on the front of a camera case 2 is provided in a horizontal direction along an incident optical axis P movably.例文帳に追加

カメラケース２の前面に設けられたレンズユニット３は、入射光軸Ｐに沿って前後方向に移動自在に設けられている。 - 特許庁

The turned-over printing paper P is conveyed again to the inkjet head 1 by the conveying mechanism 3, to print the rear surface.例文帳に追加

そして、表裏反転した印刷用紙Ｐを搬送機構３により再度インクジェットヘッド１に搬送し、裏面の印刷を行う。 - 特許庁

CRYSTAL MODIFICATION OF N-PHENYL-N'-3-(4-p-TOLUENESULFONYLAMINOCARBONYLAMINOBENZOYLOXY)-PROPYLUREA USEFUL AS COLOR DEVELOPER FOR HEAT-SENSITIVE RECORDING MATERIAL例文帳に追加

感熱記録体用顕色剤Ｎ−フェニル−Ｎ’−３−（４−ｐ−トルエンスルホニルアミノカルボニルアミノベンゾイルオキシ）−プロピルウレアの結晶変態 - 特許庁

All three of the commands lpr(1) , lprm(1) , and lpq(1) accept an option -P printer-name to specify on which printer/queue to operate, as listed in the /etc/printcap file. 例文帳に追加

lpr(1)、lprm(1)、そして lpq(1) の 3コマンドは、-Pprinter-nameオプションをとり、これによって、 /etc/printcap のように操作の対象となるプリンタやキューを指定します。 - FreeBSD

In the inventive semiconductor device, an n-type epitaxial layer 4 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上にＮ型のエピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

The light beam transmitted through a diffraction element 2 and a collimator lens 3 and made incident on a beam splitter 4a is an almost all P polarized light.例文帳に追加

回折素子２及びコリメートレンズ３を透過し、ビームスプリッタ４ａに入射する光ビームはほぼＰ偏光のみとなる。 - 特許庁

The input and output sides of the buffer circuit 11 are connected to the n-type diffusion layer 2 and the p-type diffusion layer 3, respectively.例文帳に追加

バッファ回路１１の入力側がｎ型拡散層２に接続され、出力側がｐ型拡散層３に接続されている。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on the single crystal silicon layer 3 including the n-type and the p-type impurity regions 3a, 3b.例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型不純物領域３ａ，３ｂを含む単結晶シリコン層３の上には絶縁層６が形成される。 - 特許庁

An n^+ type source region 3 is formed on the p type base region 2 to bury the inside of the trench 21 completely.例文帳に追加

そして、ｎ^＋型ソース領域３をｐ型ベース領域２の上に形成することで、トレンチ２１の内部を完全に埋め込む。 - 特許庁

A ceramic material is subjected to the plasma thermal spraying P under the laser irradiation in depositing the ceramic film 3 on the surface of a work 1.例文帳に追加

被加工物１の表面にセラミック皮膜３を形成するにあたり、セラミック材料をレーザ照射Ｌ下でプラズマ溶射Ｐする。 - 特許庁

The particle size of the above particles is less than 5 nm, and more preferably, 1 nm to 3 nm, containing P by 2 atom% to 50 atom%.例文帳に追加

前記粒子の粒径は５ｎｍ未満、更に好ましくは、１ｎｍ〜３ｎｍであり、Ｐを２原子％〜５０原子％含有する。 - 特許庁

The mesa region M is formed by a semiconductor laminate composed of an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4.例文帳に追加

メサ領域Ｍは、ｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４からなる半導体積層体で形成される。 - 特許庁

A p^+-type embedded impurity region 4 is formed in an interface of the embedded impurity region 3 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

埋め込み不純物領域３と半導体層２との界面にはｐ^+型の埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

A p^+type diffusion layer 3 whose resistivity is about 0.01 Ω.cm is provided between the semiconductor substrate 2 and the CMOS 5.例文帳に追加

また、半導体基板２とＣＭＯＳ５との間に、抵抗率が約０．０１Ω・ｃｍであるｐ^＋型拡散層３を設ける。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 9 is formed on a p-type buried diffusion layer 6 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層９がＰ型の埋込拡散層６上に形成されている。 - 特許庁

A p-type base layer 4 is formed on the surface of the drain layer 3 and an n+-type source layer 5 is formed in the base layer 4.例文帳に追加

このドレイン層３の表面にｐ型ベース層４が形成され、このベース層４内にｎ^+型ソース層５が形成される。 - 特許庁

The p^+-type gate semiconductor 4 is provided on the first to the third regions 3a to 3c of the n-type drift semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ^＋型ゲート半導体部４は、ｎ型ドリフト半導体部３の第１〜第３の領域３ａ〜３ｃ上に設けられている。 - 特許庁

The toner production device P comprises: a wet type pulverization part 1; a deaeration part 2; a fine pulverization part 3; a flocculation part 4; and a framing part 5.例文帳に追加

トナー製造装置Ｐは、湿式粉砕部１と、脱気部２と、微粉砕部３と、凝集部４と、フレミング部５とを備えている。 - 特許庁

An anode electrode is connected to a p^+ type semiconductor region 6, and a cathode electrode is connected to an n^+ type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ^＋形半導体領域６にアノード電極を接続し、Ｎ^＋形半導体領域３にカソード電極を接続する。 - 特許庁

Argon is supplied to an argon supply pipe 3 and a hollow cathode plasma P is produced and jetted downward at an end 3o.例文帳に追加

アルゴン供給管３にアルゴンを供給し、端３ｏにおいて、ホローカソードプラズマＰが生じて下方に噴射されるとなる。 - 特許庁

An n+-type semiconductor region 15 of a second MISFET 14 is formed through ion-injecting n-type impurity into a p-type well 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル３にｎ型不純物をイオン注入して第２ＭＩＳＦＥＴ１４のｎ^+型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, between the transparent electrode 2 and the p-type semiconductor layer 41, an amorphous carbon layer 3 of a high coupling ratio is formed.例文帳に追加

さらに、透明電極２とｐ型半導体層４１との間には、高結合比アモルファスカーボン層３が形成されている。 - 特許庁

A P+ separating layer 3 for dividing the epitaxial layer 2 into a plurality of element regions is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１には、エピタキシャル層２を複数の素子領域に分離するためのＰ＋分離層３が形成されている。 - 特許庁

A polysilicon resistive layer 5 is formed via an insulating film 4 on the epitaxial layer 2 surrounded by the P+ separating layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋分離層３で囲まれたエピタキシャル層２上には絶縁膜４を介してポリシリコン抵抗層５が形成されている。 - 特許庁

Forwarding lights L outputted from a semiconductor laser element 1 are made incident on a diffraction element 3 as a P-polarized light and diffracted.例文帳に追加

半導体レーザ素子１から出力された往路光Ｌは、Ｐ偏光として回折素子３に入射し、回折される。 - 特許庁

A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に、高濃度ｎ型エピタキシャル層２および低濃度ｎ型エピタキシャル層３をこの順に形成した。 - 特許庁

The pallet main body 1 has an abutting frame member 3 which can be abutted against inner walls of a dry container A and other pallets P.例文帳に追加

上記パレット本体１は、ドライコンテナＡの内壁及び他のパレットＰに当接可能な当接枠体部３を有している。 - 特許庁

An N^+ embedded layer 2 and an N-type epitaxial layer 3 are formed in the main surface area of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面領域中に、Ｎ^+ 埋め込み層２およびＮ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

The palettes 22 are fed by predetermined intervals P, and the planetary shafts 3 are sequentially assembled to the sun shaft 2.例文帳に追加

パレット２２を所定間隔Ｐずつ送り、サンシャフト２を所定角度ずつ回転させて、プラネタリシャフト３を順次サンシャフト２に組付ける。 - 特許庁

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Ｐシリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介してＮ^+層２の形成されたＮ^-シリコン基板１が設けられている。 - 特許庁

A light transmissive electrode 10 composed of an Ag alloy is provided on the p-type semiconductor layer 8 in the main semiconductor region 3.例文帳に追加

主半導体領域３のｐ型半導体層８の上にＡｇ合金からなる光透過性電極１０を設ける。 - 特許庁

A mask material 4 is first formed on a p^- semiconductor substrate 3 so that a variable capacitance diode formation region is opened.例文帳に追加

まず、ｐ^-半導体基板３上に可変容量ダイオード形成領域上が開口するようにマスク材料４を形成する。 - 特許庁

This nitride semiconductor element includes: a nitride semiconductor lamination structure portion 2 including an n- type layer 3, and a p-type layer 4.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、ｎ^-型層３およびｐ型層４を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

The p-type polycrystalline SiGe film 3 is subjected to hydrogenation by hydrogen plasma to obtain (c) an n-type polycrystalline SiGe film 4.例文帳に追加

水素プラズマにより、ｐ型の多結晶ＳｉＧｅ膜３に水素処理を施して、ｎ型の多結晶ＳｉＧｅ膜４を得る（ｃ）。 - 特許庁

An n-electrode 33 is formed on the upper face of an infrared semiconductor laser element 3, and a p-electrode 32 is formed on a lower face.例文帳に追加

赤外半導体レーザ素子３の上面にはｎ電極３３が形成され、下面にはｐ電極３２が形成されている。 - 特許庁

P-channel transistors 3, 9 function as first and second constant current sources for outputting proportional constant currents.例文帳に追加

Ｐチャネルトランジスタ３および９は、互いに比例した定電流を出力する第１および第２の定電流源として機能する。 - 特許庁

When the shooting power of the shooter 23 is an ordinary value within a prescribed range, the pachinko ball P is put into the play panel part 3.例文帳に追加

打球体23による打球力が所定範囲内の通常値である場合に、パチンコ球Ｐが遊戯面部３に入る。 - 特許庁

The base color of a recording paper P is read by an image reading part 3 for reading image data of an original M.例文帳に追加

原稿Ｍの画像データを読み取るための画像読取部３によって記録用紙Ｐの下地色を読み取り可能に構成する。 - 特許庁

At the time of starting application a hydraulic pressure, the output of a P controller 12 is set to be the output of a control element 3 by switches 13, 15.例文帳に追加

油圧投入時には、切替器１３，１５により、Ｐ制御器１２の出力を制御要素３の出力とする。 - 特許庁

A lock member 4 is pivotally fixed to one end of an opening part 3 of a saddle type fastener body 1 running along a shape of the pipe P.例文帳に追加

パイプＰの形状に沿わせた鞍型の止め具本体１の開口部３の一端にロック部材４を枢着する。 - 特許庁

A large number of recessed surfaces 2 and protruded surfaces 3 are formed on a contact surface with the paper P of a base parent material 1 made of metal, and projected head ends of parts of the protruded surfaces 3 out of the large number of recessed surfaces 2 and the protruded surfaces 3 are polished and removed.例文帳に追加

金属より成る下地母材１の紙Ｐとの接触面に多数の凹面２および凸面３を形成し、且つ該多数の凹面２および凸面３のうち、凸面３部の突起先端を研磨除去する。 - 特許庁

The length of the seat belt 3 is adjusted by fastening the second belt part 5 of the seat belt 3 upward in an arrow P direction so that the second belt part 5 of the seat belt 3 is fixed by a belt fastening device 100 in its position.例文帳に追加

シートベルト３の長さ調節は、シートベルト３の第２ベルト部５を図中矢印Ｐ方向に締上げることにより、その位置でシートベルト３の第２ベルト部５がベルト締付器具１００により、固定される。 - 特許庁