「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The observation device 100 includes a sample holder 8 for holding a sample P, a blade 7 for cutting the sample P and sequentially forming a new cross-section, an optical system 3 having a first objective 11 and a second objective 12, and an electronic camera 2 for capturing an image of the cross sections of the sample P.例文帳に追加

観察装置１００は、サンプルＰを保持するサンプルホルダー８と、サンプルＰを切断し、順次新たな切断面を形成するブレード７と、第１の対物レンズ１１及び第２の対物レンズ１２を有する光学系３と、サンプルＰの切断面を撮像する電子カメラ２とを有する。 - 特許庁

In addition, when the B ions are implanted into an undoped silicon film in a p-channel MISFET formation area so as to convert it into a p-type silicon film 9p, the concentration of B of the p-type silicon film 9p adjacent to the boundary with a gate insulating film 8 is controlled to 2×10^20 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域のアンドープシリコン膜にＢをイオン注入してｐ型シリコン膜９ｐに変換する際、ゲート絶縁膜８との界面近傍におけるｐ型シリコン膜９ｐのＢ濃度を２×１０^２０atom/cm^３以下に制御する。 - 特許庁

The horizontal direction welding mechanism 3 includes a pair of first pinching members pinching the pallet P in the thickness direction, a pallet moving device horizontally moving the pinched pallet P, and a first welding device supplying the anti-slip material S1 to the pallet P for welding.例文帳に追加

水平方向溶着機構３は、パレットＰを厚さ方向に挟持する一対の第１の挟持部材と、挟持されたパレットＰを水平方向に移動させるパレット移動装置と、パレットＰへ向けて滑り止め材Ｓ１を供給して溶着する第１の溶着装置と、を含む。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3, a p-type InP spacer layer 4, a p-type InP clad layer 6 and a p-type InGaAsP contact layer 8 are sequentially laminated on an n-type InP substrate 1, and an n-type electrode 11 is disposed on the lower part of the substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８を積層し、ｎ−ＩｎＰ基板１の下部にはｎ型電極１１を配置する。 - 特許庁

When the recording paper sheets P are stacked on a stacking face 31, the delivery tray 3 opened is displaced in a direction separated from a delivery port 7 of a recording paper sheet P by a displacement amount according to an amount of the stacked recording paper sheets P.例文帳に追加

開いた状態の排出用トレイ３は、積重面３１に記録紙Ｐが積重されていくと、その積重された記録紙Ｐの自重によって、積重された記録紙Ｐの量に応じた変位量で、記録紙Ｐの排出口７から離間する方向へ変位していく。 - 特許庁

For the light-emitting element 10 formed on a substrate 1, an n-type light-emitting layer 3 composed of n-type ZnO and a p-type light-emitting layer 4 composed of p-type ZnO and formed on a lower electrode 2 composed of ZnO and an upper electrode 5 composed of ITO is formed on the p-type light-emitting layer 4.例文帳に追加

基板１上に形成された発光素子１０は、ＺｎＯから成る下部電極２上にｎ型のＺｎＯから成るｎ型発光層３及びｐ型のＺｎＯから成るｐ型発光層４を形成し、ｐ型発光層４上にＩＴＯから成る上部電極５を形成する。 - 特許庁

An n-channel MOS transistor including a P-type body layer 3a and a p-type active layer for body voltage application 6, which is brought into contact with the p-type body layer 3a, are formed on an SOI substrate formed by matching a crystal orientation <110> of a support substrate 1 with a crystal orientation <100> of an SOI layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ層３の結晶方位＜１００＞に支持基板１の結晶方位＜１１０＞を一致させて形成されたＳＯＩ基板上に、Ｐ型ボディ層３ａを含むＮチャネルＭＯＳトランジスタと、Ｐ型ボディ層３ａに接するボディ電圧印加用Ｐ型活性層６とを形成する。 - 特許庁

A liquid display part provided in an operation means 3 displays the position of the jammed paper P as well as displaying the status of all paper P existing inside the apparatus when the jamming of the paper P somewhere in the apparatus is detected by a detection apparatus S-n.例文帳に追加

操作手段３に設けられた液晶表示部は、用紙Ｐが装置内のいずれかの箇所でジャムを生じたことを検知装置Ｓ−ｎが検知した際に、当該用紙Ｐのジャムの位置を表示すると共に、装置内に存在している全ての用紙Ｐの状態を表示する。 - 特許庁

Not only the breakdown voltage is enhanced but also static electricity surge resistance can be ensured by further forming a heavily doped P type region 8 having a depth of 0.5 μm and an impurity concentration of 1×10^20/cm^3-6×10^21/cm^3 on the surface of the guard ring region 5.例文帳に追加

さらにガードリング領域５の表面に、深さ０．５μｍ、不純物濃度１×１０^20／ｃｍ^3〜６×１０^21／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型領域８を形成することにより、耐圧を高くするのみでなく静電気サージ耐量も確保できることとなる。 - 特許庁

Since the relation 0.75×D≤C≤D holds, where C is the hole density of the p-type clad layer 7 and D is activation rate of the holes and further a relations 1.5×1017 cm-3≤C≤9.5×1017 cm-3 is valid, the semiconductor LD1 shows a high optical output.例文帳に追加

このｐ型クラッド層７の正孔濃度Ｃと正孔の活性化率Ｄとの間に０．７５×Ｄ≦Ｃ≦Ｄの関係があり、且つ、１．５×１０^17ｃｍ^-3≦Ｃ≦９．５×１０^17ｃｍ^-3の関係があるため、半導体ＬＤ１は高い光出力を示す。 - 特許庁

A variable prize winning device 5 is attached to a game board 3 in a state of being inserted into the attaching hole 17 of the game board 3 and includes a receiving port 23 and a discharge port 29 for game balls P.例文帳に追加

可変入賞装置５は、遊技盤３の取付穴１７に通された状態で遊技盤３に取り付けられ、遊技球Ｐの受入口２３及びその排出口２９を有する。 - 特許庁

The P-ON microcomputer 2 starts the main IC 3 when the main IC 3 is not in an operated state, and obtains a remote control lock mode stored in the flash memory 7 to store it in a RAM 20.例文帳に追加

また、Ｐ−ＯＮマイコン２は、メインＩＣ３が起動していない場合にはメインＩＣ３を起動して、フラッシュメモリ７に記憶したリモコンロックモードを取得して、これをＲＡＭ２０に記憶する。 - 特許庁

A partition member 4 is arranged to partition a boundary P of the different colors lighted and displayed by these light emitting sources 3 and the light rays of the different colors emitted from the light emitting sources 3 are shielded from each other.例文帳に追加

該発光源３により点灯表示された異色の境界Ｐを仕切るように仕切枠部材４を配置し、発光源３から発する異色同士の光を互いに遮蔽する。 - 特許庁

When the door opening/closing signal d from the transmission antenna 24 is received by a reception antenna 32 of an on-board unit 3, a permission signal p is transmitted as a reply from a transmission antenna 33 of the on-board unit 3.例文帳に追加

この送信アンテナ２４からのドア開閉信号ｄを車載機３の受信アンテナ３２で受信すると、車載機３の送信アンテナ３３から許可信号ｐが返信される。 - 特許庁

In so doing, the respective assembly parts P thrown onto the bottom part 2 have the periphery part 2a of the bottom part 2 surrounded by the surrounding wall part 3, so that the parts do not stick out of the surrounding wall part 3.例文帳に追加

このとき、底部２上に放り出された組立各パーツＰは、この底部２の周縁部２ａが周壁部３に囲まれているため、周壁部３より外に飛び出すことがない。 - 特許庁

At a first using time when a cab 6 is mounted to an aircraft 3 and passengers get on and off, the shift amount Y2 of the aircraft 3 from the normal stop position P is detected.例文帳に追加

キャブ６を航空機３に装着して乗客の乗り降りが行われる第１回目の使用時に、航空機３の正規の停止位置Ｐからのずれ量Ｙ２を検出する。 - 特許庁

Compartments are provided to correspond to a plurality of the structures 1, and the air pressure P applied to the compartments 3 is adjusted to match the load of the structures 1 applied to the compartment 3.例文帳に追加

複数の構造物１に対応して区画室を設け、この区画室３に掛かる構造物１の荷重に対応して区画室３に加える空気圧力Ｐを調整する。 - 特許庁

The spider 2 and the blade 3 adopt a row rivet superposing joint structure wherein central positions of superposing parts of the spider 2 and the blade 3 are connected to each other in a row at a pitch p with a rivet 4.例文帳に追加

スパイダー２とブレード３とは、両者の重ね合わせ部の中心位置をピッチｐで１列にリベット４により接合された１列リベット重ね継手構造を採っている。 - 特許庁

When the cutting machine 3 moves downward by its own weight, a band saw 35 of the cutting machine 3 cuts the pipe P received in the storage recess 26 into two front and rear equal parts.例文帳に追加

切断機３がその自重によって下方へ移動するとき、切断機３のバンドソー３５が収容凹部２６に収容された管体Ｐを前後に二等分するように切断する。 - 特許庁

A self-propelling device is provided with a saddle 3 provided with first clamps 1, 2 arranged on the lower side for gripping an existing pile P and a sliding unit 4 freely movable in the longitudinal direction and freely rotational in the lateral direction relative to the saddle 3.例文帳に追加

自走装置は、既設杭Ｐを掴む第一クランプ１，２を下側に備えたサドル３と、サドル３に対して前後に移動自在で、左右に回転可能なスライド部４を有する。 - 特許庁

Furthermore, a punch equal velocity shifting mechanism F for approaching the lower end part 9a of the upper punch 9 and the upper end part 10a of the lower punch 10 at the equal velocity to the mating face position P of the upper and the lower dies 3, 3 is arranged.例文帳に追加

さらに、上下の金型３，３の合わせ面位置Ｐに上パンチ９の下端９ａと下パンチ10の上端10ａを等速度で接近させるパンチ等速移動機構Ｆを設ける。 - 特許庁

A pickup roller 3 and a rotating plate 6 are fixed with an arm 5 such that the rotating plate 6 is moved along with the movement of the pickup roller 3 in accordance with the remaining quantity of the paper sheets P.例文帳に追加

ピックアップローラ３と回転板６とをアーム５に取り付けて、用紙Ｐの残量に応じてピックアップローラ３が移動すると、それに伴って回転板６が移動するように構成する。 - 特許庁

Lugs 3 are provided along the longitudinal direction on the shielding panel P fitting faces of vertical sash bars 2, 2, and hook-shaped notches 6a, 6b having recesses 7 on the lower faces are formed on the lugs 3.例文帳に追加

縦桟２，２の遮蔽パネルＰ取付面には、その長さ方向に沿って突起部３を設け、突起部３には鉤状で下面に凹部７を有する切欠部６ａ,６ｂを形成する。 - 特許庁

The irradiation unit 3 is a thin type in which the length in a rotation axis P line direction is short and a part having the maximum width of the irradiation unit 3 is arranged along the maximum width of the installation space 8.例文帳に追加

そして、照射装置３は、回転軸Ｐ線方向での長さが短い薄型とし、照射装置３の最大幅となる部分を設置スペース８の最大幅に沿って配置する。 - 特許庁

The elasticity is ≤90%, the twisted pitch p of the coiling wire 3 is 5.0-10.0 mm, and the carbon content of the steel material of the coiling wire 3 is 0.50-0.65%.例文帳に追加

エラスティシティーが９０％以下であり、巻き付けワイヤ３の撚りピッチｐが５．０〜１０．０ｍｍであり、かつ、巻き付けワイヤ３の鋼材の炭素含有量が０．５０〜０．６５％である。 - 特許庁

A plurality of band-shaped projections 6, which extend in the direction of 90±3° to a tire circumferential direction, are formed on the outer wall of a side wall part 3 at a predetermined interval P to the tire circumferential direction.例文帳に追加

サイドウォール部３の外壁にタイヤ周方向に対して９０±３°の方向に延びる複数の帯状の突起６をタイヤ周方向に対して所定の間隔Ｐを隔てて形成した。 - 特許庁

This frothing inhibitor contains components selected from a group comprising benzyl acetate, linalool, sis-3-hexenol, phenylethyl alcohol (Rose P), cineol, sis-3-hexenyl acetate.例文帳に追加

ベンジルアセテート、リナロール、シス−３−ヘキセノール、フェニルエチルアルコール（Ｒｏｓｅ Ｐ）、シネオール、シス−３−ヘキセニルアセテートからなる群より選択される成分を含有することを特徴とする起泡抑制剤。 - 特許庁

The original P on the transparent plate 3 is attracted to the charged first and 2nd electrode patterns 31, 32 by the action of electrostatic induction and stuck and fixed on the transparent plate 3.例文帳に追加

透明板３上の原稿Ｐは、帯電された第１電極パターン３１，第２電極パターン３２に静電誘導の作用で吸い付けられ、透明板３上に吸着されて固定される。 - 特許庁

In pressing into a hose H a pipe P that is fixed to and supported by a holder 4 on a slider 3 in advance, the slider 3 is slid by the application of the pressing force.例文帳に追加

スライダ３上のホルダ４に予め固定支持されているパイプＰに対してホースＨを圧入するにあたり、その圧入力の付与によってスライダ３をスライド移動させる。 - 特許庁

The photovoltaic device is provided with an n-type layer 3, a photoelectric conversion layer 4 formed on the n-type layer 3, and a p-type layer 5 formed on the photoelectric conversion layer 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に形成された光電変換層４と、光電変換層４上に形成されたｐ型層５とを備えている。 - 特許庁

This paper feeding cassette 1 is provided with a lift plate 3 mounted with paper P on an upper surface and a driving device 10 for pushing up a downstream end of the lift plate 3 to be displaced to a paper feeding position.例文帳に追加

給紙カセット１は、用紙Ｐが上面に載置されるリフト板３と、このリフト板３の下流端を押し上げて給紙位置に変位させる駆動装置１０とを備える。 - 特許庁

In this thermoelectric conversion module 1, a serial circuit is constituted by alternately arranging p-type thermoelectric elements 2 and n-type thermoelectric elements 3 and successively connecting the thermoelectric elements 2 and 3 to each other through conductive members 4.例文帳に追加

熱電変換モジュール１は、ｐ型の熱電素子２とｎ型の熱電素子３とを交互に配列し、導電性部材４で順次接続して直列回路を構成する。 - 特許庁

By this engagement, the stirring blades 5 are rotated so as to scratch and level the raw material powder p to the front part of the moving direction of the shoe box 3 in both the cases of the progress/retreat of the shoe box 3.例文帳に追加

この噛み合いにより、撹拌羽５は、シューボックス３の前進・後退いずれの場合においても、シューボックス３の移動方向前方に原料粉末ｐを掻き均すように回転する。 - 特許庁

An n-well NW1 is formed on the surface of a p-type substrate PSub and a gate insulating film 2 as well as a gate electrode 3 are formed thereon, then, the gate electrode 3 is connected to a gate terminal Vg.例文帳に追加

Ｐ型基板ＰＳｕｂの表面にＮウエルＮＷ１を形成し、その上にゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成し、ゲート電極３をゲート端子Ｖｇに接続する。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 3 is formed on the optical receiver surface side of a p-type silicon substrate 2, while an anti-reflective coating 4 and a silver electrode 7 for the optical receiver surface are attached on the diffusion layer 3.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。 - 特許庁

In addition, the irradiation device 3 is a thin type having a length short in the direction of a rotation-axial line P and the portion with the maximum width of the irradiation device 3 is arranged along the maximum width of the installation space 8.例文帳に追加

そして、照射装置３は、回転軸Ｐ線方向での長さが短い薄型とし、照射装置３の最大幅となる部分を設置スペース８の最大幅に沿って配置する。 - 特許庁

A space charge zone 10 is expanded vertically to the region 3 of the second conductivity type, and laterally to an epitaxial layer 2 in a p/n junction 11 as well as to the region 3.例文帳に追加

空間電荷ゾーン１０の拡大は、垂直方向では第２の伝導型の領域３へ行い、横方向では領域３だけでなくエピタクシー層２へもｐｎ接合１１で行う。 - 特許庁

The light-path control pattern P totally reflects incident light toward a metal reflecting film 3 side, and totally reflects reflected light from the reflecting film 3 toward the light-emitting face 2c.例文帳に追加

この光路制御パターンＰは、入射光を金属反射膜３側へ向けて全反射させ、反射膜３からの反射光を光出射面２ｃに向けて全反射させる。 - 特許庁

When the donor impurities are doped to the p-base area, a dose x of the donor impurities is set according to a formula, 1×1011 cm-3<x<5QB/q (QB =4ε0εSΦBNA)1/2.例文帳に追加

ｐベース領域へのドナー不純物の注入による場合は、ドナー不純物のドーズ量ｘを １×１０^11ｃｍ^-3＜ｘ＜５Ｑ_B ／ｑ Ｑ_B ＝（４ε_0 ε_S Φ_B Ｎ_A ）^1/2 とする。 - 特許庁

At the drilled part Q, the flange part 4 of the repair pipe 1 is abutted on the inner surface of the main pipe P, and the cylindrical body 3 of the repair pipe 1 is heated and pressurized from its inside to expand the cylindrical body 3.例文帳に追加

穿孔部Ｑにおいては補修管１のフランジ部４を本管Ｐの内面に当接させ、補修管１の筒体３内より加熱及び加圧して筒体３を拡径膨張させる。 - 特許庁

The lateral blade 30 is curved at a curvature radius R2 toward the backside of the rotating direction of the rotary shaft 3 according to the increase of the distance L from the rotary center P of the rotary shaft 3.例文帳に追加

横刃３０は、回転軸３の回転中心Ｐからの距離Ｌが大きくなるに従って回転軸３の回転方向後側に曲率半径Ｒ２を有して湾曲する。 - 特許庁

As a result, the combustion performance of the cookstove burner 3 is improved, and a distance h between the cookstove burner 3 and a cooking pan P is reduced to enhance the heat efficiency.例文帳に追加

この結果、こんろバーナ３の燃焼性能は向上させられるので、こんろバーナ３と調理鍋Ｐとの距離ｈを縮めて熱効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a base layer part of an epitaxial layer 3 forms an N^- type region 4, and a P-type body region 5 in contact with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^-型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

Where, M expresses a transition metal, A^a+ expresses a metal ion, a proton, or an onium ion, a expresses 1-3, b expresses 1-3, p expresses b/a, m expresses 1-4, n expresses 1-8, and q expresses 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属等，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element for obtaining a p-type nitride semiconductor layer with low resistance having holes at concentrations of ≥10^18/cm^3 without the need for annealing and substrate processing.例文帳に追加

窒化物半導体素子において、アニーリングや基板の加工を必要としないで、ホール濃度が１０^１８ｃｍ^-3以上ある低抵抗のｐ型窒化物半導体層を可能にする。 - 特許庁