「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A center of a curvature C of the inner peripheral face 8 of the outer ring 3 is located on an axis P and at a position bisecting the width O of the outer ring 3 or at a position close to the end face 3a from the bisecting position.例文帳に追加

外輪３の内周面８の曲率の中心Ｃは軸線Ｐ上でかつ外輪３の幅を二等分する位置またはこの位置から端面３ａよりに位置している。 - 特許庁

P=πr^2nt/M^2/3≥10, in the equation, r: maximum length from stirring shaft surface to stirring impeller end (cm), n: revolution number of stirring (number/min), t: stirring time (min), M: total weight of liquid material (g).例文帳に追加

Ｐ＝πｒ^2 ｎｔ／Ｍ^2/3 ≧１０ 〔但し、ｒ：攪拌軸面から攪拌翼端までの最大長さ（ｃｍ）、ｎ：攪拌回転数（回／分）、ｔ：攪拌時間（分）、Ｍ：液体原料の合計重量（ｇ）〕 - 特許庁

A plurality of supporting members 3 are raised around the protected object P at prescribed intervals Ls and a plurality of the wires 2 are extended in the vertical direction of the supporting members 3 at prescribed intervals Wa.例文帳に追加

被保護物Ｐの周りに複数の支持材３…を所定の間隔Ｌｓ…おきに起設し、支持材３…の上下方向に複数の線材２…を所定の間隔Ｗａ…を空けて架け渡す。 - 特許庁

In formula (3), R^6 to R^8 are each a 1-12C organic group; and A is a group constituted of H, C, N, O, F, S, Si, and/or P.例文帳に追加

（３）中、Ｒ^６〜Ｒ^８は炭素数１〜１２の有機基、ＡはＨ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｓ、Ｓｉ及び／又はＰから構成される基。 - 特許庁

The second pressure chamber 9 in the central area 3b of the slider 3 is exposed through a primary pressure port 1a to a primary pressure P.例文帳に追加

摺動子３の中央領域３ｂ内の第２の圧力室９は、一次圧力口１ａを介して一次圧力Ｐに曝される。 - 特許庁

In addition, an n-type diffusion layer 6 is provided on the layer 2, and an n-type diffusion layer 6' is provided in the p-type layer 3'.例文帳に追加

また、ｎ型埋め込み層２の上にはｎ型拡散層６が、ｐ型埋め込み層３´にはｎ型拡散層６´が設けられている。 - 特許庁

At the same time, a road map of the parking lot 1 and the path P leading the vehicle to the block K are shown on a path guide panel 3.例文帳に追加

駐車場内の道路地図とともに、選定された空き駐車ブロックＫまでの経路Ｐを経路誘導板３に表示する。 - 特許庁

Then, after arsenic (As) that becomes a p-type impurity is injected, annealing is made, and a source region 2 and a drain region 3 are formed, thus completing an MFSFET.例文帳に追加

次に、n型不純物となる砒素（As）を注入後、アニールを行い、ソース領域２、ドレイン領域３を形成してMFSFETを完成させる。 - 特許庁

Further, it may be possible to specify protocols by the cache lines of the cache memories 3 by providing bits P specifying protocols for the cache lines.例文帳に追加

また、キャッシュメモリ３の各キャッシュラインにプロトコルを指定するビットＰを設け、キャッシュライン毎にプロトコルを指定できるようにしてもよい。 - 特許庁

An apron reinforcement 3 is protruded forward of a root of a front pillar P, and a connection member 5 is provided in front thereof.例文帳に追加

またフロントピラーＰの付け根から前方にエプロンレインフォースメント３が設けられており、更にその前方に連結部材５が設けられている。 - 特許庁

A conveyor belt 2 for conveying an electrode grid body G, and a paste-filling machine 3 for filling paste P in the grid body G are provided.例文帳に追加

極板格子体Ｇを載せて搬送する搬送用ベルト２と、格子体ＧにペーストＰを充填するペースト充填機３とを設ける。 - 特許庁

A BPF 2 extracts a carrier Sa superimposed on an AC power supply P of a power line and given it to a pulse converter 3.例文帳に追加

電力線の交流電源Ｐに重畳した搬送波ＳａはＢＰＦ２によって抽出され、パルス変換器３に与えられる。 - 特許庁

Abnormal growth of a polysilicon thin film 5 and the gate oxide film 6 associated with adhesion of the particles P onto the glass substrate 3 can be prevented.例文帳に追加

ガラス基板３上へのパーティクルＰの付着に伴うポリシリコン薄膜５およびゲート酸化膜６の異常な成長を防止できる。 - 特許庁

As a result, the thrust ripples at the SIDE-A and the SIDE-B are synthesized, so that the thrust ripples of the P/3 period are offset.例文帳に追加

その結果、ＳＩＤＥ−Ａ側とＳＩＤＥ−Ｂ側の推力リップルは合成されＰ／３周期の推力リップルが相殺される。 - 特許庁

The water drain passage 4 is not positioned on an inner circumference wall surface 3a roughly just under the diameter center P of the void chamber 3.例文帳に追加

前記水抜き通路４は前記空隙室３の直径中心Ｐの略直下位置の内周壁面３ａに位置しないこと。 - 特許庁

The tension balancer 1 is formed by interposing a first and a second telescopic casings 2 and 3 between the overhead wire W and an overhead pole P.例文帳に追加

テンションバランサ１は、架空線Ｗと架線柱Ｐとの間に、伸縮自在の第１、第２のケーシング２，３を介在させてなる。 - 特許庁

The P+ diffusion layers 4 and 5 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are provided on the rear surface side to the incident surface of a semiconductor board 3.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層４，５、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板３の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

The foams 3 and the elongated foams 4 are opened by buffing processing so that opened pores 5 and opened pores 6 are formed at a polishing face P, respectively.例文帳に追加

バフ処理により発泡３、長発泡４が開孔し、研磨面Ｐにはそれぞれ開孔５、開孔６が形成されている。 - 特許庁

The rubber sheet 3 comes into contact with overlaps of the film Fm which is covering the cabbage P, and elastically deforms according to a shape of this portion.例文帳に追加

ゴムシート３は、キャベツＰを覆ったフィルムＦｍの重なり部分に接触し、この部分の形状に合うように弾性変形する。 - 特許庁

The embedded oxide film (element isolation) 3 is formed to be positioned at the bottom of a base lead high concentration layer (p^+-type) 5 formed later.例文帳に追加

この埋込酸化膜(素子分離)３は、後に形成されるベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５の底部に位置するように形成される。 - 特許庁

The arcuate recessed-groove group 1 is formed corresponding to an eccentric circle group having the same contact point P close to the writing utensil mounting part 3.例文帳に追加

また、円弧状凹溝群１は、筆記具取付部３寄りに同一接点Ｐを有する偏心円群に対応して形成されている。 - 特許庁

An enlargeably and contractably deformable lock ring 3 having teeth 17 engaged with an outer peripheral face of the pipe P is internally fitted to the outer cylinder 6.例文帳に追加

外筒体６には、管Ｐの外周面に食い込む食込み歯１７を有する拡縮径変形自在なロックリング３が内嵌される。 - 特許庁

A metal fixture 1 is put on a strut P in a rotatable manner, and a sectional form in the central part 3 of an open-hole 2 is formed in the shape of an oval.例文帳に追加

金具１を回動可能に支柱Ｐに装着し、透孔２の中央部３における断面形状を長円形とする。 - 特許庁

A conducting tube 3 is guided to the outside after reaching a level above a usual water level of a reservoir P, and constantly takes in the water by the siphon action.例文帳に追加

導水管３は、貯水池Ｐの通常水位より上位に至った後、外部に導いて、常時、サイフォン作用により、取水する。 - 特許庁

The P+ diffusion layers 3 and 4 and the N+ channel stop layers 6 and 7 are formed at the back face side faced to the incident face of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層３，４、及び、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７は、半導体基板２の入射面に対する裏面側に設けられている。 - 特許庁

The P-channel lateral DMOS transistor 5 as an output transistor is installed across an input terminal 1 and an output terminal 3.例文帳に追加

入力端子１と出力端子３との間に出力トランジスタとしてのＰチャネル型横形ＤＭＯＳトランジスタ５が設けられている。 - 特許庁

Above the n^+ embedded impurity region 2, a p-channel MOSFET 130 is formed on a surface of the n^- semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ^+埋め込み不純物領域２の上方ではｎ^-半導体層３表面にｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１３０が形成されている。 - 特許庁

The laminate structure part 3 is formed by laminating n-type GaN layers 4, 5, a p-type GaN layer 6 and an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

積層構造部３は、ｎ型ＧａＮ層４，５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７を積層して構成されている。 - 特許庁

When end dummy patterns are disposed at both ends of the p^+ diffusion regions 2 and 3 or at a periphery, unbalance of capacitance due to dislocation is prevented.例文帳に追加

ｐ^+ 拡散領域２，３の両端または周囲にエンドダミーパターンを設けると，位置ずれによるキャパシティのアンバランスが防止される。 - 特許庁

The n+ stopper layer 4 stops the extension of a depletion layer extended from the side of the p+ anode layer 3 to an n- drift layer 1 by an applied voltage.例文帳に追加

このｎ^+ ストッパ層４は、印加電圧でｐ^+ アノード層３側からｎ^- ドリフト層１へ広がる空乏層の伸びを停止させる。 - 特許庁

The n-side electrode 20 and the p-side electrode of the plurality of light-emitting portions 1 are connected in series parallel by an interconnection film 3.例文帳に追加

この複数個の発光部１のｎ側電極２０とｐ側電極とを、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続する。 - 特許庁

A body layer 3 comprising a P-type doped region is formed adjoining to the base region 5 and contacting with the trench 21.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域からなるボディ層３は、ベース層５に隣接するとともに、トレンチ２１に接する状態で形成されている。 - 特許庁

An almost belt-shaped lid fixing metal fixing 10 is attached to the metal fitting 3, and the cover body 1 and the duct cover Q are fixed to the cable duct P.例文帳に追加

略帯状の蓋止め金具１０を金具取付部３に取り付け、カバー本体１とダクトカバーＱとをケーブルダクトＰに固定する。 - 特許庁

This overheat detecting device which comprises an overheat detecting circuit 1 and a gate drive circuit 2, detects overheating of a P-channel power MOSFET 3.例文帳に追加

この過熱検知装置は、加熱検知回路１とゲート駆動回路２を備え、Ｐチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ３の過熱を検知する。 - 特許庁

Then, the ultrasonic sensor 1(4) finishes measuring operation and outputs the pulse signal P to a downstream ultrasonic sensor 1(3).例文帳に追加

その後、超音波センサ１（４）は、測定動作を終了すると共に、パルス信号Ｐを下流の超音波センサ１（３）に出力する。 - 特許庁

An air nozzle 3 is provided on a bottom part 2b of a hopper 2 for storing the powder P and a discharge port 2d is provided on an upper part 2c of the hopper 2.例文帳に追加

粉体Ｐを収容するホッパー２の底部２ｂにエアーノズル３を設け、ホッパー２の上部２ｃに排出口２ｄを設ける。 - 特許庁

(In the formulae, Ph is a benzene ring such as phenyl, phenylene or the like m≥0, n≥0, m+n≥1, P≥0).例文帳に追加

Ph(OH)-[HC(Ph)-(Ph)OH)]_m[CH_2-(Ph)-CH_2-(Ph)OH]_n-H………………(2) Ph(OH)-[CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)]_p-CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)……(3) （式中Phは,フェニル、フェニレン等ベンゼン核残基であり、ｍ≧０、ｎ≧０で、ｍ＋ｎ≧１、ｐ≧０である） - 特許庁

For a housing box 200 which houses the roll film P, this pulling-out utensil 100 consisting of a contact body 1 and an end section detecting surface 3 is formed.例文帳に追加

ロールフィルムＰを収容する収納箱２００に当接体１と端部検出面３とからなる引出し具１００を形成する。 - 特許庁

Reference light for reproduction (P polarized light) passes through the quarter wavelength plate 4 and is converted into circularly polarized light and then made incident on the hologram recording layer 3.例文帳に追加

再生用参照光（Ｐ偏光）は四分の一波長板４を通過して円偏光となってホログラム記録層３に入射する。 - 特許庁

The players can hoist a prize P within the game space 3 to be discharged from a prize discharge outlet 7 by operating a crane mechanism 6.例文帳に追加

プレイヤがクレーン機構６を操作することで遊戯スペース３内の景品Ｐを吊上げて景品排出口７から排出可能である。 - 特許庁

The boundary between the P- diffused region 4 and the N-well region 3 is arranged deeper than the bottom face of the isolation 9 of the STI structure.例文帳に追加

Ｐ^- 型拡散領域４とＮ型ウエル領域３の境界は、ＳＴＩ構造の分離９の底面より深く設定する。 - 特許庁

The p-type InGaAs contact layer 14 has: a Be-doping concentration of ≥7×10^18 cm^-3; and a thickness of <300 nm.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 - 特許庁

A light-emitting element consisting of a p-semiconductor layer 5 and n-semiconductor layer 6 is formed in the crossing part of the one- dimensional structural bodies 2, 3.例文帳に追加

１次元構造体２、３の交差部にｐ型半導体層５およびｎ型半導体層６からなる発光素子を形成する。 - 特許庁

The mass ratios of the components have the following relations: (Fe+Co)/P=(3 to 10), Zn/(Fe+Co)≥0.5, and Sn/(Fe+Co)≤0.5.例文帳に追加

それらの成分の質量比は、（Ｆｅ＋Ｃｏ）／Ｐ＝３〜１０、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．５の関係を有している。 - 特許庁

A temperature sensor 2 for measuring a water supply temperature and a flow rate sensor 3 for measuring a water supply amount are mounted at a side of a water inlet pipe P.例文帳に追加

給水温度を測定する温度センサ２と給水量を測定する流量センサ３とを入水管Ｐがわに装着する。 - 特許庁