「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

A P-type buried region 2 is formed in the interior of an extension drain region 3 and an N-type heavily doped region 1 is formed over the region 2.例文帳に追加

延長ドレイン領域３の内部にＰ型埋込領域２を形成し、その上方にＮ型高濃度領域１を形成する。 - 特許庁

The paper P fed from a paper feeder 1 is charged by the contact with a feed roller 3, and the ink mist adheres to the back side of the paper.例文帳に追加

給紙装置１から給送される用紙Ｐは給紙ローラ３との接触により帯電し、インクミストが用紙裏面に付着する。 - 特許庁

Therefore, when a P-type base region 3 is formed, the diffusion of B caused by the holes of carbon sites can be prevented.例文帳に追加

このため、ｐ型ベース領域３を形成する際に、炭素サイトの空孔に起因して発生するＢの拡散を防止することができる。 - 特許庁

The surface of the part W is pressed on the mesh 3 except the spacer 4 and separated to transfer the paste P on the surface of the part W.例文帳に追加

部品Ｗの面をスペーサ４以外のメッシュ３に押しつけ、引き離すことにより、部品Ｗの面にペーストＰを転写する。 - 特許庁

On the substrate 3, an n side lead wire 6 and a p side lead wire 7 are formed via an insulating bonding layer 28.例文帳に追加

基板３上には、絶縁性接着層２８を介してｎ側導出配線６及びｐ側導出配線７が形成されている。 - 特許庁

A drive signal is applied from a liquid crystal element drive circuit (5) to a liquid crystal panel P, and a liquid crystal 3 is driven in pixel.例文帳に追加

液晶素子駆動回路５から液晶パネルＰへは駆動信号が印加され、これによって液晶３が画素単位で駆動される。 - 特許庁

The printing paper P after printing is sent to a drier 3 and ink is solidified and dried by the light emitted from the light source of a drying unit 17.例文帳に追加

印刷後の印刷用紙Ｐは乾燥機３に送られ、乾燥ユニット１７の光源発光によりインクが硬化し乾燥される。 - 特許庁

A source region 2 and a drain region 3 are formed in the surface of a P-type single-crystal silicon substrate 1 at a prescribed interval.例文帳に追加

ｐ型単結晶シリコン基板１の表面に、所定間隔を隔ててソース領域２及びドレイン領域３が形成されている。 - 特許庁

A trench 2 is formed in a vertical direction from a main surface 1a of an n+-type substrate 1, and a p-type layer 3 is formed inside the trench 2.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の主表面１ａから垂直方向にトレンチ２を形成し、このトレンチ２内にｐ型層３を成膜する。 - 特許庁

A solar cell has a P-N junction structure between a transparent substrate 1 to be formed with an electrode and an electrode 3 of a low work function.例文帳に追加

太陽電池は、電極を形成する透明基板１と低い仕事関数の電極３の間にｐｎ接合構造を有する。 - 特許庁

The overcurrent detector 1 detects and suppresses overcurrent in a p-channel MOS transistor 3 for output of a power amplifier PA.例文帳に追加

過電流検出装置１は、パワーアンプ部ＰＡの出力用Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ３の過電流の検出及び抑制を行う。 - 特許庁

The diffraction element 3 has a low diffraction efficiency for the P-polarized light and most portion of the forwarding light becomes a zero- order diffraction light La.例文帳に追加

回折素子３は、Ｐ偏光に対して低い回折効率を有するので、往路光Ｌの多くが０次回折光Ｌａとなる。 - 特許庁

Electrodes 6B, 6C are formed on the n^+ semiconductor layers 5B, 5C, respectively, and an electrode 7 is formed on the p^+ semiconductor layer 3.例文帳に追加

電極６Ｂ，６Ｃは、それぞれ、ｎ^＋半導体層５Ｂ，５Ｃ上に形成され、電極７は、ｐ^＋半導体層３上に形成される。 - 特許庁

In the general formula (1), R^1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, R^2 independently represents a hydrocarbon group, and p represent 0 to 3.例文帳に追加

一般式（１）中、Ｒ^１は水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^２は独立に炭化水素基を表し、ｐは０〜３を表す。 - 特許庁

A rectifying element has a substrate 1, an impurity-region layer (comprising n-layers 3 and p-layers 5) made of semiconductors, and an anode electrode 9.例文帳に追加

整流素子は、基板１と、半導体からなる不純物領域層（ｎ層３およびｐ層５）と、アノード電極９とを備える。 - 特許庁

A gate electrode 8 is formed like a "ladder" above striped n-pillar layer 3 and p-pillar layer 4 exhibiting a super-junction structure.例文帳に追加

スーパージャンクション構造をなすストライプ状のｎピラー層３及びｐピラー層４の上方に、ゲート電極８を「あみだ状」に形成する。 - 特許庁

To the second gate electrode material film 9c in a PMOS region and the surface of the semiconductor substrate 3, P-type impurities are doped.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域の第２ゲート電極材膜９ｃ及び前記半導体基板３の表面にＰ型の不純物を注入する。 - 特許庁

Similarly, a p-electrode 7 and the n-electrode layer 322 of the first layer 3 of an n-conductive type of the compensating diode 320 are connected.例文帳に追加

同様に、ｐ電極層７と補償ダイオード３２０のｎ伝導型の第１層３のｎ電極層３２２とが接続されている。 - 特許庁

Trenches 6a and 6b are made through the N type epitaxial layer 3 to reach a specified depth of the P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ−型エピタキシャル層３を貫通しＰ−型シリコン基板１の所定の深さにまで達する溝６ａ、６ｂが形成されている。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

The charge of the recording medium P is removed quickly by leading the solvent of the ink in a waste ink reservoir 7 to a cassette 3 for housing the recording medium.例文帳に追加

廃インク溜７のインクの溶媒を記録媒体を収容するカセット３に導いて、記録媒体Ｐの電荷を速やかに逃がす。 - 特許庁

On the resolver rotor, protrusions of which number equals a product of an odd number m of 3 or greater by the integer P are protruded in a radial shape.例文帳に追加

レゾルバロータには、３以上の奇数ｍと上記整数Ｐとの積に等しい個数の突起が放射線状に突出されている。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 5 and gate electrode 7a, 7b are formed on a p-type well 3 and an n-type well 4 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のｐ型ウェル３およびｎ型ウェル４上にゲート絶縁膜５、ゲート電極７ａ、７ｂを形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method, impurities in the extension portion 12 are not thermally diffused into the P well 3 by activation annealing for ion implantation.例文帳に追加

この製法においては、イオン注入の活性化アニールによりエクステンション部１２内の不純物がＰウェル３内に熱拡散しない。 - 特許庁

The fine particle catalyst is provided in which the particles containing Au and P are carried on a carbon substrate, of which a particle diameter is 3 nm or less.例文帳に追加

カーボン基体上に、ＡｕとＰを含む粒子が担持されており、その粒径が３ｎｍ以下である微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

When a p-type base region 3 is formed, ions obtained by bonding molecules B and C are implanted to implant B and C at the same time.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成時に、ＢとＣとの結合分子をイオン注入することで、Ｂ及びＣを同時にイオン注入する。 - 特許庁

The light-emitting device (1) is comprised of a p-type semiconductor substrate (3), a light-emitting semiconductor region (7) and first and second electrodes (8) and (9).例文帳に追加

発光素子部（１）はｐ型半導体基板（３）と発光半導体領域（７）と第１及び第２の電極（８）、（９）とから成る。 - 特許庁

An abrasive pad 1 is furnished with: a polyurethane sheet 2; and a polyurethane sheet 3 attached on the opposite surface side of a polishing surface P of the polyurethane sheet 2.例文帳に追加

研磨パッド１は、ポリウレタンシート２と、ポリウレタンシート２の研磨面Ｐの反対面側に接合されたポリウレタンシート３とを備えている。 - 特許庁

Then an n-type epitaxial layer 4 is grown on the exposed surfaces of the semiconductor substrate 1 and p-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

ついで、ｎ型半導体基板１およびｐ型エピタキシャル層３の露出面上にｎ型エピタキシャル層４をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A p-type diffusion region 3 is formed as an anode 2 of a diode on one-side main surface side of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の一方の主表面の側には、ダイオードのアノード２として、ｐ型拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

To obtain a watertight polyethylene insulated wire capable of newly using by making use of an insulator 3 of the used watertight polyethylene insulated wire P.例文帳に追加

使用済水密型ポリエチレン絶縁電線Ｐの絶縁体３を使用して、新たに、使用可能な水密型ポリエチレン絶縁電線を得る。 - 特許庁

An electrode 6 for applying the electric field to the light emitting layer together with the electrode 5 is formed on the p-type semiconductor diamond layer 3.例文帳に追加

更にまた、ｐ型半導体ダイヤモンド層３上に、電極５と共に発光層に電界を印加する電極６を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 4, 5 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上に、２層のＮ型のエピタキシャル層４、５が形成されている。 - 特許庁

A p++ type semiconductor layer 3 and an n-type semiconductor layer 1 are laminated, and an insulating region 2 is selectively disposed on their boundary.例文帳に追加

ｐ＋＋型半導体層３とｎ−型半導体層１を積層し、その境界に絶縁領域２を選択的に配置する。 - 特許庁

The fin layer 4 is formed to connect the P^+ common source semiconductor layer 2 and N^+ common source semiconductor layer 3 to each other.例文帳に追加

フィン層４は、Ｐ^＋共通ソース半導体層２とＮ^＋共通ソース半導体層３とを接続するように形成されている。 - 特許庁

A plurality of metal plates 2 aligning in a line parallel to each other keeping equal spaces p are provided with the metal tube 3 and the discharge tube 4 through the metal plates 2.例文帳に追加

間隔Ｐを置いて並設された多数の金属板２を嵌通して金属管３及び放電管４が設けられている。 - 特許庁

Elastic waves are allowed to be incident on the panel material P by the transmitter 2, and the elastic waves reflected by the part D to be inspected are received by a receiver 3.例文帳に追加

板材Ｐに送信子２で弾性波を入射し、検査対象部Ｄで反射する弾性波を受信子３で受信する。 - 特許庁

The N+ channel stop layers 7 are formed like a frame so as to be continued with the N+ channel stop layers 6 outside the array of the P+ diffusion layers 3.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層３の配列の外側にＮ^^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

The member 2 provided at the body 1 is arranged in a direction perpendicular to a tire radial direction (P-P in Fig.), and the bag 3 is airtightly mounted at an inside of the member 2.例文帳に追加

クランプ本体１に設けられたクランプ部材２は、タイヤ径方向（図２においてＰーＰ）に対して直交する向きに配設され、このクランプ部材２の内側に前記ゴム状弾性袋体３が気密的に装着されている。 - 特許庁

In a housing unit 3, buckets 33 housing photographic paper P by means of a chain 35 are cyclically moved between a receiving position where the buckets receive the photographic paper P from a belt conveyor 4 and a delivery position where the buckets deliver the photographic paper.例文帳に追加

収納ユニット３では、チェーン３５により印画紙Ｐを収納するバケット３３が、ベルトコンベア４から印画紙Ｐを受け取る受取位置と、これを排出する排出位置と、の間で循環的に移動される。 - 特許庁

A magnetic field generated from the loop antenna 3 passes a card movement plane P (including an extension plane in front of the insertion port 32) of the magnetic card in front of the insertion port 32, and is parallel to the card movement plane P.例文帳に追加

ループアンテナ３から発生する磁界は、挿入口３２の前方において磁気カードのカード移動平面Ｐ（挿入口３２の前方の延長平面も含む）を通り、カード移動平面Ｐに平行である。 - 特許庁

The back gates of the P channel MOS transistors 1 and 3 respectively receive the first power supply potential VDD and the second power supply potential VDD' and the back gates of the P channel MOS transistors 2 and 4 are connected to the output node N2 together.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１，３のバックゲートはそれぞれ第１電源電位ＶＤＤおよび第２電源電位ＶＤＤ′を受け、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２，４のバックゲートはともに出力ノードＮ２に接続される。 - 特許庁

An aluminum wire 10 is provided on the n-type layer 6 and the p-type layer 8, and the n-type layer 2 and the p-type layer 3' are connected to a GND terminal via the aluminum wire 10.例文帳に追加

ｎ型拡散層６とｐ型拡散層８の上にはアルミニウム配線１０が設けられていて、ｎ型埋め込み層２とｐ型埋め込み層３´は、アルミニウム配線１０を介してＧＮＤ端子に接続する。 - 特許庁

This tissue paper container is formed to have a storing segment capable of stacking in flat a plurality of pocket tissues P therein, its lower end is provided with an extracting port 3 for the pocket tissues P and its upper end is provided with a pocket tissue feeding port 5.例文帳に追加

内部にポケットティッシュＰを複数個平積みできる収容部を有する容器形状をなし、下端にポケットティッシュＰの抜き取り口３を、上端にポケットティッシュの投入口５を設けたティッシュペーパー容器とした。 - 特許庁