「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

At the same time, the inside of the pipeline P is sucked from the other end by a sucking, separating and collecting means 3 to separate and collect sucked matter.例文帳に追加

それと同時に、管路Ｐの他端側から管路Ｐ内を吸引・分離回収手段３によって吸引し吸引物を分離回収する。 - 特許庁

The P^+-type silicon layer 3 is connected to a ground potential interconnection GND, and the N^+-type silicon layer 4 is connected to a power source potential interconnection VDD.例文帳に追加

そして、Ｐ^＋型シリコン層３を接地電位配線ＧＮＤに接続し、Ｎ^＋型シリコン層４を電源電位配線ＶＤＤに接続する。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

A protection cover 1 is formed by a cover body 3 in an air mat shape to seal the inner space tightly by sealing the periphery of an airtight cloth 2 and a belt 5 provided on the cover body 3 so that the cover body 3 can be fixed with the belt 5 by winding the cover body 3 around the gas pipe P.例文帳に追加

気密布２の周縁部が封止されて内部空間が密封されるエアマット状のカバー本体３と、このカバー本体３に設けられるベルト５によって保護カバー１を形成し、カバー本体３をガス管Ｐの周囲に巻いてベルト５で固定できるようにする。 - 特許庁

In a motor M with a brush, wind generating means 10 for generating an air current radially outwardly from a center of a shaft 3 by rotation of the shaft 3 is installed between a bearing 4B supporting the shaft 3 and a sliding contact part P of the brush 6 brought into sliding contact with a commutator on the outer peripheral face of the shaft 3.例文帳に追加

ブラシ付きモータＭにおいて、シャフト３を支持する軸受４Ｂとシャフト３外周面の整流子に摺接するブラシ６の摺接部Ｐとの間には、そのシャフト３の回転によって該シャフト３の中心から径方向外向きに気流を発生させる風起し手段１０を設ける。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a gate electrode 3 on a semiconductor substrate 1 via an insulating film 2, and forming a p-type base region 6 and an n+ type emitter region 7 on a thin film semiconductor layer 11 formed on the electrode 3 via an insulating film 5 through a coupled semiconductor 12 from the surface of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1 上に絶縁膜2 を介してゲート電極3 を形成し、半導体基板1 表面から連結半導体部12を経てゲート電極3 上に絶縁膜5 を介して形成された薄膜半導体層11にｐベース領域6 、ｎ^+ エミッタ領域7 を形成する。 - 特許庁

The lattice mismatch of +1.0×10^-3 or over and +2.0×10^-3 or below exists between the embedded layer 16 and the p-type clad layer 14, a compressive stress is applied to an active layer 13, and a compressive strain is caused in advance in the active layer 13.例文帳に追加

埋め込み層１６とｐ型クラッド層１４との間には、＋１．０ｘ１０^-3以上、＋２．０ｘ１０^-3以下の範囲の格子不整合が生じており、これにより活性層１３に対して圧縮応力が加わり、活性層１３には予め圧縮歪みが生じている。 - 特許庁

This sheet correction device is provided with a picture image formation means 1 forming a picture image on a sheet P based on input picture image information, a correction means 3 correcting waving of the sheet for the sheet P on which a picture image is formed by the picture image formation means 1, and a curl compensation means 8 applying curl compensation for the sheet P corrected by the correction means 3.例文帳に追加

入力された画像情報に基づいてシートＰに対して画像を形成する画像形成手段１と、この画像形成手段１により画像が形成されたシートＰに対してシートの波うちを矯正する矯正手段３と、この矯正手段３により矯正されたシートＰに対してカール補正を施すカール補正手段８とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。 - 特許庁

This paper feeder 1 for paper sheets P comprises: a loading plate 2 on which the paper sheets P are loaded; a torsional spring 8 for biasing the loading plate 2 upward; and a pickup roller 3 disposed above the loading plate 2, holding the paper sheets P between itself and the loading plate 2 at the downstream side end in the conveying direction, and rotatingly driven to convey the paper sheets P.例文帳に追加

枚葉シートＰの給紙装置１は、枚葉シートＰが積載される積載プレート２と、積載プレート２を上方に付勢するねじりバネ８と、積載プレート２の上方に配置され、積載プレート２との間で枚葉シートＰを搬送方向下流側の端部において挟持するとともに、枚葉シートＰを搬送するように回転駆動するピックアップローラ３とを備えている。 - 特許庁

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a three-dimensional photonic crystal (C) comprising at least one of cubic close-packed structure and a hexagonal close-packed structure by packing and accumulating a slurry of spherical particles (P) on a substrate (Q) is characterized in that centrifugal force is used as accumulation driving force on the spherical particles (P).例文帳に追加

本発明の製造方法は、基板（Q）に真球状粒子（P）のスラリーを充填し集積することにより構成される立方最密充填構造及び六方最密充填構造の少なくとも一方からなる3次元フォトニック結晶（C）の製造方法であって、真球状粒子（P）の集積ドライビングフォースとして遠心力を使用することを特徴とするものである。 - 特許庁

Because the first n-type shell 2 and the second p-type shell 3 act as two poles of the diode, SiC which is different from the materials of the first shell 2 and the second shell 3 can be chosen as the material for the core 1.例文帳に追加

ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。 - 特許庁

The bed moving means set a destination in the direction including at least a vertical direction of a bed 3 for setting the subject P on the basis of the reference images and moves the bed 3 to the destination.例文帳に追加

寝台移動手段は、参照画像に基づいて被検体Ｐをセットするための寝台３の少なくとも上下方向X含む方向における移動先を設定し、移動先に寝台３を移動させる。 - 特許庁

Further, the p-type MgZnO-based thin film 1 is designed so that the concentration of an n-type impurity of a group 3 element such as boron and aluminum, which serve as a donor, is not more than about 1.0×10^16 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるボロン及びアルミニウム等の３族の元素からなるｎ型不純物が、約１．０×１０^１６ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。 - 特許庁

The harvester A for Dioscorea batatas has constitution that a digging blade 2 is connected to a digging-up conveyor 3 flexibly in the vertical direction and the digging-up conveyor 3 is equipped with a gage part 4 for keeping the height of a harvesting position P in the conveyor constant.例文帳に追加

掘取刃２と堀上コンベア３とを上下方向に屈曲可能に連結し、前記堀上コンベア３に、当該コンベアにおける収穫位置Ｐの高さを一定に維持するゲージ部４を備える。 - 特許庁

Regional information P inputted as data by a data management section 5 is configured in a manner displayable on the large-scale LED lighting panel 3, wherein the large-scale LED lighting panel 3 is set up in the shopping district.例文帳に追加

データ管理部５でデータ入力された地域情報Ｐが、大型ＬＥＤ電光表示板３に表示自在に構成され、大型ＬＥＤ電光表示板３が商店街に設置される。 - 特許庁

The compounds are represented by formula (I) [wherein R^1 and R^2 are each H or alkyl; R^3, R^4 and R^5 are each H or X; m is 1-4; n is 1-3; p is 1 or 2; A is -Ar^1; and Ar^1 is (substituted) phenyl].例文帳に追加

式（Ｉ）：［式中：Ｒ^１、Ｒ^２は、Ｈ、アルキル；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、Ｈ、Ｘ；ｍは１〜４；ｎは１〜３；ｐは１,２；Ａは−Ａｒ^１；Ａｒ^１は（置換）フェニル］で示される化合物。 - 特許庁

A window part 3 is formed on a part of the panel main body P of the desk top panel DP (SP) to make it possible to be visible from both directions, i.e., from the top board side and the outside through this window part 3.例文帳に追加

デスクトップパネルＤＰ（ＳＰ）のパネル本体Ｐの一部に窓部３を形成し、この窓部３を通じて天板１側からと外部からの双方向から視認可能となるように構成した。 - 特許庁

Within the gate poly 4, p-channel MOS transistor 6 and n-channel MOS transistor 7, a contact 3 is provided and a first layer wiring is provided by connecting the grids on the contact 3.例文帳に追加

そして、ゲートポリ４、Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ部６、及びＮｃｈ ＭＯＳトランジスタ部７内には、コンタクト３が設けられ、コンタクト３上にはグリッド間をむすんで１層目配線が設けられている。 - 特許庁

(3) A sweet potato fixing means 6 movable as the sweet potato P is fixed to the surface of the endless conveyor 1 is provided for cutting the sweet potato by the rotary cutting blade 3 as it is fixed against external force.例文帳に追加

．無端コンベヤ１の表面に甘藷Ｐを固定した状態で移動する甘藷固定手段６を設け、外力に対して、甘藷を固定した状態で回転切断刃３により切断する。 - 特許庁

As the hopper holder 18 is rotated to be displaced, the hopper 2 is rotated to be displaced from an abutment position for abutting the printed paper P with a sheet feeding roller 3 to a separated position to be separated from the sheet feeding roller 3.例文帳に追加

ホッパ・ホルダ１８の回動変位に伴い，ホッパ２は，印刷用紙Ｐを給紙ローラ３に当接させる当接位置と給紙ローラ３から離間させる離間位置とに回動変位する。 - 特許庁

Each memory cell comprises diffused layers 2 and 3, which is formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, to be a source/drain region, and a channel region 4 formed between the diffused layers 2 and 3.例文帳に追加

本発明の各メモリセルは、ｐ型シリコン基板１表面に形成されたソース／ドレイン領域となる拡散層２，３と、これら拡散層２，３の間に形成されたチャネル領域４とを有する。 - 特許庁

A coil 3 is accommodated at the lower section inside a die 12 in a pressure forming machine 11, and mixed powder P in which magnetic powder and binder are mixed is filled into the die 12 for burying the coil 3 by the setting process.例文帳に追加

セット工程により、コイル３を加圧成形機１１のダイ１２内の下部に収容した後に、磁性粉末とバインダーとを混合した混合粉末Ｐをダイ１２内に充填してコイル３を埋める。 - 特許庁

A length L of the plate-like member 3 is set to position one side 30 of the plate-like member 3 within a mounting portion 11a of the electronic component 11, and a bending fulcrum P for the substrate 1 is determined.例文帳に追加

そして、板状部材３の一辺３０が電子部品１１の実装部位１１ａ内に位置するように、板状部材３の長さＬを設定して、基板１の曲げ支点Ｐを決める。 - 特許庁

Fixed leg sections 3 are fixed to fences S of verandahs B for a building A through partitions P, bridge sections 4 are provided to the fixed leg sections 3, and fence sections 5 are erected on the bridge sections 4 to establish verandah bridges 1.例文帳に追加

建築物ＡのベランダＢの柵ＳにパーティションＰを介して固定脚部３を固定し、固定脚部３にブリッジ部４を設置し、ブリッジ部４に柵部５を立設させてベランダブリッジ１を設置する。 - 特許庁

This blind device 1 is provide with a pair of jambs 2 and 3, many slats 4 arranged in parallel in the opening part P between the jambs 2 and 3, and a lifting means 5 for lifting and lowering each slat 4.例文帳に追加

ブラインド装置１は、一対の縦枠２及び３と、縦枠２及び３間の開口部Ｐに並置された多数のスラット４と、各スラット４を昇降させる昇降手段５とを具備している。 - 特許庁

Two diffusion layers 2 and 3 of N-type regions spaced apart at a certain distance are provided inside a P-type semiconductor substrate 1, so as to be flush with the top surface of the substrate 1, and the diffusion layers 2 and 3 are made to serve as diffusion resistors 4 and 5.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１内の表面側に、所定の間隔をおいてＮ型領域からなる２つの拡散層２、３を形成し、この拡散層２、３を拡散抵抗４、５とする。 - 特許庁

The guide roller 15c is composed to approach the sheet feeding roller 3 as a second sheet guide member 17 separates from the sheet feeding roller 3, and the advancing direction of the sheet of paper P is properly maintained.例文帳に追加

ガイドローラ１５ｃは、第２用紙ガイド部材１７が給紙ローラ３から離間するに従って、給紙ローラ３に近接する様構成され、これにより用紙Ｐの進行方向が適切に維持される。 - 特許庁

A position control region P, in which the robot arm is turned up to an angular position proportional to the tilt angle of the control stick 3, is provided in a region smaller than or equal to the tilt angle A° of the control stick 3 about the origin O.例文帳に追加

原点Ｏを中心として操作桿３の傾倒角度がＡ°以内の領域に、ロボットアームを操作桿３の傾倒角度と比例した角度量だけ作動させる位置制御領域Ｐを設ける。 - 特許庁

The hole transporting layer 3 on the barrier rib 11 formed between the sub-pixels S separating the portions P to become pixels is removed and the batchly formed film to form the hole transporting layer 3 is divided.例文帳に追加

画素となる部位Ｐ同士を隔絶するサブピクセル間Ｓに形成された隔壁１１上の正孔輸送層３を除去して、正孔輸送層３を形成する一括成型された膜を分割する。 - 特許庁

At least one N-type emitter region 3 and at least one N-type sense region 5 spaced apart from the emitter region 3 are selectively formed on a surface portion of a P-type base region 2.例文帳に追加

Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。 - 特許庁

The inside of a shoe box 3 feeding raw material powder p to a cavity 2 is provided with rotary shafts 4 horizontal and vertical to the moving direction of the shoe box 3, and stirring blades 5 are fixed to the outer circumference thereof.例文帳に追加

キャビティ２に原料粉末ｐを供給するシューボックス３の内側に、このシューボックス３の移動方向に水平かつ垂直な回転軸４を設け、その外周に撹拌羽５を固定する。 - 特許庁

By removing the hole transport layers 3 on the barrier rib 11 formed between subpixels S to separate sites P to become the pixels, a stripe shape film to form the hole transport layers 3 is divided.例文帳に追加

画素となる部位Ｐ同士を隔絶するサブピクセル間Ｓに形成された隔壁１１上の正孔輸送層３を除去して、正孔輸送層３を形成するストライプ状の膜を分割する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyester by which the molar fraction of 3-hydroxyhexanoic acid (3HH) is controlled and a copolyester P[3- hydroxybutyric acid (3HB)-co-3HH] having various molar fractions of the 3HH is stably produced with high productivity.例文帳に追加

３ＨＨモル分率を制御し、様々な３ＨＨモル分率を有するＰ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＨ）を高い生産性でかつ安定して製造するポリエステルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The mixed powder P is pressurized from the direction in which the density distribution is high and the coil 3 is buried to the direction in which the density distribution is low to form an integral core 2 in which the coil 3 is buried by the pressure formation process.例文帳に追加

加圧成形工程により、混合粉末Ｐをその密度分布が高くコイル３が埋設された方から密度分布が低い方向に加圧して、コイル３を埋設した一体のコア２を成形する。 - 特許庁

An Ni-Cu-based brazing filler metal for a heat exchanger comprising, by weight, 5 to 15% Cu, 20 to 30% Cr, 3 to 5% Si and 3 to 6% P, and the balance Ni with inevitable impurities is used.例文帳に追加

重量％で、Ｃｕが５〜１５％、Ｃｒが２０〜３０％、Ｓｉが３〜５％、Ｐが３〜６％、残部がＮｉと不可避不純物よりなる熱交換器用Ｎｉ−Ｃｕ系ろう材を用いる。 - 特許庁

A doughnut like pot P is formed by loading an inner cylinder 3 having an agitator arm 2 in a vessel 1 of a MA apparatus 100, and the vessel 1 and the inner cylinder 3 are cooled by using water-cooled jackets 12, 15.例文帳に追加

ＭＡ装置１００の容器１にアジテータアーム２を有する内筒３を入れて、ドーナッツ状のポットＰを形成し、容器１および内筒３を水冷ジャケット１２、１５により冷却する。 - 特許庁

Input digital signals of SDTV are supplied to S/P circuits 2-1 to 2-n, video data signals and clock signals are generated and written in FIFO memories 3-1 to 3-n on the transmitting side.例文帳に追加

送信側は、Ｓ／Ｐ回路２−１〜２−ｎに、ＳＤＴＶの入力デジタル信号が供給され、映像データ信号とクロック信号が発生し、ＦＩＦＯメモリ３−１〜３−ｎに書込まれる。 - 特許庁

Right and left air-filled body portions 21, 21 of the air-filled bodies 3, 3 on the bow and stern sides is maintained to be under such a condition that a rotational force F is applied from the inside of the canoe to the outer side of the canoe with a body portion shaft center P centered.例文帳に追加

船首側，船尾側の気胴３，３の左右気胴部２１，２１は、気胴部軸心Ｐを中心に船内側から船外側に向けて回転力Ｆを付与された状態が維持される。 - 特許庁

Both the gears 3 and 4 are preferably formed of an iron-base material of the same kind, and a boundary part P in the press-fit part between both the gears 3 and 4 is welded from the outside by electron beam welding.例文帳に追加

両ギヤ３，４は共に同種の鉄系材料で形成するのが好ましく、これら両ギヤ３，４間の圧入部における境界部Ｐを外部から電子ビーム溶接により溶接した。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a basic layer part of an epitaxial layer 3 forming an N^--type region 4 and a P^--type body region 5 formed in contact with the N^--type region 4 in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ^−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、そのＮ^−型領域４に接して、Ｐ^−型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

A check valve 22a allowing oil flow from the second oil pump 3 toward the connection point P while regulating reverse flow is provided in the second oil passage in downstream of the second oil pump 3.例文帳に追加

第２オイル通路２２の第２オイルポンプ３下流には、第２オイルポンプ３から接続点Ｐに向かうオイルの流れを許容する一方、その逆流を規制する逆止弁２２ａが設けられている。 - 特許庁

An outermost surface of a p-type semiconductor multilayer film reflecting mirror 7 consists of a GaAs layer that grows after doped with Zn by 1.0 E 10 cm^-3 with the use of, for example, DMZn (dimethyl zinc) as a dopant.例文帳に追加

ｐ型半導体多層膜反射鏡７の最表面は、例えばＤＭＺｎ（ジメチル亜鉛）をドーパントとして用い、Ｚｎを１．０Ｅ１９ｃｍ^-3ドープして成長したＧａＡｓ層からなっている。 - 特許庁