「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

Trenches T are formed so as to reach the low-concentration n-type drain region 2 through the high-concentration n-type source region 8 and the p-type substrate region 3.例文帳に追加

高濃度Ｎ型ソース領域８及びＰ型基板領域３を貫通し且つ低濃度Ｎ型ドレイン領域２に達するトレンチＴが形成されている。 - 特許庁

A folded part 9 at which a part of an extension panel 5 is fixed is formed at the end face 3 to be a negative angle with the main press direction P through bending.例文帳に追加

端面３にはエクステンションパネル５の一部を固着する折り曲げ部９が曲げ加工で主プレス方向Ｐに対して負角となるように形成されている。 - 特許庁

A plurality of P-type thermoelectric materials 3 and a plurality of N-type thermoelectric materials 4 are alternately arranged between the first substrate 15a and the second substrate 15b.例文帳に追加

第１基板１５ａと第２基板１５ｂとの間に複数のＰ型熱電材料３および複数のＮ型熱電材料４が交互に配列されている。 - 特許庁

In the conveying system, the forklift 1 conveys the workpiece W between the areas 2, 3, and waits in a stand-by position P after conveying the workpiece W in the unmanned operation mode.例文帳に追加

搬送システムでは、フォークリフト１がエリア２、３間でワークＷの搬送を行い、無人運転モードではワークＷを搬送後に待機位置Ｐで待機する。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 2 are laminated a box layer 3 consisting of silicon oxide, an N^+ type lateral direction conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

The second current path (3) includes a P-channel MOS transistor (5) provided between the second power-supply voltage supply end (13) and the output end (N2).例文帳に追加

第２電流経路（３）は、第２電源電圧供給端（１３）と出力端（Ｎ２）との間に設けられたＰチャネルＭＯＳトランジスタ（５）を備えるものとする。 - 特許庁

The outer ring fixing member 14 sandwiches an outer ring 31 of the rolling bearing 12 between itself and the apparatus body 3 along the shaft core P to thereby fix the outer ring 31.例文帳に追加

外輪用固定部材１４は機器本体３との間に転がり軸受１２の外輪３１を軸芯Ｐに沿って挟みこんで固定する。 - 特許庁

Next, the uppermost paper P is moved in the direction of a frictional separation member 4 while maintaining the deflection state through the counterclockwise rotation of the deflection rollers 3.例文帳に追加

次に、撓曲ローラ３の反時計回りの回転によって最上位の用紙Ｐを撓曲状態を維持したまま、摩擦分離部材４方向へ移動させる。 - 特許庁

This metallic flat braid for handicrafts is constituted by rolling them into the flat braid P by passing them through rolling rollers after twisting a plurality of colored metallic wires 1, 2, 3.例文帳に追加

着色された複数の金属線材１，２，３を撚り合わせて、これを圧延ローラを通して平紐Ｐに圧延して構成した手芸用金属製平紐。 - 特許庁

By this constitution, the cap part C can be easily opened and closed in such a state that the PET bottle P is housed in the case by the locking of the recessed part P1 and the locking projected part 3.例文帳に追加

これにより、凹部Ｐ１と係合凸部３の係合にてペットボトルＰをケースに収納した状態でキャップ部Ｃが容易に開閉できる。 - 特許庁

A plate piece 4 having a lot of small protruding pieces 3 mutually alienated to stop a slip of a pipe P is fixed onto a pipe holding surface 2 by bonding.例文帳に追加

パイプＰを滑り止めするための相互に離間した多数の小突出子３を有する板片４を、接着によりパイプ掴持面２に固着する。 - 特許庁

A half mirror 40 for directing light from the central illumination lamp 30 toward the center part 1b is arranged in a reflected light path P, connecting the sapping part 1 to the camera 3.例文帳に追加

中心照明用ランプ３０からの光を中心部１ｂに向けるハーフミラー４０を、スナップ１とカメラ３を結ぶ反射光路Ｐ内に配置する。 - 特許庁

To make a chamfering working section 8 at the apex angle section 3 of an outside-angle column A manufactured by using a reaction type hot-melt adhesive P inconspicuous as much as possible.例文帳に追加

反応式ホットメルト接着剤Ｐを用いて作った出隅柱Ａの頂角部３における面取り加工部８をできるだけ目立たなくする。 - 特許庁

A core supplying device 5 of a paper winding device 1 that winds paper P with a core C supported by a core holder 3 contacted with a rotating drum roll 4 is provided.例文帳に追加

コアホルダ３に支持したコアＣを回転中のドラムロール４に接触させて用紙Ｐを巻き取る用紙巻き取り装置１のコア供給装置５である。 - 特許庁

The thickness of a gate insulator film 14 of the MOS type varactor element 3 is made thinner than that of gate insulator films 4 of the N-channel transistor 1 and the P-channel transistor 2.例文帳に追加

そして、ＭＯＳ型バラクタ素子３のゲート絶縁膜１４を、Ｎチャネルトランジスタ１及びＰチャネルトランジスタ２のゲート絶縁膜４よりも薄くする。 - 特許庁

Since the injection of the washing water 4 is performed every time the materials P is treated, the removal of the scale is performed before the scale is stuck onto the coil 3.例文帳に追加

この洗浄水４の噴射は、被熱処理物Ｐが処理されるごとに行われるため、スケールがコイル３に固着する前にその除去が行われる。 - 特許庁

An n^+ embedded impurity region 2 is formed on an interface between an n^- semiconductor layer 3 in a high-potential island region 101 and a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高電位島領域１０１内のｎ^-半導体層３とｐ^-半導体基板１との界面にはｎ^+埋め込み不純物領域２が形成されている。 - 特許庁

A diode 102 having a p^+ impurity region 6 and an n^+ impurity region 45 is formed on the surface of the n^- semiconductor layer 3 in a region 105.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域６及びｎ^+不純物領域４５を有するダイオード１０２が、領域１０５内のｎ^-半導体層３表面に形成されている。 - 特許庁

A stripe pattern formed of a metal film 3 is formed on a semiconductor film 2 where a p-type or n-type impurity is introduced onto a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上にｐ型又はｎ型の不純物を導入した半導体膜２の上に金属膜３からなる縞状のパターンを形成する。 - 特許庁

Thus, the shell layer of the p-type oxide semiconductor is formed on the inorganic oxide, accordingly a surface of the manufactured nanowire structure 3 is hard to be oxidized.例文帳に追加

無機酸化物にｐ型酸化物半導体であるシェル層が形成されているため、製造されたナノワイヤ構造体３の表面が酸化され難くなる。 - 特許庁

Then, the control section 14 memorizes the calculated reference mounting positions of the electronic components P with respect to the reference position of the substrate retaining section 3 in a memory section 14d.例文帳に追加

そして、制御部１４は、算出された基板保持部３の基準位置に対する各電子部品Ｐの基準実装位置を記憶部１４ｄに記憶する。 - 特許庁

Upper surface layouts of an n-type region 2 and a p-type region 3 constituting a super junction structure are varied in a cell region and an outer peripheral region.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を構成するｎ型領域２およびｐ型領域３の上面レイアウトをセル領域と外周領域とで異ならせる。 - 特許庁

At this time, in the method of manufacturing the pinball hammer, grinding processing is performed with the axis P of the hammer point pin 3 perpendicular to the grinding surface 81 of the grinding grindstone 8.例文帳に追加

このとき、槌先ピン３の軸線Ｐを研削砥石８の研削面８１と直交させて研削加工する弾球槌の製造方法。 - 特許庁

This invention is the sheet carrying device mounted on an image forming device 1 having an image forming part 3 for forming an image on the sheet material P.例文帳に追加

本発明は、シート材Ｐに画像を形成するための画像形成部３を備えた画像形成装置１に搭載されるシート搬送装置である。 - 特許庁

The n well 22 and the p well 23 of the transistor T0 are connected to the input terminal 1 and the n-type region 24 is connected to the output terminal 3.例文帳に追加

トランジスタＴ０のＮウェル２２およびＰウェル２３は入力端子１に接続され、Ｎ型領域２４は出力端子３に接続されている。 - 特許庁

When a shock is applied from outside, the projection parts (P) deform to absorb the shock and then the housed device 3 is protected against the shock.例文帳に追加

外部から加えられる衝撃が加えられると、突起部（Ｐ）が変形して衝撃を吸収し、収容された装置（３）が衝撃から保護される。 - 特許庁

At this time the distance from an end of the opening 7 or an end of the P+ type contact layer 4 to an end of the N+ type source layer 3 is made a predetermined distance.例文帳に追加

このとき、開口部７の端部、即ちＰ＋型コンタクト層４の端部からＮ＋型ソース層３の端部までの距離を所定の距離にする。 - 特許庁

A gate of a P-channel MOS transistor (TR) 3 and a gate of an N-channel MOS TR 4 are respectively connected to the output terminal of the output CMOS inverter 2.例文帳に追加

出力ＣＭＯＳインバータ２の出力端子には、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ４のゲートがそれぞれ接続されている。 - 特許庁

An RFID affixing device 4 to affix an RFID tag T to the printing paper sheet P together with a head unit 3 is mounted on the carriage 15.例文帳に追加

かかるキャリッジ１５には、ヘッドユニット３と共にＲＦＩＤタグＴを印刷用紙Ｐへ貼付するＲＦＩＤ付加装置４が搭載されている。 - 特許庁

The battery pack P has a unit cell 1 of a square box-shaped flat electric components including a circuit board and exterior output terminals 3, 4, 5 integrated with a resin mold.例文帳に追加

電池パックＰは、扁平角箱状の素電池１と、回路基板、外部出力端子３・４・５を含む電装品を樹脂モールド２で一体化する。 - 特許庁

A bell-mouth type suction guide pipe 3 having the inner diameter P equal or larger to/than the inner diameter of the suction port 16 is installed in the suction port 16.例文帳に追加

吸込口１６に、吸込口１６の内径と同じ、もしくはより大径の内径Ｐを有するベルマウス型の吸込ガイド管３が装着されている。 - 特許庁

Characteristics data TD1 (p) of the characters corresponding to the items 143 displayed in the first area of an image display part 3 is recognized by a control part 1.例文帳に追加

そして、画像表示部３の第１領域に表示された項目１４３に対応するキャラクタの特性データＴＤ１（ｐ）が、制御部１に認識される。 - 特許庁

An epitaxial layer 3 has an N-type region 4 formed at its base portion, and a P-type body region 5 is formed to be in contact with the N^--type region 4.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、その基層部にＮ^-型領域４が形成され、Ｐ型のボディ領域５がＮ^-型領域４に接して形成されている。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are laminated on the surface of an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層される。 - 特許庁

A cobalt is so deposited as to cover the silicon layers 3 and 53 as well as p+ type layers 8 and 58, and silicide layers 11, 61, 10, and 60 are formed through salicide reaction.例文帳に追加

シリコン層３，５３及びｐ^+型層８，５８を覆うようにコバルトを堆積し、サリサイド化反応によりシリサイド層１１，６１，１０，６０を形成する。 - 特許庁

The float F is turnably supported by a pin P in a support part 3 through a lever 31 and a joint 32, and connected to the valve element 5 through the lever 31.例文帳に追加

フロートＦは、レバー３１及び連絡継手３２を介して支持部３にピンＰで軸支されており、また、レバー３１を介して弁体５に接続されている。 - 特許庁

A gate insulating film 14 of the MOS type varactor element 3 is made thinner than a gate insulating film 4 of the n-channel transistor 1 and the p-channel transistor 2.例文帳に追加

そして、ＭＯＳ型バラクタ素子３のゲート絶縁膜１４を、Ｎチャネルトランジスタ１及びＰチャネルトランジスタ２のゲート絶縁膜４よりも薄くする。 - 特許庁

On one portion of the p well region 3, and one portion of the n^+ source region 4, a gate electrode 6 is formed via a gate insulating film 5.例文帳に追加

ｐウエル領域３の一部領域とｎ^+ソース領域４の一部領域の上にはゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

A ladder-shaped N+ type source layer 3 having a plurality of openings 7 in its center is formed on a p-type base layer 2 using a gate electrode 5 and a resist mask.例文帳に追加

ゲート電極５とレジストマスクによりＰ型ベース層２に、中心部に複数の開口部７を有するラダー形状のＮ＋型ソース層３を形成する。 - 特許庁

The N-type epitaxial layer 3 etc., is separated into the IGBT type formation region 50 and the formation region 40 for the control circuit etc., by a P+-type separation layer 13 etc.例文帳に追加

該Ｎ型エピタキシャル層３等をＰ＋型分離層１３等によりＩＧＢＴ形成領域５０と制御回路等形成領域４０に分離する。 - 特許庁

A cell drain potential generating circuit 3 is composed of one P-channel transistor 111, six N-channel transistors 112, 113, 114, 115, 116, 117, and a delay circuit 5.例文帳に追加

セルドレイン電位発生回路３は，１個のＰチャネル型トランジスタ１１１，６個のＮチャネル型トランジスタ１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，および遅延回路５から構成されている。 - 特許庁

The n-type epitaxial layer 2 and the p-type semiconductor region 3 are divided into a plurality of insular regions 11 by the fault stop region 10.例文帳に追加

この欠陥停止領域１０によって、ｎ型エピタキシャル層２およびｐ型半導体領域３を、複数の島状領域１１に分離する。 - 特許庁

A buried oxide film 2 is so formed on a silicon substrate 1 and a P-type silicon layer 3 is further so formed thereon as to constitute an SOI substrate.例文帳に追加

シリコン基板１上に埋込酸化膜２が形成され、更にその上にＰ型シリコン層３が形成されてＳＯＩ基板１０が構成されている。 - 特許庁

A photo-diode array 1 is provided with P+ diffusion layers 3 and 4 as second conductivity type diffusion layers, N+ channel stop layers 6 and 7, and an N+ diffusion layer 8 or the like.例文帳に追加

フォトダイオードアレイ１は、第２導電型の拡散層としてのＰ^+拡散層３，４、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７、Ｎ^+拡散層８等を含んでいる。 - 特許庁

To produce a poly(3-hydroxybutanoic acid-co-hydroxyhexanoic acid)(P(3HB-co-3HHx)) by using methanol as a basic raw material.例文帳に追加

メタノールを基本原料として、ポリ（３−ヒドロキシブタン酸−ｃｏ−ヒドロキシヘキサン酸）（Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＨｘ））を生産することを目的とする。 - 特許庁