「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

In the mask ROM 1, strip-like n^+-type diffusion layers 3 are formed on a p-type silicon substrate 2 at prescribed pitches.例文帳に追加

本発明の第１実施例のマスクＲＯＭ１は、ｐ型シリコン基板２上に、短冊形状のｎ^＋型拡散層３が所定のピッチで形成されている。 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer positioned right above the sidewall of the concavoconvex has a p-type carrier concentration of ≥1×10^18/cm^3.例文帳に追加

前記凹凸の側壁直上に位置する前記第２の窒化物半導体層は、ｐ型キャリア濃度が１×１０^１８／ｃｍ^３以上となる。 - 特許庁

The mold 1 has a runner 27 and a plurality of gate valves 30 for filing a resin P' in the respective cavities 3 from the runner 27 via a gate 27.例文帳に追加

固定型１にランナー27およびこのランナー27から各キャビティ３にそれぞれ樹脂Ｐ´をゲート33を介して充填する複数のゲートバルブ30を設ける。 - 特許庁

A diode is composed of a pn connection 4 comprising an n-type semiconductor region 2 formed to the SiC substrate 1 and a p^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

ダイオードは、ＳｉＣ基板１に形成されたｎ型半導体領域２とｐ^+型半導体領域３とからなるｐｎ接合４によって構成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has a mirror surface (surface of the p-type contact layer 24) 2a, and the anode 3 also has a mirror surface 3a.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２の表面（ｐ型コンタクト層２４の表面）２ａは鏡面であり、アノード電極３の表面３ａも鏡面である。 - 特許庁

A transmission/reception signal transmission path E1 is a path, extending from an external connection electrode ECT via a main switching element 3 to a connection point P.例文帳に追加

送受信信号伝送経路Ｅ１は、外部接続用電極ＥＸＴから主スイッチング素子３を経て、接続点Ｐに至るまでの経路である。 - 特許庁

Then, the seed in the vegetation base material 6 buds, and a plant P extends from the gap 3 between the stones 2 and grows to green a masonry body 1.例文帳に追加

その後、植生基材６内の種子が発芽し、石２と石２の間の隙間３から植物Ｐが伸長して生育し、石積み体１が緑化される。 - 特許庁

The SiC substrate 3 patterns a section for forming a p-type impurity region, and performs the ion implantation of He or the like to a required depth for changing into amorphous.例文帳に追加

ＳｉＣ基板３はｐ型不純物領域を形成すべき部分をパターンニングし、必要な深さだけＨｅ等をイオン注入してアモルファス化している。 - 特許庁

An auxiliary device 3 for diagnosis obtains autofluorescence of a subject through a probe P, and calculates the ratio of the strength in the first and the second wave bands.例文帳に追加

診断用補助装置３は、プローブＰを介して被検体の自家蛍光を取得し、その第１及び第２の波長帯域における強度の比を、算出する。 - 特許庁

The solar battery 10 comprises a transparent substrate 1, a transparent conductive film 2, a p-layer 3 and an n-layer 4 which are formed by sputtering, and a metal electrode 5.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明基板１と、透明導電膜２と、スパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、金属電極５とからなる。 - 特許庁

A gas introduction system 2 introduces gas into a plasma forming area in a processing chamber 1, and a plasma forming means 3 gives energy to form plasma P.例文帳に追加

処理チャンバー１内のプラズマ形成領域にガス導入系２がガスを導入し、プラズマ形成手段３がエネルギーを与えてプラズマＰを形成する。 - 特許庁

An acoustic lens 6 for an ultrasonic probe 3 is formed of a material including a base material B containing fluorine resin particles P.例文帳に追加

超音波プローブ３の音響レンズ６は、基材Ｂに対し、フッ素樹脂の粒子Ｐを含有させた材料で形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A pair of side guides 2 and 3 regulating the width direction of the paper P are slidably arranged in the width direction of the paper on an inner bottom surface of a cassette body 1.例文帳に追加

カセット本体１の内底面に、用紙Ｐの幅方向を規制する一対のサイドガイド２，３を、用紙の幅方向に摺動可能に設ける。 - 特許庁

A P-type region 19a functioning as a channel stopper of the insulating film 2a is formed between the insulating film 2a and the photoelectric conversion region 3.例文帳に追加

また、絶縁膜２ａと光電変換領域３との間には、絶縁膜２ａのチャネルストッパとして機能するＰ型領域１９ａを形成する。 - 特許庁

The optical axis P of light made incident on the first prism 15 after passed through the lens group 13 is almost parallel to the image forming face 3a of the image forming element 3.例文帳に追加

レンズ群１３を経由した光の第１のプリズム１５への入射光軸Ｐは、画像形成素子３の画像形成面３ａと略平行である。 - 特許庁

A base P region 30, a source N^+ region 31, and a drain N^+ region 32 are formed on the top layer of the main surface 3a of an N^- silicon layer 3.例文帳に追加

Ｎ^-シリコン層３における主表面３ａでの表層部にベースＰ領域３０、ソースＮ^+領域３１、ドレインＮ^+領域３２が形成されている。 - 特許庁

This paper stacking device 1 comprises an impeller 10 accepting and storing the paper P carried through a carrying route 3 between vanes during the rotation.例文帳に追加

紙葉類集積装置１は、搬送路３を介して搬送される紙葉類Ｐを回転の途中で羽根の間に受け入れて収容する羽根車１０を有する。 - 特許庁

Then, wall faces 11b and 11d of the raw material box 1 are formed with a supporting wall 4 for supporting a part of the powder raw materials P piled up at the upper part of the auger 3.例文帳に追加

そして、原料箱１の壁面１１ｂ，１１ｄには、オーガ３の上方に積まれた粉末原料Ｐの一部を支える支持壁４が設けられる。 - 特許庁

A control section 1 drives a stepping motor 2 by a specified amount to rotate a platen roller 3 thus carrying a print sheet P and then stops driving of the stepping motor 2.例文帳に追加

制御部１がステッピングモータ２を所定量駆動してプラテンローラ３を回転させ、印字用紙Ｐを搬送し、その後ステッピングモータ２の駆動を停止する。 - 特許庁

In the air cleaner P, a main body case 1 having an air blow out port 12a and an air suction port 13a, a fan 2, a fan motor 3 and the main filter 4 are provided.例文帳に追加

空気清浄機Ｐは、空気吹出口１２ａ・空気吸込口１３ａを有する本体ケース１、ファン２、ファンモータ３及びメインフィルタ４を備えている。 - 特許庁

On a P type semiconductor substrate 2, a box layer 3 of silicon oxide, an N^+ type lateral conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5 are laminated.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

A control calculator conducts such calculation that which wire 3 of the face element 4 is made to operate to support the object to be inspected P and outputs the instruction of a calculated result.例文帳に追加

制御用計算機が面状要素４のどのワイヤ３を動作させて被検査物Ｐを支持するかを計算し、演算結果を指令として出力する。 - 特許庁

In this skin scraper for the Welsh onions, right and left nozzles 3, 4 are vertically disposed on the right and left sides of a position P for scraping off the skin of the Welsh onion N, and an upper nozzle 5 is disposed at an upper position.例文帳に追加

長葱Ｎの皮はぎ位置Ｐの左右に左右ノズル３，４が立設されているとともに、上方に上ノズル５が配設されている。 - 特許庁

Specifically, an N-type semiconductor layer 2, a P-type semiconductor layer 3 and pad electrodes 4 and 5 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

具体的には半導体基板１の表面上に、Ｎ型半導体層２，Ｐ型半導体層３，及びパッド電極４，５が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, for example, the MOS transistor, a p-type diffusion layer 5 as a back gate region is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置、例えば、ＭＯＳトランジスタでは、Ｎ型のエピタキシャル層３には、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A trench 6 is formed in the cell of a semiconductor substrate 5 to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2.例文帳に追加

半導体基板５のセル部に、Ｎ^＋型層４、Ｐ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達するようにトレンチ６を形成する。 - 特許庁

A gate electrode is made of p^+type polysilicon, and the channel region of the SOI film is n-type while the concentration of impurities is about 3E17/cm^3 at most.例文帳に追加

ゲート電極がＰ^＋型のポリシリコンで形成され、ＳＯＩ膜のチャネル領域がＮ型であり、その不純物濃度が約３Ｅ１７／ｃｍ^３程度である。 - 特許庁

A plurality of auxiliary electrodes (An-2, An-1 to An+2, An+3) are formed above a p-type well via a gate oxide film (tunnel insulating film).例文帳に追加

ｐ型ウエルの上部には、ゲート酸化膜（トンネル絶縁膜）を介して複数の補助電極（Ａｎ−２、Ａｎ−１…Ａｎ＋２、Ａｎ＋３）が形成されている。 - 特許庁

A large quantity of polluted water generated in river construction works is pumped up by a pump 2 into an agitating vessel 3 of a flocculating apparatus P through a sucking pipe 1.例文帳に追加

河川工事などで大量に発生した汚濁水を、吸入管１を通してポンプ２で凝集装置Ｐの撹拌槽３内に汲み上げる。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

An image forming apparatus 1 of the present invention is provided with an image processing device 3 which transfers a toner image formed on an image carrier 6 on a recording material P.例文帳に追加

本願発明の画像形成装置１は、像担持体６上に形成されたトナー像を記録材Ｐに転写する画像プロセス装置３を備える。 - 特許庁

The foamed member P for filling for fixing in the internal space of a pillar 2 is made by fitting a fixing member 3 to the obtained foaming composition 1 for filling.例文帳に追加

得られた充填用発泡組成物１に、取付部材３を装着して、ピラー２の内部空間に取り付けるための充填発泡部材Ｐを作製する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on a substrate 1 composed of n-type silicon (a), and an nip junction is obtained (b).例文帳に追加

ｎ型シリコンからなる基板１上に（ａ）、ｉ型非晶質シリコン層２及びｐ型非晶質シリコン層３を形成してｎｉｐ接合を得る（ｂ）。 - 特許庁

The first belt conveyor 3 is moved along the bridging member 2 to feed the paving material FC in a scattered manner in the width direction of the paving location P.例文帳に追加

第１ベルトコンベア３は、架橋部材２に沿って移動することにより、舗装箇所Ｐの幅方向に分散して舗装材ＦＣを供給する。 - 特許庁

The pipe holders 3 supported in a bent state can easily feed the straight-line shaped pipe P from one end to the other end of the arcuate frame 2.例文帳に追加

このパイプホルダ３によって直線状のパイプＰを湾曲状態で支持しながら弧状フレーム２の一端側から他端側へ容易に送ることができる。 - 特許庁

Ion seeds such as carbon(C) or the like which never becomes impurities are implanted into a J-FET part 6 and a surface channel layer 5 between P-type base regions 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の間のＪ−ＦＥＴ部６及び表面チャネル層５に炭素（Ｃ）等の不純物とならないイオン種をイオン注入する。 - 特許庁

A page sharing proxy 2 accesses a server 3 specified by an identifier Q by utilizing an account corresponding to a user A and acquires a page P.例文帳に追加

ページ共有プロキシ２は、ユーザＡに対応するアカウントを利用して、識別子Ｑによって指定されたサーバ３へとアクセスし、ページＰを取得する。 - 特許庁

On the silicon carbide single crystal substrate 1, an n-type epitaxial layer 2 made of silicon carbide and a p-type semiconductor region 3 made of silicon carbide are stacked.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１の上に、炭化珪素よりなるｎ型エピタキシャル層２および炭化珪素よりなるｐ型半導体領域３を積層する。 - 特許庁

A porous silicon layer 3, whose thickness is about 12 μm formed with a plurality of fine holes 2, is formed on a p-type monocrystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶のシリコン基板１に、微細な孔２が多数形成された厚さが約１２μｍの多孔質シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

A trench 12 is formed to a semiconductor substrate 4 with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2 and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とを有する半導体基板４にトレンチ１２を設ける。 - 特許庁

In air conditioning control, the operation of a shift lever to a parking position P or to a neutral position N is detected with a shift lever position detecting device 3.例文帳に追加

車内空調制御時、シフトレバー位置検出装置３により、シフトレバーがパーキング位置Ｐ又はニュートラル位置Ｎに操作されたことを検出する。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

A PET (Positron Emission Tomography) rack 3 and a PET image processing part 8b reconstruction positron tomographic images on the basis of positrons discharged from the inside of a subject P.例文帳に追加

ＰＥＴ架台３およびＰＥＴ画像処理部８ｂは、被検体Ｐ内から放出されるポジトロンに基づいてポジトロン断層画像を再構成する。 - 特許庁