「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The water flowing in the closed section water channel 3 collides against a face directed on the upstream side of the closed section water channel 3 in a lower end part of the suction bellmouth 6 to reduce a flow rate V at just upstream position of the vertical shaft pump P in the closed section water channel 3.例文帳に追加

閉断面水路３を流れる水を吸込ベルマウス６の下端部における閉断面水路３の上流側に指向している面６Ａに衝突させて、閉断面水路３内における立軸ポンプＰの直上流位置の流速Ｖを減少させる。 - 特許庁

A plurality of photodiodes 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1 by using pn junction, and a microlens 7 is arranged on each photodiode 3 for condensing incident light to a depletion layer region 4 formed at the pn junction of the photodiode 3.例文帳に追加

ＰＮ接合を用いてＰ型半導体基板１上に複数のフォトダイオード３を形成し、入射光をフォトダイオード３のＰＮ接合部に形成されている空乏層領域４に集光するマイクロレンズ７をフォトダイオード３の上にそれぞれ配置する。 - 特許庁

A p-type and an n-type thermoelectric conversion element 2 (2P, 2N) are respectively fitted to separate through-holes formed in an insulating intermediate supporting board 3 and fixed to the board 3 with respectively protruding on both sides of the board 3.例文帳に追加

Ｐ型とＮ型の各熱電変換素子２（２Ｐ，２Ｎ）を、それぞれ、絶縁性の中間支持基板３に形成された別々の貫通孔に嵌合し中間支持基板３の表裏両面側にそれぞれ突出した形態でもって中間支持基板３に固定する。 - 特許庁

A band gap of the AlGaN layer 34 is larger than those of the p-GaN layer 32 and SI-GaN layer 62, which has an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3 as a character.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層３２とＳＩ−ＧａＮ層６２よりもＡｌＧａＮ層３４のバンドギャップの方が大きく、さらに、ＳＩ−ＧａＮ層６２は、その不純物濃度が1×10^17cm^-3以下であることを特徴としている。 - 特許庁

A hat-shaped anchor 3 is provided at a fastened part P of the face bar 1 to the frame 2, and the face bar 1 is fastened to the frame 2 by fastening a top part 3a of the hat-shaped anchor 3 by a screw 4.例文帳に追加

面材１のフレーム２との締結個所Ｐにハット形アンカー３を備えてなるもので、そのハット形アンカー３の頂部３ａをビス４によりビス留めすることにより面材１をフレーム２に締結する。 - 特許庁

In the backflow preventing flap valve, an valve element 3 is rockingly lifted up to the upper part of a valve box 2 at the terminal end of an effluent pipe P and a valve seat 7 of the valve element 3 abuts on the valve seat 8 on the end face of the valve box to close the valve.例文帳に追加

放流管Ｐ末端の弁箱２上部に弁体３を揺動自在に吊り下げ、その弁体３の弁座７が弁箱端面の弁座８に当接し閉弁する逆流防止用フラップ弁である。 - 特許庁

This method forms a Schottky junction between an SOI layer 3 and a body contact 61 in a joint area (namely, below an element separation insulating film 41) for a contact 61 in the SOI layer 3 without forming a P^+ area with a high impurity concentration.例文帳に追加

ＳＯＩ層３におけるコンタクト６１との接続部分（即ち、素子分離絶縁膜４１の下）に、不純物濃度の高いＰ^+領域を形成せずに、ＳＯＩ層３とボディコンタクト６１とをショットキー接合させる。 - 特許庁

In the photographing mode of the digital camera, a lens movement control section 40 of a lens position control section 35 allows a lens moving mechanism 30 to move a photographing lens 3 from a contained position S to a photographing position P, at which the lens 3 comes to a stop.例文帳に追加

デジタルカメラでは、撮影モードになると、レンズ位置制御部３５のレンズ移動制御部４０は、レンズ移動機構３０によって撮影レンズ３を収納位置Ｓから撮影位置Ｐに移動して停止する。 - 特許庁

The p^+ region 25 is formed on the substrate, is of a second conductivity type different from the first conductivity type, and has an impurity concentration of 1×10^20 cm^-3 to 5×10^21 cm^-3 inclusive.例文帳に追加

ｐ^＋領域２５は、基板上に形成され、前記第１導電型とは異なる第２導電型の導電性不純物濃度が１×１０^２０ｃｍ^−３以上５×１０^２１ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The introduced air P and indoor air Q introduced from a suction port 13 of a panel 3 are cleaned by an electric dust collector 7 and a photocatalyst unit 8, and diffused into a room from a supply grill 14 of the panel 3.例文帳に追加

導入外気Ｐ、およびパネル３の吸込口１３から取り入れられた室内空気Ｑを、電気集塵ユニット７および光触媒ユニット８で清浄し、パネル３の吹出グリル１４から室内に吹き出す。 - 特許庁

The fishing line tendency eliminating tool includes one slit 3 or several slits 3 with different groove widths a disposed in parallel for holding the fishing line A with the cushioning pinching force P along the outer periphery 2 of the elastic body piece 1.例文帳に追加

弾性体片１の外周２に沿って釣り糸Ａをクッション性での挟着力Ｐで挟み込む一本のスリット３或は、溝巾ａ違いスリット３を数本並列でなる、釣り糸クセ取り用具にする。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 comprises an n-type GaN substrate 2, a semiconductor laminate structure 3 that is formed on the n-type GaN substrate 2 and includes a p-n junction, and an electrode 8 formed on the semiconductor laminate structure 3.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＮ基板２と、ｎ型ＧａＮ基板２上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造３と、半導体積層構造３上に形成された電極８とを有する。 - 特許庁

The p-type GaN-based semiconductor layer 6 has an impurity concentration of ≤1×10^20 cm^-3, and the first n-type GaN-based semiconductor layer 4 has an impurity concentration of ≤1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層６の不純物濃度は、１×１０^２０ ｃｍ^−３以下であり、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４の不純物濃度は１×１０^１８ｃｍ^−３以下に構成される。 - 特許庁

Insulating layers and the wiring layers in a plurality of layers are formed to a board P, a wiring 3 is formed on an insulating layer 2 as an outermost section, and a connection 4 formed by a plating is formed to the wiring 3.例文帳に追加

基板Ｐに複数層に渡って絶縁層および配線層が形成されており、最表部の絶縁層２上に配線３が形成され、さらに配線３にメッキで形成された接続部４が形成される。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is formed in an N type MISFET formation area 11 and a P type MISFET formation area 12 on the surface of a silicon substrate 1, and metal gate electrodes 4 and 5 are formed on the gate insulating film 3.例文帳に追加

シリコン基板１の表面におけるＮ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域１１及びＰ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域１２にゲート絶縁膜３を設け、その上にメタルゲート電極４及び５を設ける。 - 特許庁

Another face of a brush part 3 of a toothbrush 1 which is composed of a handle part 2 for being held by the hand and a brush part 3 whose whole surface is planted with brush bristles 5 is attached with a massage body 4 for vanishing the nasolabial lines P which is formed swelling with soft and elastic material.例文帳に追加

手で把持する柄部２と、一面にブラシ毛５を植設したブラシ部３とから成る歯ブラシ１のブラシ部３他面に、軟弾性素材によって膨出形成した豊麗線Ｐ消失用のマッサージ体４を設ける。 - 特許庁

In the method, p-type silicon single crystal 2 is grown from an initial silicon melt solution having a boron concentration of not higher than 4E14 atoms/cm^3 and a ratio of a phosphorus concentration to a boron concentration of not lower than 0.42 and not higher than 0.50 by the Czochralski method.例文帳に追加

ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。 - 特許庁

Subsequently, ions are implanted entirely in the backside of the semiconductor wafer 20 where the N+ type region 9 is formed (Fig. 3(a)), and a P+ type region 10 is formed on the surface layer of the N+ type region 9 (Fig. 3(b)).例文帳に追加

この後、Ｎ＋型領域９が形成された半導体ウェハ２０の裏面全体にイオン注入を行い（図３（ａ））、Ｎ＋型領域９の表層部にＰ＋型領域１０を形成する（図３（ｂ））。 - 特許庁

A receiver 3 is formed on a body side of a shorts-type chassis 2, and a suction pump P is activated by a control unit C when urination is detected by the fluid detecting structure 4 formed on the receiver 3.例文帳に追加

パンツ型のシャーシ２の身体側にレシーバ３を形成し、レシーバ３に形成された水分検知構造体４によって排尿が検知されたときに制御ユニットＣによって吸引ポンプＰが作動される。 - 特許庁

A junction field effect transistor 20 comprises an n-type semiconductor layer 1 including a channel region, a buffer layer 3 formed on the channel region, and p^+ regions 4a and 4b formed on the buffer layer 3.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ２０は、チャネル領域を有するｎ型の半導体層１と、チャネル領域の上に形成された緩衝層３と、緩衝層３の上に形成されたｐ^+領域４ａ，４ｂとを備えている。 - 特許庁

Furthermore, an N-channel MOS transistor 31 and a P-channel MOS transistor 35 of the circuit 3 are turned off completely, and on through-current flows from power supply nodes 33 to ground terminals 34 in the circuit 3.例文帳に追加

また、専用回路３のＮチャネルＭＯＳトランジスタ３１およびＰチャネルＭＯＳトランジスタ３５が完全にオフされ、専用回路３において電源ノード３３から接地端子３４へ貫通電流が流れなくなる。 - 特許庁

In an SOI board 4 composed of a p-type silicon board 1, a buried oxide film 2 and a single-crystal silicon layer 3, a source region 10 and a drain region 11 are formed on the single-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。 - 特許庁

After forming a MOS transistor 12 on a p-type silicon substrate 3 on which an element isolation region 4 is formed, 1st to 3rd interlayer insulating films 13-15 and an etching stopper film 16 are laminated on the substrate 3.例文帳に追加

素子分離領域４を形成したｐ型シリコン基板３上にＭＯＳトランジスタ１２を形成した後、基板３上に第１〜第３の層間絶縁膜１３〜１５およびエッチングストッパー膜１６を積層する。 - 特許庁

An inclined bottom plate 24a used also for a partition wall to separate from the sedimentary sand storage hopper 3 and a turbinated type slit 24b for falling down the separated sedimentary sand P into the sedimentary sand storage hopper 3 are provided on the bottom part of the spiral flow passage 24a.例文帳に追加

螺旋流路２４の底部には、沈砂貯留ホッパ３との隔壁を兼ねる傾斜底板２４ａと、分離された沈砂Ｐを沈砂貯留ホッパ３内へ落下させる渦巻き型のスリット２４ｂとを設ける。 - 特許庁

However, since the recombination region (21) does not reach a part between and beneath the adjoining p-type base region (3) in the n-type base region (2) for a current path, a forward voltage of the IGBT is not increased.例文帳に追加

しかしながら、再結合領域(21)は、電流通路となるＮ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方には達しないため、ＩＧＢＴの順方向電圧を増加させない。 - 特許庁

In formulae (1) and (2), R^1, R^2 and R^3 independently denote each a 6C or more organic residue and "A" denotes any one of acidic groups of P(=O)(OH)_2, SO_3H and COOH.例文帳に追加

（但し一般式（１）、一般式（２）において、Ｒ^1、Ｒ^2及びＲ^3はそれぞれ独立に炭素数６以上の有機残基を、ＡはＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_2、ＳＯ_3Ｈ及びＣＯＯＨのいずれかの酸性基を、それぞれ表す。） - 特許庁

The distance W between the aperture sections 7c is 70 to 95% of the length H in the axial direction of the disposable diaper P, and the length of each aperture section 7c is 1/5 to 3/5 of the horizontal length of the front face 3.例文帳に追加

開き部７ｃ間の離間幅Ｗは、紙おむつＰの軸線方向長さＨに対して７０％〜９５％とされ、各開き部７ｃの長さは、前面３の水平長さの１／５〜３／５とされる。 - 特許庁

On an insulating substrate 1, a backing oxide film 2 and an a-Si film 3 are formed, impurity ions are implanted, laser light is irradiated for melting/re-crystallization, and thus a p-type polycrystalline silicon film 3 is formed and machined into an island shape.例文帳に追加

絶縁基板１の上に下地酸化膜２とａ−Ｓｉ膜３を成膜し、不純物イオンを打ち込み、レーザ光を照射して溶融・再結晶化し、ｐ型の多結晶シリコン膜３を生成、島状に加工する。 - 特許庁

The semiconductor quantum dot device comprises a p-type semiconductor barrier layer 3 provided near an undoped quantum dot 1, and holes 4 in the semiconductor barrier layer 3 previously injected at the ground level 8 of the ground level 8 of a valence band of the dot 1.例文帳に追加

アンドープ量子ドット１の近傍にｐ型半導体障壁層３を設け、ｐ型半導体障壁層３内のホール４を量子ドット１の価電子帯の基底準位８に予め注入しておく。 - 特許庁

This MOSFET (semiconductor device) is provided with: a plurality of trenches 3 penetrating a P^-type impurity region 2b; and gate electrodes 5 formed on the inside surfaces of the trenches 3 through silicon oxide films (gate insulation films) 4.例文帳に追加

このＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）は、Ｐ^-型不純物領域２ｂを貫通する複数のトレンチ３と、トレンチ３の内面上にシリコン酸化膜（ゲート絶縁膜）４を介して形成されるゲート電極５とを備えている。 - 特許庁

Level conversion circuits 50, 58 to raise levels of control signals CNT1, CNT 3 are arranged to turn P-channel field effect transistors Q1, Q3 off by the control signals CNT 1, CNT 3 at low H levels.例文帳に追加

低いＨレベルの制御信号ＣＮＴ１，ＣＮＴ３によりＰチャネル電界効果トランジスタＱ１，Ｑ３をオフさせるために、制御信号ＣＮＴ１，ＣＮＴ３のレベルを高くするレベル変換回路５０，５８を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 2 has: the semiconductor device 2a; a terminal 3 formed with a prescribed pitch P between terminals on the lower surface of the semiconductor device 2a; and the columnar, metal post electrode 6 formed on the terminal 3.例文帳に追加

半導体装置２は半導体装置２ａと、該半導体装置２ａの下面に所定の端子間ピッチＰで形成された端子３と、該端子３上に形成された柱状の金属のポスト電極６と、を有している。 - 特許庁

After dropping raw material powder P into molding spaces 1, 2 and 3 of bottom dowels 11, 12 and 13 of a bottom force 10 in being flush with each other, upper dowels 21, 23 of a top force 20 are pushed into the molding spaces 1, 2 and 3, and molded by pressing.例文帳に追加

下型１０の下駒１１，１２，１３の成形空間１，２，３に原料粉体Ｐを面一に落し込んだ後、上型２０の上駒２１，２２，２３を成形空間１，２，３に押し込んでプレス成形する。 - 特許庁

To provide crystals of p-methoxybenzyl 7-phenylacetamide-3-formyl-3- cephem-4-carboxylate being stable and not causing decomposition while retaining high reactivity inherent in the above ester.例文帳に追加

７−フェニルアセトアミド−３−ホルミル−３−セフェム−４−カルボン酸ｐ−メトキシベンジルエステルが本来有する高い反応性を保持しながら、しかも安定で分解を起すことがない該エステル化合物の結晶を提供する。 - 特許庁

A multi-layer synthetic resin sheet is formed by laying surface layers 3 and 3' comprising a polyolefin resin on both surfaces of the mono-layer, a core layer P.例文帳に追加

又、ポリエチレンテレフタレート樹脂１に繊維状物質２が混合された複合合成樹脂からなる中芯層Ｐの両面に、ポリオレフィン系樹脂からなる表面層３，３´が積層された複合層合成樹脂シート材。 - 特許庁

A cavity area is provided behind the recessed portions 7a-7k and a lamp is installed behind the recessed portions 7c-7f where the small parts 3, 3 shaped like figures are embedded in the urethane elastomer P.例文帳に追加

さらに、凹状部分７ａ〜７ｋの後方は、空洞領域９になっており、数字を型取った小型パーツ３，３・・をウレタンエラストマーＰ中に埋め込んだ凹状部分７ｃ〜７ｆの後方には、ランプ５が設置されている。 - 特許庁

A rectangular insulating substrate 1, having a pair of electrodes 2 and 3, is provided with a light emitting element chip 4 whose n-side electrode 41 and p-side electrode 42 are respectively connected with the pair of electrodes 2 and 3.例文帳に追加

一対の電極２、３が設けられる矩形状の絶縁性基板１に、ｎ側電極４１およびｐ側電極４２がそれぞれ一対の電極２、３と接続される発光素子チップ４が設けられている。 - 特許庁

The vibration suppressing device comprises a device body 3 for storing an object product P and vibration suppressing liquid L at the same time, and at least two product passage ports 5 formed in different sites on the device body 3.例文帳に追加

対象製品Ｐと振動抑制用の液体Ｌとを同時に収容する装置本体３と、この装置本体３の異なる部位に形成された少なくとも２つの製品通過口５とを備えたこと。 - 特許庁

A tail gate 1 provided with the pull pocket P held by the hand when the door is operated has a door panel 2, a lining 3 mounted at the inside of a cabin of the door panel 2 and a pull pocket member 4 mounted on the lining 3.例文帳に追加

ドア操作時に手を掛けるためのプルポケットＰを備えるテールゲート１は、ドアパネル２と、ドアパネル２の車室内側に取り付けられるライニング３と、ライニング３に取り付けられるプルポケット部材４と、を有する。 - 特許庁

A ceramic package 1, on which a crystal diaphragm is packaged, is packaged on a pallet P and closed by a metal lid 3, a transparent heat resistant glass pane G of a transmitting plate is packaged on the upper part thereof and the metal lid 3 is pressed and fixed.例文帳に追加

パレットＰに水晶振動板の搭載されたセラミックパッケージ１を搭載し、金属フタ３により閉口し、その上部に透過板である透明な耐熱ガラス板Ｇを搭載し、金属フタ３を押圧固定する。 - 特許庁

The manufacturing method for this compound semiconductor equipment comprises a process of letting silica of 1×10^16 cm^-3 to 8×10^17 cm^-3 contained in a first semiconductor layer 25 composed of p-type nitride compound or a first semiconductor layer 26 composed of i-type nitride compound, each of which contains magnesium, and then process to etch the first semiconductor layers 25 and 26.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６に１×１０^16ｃｍ^-3〜８×１０^17ｃｍ^-3の珪素を含有させる工程と、その後、第１半導体層２５、２６をエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

A coating table 1 having a flat upper surface, a mesh 3 fixed on the upper surface of the coating table and a spacer 4 covering the mesh 3 partially and formed higher than the upper surface of the mesh 3 by a prescribed height are provided and the paste P is applied on the mesh 3 except the spacer 4 to have the same height as that of the upper surface of the spacer 4.例文帳に追加

平坦な上面を有する塗布台１と、塗布台１の上面に固定されたメッシュ３と、メッシュ３を部分的に覆いかつメッシュ３の上面より一定高さだけ高く形成されたスペーサ４とを備え、スペーサ４以外のメッシュ３の上にスペーサ４の上面と同一高さにペーストＰを塗布する。 - 特許庁

The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１７は、Ｂｅの濃度が、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６側端が１．８×１０^18ｃｍ^-3であり、エッチングストップ層１８側端が１．０×１０^18ｃｍ^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。 - 特許庁

The solution discharge apparatus comprises a nozzle 3 disposed vertically so that the nozzle 3 may face a coating target surface of a substrate P transferred by substrate transfer means 11 from above and a trap 4a formed by bending a U-shaped pipe 4 disposed in a horizontal portion of a pipe 4 connecting a tank 2 and the nozzle 3 in a vicinity of the nozzle 3.例文帳に追加

ノズル３を、基板搬送手段１１により搬送された基板Ｐの被液剤塗布面に上方から対向するように垂直に配設したノズルとするとともに、タンク２とノズル３とを連結するパイプ４の水平部分のノズル３近傍に、パイプ４をＵ字状に彎曲させたトラップ４ａを設ける。 - 特許庁

This press P is provided with a slide 3, which is arranged so as to vertically move in the upper side of a machine frame 1, the slide 3 is stroke moved by a first slide driving part 10, and openings of the slide 3 and a bolster 4 are constituted to be widened by largely moving the slide 3 upward by a second slide driving part 20.例文帳に追加

プレス機Ｐは、機枠１の上方に上下移動可能に配置したスライド３を有し、スライド３は第１のスライド駆動部１０によりストローク運動を行ない、第２のスライド駆動部２０によりスライド３を上方に大きく移動させて、スライド３とボルスタ４との開口を広げるように構成される。 - 特許庁