「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, the conical shape includes a light-emitting center T of a light source 3 on the extension of the perpendicular line P having the vertex E1, and is integrally molded on a light guide plate 1.例文帳に追加

また、円錐形状は頂点Ｅ１を有する垂線Ｐの延長上に光源３の発光中心Ｔを備えており、導光板１に一体成型される。 - 特許庁

The gate insulating film 15 is formed on a wall surface 9 of the laminate structure part 3 to straddle the n-type GaN layer 5, the p-type GaN layer 6 and the n-type GaN layer 7.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５は、ｎ型ＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７に跨るように、積層構造部３の壁面９に形成されている。 - 特許庁

A driving control part 3 can correct the difference distribution I'(p, q) to converge by controlling the aberration correction part 18 based on the aberration signal SA.例文帳に追加

駆動制御部３は、収差信号ＳＡを基に収差補正部１８を制御することにより、差分分布Ｉ′（ｐ，ｑ）を収束させるよう補正することができる。 - 特許庁

The lens movement control section 40 allows the movement mechanism 30 to move the photographing lens 3 from the photographing position P to the storage position S for stopping when it shifts to a reproduction mode.例文帳に追加

また、再生モードになると、レンズ移動制御部４０は、移動機構３０によって撮影レンズ３を撮影位置Ｐから収納位置Ｓに移動して停止する。 - 特許庁

Then a maximum value of nitrogen atom concentration in a region which is ≤10 nm away from an interface between the p-type layer 4 and oxide layer 8 is ≥1×10^21 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型層４と酸化膜８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０^２１ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

The polishing device includes a support device 1 having a roller 2 capable of supporting a straight pipe like tube p and a roller driving device 3, and a polishing machine 10 adjoining the support device 1.例文帳に追加

直管状の管体ｐを支持可能なローラ２とローラ駆動装置３とを有する支持装置１を備え、前記支持装置１に隣接して研磨機１０を備える。 - 特許庁

The alignment part 3 is provided in a plurality of areas locating away in an axial direction P of the body cylindrical part 2 to project to the outside of a peripheral wall 2a of the body cylindrical part 2.例文帳に追加

位置合わせ部３は、本体筒部２の軸方向Ｐに離れて位置する複数の箇所に、本体筒部２の周壁２ａの外方に突出するように設けられる。 - 特許庁

Pinching force and suction force are applied to a pinching part pinched by the platen chamber 5 and the pinch roller 3, and the paper P is held on the upper surface of the belt 14 by high holding force.例文帳に追加

プラテンチャンバ５とピンチローラ３とによる挟持部分に挟持力と吸引力とを共に作用させて、高い保持力で紙Ｐをベルト１４上面に保持する。 - 特許庁

A bottom surface 2a of a body of the image reader 2 is provided with sheet pressing means 4 for pressing transfer paper P ejected in the sheet ejecting and stacking part 3.例文帳に追加

画像読取装置２本体の底面２ａにシート排出積載部３内に排出された転写紙Ｐを押さえるシート押さえ手段４を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A p+ area 2 is formed on the surface layer of one main side of an n- semiconductor substrate 100, and an n+ area 3 is formed on the surface layer of the other main side of the n- semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ｎ^- 半導体基板１００の一方の主面の表面層にｐ^+ 領域２を形成し、他方の主面の表面層にｎ^+ 領域３を形成する。 - 特許庁

The forward-working die device for window opening comprises a punch die P and a die D with a trapezoidal sectional shape of a blade tip 1(3).例文帳に追加

窓開け加工用追い切り金型装置は、刃先１（３）の断面形状が台形により構成されていることを特徴とするパンチ金型Ｐとダイ金型Ｄから成る。 - 特許庁

The head part of the pull-top P is inserted to the opening part 3 of the cap opening part 1 released from the connection part 2, and its rear end is pulled up whereby the pull-top is opened.例文帳に追加

連結部２から外した開蓋部１の開口部３に、プルトップＰの頭部を挿入し、その後端を上方に持ち上げることによって開蓋する。 - 特許庁

In the package P for the microwave heating, the inner lid 2 is attached to the container body 1 after the article R to be heated is housed inside the container body 1, and the container body 1 is hermetically sealed with the top lid 3.例文帳に追加

電子レンジ加熱用包装体Ｐは、容器本体１の内部に被加熱物Ｒを内部に収納してから中蓋２を装着し上蓋３で密封する。 - 特許庁

The parallel printing system 1 carries out parallel printing of printing a rear surface by a rear surface printer 3 after printing a front surface of the continuous forms paper P by a front surface printer 2.例文帳に追加

重連印刷システム１は、連続紙Ｐの表面を表面印刷装置２で印刷してから裏面を裏面印刷装置３で印刷する重連印刷を行う。 - 特許庁

The p-electrodes 12, 22 and 32 of the blue-violet semiconductor laser element 1, the red semiconductor laser element 2, and the infrared semiconductor laser element 3 become common electrodes.例文帳に追加

また、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２が共通の電極となっている。 - 特許庁

Drain/source diffused layers 3 facing each other with a channel region 4 between are formed on a p-type silicon substrate 1, and a gate electrode 6 is formed via a gate insulating film 5.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１に、チャネル領域４を挟んで対向するドレイン、ソース拡散層３が形成され、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成される。 - 特許庁

At this time, an OP amplifier 3 controls the set current Ic according to a monitor current Im and a set voltage Vc from the P channel MOS transistors 7 and 8.例文帳に追加

その際、ＯＰアンプ３は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ７，８からのモニタ電流Ｉｍと設定電圧Ｖｃとに応じて、上記設定電流Ｉｃを制御する。 - 特許庁

On one surface of a high-resistance n-type base layer 1, an n-type collector layer 2 of high concentration is formed and on the other surface, a p-type base layer 3 is selectively formed.例文帳に追加

高抵抗のｎ型ベース層１の一方の面には高濃度のｎ型コレクタ層２が形成され、他方の面にはｐ型ベース層３が選択的に形成されている。 - 特許庁

Illumination is performed by a planar emission part 9 of the lighting system 3 from peripheral direction both sides at an imaging position P of a laminating ring 7a installed on the rotary table 2.例文帳に追加

回転テーブル２に載置された積層リング７ａの撮像位置Ｐに周方向両側から照明装置３の平面発光部９により照明を行う。 - 特許庁

Particles are sputtered from a target 21a consisting of copper and a target 21b consisting of aluminum, and a p-layer 3 consisting of a CuAlO_2 film is deposited on the substrate 1.例文帳に追加

これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ_２膜よりなるｐ層３が形成する。 - 特許庁

A window part 17 of the case 14 is provided with an optical lens 19 for making the light reception range of the photo-sensor 15 converge to the detection region P side of the conveyance path 3.例文帳に追加

ケース１４の窓部１７には、フォトセンサ１５の受光範囲を搬送路３の検出領域Ｐ側に対して集光させる光学レンズ１９が設けられている。 - 特許庁

The female die sleeve (3) is composed of at least two parts (6, 7) and on which a means (8) for relatively moving them in the direction (P) of the press working is provided.例文帳に追加

雌型スリーブ（３）は少なくとも２つの部分（６，７）から構成され、プレス加工方向（Ｐ）においてそれらを相対的に移動させる手段（８）が設けられている。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成された低不純物濃度のｐ型活性層３の表面から絶縁層２に到達する深さでｎ型ドレイン層６が形成されている。 - 特許庁

On the opposite side of the skin layer 2a, opposite to the polishing surface P, the urethane sheet has a foamed layer 2b in which triangular cross-sectioned cells 3 rounded along the direction of thickness are formed.例文帳に追加

スキン層２ａの研磨面Ｐと反対側には、厚み方向に沿って丸みを帯びた断面三角状のセル３が形成された発泡層２ｂを有している。 - 特許庁

A p-type impurity region 5 is formed in the upper face of the semiconductor layer 2 above the embedded impurity regions 3 and 4 by detaching it from the impurity region 6.例文帳に追加

また、埋め込み不純物領域３，４の上方では、半導体層２の上面内に不純物領域６と離れてｐ型の不純物領域５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus 20 is configured by including means 3, 4, 7, 11 for simultaneously operating the electronic shutter for reading one line and the other line during one pixel signal period P.例文帳に追加

１画素信号期間Ｐ中に１の行の読み出しと、他の行の電子シャッタを同時に行う手段３，４，７，１１を有する固体撮像装置２０を構成する。 - 特許庁

To provide a 3-5 group compound semiconductor low in a drive voltage and high in light emitting efficiency and besides stable in performance even when a cap layer forms a P-type.例文帳に追加

キャップ層をｐ型としなくても駆動電圧が小さくかつ発光効率の高いしかも性能の安定した３−５族化合物半導体を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 1 includes a substrate 2, a semiconductor laminated part 3, an insulating film 4, a p-side electrode 5, a pair of ridge protection part 6 and 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、基板２と、半導体積層部３と、絶縁膜４と、ｐ側電極５と、一対のリッジ保護部６、７と、ｎ側電極８とを備えている。 - 特許庁

The sputtering power source 3 supplies electric power of ≥5 W/cm^2 to the target 2, and the sputtering particles are ionized in a plasma P formed only by the electric power.例文帳に追加

スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。 - 特許庁

A circuit section from a subtractor 3 to an inverse DCT 11 encodes part of a received image into a P picture and obtains a first local decoded image through local decoding.例文帳に追加

減算器３から逆ＤＣＴ１１に至る回路部は、入力画像の一部をＰピクチャに符号化し、局部復号して第１の局部復号画像を得る。 - 特許庁

An automatic retrieving system 1 includes a telephone unit 3 installed in a vehicle P, a controller unit 4 installed in a call center Q, a telephone unit 5, and an operator terminal 6.例文帳に追加

自動検索システム１は、車両Ｐに搭載された通話機３と、コールセンターＱに設置されたコントローラユニット４、通話機５及びオペレータ端末６とを備えている。 - 特許庁

At least either of the first/second holding members 3, 4 is configured to include a holding surface 8 or 14 brought into pressure contact with the outer periphery of the piping P while having an arcuate cross-section.例文帳に追加

第１又は第２の把持部材３，４の少なくともいずれか一方には、配管Ｐの外周に圧接される断面円弧状の把持面８，１４を具備させる。 - 特許庁

Thus, ends of the p-type base regions 3, those of n+ type source regions 4, those of the gate electrode 7 and those of the contact holes are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の端部とｎ+型ソース領域４の端部、ゲート電極７の端部とコンタクトホールの端部とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

The memory cell region Cell and the core region Core are provided with a substrate 1, a p-type well region 2 and an n-type well region 3, both of which are formed on the substrate 1.例文帳に追加

メモリセル領域Ｃｅｌｌ及びコア領域Ｃｏｒｅは、基板１と、基板１上に形成されたｐ型ウェル領域２及びｎ型ウェル領域３を備える。 - 特許庁

Impurity concentration of channel regions of n-channel MISFET 40 and p-channel MISFET 41 is controlled to not more than 1.2×10^18/cm^3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４０とｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ４１のチャネル領域の不純物濃度は、１．２×１０^１８／ｃｍ^３以下に制御されている。 - 特許庁

This introduces a positive fixed charge in the vicinity of a channel layer of the N-type CN-FET 2 more than in the vicinity of the channel layer of the P-type CN-FET 3.例文帳に追加

これにより、Ｎ型ＣＮ−ＦＥＴ２のチャネル層近傍において、Ｐ型ＣＮ−ＦＥＴ３のチャネル層近傍よりも多くの正の固定電荷が導入される。 - 特許庁

A dummy gate pattern 4 is formed above an n well 1 in a semiconductor wafer and p^+ diffusion regions 2 and 3 are formed on both sides of the dummy gate pattern 4 with the pattern as an inhibition mask.例文帳に追加

半導体ウェハ中のｎウェル１の上方にダミーゲートパターン４を形成し，ダミーゲートパターン４を阻止マスクとしてその両側にｐ^+ 拡散領域２，３を形成する。 - 特許庁

An annular gate electrode 6 is provided above pn-junction portions 22 between the side surfaces of the p-type body region 4 and the n-type drift region 3 along the pn-junction portions 22.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。 - 特許庁

In the cathode film 3, a part in contact with the n^--single crystal silicon substrate 1 becomes an n^+ buffer region 7 having high density, and a p base region 6 is formed adjacently to this region.例文帳に追加

また、カソード膜３において、ｎ^-単結晶シリコン基板１と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域７となり、その隣にｐベース領域６を形成する。 - 特許庁

From the front surface of the p-type semiconductor region 3 to an interface between the n-type epitaxial layer 2 and the substrate 1, a groove 12 having a lattice-like plane shape is formed.例文帳に追加

ｐ型半導体領域３の表面から、ｎ型エピタキシャル層２と基板１との界面にまで達し、かつ平面形状が格子状をなす溝１２を形成する。 - 特許庁

On a GaAs substrate 3, an n+ type diffusion region 4 and a p+ type diffusion region 5 joined inside the n+ type diffusion region 4 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３上には、ｎ＋型拡散領域４と、該ｎ＋型拡散領域４内に接合するようにｐ＋型拡散領域５とが形成されている。 - 特許庁

When the recording duty is about 70%, the curvature imparted to the recording paper P is set to be larger than the case where the recording duty is about 50% (Fig.3(b)).例文帳に追加

例えば「記録デューティ」が７０％前後である場合には、記録紙Ｐに付与する湾曲量を「記録デューティ」が５０％前後のときより大きくする（図３（ｂ））。 - 特許庁

An arrangement pitch P1 of a core material feeding piece 33 projected on the core material feeding conveyor 3 and a placement pitch P of the molding paste material are set to the same value or an approximate value.例文帳に追加

芯材供給コンベア３に突設された芯材供給片３３の配設ピッチＰ１と成型練り原料の載置ピッチＰを同一あるいは近似に設定している。 - 特許庁

The multiple holding clamps 41 set the measurement point P of the annular object 8 to be measured to a rotation center A of the rotary shaft 3, and hold the annular object 8 to be measured.例文帳に追加

複数の保持クランプ４１は、回動軸３の回動中心Ａに円環状測定物８の測定点Ｐを合わせて円環状測定物８を保持する。 - 特許庁