「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

The group A: terpineols, terpinyl acetate, cepionate, methyl dihydrojasmonate, indole, 2-methyl-3-(3,4- methylenedioxyphenyl)propanal, hydroxycitronellal, hydroxycitronellol, p-t- butyl-α-methylhydrocinnamic aldehyde, 4-(4-hydroxy-4-methylpentyl)-3- cyclohexene-1-carboxy aldehyde, 3-methyl-5-phenylpentanol and others.例文帳に追加

Ａ群）ターピネオール、ターピニルアセテート、セピオネート、メチルジヒドロジャスモネート、インドール、２−メチル−３−（３，４−メチレンジオキシ−フェニル）−プロパナール、ヒドロキシシトロネラール、ヒドロキシシトロネロール、ｐ−ｔ−ブチル−α−メチルヒドロシンナミックアルデヒド、４−（４−ヒドロキシ−４−メチル−ペンチル）−３−シクロヘキセン−１−カルボキシアルデヒド、３−メチル−５−フェニルペンタノール他 - 特許庁

In the optical head 1, the electrical substrate 10 and the photodetector 3 are provided with structure, where the width (d) of an electric substrate extending part 11 is formed more narrow than the width (p) of the photodetector 3 and two side surfaces 3a, 3a of the photodetector 3 are protruded from the electrical substrate 10 and fixed.例文帳に追加

光学ヘッド１において、電気基板１０と光学検出器３とは電気基板延部１１の幅ｄが光学検出器３の幅ｐより狭く形成されていて、光学検出器３の２側面３ａ，３ａが電気基板１０から突出させて固定されてなる構造を備えている。 - 特許庁

In pressurizing and clamping the pin part 3 with the upper and lower arms 9, 11, the center of the pin part 3 is located in an intersection point P of the rotating locus M of the clamping central part of the upper and lower arms and the rotating locus N of the center of the pin part 3 around the journal part 5 of the crankshaft 1.例文帳に追加

ピン部３を上下各アーム９，１１で加圧挟持する際に、ピン部３の中心を、上下各アーム９，１１の挟持中心部の回転軌跡Ｍと、クランクシャフト１のジャーナル部５を中心としたピン部３の中心の回転軌跡Ｎとの交点Ｐに位置させる。 - 特許庁

A photosensitive layer 2 of an outer peripheral face of the photosensitive drum 3 is peeled by moving a nozzle 10 in the direction of an axis 3a of the photosensitive drum 3 by a travel motor 7 and a ball screw 8 and injecting abrasive grains P toward a surface of the photosensitive drum 3 by compressed air from a compressor 13.例文帳に追加

ノズル１０が移動モータ７とボールネジ８により感光ドラム３の軸３ａ方向に移動しながら感光ドラム３の表面に向けて砥粒Ｐをコンプレッサー１３からの圧縮空気によって噴射することによって、感光ドラム３の外周面の感光層２の剥離が行われる。 - 特許庁

Standing units 3 are provided at an interval P of 3/4 or more of a thickness T of each of plates 10 to be installed in the fixture 1 for the manufacture, and the plates 10 can be supported at an interval C of 1/3 of more of the thickness T of the plate 10.例文帳に追加

製造用治具１には立て掛け部３が、設置される板体１０の板厚Ｔの３分の４以上の間隔Ｐをおいて設けられており、板体１０同士をその板厚Ｔの３分の１以上の間隔Ｃをおいて支持することができるようにされている。 - 特許庁

The connector is provided with an outer housing 4 which supports a male connector 2 movably in pushing direction of a female connector 3 and is fixed to a vehicle body panel P, a lever 6 which is axially supported by the male connector 2 rotatably along the pushing direction of the female connector 3, and a cam shaft 31 installed in the female connector 3.例文帳に追加

コネクタは、雌コネクタ３の押込方向に移動自在に雄コネクタ２を支持して車体パネルＰに固定されるアウターハウジング４と、雌コネクタ３の押込方向に沿って回動自在に雄コネクタ２に軸支されたレバー６と、雌コネクタ３に設けられたカム軸３１とを備えている。 - 特許庁

A printing head 4 comes down on a screen 3 supported by a screen support means and presses the screen 3 from above, and a support base 2 is lifted up to make the upper surface of a projecting surface P1 of the printed substrate P including the projection and recess on its lower surface abut against the lower surface of a flat plate 3A of the screen 3.例文帳に追加

印刷ヘッド４はスクリーン支持手段に支持されたスクリーン３上に下降してスクリーン３を上方から押圧して、支持ベース２を上昇させてスクリーン３の平板３Ａの下面にその下面に凹凸を有するプリント基板Ｐの凸面Ｐ１上面を当接させる。 - 特許庁

A 1 to 3 nm thickness tunnel insulating film 14 consisting of acid nitride silicon and a degenerated n-type electrode 15 as a second conductivity-type heavily-doped semiconductor layer, whose impurity concentration is 1×1019 cm-3 or higher are formed along recesses and projections on the p-type diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１３の上の凹凸形状に沿って、酸窒化シリコンよりなり厚さが１ｎｍ〜３ｎｍのトンネル絶縁膜１４と、不純物濃度が１×１０^19ｃｍ^-3以上であって第２導電型の高濃度半導体層としての縮退したｎ型電極１５が形成されている。 - 特許庁

This handrail mounting device comprises plate-like brackets 3 vertically standing and each having one or more mounting holes 3b, support pieces 4 integrally joined to the brackets 3, at least one socket standing at the ends of the support pieces 4, and tightening members P installed on the support pieces 4 on the opposite sides of the brackets 3.例文帳に追加

縦方向に起立すると共に一つ又は複数の取付孔３ｂを備えた板状ブラケット３と、ブラケット３に一体結合し支持片４と、支持片４の端部に起立する少なくとも一つのソケット５と、支持片４に上記ブラケット３と反対側に設けた締付け部材Ｐとからなる。 - 特許庁

In the device which is constituted as above, a release wire 3 for operating the release mechanism P is provided separately from the endless chain 2, and the length of the release wire 3 can be adjusted so that a prescribed distance L can be maintained between a lower end of the release end 3 and a floor surface.例文帳に追加

上記構成において、解除機構Ｐを作動させるための解除ワイヤ３を、前記エンドレスチェ−ン２とは別に設け、この解除ワイヤ３は該解除ワイヤ３の下端が床面に対して所定距離Ｌが保持できるように長さを調節できるようにしてある。 - 特許庁

A plurality of cut-out parts 4 recessed toward a radial-directional inside of the flange 3 is formed with a space P along a circumferential direction of the flange 3, in an outer circumferential part of the flange 3 of the piping 1, as to flange structure of the piping 1 with the high temperature gas (high temperature fluid) flowing through an inside thereof.例文帳に追加

高温ガス（高温流体）を内部に流す配管１のフランジ構造に関し、前記配管１のフランジ３の外周部に、該フランジ３の半径方向内側に向けて窪む複数の切欠部４を前記フランジ３の周方向に間隔Ｐを隔てて形成する。 - 特許庁

The unit 3 extends vertically from a floor to a ceiling between wall panels P and P in the same wall surface to suck air under the floor and blows it out to a living room space 2.例文帳に追加

換気ユニット３は、居室空間２側を向く前面に開口Ｏを有しかつ内部にファンＦｕを配した箱状のユニット本体部４と、このユニット本体部４に取付されかつ居室空間２に空気を吹き出ししうる吹き出し口を有する化粧カバー５とからなる。 - 特許庁

The first P-type semiconductor region P1, the first N-type semiconductor region N1, the second P-type semiconductor region P2, and the second N-type semiconductor region N2 are disposed in order from the side of one main surface 2 of the semiconductor substrate 1 to the other main surface 3.例文帳に追加

半導体基体１の一方の主面２側から他方の主面３に向って第１のＰ型半導体領域Ｐ1、第１のＮ型半導体領域Ｎ1、第２のＰ型半導体領域Ｐ2、第２のＮ型半導体領域Ｎ２が順次に配置されている。 - 特許庁

An n++-type drain region 4 is formed in comb shape, in plan view, and surrounded by an n-type semiconductor layer 3, a p+-type well region 5, an n++-type source region 6, and a p++-type base contact region 7.例文帳に追加

平面形状において、ｎ^++形ドレイン領域４が略くし形の形状に形成され、ｎ形半導体層３、ｐ^+形ウェル領域５、ｎ^++形ソース領域６、ｐ^++形ベースコンタクト領域７がｎ^++形ドレイン領域４を囲むように形成されている。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 with the insulation film 13 as a polishing stopper, a part of the insulation film 13 is removed to be the mask, a second alignment mark 3 is formed, and the p-type semiconductor layer 14 is etched back by the degree of the part of the thickness of the insulation film 13.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、絶縁膜１３の一部を除去してマスクとし、第２のアライメントマーク３を形成するとともに、絶縁膜１３の厚さ分程度、ｐ型半導体層１４をエッチバックする。 - 特許庁

The buried semiconductor laser 1 is formed of a p-type InP substrate 2 and has a ridge 6 consisting of a first clad layer 3 made of p-type InP, an AlGaInAs distortion quantum well active layer 4 and a second clad layer 5 made of n-type InP which are laminated.例文帳に追加

埋め込み型半導体レーザ１は、ｐ型のＩｎＰ基板２を用いて形成され、ｐ型ＩｎＰからなる第１クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層４、ｎ型ＩｎＰからなる第２クラッド層５を積層したリッジ部６を有している。 - 特許庁

The differential amplifier circuit is composed of P channel type transistors 1 and 2 of constant current sources, P channel type transistors 3 and 4 in which gates are applied with voltages Vin- and Vin+ of differential inputs, and an N channel type transistor 7 of an output stage.例文帳に追加

定電流源のＰチャネル型トランジスタ１、２と、差動入力の電圧Ｖｉｎ−、Ｖｉｎ＋がゲートに印加されるＰチャネル型トランジスタ３、４と、負荷のＮチャネル型トランジスタ５、６と、出力段のＮチャネル型トランジスタ７とから差動増幅回路が構成されている。 - 特許庁

In the device, a fixing roll 4, a coating roll 3 to coat oil O on the fixing roll 4 and an oil pan P to retain the oil O are provided A pipe 13 and a pipe heater 12 are installed inside the oil pan P so that the oil O is heated to above a specified temperature by the pipe heater 12.例文帳に追加

定着ローラ４と、該定着ローラ４にオイルＯを塗布する塗布ローラ３と、該オイルＯを貯留するオイルパンＰとを備え、該オイルパンＰ内にパイプ１３およびパイプヒータ１２を配設し、該パイプヒータ１２により、該オイルＯを所定温度以上に加温する。 - 特許庁

An accumulator 7 detects the output of the divider 5 and decides the frequency dividing number of the divider 5 by sequentially alternately supplying frequency dividing numbers (N+1) and N and the divider 5 alternately sets the frequency dividing number of the prescaler 3 at (P+1) and P.例文帳に追加

アキュムレータ７は、第１の可変分周器５の出力を検出し、分周数（Ｎ＋１）、Ｎを時系列的に交互に供給し、第１の可変分周器５の分周数が決まり、更にこの分周器５は、プリスケーラー３の分周数を交互に（Ｐ＋１）、Ｐとする。 - 特許庁

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

An n-type oxide layer 2, a barrier layer 3, and a p-type oxide layer 4 are laminated in order on an insulated substrate 1 such as glass, a metal electrode 5 of double-layer structure is formed on the p-type oxide layer 4, and a metal electrode 6 is formed on the n-type oxide layer 2.例文帳に追加

ガラス等の絶縁性基板１上にｎ型酸化物層２、バリア層３、ｐ型酸化物層４が順に積層され、ｐ型酸化物層４上には２層構造の金属電極５が、ｎ型酸化物層２上には金属電極６が形成されている。 - 特許庁

Further, the face to be the inner face of the can is desirably subjected to either or both of Ni plating having a coating weight of ≥1 g/m^2 and Ni-P alloy plating having a coating weight of ≥1 g/m^2 and a P content of 3 to 8%.例文帳に追加

なお缶内面になる面には、付着量１ｇ／ｍ^２以上のＮｉメッキ、付着量１ｇ／ｍ^２以上でＰ含有率が３％以上８％以下のＮｉ−Ｐ合金メッキのうちのいずれか一方または両方を施すことが望ましい。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element board 3 and the n-type thermoelectric element board 4 are made by bonding a plurality of roughly bar-shaped p-type thermoelectric element members 6 and n-type thermoelectric element members 7 to the surface of insulating substrates 5 so that they may be parallel with each other.例文帳に追加

略棒状のＰ型の熱電素子部材６及びＮ型の熱電素子部材７を、複数本のものがそれぞれ平行となるよう絶縁性基板５の表面に接着してＰ型熱電素子基板３及びＮ型熱電素子基板４を形成する。 - 特許庁

The light-emitting display is arranged in a dot-matrix with the light-emitting elements 3 with a residual portion excepting a p-side electrode 36 portion serving as a light-emitting face 11, by providing a p-side electrode 36 for supplying an electric power source to a main light-emitting face 10.例文帳に追加

発光表示装置は、主発光面１０に電源を供給するｐ側電極３６が設けられていることで、ｐ側電極３６部分を除いた残余を光出射面１１とした発光素子３をドットマトリクス状に配置したものである。 - 特許庁

In this case, the member 6 is arranged extending from a position P1 which is 5 mm from a base point P of the upper surface position of a base main body 2 into the base main body 2 to a position P2 which is 12 mm from the base point P to the tip side of the feathers 3.例文帳に追加

この時、前記補強部材６は、ベース本体２上面位置の基点Ｐより前記ベース本体２内に５ｍｍ離れた位置Ｐ１から前記基点Ｐより羽根３の先端側に１２ｍｍ離れた位置Ｐ２までの領域に亘って配設される。 - 特許庁

The ink jet printer 1 (20) is equipped with a recording head 3 for discharging ultraviolet curable ink to allow the same to arrive at the recording medium P and an ultraviolet light source 4 for emitting ultraviolet rays for curing and fixing the ultraviolet curable ink arriving at the recording medium P.例文帳に追加

記録媒体Ｐ上に紫外線硬化インクを射出し着弾させる記録ヘッド３と、記録媒体Ｐ上に着弾した紫外線硬化インクを硬化定着させるための紫外線を出力する紫外線光源４とを備えるインクジェットプリンタ１，２０である。 - 特許庁

In a packaging machine 3, when a stretch film SF is ready to be delivered from a film roll FR to a packaging area PA, a lift part 30 lifts a merchandise product P and pushes up the merchandise product P to the stretch film SF of the packaging area PA.例文帳に追加

包装機３では、包装エリアＰＡに対してフィルムロールＦＲからストレッチフィルムＳＦが繰り出されることが可能な状態において、リフト部３０が、商品Ｐを持ち上げて、当該商品Ｐを包装エリアＰＡのストレッチフィルムＳＦに対して突き上げる。 - 特許庁

This rubber composition is obtained by compounding 0.5 to 10 pts.wt. of a compound which is a reaction product of squalene with p-benzoquinone diimine based compounds and 0.5 to 2.0 pts.wt. of N-phenyl-N'-1, 3-dimethylbutyl-p-phenylenediamine to 100 pts.wt. of a rubber component.例文帳に追加

ゴム成分１００重量部に対して、スクアレンとｐ−ベンゾキノンジイミン系化合物との反応生成物である配合物Ａを０．５〜１０重量部、及びＮ−フェニル−Ｎ’−１，３−ジメチルブチル−ｐ−フェニレンジアミンを０．５〜２．０重量部配合してなるゴム組成物。 - 特許庁

The supporting device includes a wall fixing member 1, a panel fixing member 2 to which a display panel P is fixed, and a coupling and supporting member 3 coupling the panel fixing member 2 to be movable with respect to the wall fixing member 1 and supporting the weight of the panel fixing member 2 and of the display panel P.例文帳に追加

壁固定部材１と、表示パネルＰが固定されるパネル固定部材２と、パネル固定部材２が壁固定部材１に対して可動となるように連結し且つパネル固定部材２及び表示パネルＰの重量を支持する連結支持部材３と、を備える。 - 特許庁

In an image forming device 1, electrification, optical scanning, developing, transfer and cleaning units 3 to 7 are arranged in this order around a photoreceptor drum 2 so that an electrophotographic processing part P is constituted, and a fixing unit 10 is arranged above the processing part P.例文帳に追加

画像形成装置１において、感光体ドラム２の周囲に帯電、光走査、現像、転写およびクリーニングの各ユニット３〜７をこの順番に配置して電子写真プロセス部Ｐが構成され、該プロセス部Ｐの上部に定着ユニット１０が配置される。 - 特許庁

Sections 19, 21, 22 and 29(4), shall apply, mutates mutandis, to industrial designs with the proviso that the period of 16 months referred to in Section 19(2) shall be replaced by a period of three months from the date on which the application containing the declaration was filed, and that for this purpose the letter “P”, in Section 22, shall be read as the letters “ID”.例文帳に追加

第19条，第21条，第22条及び第29条(4)を意匠に準用する。ただし，第19条(2)にいう16月の期間は，宣言を記載した出願がなされた日から3月の期間に置き換えられるものとし，また，この目的で，第22条の「P」は「ID」と読み替える。 - 特許庁

This wrinkle-like defect preventive device 10 including an air pipe 11 (as shown in Figs.2-5) arranged with an air injection nozzle 12 for blowing pressure air upon a surface of paper P, is arranged so as to face a travel area where the paper P unrolled from the roll R reaches an inlet guide roll 3.例文帳に追加

巻取Ｒから巻解かれた紙Ｐが入口ガイドロール３に至る走行域に臨んで、紙Ｐの面に圧力空気を吹き付ける空気噴射ノズル12が配列しているエアパイプ11（図２〜図５参照）とを備えているシワ状欠陥防止装置10を配する。 - 特許庁

The pipe joint includes a joint body 1 having a socket part 4 in which a distal end side end part P-1 of a connection pipe P is inserted, tightening nut 2 screwed and bonded to a male screw 11 of the socket part 4 and a ferrule 3 disposed inside the socket part 4 of the joint body 1.例文帳に追加

接続管Ｐの先端側端部Ｐ−１が差し込まれる受口部４を有する継手本体１と、受口部４の雄ねじ１１にねじ込み結合される締付ナット２と、継手本体１の受口部４の内部に配されるフェルール３を備える。 - 特許庁

The invention is based on the finding that p-nitrophenyl-2-acetamido-4-sulfo-2-deoxy-β-D-glucopyranoside and X-2-acetamido-3-sulfo-2-deoxy-β-D-glucopyranoside (X is 1-naphthyl, 2-naphtyl, glycero, allyl or p-acetamidophenyl) have excellent sialidase inhibiting effect.例文帳に追加

ｐ−ニトロフェニル−２−アセトアミド−４−スルホ−２−デオキシ−β−Ｄ−グルコピラノシド及びＸ−２−アセトアミド−３−スルホ−２−デオキシ−β−Ｄ−グルコピラノシド（Ｘ：１−ナフチル、２−ナフチル、グリセロ、アリル、パラアセトアミドフェニル）に優れたシアリターゼ阻害活性効果が認められた。 - 特許庁

The fourth region has one of either (i) a p-type semiconductor which is formed between the first region and the third region which is highly doped, or (ii) an n-type semiconductor which is formed between the first region and second region which is highly doped.例文帳に追加

前記第4領域は、(i)前記第1領域と前記第3領域との間に形成される高濃度ドーピングされたp型半導体、又は(ii)前記第1領域と前記第2領域との間に形成される高濃度ドーピングされたn型半導体のうちの1つを有する。 - 特許庁

The semiconductor laminated structure comprises an n-GaN layer 3, an InGaN layer (In 1%), an inclined layer 5, InGaN layers (In 15%) 6a-6e, GaN layers 7a-7e, a p-AlGaN layer 8, and a p-GaN layer 9, in this order starting from the side of the sapphire substrate 2.例文帳に追加

半導体積層構造は、サファイア基板２側から順に、ｎ−ＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ層（Ｉｎ１％）４、傾斜層５、ＩｎＧａＮ層（Ｉｎ１５％）６ａ〜６ｅ、ＧａＮ層７ａ〜７ｅ、ｐ−ＡｌＧａＮ層８、ｐ−ＧａＮ層９からなる。 - 特許庁

Here, R is an optionally substituted alkyl group, and the alkyl group are optionally independent substituents and optionally wound in a ring by combining one another, M is S or P, n is 2 when M is S, and n is 3 when M is P.例文帳に追加

Ｒ_ｎ−Ｍ＝Ｏ ……（Ｉ）（Ｒは、置換基を有していても良いアルキル基を表し、互いに同一であっても異っていても良く、独立した置換基であっても、互いに結合して環を巻いていても良い。ＭはＳ又はＰ。ｎは、ＭがＳの時は２、Ｐの時は３。） - 特許庁

The fluid pump device comprises a body 1 storing a motor body 4, a pump cover 3 fixed to the body 1 to form a pump chamber P together with part of the body 1, and an impeller 5 stored in the pump chamber P and rotatably supported by a shaft part 3h.例文帳に追加

流体ポンプ装置は、モータ本体４を収容するボディー１と、そのボディー１に固定されボディー１の一部と共にポンプ室Ｐを形成するポンプカバー３と、ポンプ室Ｐに収容されシャフト部３ｈに回転可能に支持されるインペラ５とを備える。 - 特許庁

A test lot P is selected from a batch A which finished a process 2, an epitaxial growth process and the test lot P is subjected to a process 3 to a final inspection process precedent to other lots of the batch A, and a finished product of a semiconductor laser device is manufactured.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程である工程２を終えたバッチＡから、先行ロットＰを選択し、この先行ロットＰを、バッチＡの他のロットに先行して工程３から最終検査工程までを進ませて、半導体レーザ装置の完成品を製作する。 - 特許庁

In this bar circulation type equipment for circularly feeding a core bar and a plug to a piercer, a piercing/rolling line 2 and a cooling line for plugs P are connected by two conveying lines 3, 4 and a plurality of core bars M at the tip of which the plug P is mounted are circularly used.例文帳に追加

穿孔圧延ライン２とプラグＰの冷却ライン５を２つの搬送ライン３，４で繋ぎ、先端にプラグＰを装着した複数の芯金Ｍを循環使用するようにした、バーサーキュレーションタイプのピアサーへの芯金・プラグ循環供給設備である。 - 特許庁

An assisting tool is equipped with a cloth-made belt body 1 which is wound around the columnar body P over the display object S made to abut against the outer peripheral surface of the columnar body P and a holding member 3 which is fitted to the belt body 1 to hold the winding of the belt body 1 around the columnar body.例文帳に追加

柱状物Ｐの外周面に当接された表示物Ｓの上から柱状物に巻付けられる布地製の帯体１と、帯体１に取付けられて帯体１の柱状物への巻付けを保持する保持部材３とを備えてなる。 - 特許庁

An N-type region 5 which forms a photoelectric converting region 2, and a P-type region 6 which forms a channel stopping region 3 are arranged on the surface of a P-type silicon substrate 4, and a transparent electrode 1, consisting of polycrystalline silicon, is provided on the substrate 4 via an insulating film 7.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板４表面に光電変換領域２をなすＮ型領域５とチャネルストップ領域３をなすＰ+型領域６とが配置され、基板４上に絶縁膜７を介して多結晶シリコンからなる透明電極１が設けられている。 - 特許庁