「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-channel MOS transistor is formed on an SOI substrate formed so that a crystal azimuth <110> of a supporting substrate 1 can be matched with a crystal azimuth <100> of an SOI layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ層３の結晶方位＜１００＞に支持基板１の結晶方位＜１１０＞を一致させて形成されたＳＯＩ基板上に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタを形成する。 - 特許庁

Further, the p-electrodes 12, 22, 32 of the blue-violet semiconductor laser element 1, the red semiconductor laser element 2 and the infrared semiconductor laser element 3 are common electrodes.例文帳に追加

また、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２が共通の電極となっている。 - 特許庁

A Schottky electrode 3 comes into Schottky contact with an n^- semiconductor layer 2 formed of SiC, and is electrically connected to p-type semiconductor layers 5a, 5b formed of SiC.例文帳に追加

ショットキー電極３は、ＳｉＣよりなるｎ^-半導体層２とショットキー接触し、かつＳｉＣよりなるｐ型半導体層５ａ，５ｂと電気的に接続している。 - 特許庁

The P-type CN-FET 3 includes a carbon nanotube 14 and a gate insulating film 31 formed on the carbon nanotube 14, and the gate insulating film 31 is an aluminum oxide.例文帳に追加

Ｐ型ＣＮ−ＦＥＴ３は、カーボンナノチューブ１４と、カーボンナノチューブ１４上に形成されたゲート絶縁膜３１を備え、ゲート絶縁膜３１は酸化アルミニウムである。 - 特許庁

On the basis of the second formation data X' recognized by the control section 1, a plurality of characters P forming the second formation are displayed on the image display section 3.例文帳に追加

そして、制御部１に認識された第２フォーメーションデータＸ’に基づいて、第２フォーメーションを形成する複数のキャラクタＰが画像表示部３に表示される。 - 特許庁

Regarding the carrier stopper 3, a base body is composed of an aluminum material, and a diamond-like carbon (DLC) film is formed on at least the surface coming in contact with the printing paper sheet P.例文帳に追加

キャリアストッパ３は、基体がアルミ材で形成されており、少なくとも印字用紙Ｐと当接する面には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜が形成されている。 - 特許庁

This cleaning system has a hanger rail lifting mechanism 5 for lowering and carrying a plurality of clothes P washed in the upper floor dry cleaning room 2 to the lower floor steam dry room 3 while suspending and hanging the clothes.例文帳に追加

上階のドライクリーニング室２で洗濯した複数の衣類Ｐを吊掛したまま下階のスチームドライ室３へ降下搬送するハンガーレール昇降機構５を備える。 - 特許庁

The connecting terminals 2 and 3 of the basic cell 1 are used for supplying a power supply voltage VDD and a ground potential VSS to N- and P-type well regions.例文帳に追加

基本セル１における接続端子２、３は、Ｎ型及びＰ型ウェル領域への電源電圧ＶＤＤ及び接地電位ＶＳＳを供給するための接続端子である。 - 特許庁

The serial-parallel converter comprises 1:2 serial-parallel(S/P) conversion circuits 1-3, 5, 6, D flip-flop(D-FF) circuits 4,7, a retiming circuit 8, and a frequency divider circuit 9.例文帳に追加

複数の１：２シリアルーパラレル（Ｓ／Ｐ）変換回路１〜３、５、６と、Ｄ型フリップフロップ（Ｄ−ＦＦ）４、７と、リタイミング回路８と、分周回路９とにより構成される。 - 特許庁

This fluorescence detecting device 1 is provided with a light emitting unit 6 and a light receiving unit 7 arranged so as to be faced with a detection region P of a conveyance path 3 interposed.例文帳に追加

蛍光検出装置１は、搬送路３の検出領域Ｐを挟んで対向するように配置された発光ユニット６及び受光ユニット７を有している。 - 特許庁

Sections among the roof material 3 and each of a pair of wall surfaces (w), w' constituting the house exterior-wall reentrant angle section (p) in the mutually crossed direction are filled with a sealing material 9.例文帳に追加

また、該屋根材３と、互いに交叉方向にして建屋外壁入隅部ｐを構成する一対の壁面ｗ，ｗ´それぞれとの間にシール材９を充填する。 - 特許庁

'Charging' and 'discharging' of ferroelectric capacitors 2, 3 and 4 are used in relation to a p-n junctions of two transistors 6, 7, 8 and 8, 12, 10.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ２、３、４の「充電」と「放電」現象が、二つのトランジスタ６、７、８及び８、１２、１０のｐ−ｎ接合と連関して用いられるように構成する。 - 特許庁

The weather-resistant resin coated metal panel P is constituted by successively laminating an adhesive layer 2, an acrylic resin film 3 and a colored resin film 4 on a base material metal panel 1 to integrated them with the metal panel.例文帳に追加

樹脂被覆金属板Ｐは基材金属板１上に接着層２、アクリル系樹脂フィルム３、着色樹脂フィルム４が順次積層されて一体化されている。 - 特許庁

The p^+-diffusion layer 7 is used as a wiring path related to the VDD wiring 1, and the n^+-diffusion layer 8 is used as a wiring path related to the GND wiring 3.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層７をＶＤＤ配線１に係る配線経路として用い、Ｎ＋拡散層８をＧＮＤ配線３に係る配線経路として用いる。 - 特許庁

The image forming apparatus includes a transfer detection means 13 which detects the condition of transfer on paper P carried out by a fixing roller 3 having on it a toner image transferred from an intermediate transfer belt 1.例文帳に追加

中間転写ベルト１からトナー像を転写された定着ローラ３の記録紙Ｐへの転写の状態を検知する転写検知手段１３が設けられている。 - 特許庁

The operation support system is provided with: a staff side reproducing device 2 which presents content data to a medical staff, and a patient side reproducing device 3 which presents the content data to patients P at each place in the hospital.例文帳に追加

医療スタッフに見せるスタッフ側再生用デバイス２と、院内の各場所でコンテンツデータを患者Ｐに見せる患者側再生用デバイス３とを備える。 - 特許庁

A pan-like bowl 2 and a rotating plate 3 are rotated, and a number of parts P put into the pan-like bowl 2 are conveyed onto a flange portion 2a along a parts conveyance rail 5.例文帳に追加

皿ボウル２及び回転板３を回転させ、皿ボウル２内に投入された多数の部品Ｐを部品移送レール５に沿ってフランジ部２ａ上に移送する。 - 特許庁

The distance 24 up to a point P is measured by the ranging part 4, and a corresponding point in the two images photographed by the photographing part 3 is specified.例文帳に追加

測距部４によって点Ｐまでの距離２４が測定され、この測定距離を利用して、撮影部３によって撮影された２つの画像中の対応点が特定される。 - 特許庁

A compression coil spring 5 to pressurize and energize a tube P to be inserted in a pull-out direction is built in among a lock ring 3, a faucet 6 and a tube end stopper part 7.例文帳に追加

継手本体１内のロックリング３と受口６と管端ストッパー部７との間に、差し込まれる管Ｐを抜出し方向に押圧付勢する圧縮コイルばね５を内装する。 - 特許庁

By a control part 14, the exposure action of the photoreceptor drum 1 by the unit 3 is allowed only in the term that the paper P is detected by the sensor 12.例文帳に追加

制御部１４は、給紙センサ１２で記録用紙Ｐが検出されている期間にのみ、露光ユニット３による感光ドラム１の露光動作の実行を許容する。 - 特許庁

During a trial hitting mode, the number of added balls, the number of subtracted balls and the number of game balls are not transmitted from the P machine 2 and the number of game balls is not updated in the CU 3.例文帳に追加

試打モード中はＰ台２から加算玉数と減算玉数と遊技玉数とが送信されずＣＵ３において遊技玉数の更新を行なわない。 - 特許庁

In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized.例文帳に追加

また、GaN層５は、ピンホールＰから露出するGaN膜３を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。 - 特許庁

An electroless plated high- concentration Ni-P film 30, which contains phosphorus at a rate of 7-12 wt.%, has a thickness of 3-10 μm, and covers a prescribed portion of the pattern 12 is provided.例文帳に追加

7〜１２重量％の濃度でリンを含有し、３〜１０μｍの膜厚でパターン１２の所定部分を覆う無電界高濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜３０を設ける。 - 特許庁

Each of the underlayer 3 and the (p) layer 4 has a film thickness of 10 nm, the (i) layer 5 has a film thickness of 300-1,000 nm and the (n) layer 6 has a film thickness of 20 nm.例文帳に追加

下地層３およびｐ層４は、１０ｎｍの膜厚を有し、ｉ層５は、３００〜１０００ｎｍの膜厚を有し、ｎ層６は、２０ｎｍの膜厚を有する。 - 特許庁

Then, the supporting ring 12a is made so that the ratio t1/t2 may be 1/6-3/6, when defined that the thickness of transformation part P is t1 and that the thickness of the support L is t2.例文帳に追加

そして、支持リング１２ａは、変形部分Ｐの厚さをｔ１、支持部Ｌの厚さをｔ２とした時、比ｔ１／ｔ２が１／６〜３／６となるように形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where component element such as a resistive element 1, an NPN bipolar transistor 2, a P-channel MOS transistor 3, and an N-channel MOS transistor 4 are formed on an Si substrate 10.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の上に、抵抗素子１，ＮＰＮバイポーラトランジスタ２，ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３，ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４の各要素を形成する。 - 特許庁

It is also possible to output light in a desired direction by providing a means 33 for controlling the output for the P-polarizing component which has passed through the polarizer 3.例文帳に追加

また、偏光素子３を透過したＰ偏光成分に対する出射制御手段３３を設けることで、所望の方向へ光を出射することが可能となる。 - 特許庁

The light ray made incident in a PBS (Polarization Beam Splitter) 1 is divided into a P polarization component and an S polarization component and respectively separated in two optical paths through polarization holding optical fibers 2 and 3.例文帳に追加

ＰＢＳ１に入射した光はＰ偏光、Ｓ偏光成分に分けられ、それぞれ偏波保持光ファイバ２、３を通して２つの光路に分けられる。 - 特許庁

Then, ion implantation of Mg is executed, by subjecting the mask 2, as it is, to heat treatment, thereby forming a p-type region 4 on the side and bottom of the trench groove 3 (Fig. 1c).例文帳に追加

次に、そのままマスク２を用いてＭｇをイオン注入し、熱処理をすることで、トレンチ溝３の側部と底部にｐ型領域４を形成する（図１ｃ）。 - 特許庁

When a posture control part 10 shifts the body part 2 of the manipulator 1, the posture control part 10 controls so that the arm part 3 is inclined obliquely rearward with respect to the forwad direction P.例文帳に追加

姿勢制御部１０は、マニピュレータ１の本体部２を移動させるときに進行方向Ｐに対して斜め後方にアーム部３を傾けるように制御する。 - 特許庁

The control part 11 is constituted, so that at least a part of the picture displayed on the display 3 is enlarged and projected outside the housing 1 via the projector P.例文帳に追加

制御部１１は、ディスプレイ３に表示される画像の少なくとも一部がプロジェクタＰを介して筐体１の外部へ拡大投影されるように構成されている。 - 特許庁

In the protection member 3, the hard layer 31 covers the display face 2a of the liquid crystal display panel 2, and constitutes a contact face with the touch pen P.例文帳に追加

また、保護部材３は、硬質層３１にて液晶表示パネル２の表示面２ａを覆うと共に、硬質層３１にてタッチペンＰとの接触面を構成する。 - 特許庁

In a process for manufacturing a field effect transistor composed of a group III nitride semiconductor, an n-type GaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 are formed on a substrate 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタの製造工程において、まず、基板１２の上にｎ型ＧａＮ層２およびｐ型ＧａＮ層３が形成される。 - 特許庁

A plurality of n+ type channel stopper layers 2 are arranged at the surface 2s side of the semiconductor substrate 2 so as to be positioned in the neighborhood of each p type semiconductor layer 3.例文帳に追加

半導体基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体層３それぞれの近傍に位置するように、ｎ＋型のチャンネルストッパ層４が複数配設されている。 - 特許庁

Such a structure as crystal defects formed at both tips in the longitudinal direction of the trench 2a are removed is thereby brought about when the trench 2a is filled with a p-type region 3.例文帳に追加

これにより、トレンチ２ａ内をｐ型領域３で埋め込む際にトレンチ２ａの長手方向の両先端部に形成される結晶欠陥が除去された状態となる。 - 特許庁

To retain a plurality of balls 3 rotatably freely on a pitch circle P, a plurality of pockets 7 opening to one side in the axial direction are formed in the circumferential direction.例文帳に追加

ピッチ円Ｐ上に設けられた複数の玉３を転動自在に保持すべく、軸方向一方側に開口しているポケット７が周方向に複数形成されている。 - 特許庁

The reference roller 6 has an elastically deformable inner layer 6b, so that the circumferential surface 7 is permitted to retreat from the carrying passage 3 when a plurality of bills P are carried.例文帳に追加

基準ローラ６は、弾性変形可能な内側層６ｂを有し、複数枚の紙幣Ｐが搬送された場合に周面７が搬送路３から退避することを許容する。 - 特許庁

A laser light source 4 functioning as a heating source for the recording medium P on which toner 6 primarily transferred on the intermediate transfer body 1 is transferred is arranged above a fixing roller 3.例文帳に追加

レーザ光源４を、中間転写体１上に一次転写したトナー６を転写する記録媒体Ｐの加熱源として、定着ローラ３の上方に配置する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 16 of the light emitting diode semiconductor region 2, and the p-type semiconductor layer 17 of the protective diode semiconductor region 3, are connected to a first electrode 6.例文帳に追加

発光ダイオード半導体領域２のｎ型半導体層１６と保護ダイオード半導体領域３のｐ型半導体層１７とを第１の電極６に接続する。 - 特許庁

A first trench 2 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in an n-type semiconductor substrate 1 and buried with a p-type epitaxial layer 3 by using the epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１に低いアスペクト比（たとえば、５）の第１のトレンチ２を形成し、エピタキシャル成長法により第１のトレンチ２をｐ型エピタキシャル層３で埋め込む。 - 特許庁

A barrier metal layer 7 and a surface electrode layer 8 are formed on the p-type silicon region 5 and the n-type silicon region 3 exposed to the surface thus forming an SBD structure.例文帳に追加

表面に露出するｐ型シリコン領域５及びｎ型シリコン領域３Ａ上にバリアメタル層７、表面電極層８が形成してＳＢＤ構造を形成する。 - 特許庁

The peptide has an amino acid sequence selected from (a) LX^2HK and (b) PSGX^3ARA (wherein, X^2 is Q or P; and X^3 is A or T).例文帳に追加

該ペプチドは、ａ）ＬＸ^２ＨＫ、ｂ）ＰＳＧＸ^３ＡＲＡ（式中、Ｘ^２はＱまたはＰ、Ｘ^３はＡまたはＴである）から選択されるアミノ酸配列を有する。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor element 1, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4 and a p-type semiconductor layer 5 are successively laminated on an n-type GaN substrate 2.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 3, N-type well region 5, gate oxide film 9, gate electrode 11 and source/drain regions 13 are formed on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に、ＬＯＣＯＳ酸化膜３、Ｎ型ウエル領域５、ゲート酸化膜９、ゲート電極１１並びにソース及びドレイン領域１３が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, ink is fed on the printing plate film 8 on the plate cylinder 1 from a group 4 of ink rollers, and printing is applied on sheet paper P on an impression cylinder 3 through a rubber cylinder 2.例文帳に追加

その後、版胴１上の版フィルム８にインキローラー群４からインキが供給され、ゴム胴２を介して圧胴３上の枚葉紙Ｐに印刷が施されることとなる。 - 特許庁