「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

In this belt driving device 1, pulleys mounted on various kinds of auxiliary machineries are arranged in order of an M/G pulley 4, a W/P pulley 5, a P/S pulley 6 and an A/C pulley 7 from a crank pulley 3 mounted on a crankshaft 3a in a traveling direction of a transmission belt 8.例文帳に追加

ベルト駆動装置１には、伝動ベルト８の走行方向において、クランクシャフト３ａに取り付けられたクランクプーリ３より、Ｍ／Ｇプーリ４、Ｗ／Ｐプーリ５、Ｐ／Ｓプーリ６、Ａ／Ｃプーリ７の順に各種補機類に取り付けられたプーリが配置されている。 - 特許庁

A tap-door one-directional function for composing a digital signature uses a third power function with the number of compositions of the form of N=p^2q as a modulus, when p is set cogruent with 2 in accordance with 3 as a modulus, and q is set cogruent with 4 or 7 in accordance with 9 as a modulus.例文帳に追加

ディジタル署名を構成する落とし戸付き一方向性関数には、ｐを、３を法として２と合同、ｑを、９を法として４または７と合同な素数とするときＮ＝ｐ^２ｑの形の合成数を法とする３乗関数を用いる。 - 特許庁

This choline esterase activity measurement reagent is characterized by comprising the first reagent solution containing reduced type β-nicotinamide adenine dinucleotide phosphate and protocatechuic acid-3, 4-dioxygenase as main ingredients and the second reagent solution containing p-hydroxybenzoylcholine and p-hydroxybenzoic acid hyroxylase as main ingredients.例文帳に追加

β−ニコチン酸アミドアデニンジヌクレオチドリン酸還元型及びプロトカテキン酸−３，４−ジオキシゲナーゼを主成分とする第一試液と、ｐ−ヒドロキシベンゾイルコリン及びｐ−ヒドロキシ安息香酸ヒドロキシラーゼを主成分とする第二試液からなるコリンエステラーゼ活性測定用試薬である。 - 特許庁

Therefore, a p-n junction is formed along the hole 2 of the porous silicon layer 3 so that since the area of the p-n junction per unit area in the silicon substrate 1 can be substantially increased, a highly efficient light-emitting element is realized.例文帳に追加

従って、多孔質シリコン層３の孔２に沿ってｐｎ接合が形成されているので、シリコン基板１における単位面積当たりのｐｎ接合の面積を実質的に大きくすることができるので、高効率の発光素子を実現することができる。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁

Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁

In a trench MOS gate structure, at the side wall of a trench (T) held there between an n-type base layer (1) and an n-type source region (3), a p-type channel layer (12) whose density is higher than a p-type base layer (2) having flat density distribution to the depth wise direction of the trench is formed.例文帳に追加

トレンチＭＯＳゲート構造において、ｎ型ベース層（１）とｎ型ソース領域（３）に挟まれたトレンチ（Ｔ）側壁部に、ｐ型ベース層（２）よりも濃度が高く、トレンチの深さ方向に対してフラットな濃度分布を持つｐ型チャネル層（１２）を形成する。 - 特許庁

The brushless motor 1 comprises a rotor 3 provided with a ring magnet 2, and a stator 4 arranged with a plurality of tees 8 along the circumferential direction at a pitch P wherein N sub-tees 11 are formed at the forward end part of the tees 8 along the circumferential direction at a pitch P/N.例文帳に追加

リングマグネット２を備えるロータ３と、ティース８が周方向に沿ってピッチＰにて複数個配置されたステータ４とを有してなるブラシレスモータ１において、ティース８の先端部に周方向に沿ってＮ個のサブティース１１をピッチＰ／Ｎにて形成する。 - 特許庁

On the first p-type well 3, a MOS transistor consisting of a first gate insulation film 6 and a gate electrode 8 is formed while on the second p-type well 4, the MOS diode element consisting of a second gate insulation film 7 and the gate electrode 8 is formed.例文帳に追加

第１のＰ型ウェル３上に、第１のゲート絶縁膜６とゲート電極８からなるＭＯＳ型トランジスタが形成され、第２のＰ型ウェル４上に、第２のゲート絶縁膜７とゲート電極８からなるＭＯＳ型ダイオード素子が形成されている。 - 特許庁

Supplementary protection of medicinal products and plant protection products (hereinafter supplementary protection) shall be established pursuant to Council Regulation (EEC) No 1768/92 concerning the creation of a supplementary protection certificate for medicinal products (Official Journal L 182 02/07/1992 P. 0001 - 0005) and Regulation (EC) No 1610/96 of the European Parliament and of the Council concerning the creation of a supplementary protection certificate for plant protection products (Official Journal L 198, 08/08/1996 P. 0030 - 0035) (hereinafter Regulations on supplementary protection). (10.03.2004 entered into force 01.05.2004 - RT I 2004, 20, 141) 例文帳に追加

医薬品及び植物保護製品の補充的保護(以下「補充的保護」という)を，医薬品の補充的保護証明書の創設に関する理事会規則(EEC)第1768/92号(1992年7月2日公報L 182, P. 0001-0005)及び植物保護製品の補充的保護証明書の創設に関する欧州議会及び理事会の規則(EC)第1610/96号(1996年8月8日公報L 198, P. 0030-0035)(以下「補充的保護規則」という)に従って定めるものとする。(2004年3月10日。2004年5月1日施行－RT I 2004, 20, 141) - 特許庁

A turret 6 (a carrier) to carry a middle body P along a carrying passage formed between the first and second guide members 3 and 4 with the axis thereof maintained in a substantially perpendicular condition is provided above the first and second guide members 3 and 4.例文帳に追加

第一、第二のガイド部材３，４の上方に、中間体Ｐをその軸線を略垂直にした状態で保持して第一、第二のガイド部材３，４間に形成される搬送路に沿って搬送するターレット６（搬送装置）を設ける。 - 特許庁

The movable part 8 most approaches the damper 3 in an engaging position with the latch receiving part 7, and can freely move only in the direction R for separating from the damper 3 more than the engaging position P with the latch receiving part 7 when unengaged with the latch receiving part 7.例文帳に追加

可動部８は、ラッチ受部７との係合位置でダンパー３に最も接近し、ラッチ受部７と係合しないときはラッチ受部７との係合位置Ｐよりもダンパー３から離れる方向Ｒにおいてのみ可動自在となっている。 - 特許庁

Depending on the distance L between a carrying position of a paper sheet P and a standard alignment member 9a, knobs 5a of right and left adjusters 5 are turned to be projected from a paper feeding part 3 so that the storage position of the paper feeding part 3 becomes closer to a front side by the distance L.例文帳に追加

用紙Ｐの搬送位置と基準整合部材９ａの距離Ｌに応じ、給紙部３の収納位置が距離Ｌだけ手前になるように左右のアジャスタ５のノブ５ａを回し給紙部３から突出させる。 - 特許庁

The polycarbonate resin is produced by using a dihydric phenol, a carbonate raw material, and a chain-end terminator composed of p- dodecylphenol having an o-dodecylphenol content of ≤3 mol% and, simultaneously, has an amount of residual unreacted o-dodecylphenol of ≤300 ppm.例文帳に追加

二価フェノール、カーボネート原料及びオルト体の含有率が3モル％以下のｐ−ドデシルフェノールからなる末端停止剤を用いて製造され、かつ未反応のｏ−ドデシルフェノールの残存量が３００ｐｐｍ以下のポリカーボネート樹脂である。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

When the drift layer 3 is formed, since the substrate flattening is performed so that the p-type epitaxial growth layer 23 may remain on the substrate front surface, the drift layer 3 does not become thin too much, and there is no possibility that the breakdown voltage may become low.例文帳に追加

ドリフト層３を形成する際に、基板表面にｐ型エピタキシャル成長層２３が残存するように基板平坦化処理を行うため、ドリフト層３が薄くなりすぎることがなく、耐圧が低くなるおそれがない。 - 特許庁

An inkjet printer includes: an inkjet head 3 reciprocating in a scanning direction together with a carriage; and a conveying mechanism arranged below the inkjet head 3 and conveying recording paper P in a conveying direction along a conveying surface 8a.例文帳に追加

インクジェットプリンタは、キャリッジとともに走査方向に往復移動するインクジェットヘッド３と、インクジェットヘッド３の下方に配置されて、搬送面８ａに沿って搬送方向に記録用紙Ｐを搬送する搬送機構とを有している。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層８が、ＧＮＤ配線３と基板バイアスＶＤＤ２配線５の配線方向が交差する部分の近傍におけるＰウェル４内に配され、ＧＮＤ配線３とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

Furthermore, the P-type nitride SEMICONDUCTOR layer 4, the active layer 3, and the N-type nitride semiconductor layer 2 are partially etched to make the N-type nitride semiconductor layer 2 exposed so as to form a strip resonator where light is emitted from the active layer 3.例文帳に追加

さらに、ｐ型窒化物半導体層４、活性層３、およびｎ型窒化物半導体層２の一部をエッチングしてｎ型窒化物半導体層２を露出させ、活性層３より発光する帯状のレーザ共振器を形成する。 - 特許庁

In the optical head having a slider 5 which is attached to the tip end of a suspension 6 in the state that an objective lens 3 is mounted, the slider 5 is turned around the principal point P or its vicinity of the objective lens 3.例文帳に追加

対物レンズ３を搭載した状態でサスペンション６の先端部に取り付けられるスライダ５を備えた光学ヘッドにおいて、スライダ５を、対物レンズ３の主点Ｐまたはその近傍を中心として回動可能とした。 - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

In the stand board equipped with a board main body 2, an upper frame 3 fitted to the upper part of the board main body 2, and support legs 5 fitted to the lower part of the board main body 2, a paper clip part 8 clipping a paper P is fitted to the upper frame 3.例文帳に追加

ボード本体２と、該ボード本体２の上部に取付けられた上枠３と、ボード本体２の下部に取付けられた支持脚５とを備えたスタンドボードにおいて、上枠３に、ペーパーＰをクリップするペーパークリップ部８を設ける。 - 特許庁

In order to lower the contact resistance, a high carrier concentration region, where the carrier concentration of an n-type or p-type impurity is equal to or higher than 1021 cm-3, is formed close to a semiconductor surface (to within 10 nm) which is in contact with a wiring metal.例文帳に追加

接触抵抗を低下させるために、配線金属と接触する半導体表面近傍（１０ｎｍ以内）にｎ型またはｐ型不純物によるキャリア濃度が１０^21ｃｍ^-3以上の高キャリア濃度領域を形成する。 - 特許庁

Bonding areas of the transparent resin layers P on the light transmission part 7 are set according to the plurality of colored layers 3 so that at least one of the plurality of colored layers 3 may be different.例文帳に追加

透明樹脂層Ｐの光透過部７における被着面積は、複数の着色層３の各々に対応させて、該複数の着色層３のうちの少なくとも一つの着色層３が異なるように設定されている。 - 特許庁

The polishing member 6 is constituted by a film-like surface layer 3 formed of a polyurethane resin having a polishing surface P for polish-machining the article to be polished; and a sheet-like base 2 formed of a polyurethane resin having the same quality as the surface layer 3.例文帳に追加

研磨部材６は、被研磨物を研磨加工するための研磨面Ｐを有するポリウレタン樹脂製で膜状の表層部３と、表層部３と同質のポリウレタン樹脂製でシート状のベース２とで構成されている。 - 特許庁

By using amorphous In-Ga-Zn-O as the n-layer 3; occurrence of discontinuation, a void or the like can be prevented on a joint interface between the n-layer 3 and the p-layer 2, thereby forming a good joint interface.例文帳に追加

ｎ層３としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層３とｐ層２との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。 - 特許庁

The thus emitted returning light 12 is reflected by a reflection recessed surface layer 8, transmitted by a half-wave plate 3 and the polarized light beam 12 of the P component is converted into a polarized light beam 13 of the S component by the half-wave plate 3.例文帳に追加

このようにして出射された戻り光１２は、反射凹面層８で反射され、１／２波長板３を透過し、１／２波長板３によって、Ｐ成分偏光光１２は、Ｓ成分偏光光１３に変換される。 - 特許庁

A tripod 1 for surveying is constituted of a surveying pole 3 with a GPS antenna 2 on the top thereof, a tripod 4 which has the surveying pole 3 vertically supported at a measuring point P and a controller 5 for controlling the tripod 4.例文帳に追加

測量用三脚１は、上部にＧＰＳアンテナ２が取り付けられた測量用ポール３と、測量用ポール３を測点Ｐ上に鉛直に支持する三脚４と、三脚４を制御する制御装置５とから構成される。 - 特許庁

Then a lengthwise dimension P of the opening 7 is set to be equal to an overall lengthwise dimension Q of the junction 3 or larger than the overall lengthwise dimension Q of the junction 3.例文帳に追加

そして、開口部７の長手方向の大きさＰが、接合部３の長手方向全体の大きさＱと同等に設定しているかまたは接合部３の長手方向全体の大きさＱより大きくなるように設定している。 - 特許庁

The elastic layer 3 contains spherical silica particles P, which are distributed with a large amount of them concentrated in end regions 31 at both ends in an axial direction of the developing roller 1 and on a side of an interface between the elastic layer 3 and the surface layer 4.例文帳に追加

弾性層３は球状シリカ粒子Ｐを含有し、球状シリカ粒子Ｐが、現像ローラ１の軸方向両端部の、表面層４との界面の側に多量に含有する端部領域３１として偏在している。 - 特許庁

Moreover, after the hammer point pin 3 is formed in the pinball hammer body 1 by cutting processing by making the rotary shaft P of the machine tool hold the pinball hammer body 1, the hammer point part material 6 can be mounted on this hammer point pin 3.例文帳に追加

また、工作機械の回転軸Ｐに弾球槌本体１を保持させて、旋削加工により弾球槌本体１に槌先ピン３を形成した後に、この槌先ピン３に槌先部素材６を装着することができる。 - 特許庁

Conductive sheet material 31 is disposed at the position opposed to the feed roller 3 in a metallic frame 15 composing a part of a base substance of the ink jet printer 100, and the static electricity of the feed roller 3 and the paper P are eliminated thereby.例文帳に追加

インクジェットプリンタ１００の基体の一部を構成する金属フレーム１５において給紙ローラ３と対向する位置には導電性シート材３１が配設され、これにより、給紙ローラ３及び用紙Ｐが除電される。 - 特許庁

Even if the length L2 of the projecting portion 3 cannot be extended to the tip of the toilet bowl in view of a tradeoff between connection in a toilet room and the projection portion, arrangement of the projecting portion 3 contributes to drastic reduction in a resistance R2 at a point P.例文帳に追加

あるいはトイレルーム内の取合いの関係から突出部３の長さＬ２を便器先端までの長さを取れない場合でも突出部３を設けることでポイントＰにおける抗力Ｒ２を大幅に低減することができる。 - 特許庁

The semiconductor layer 13 includes an N^- conductivity type drift layer 3 and a P^- conductivity type reduced surface layer 9 wherein the drift layer 3 and the reduced surface layer 9 are arranged to appear alternately in the direction parallel with the silicon substrate 2.例文帳に追加

半導体層１３は、導電型がＮ^-型のドリフト層３と導電型がＰ^-型のリサーフ層９とを含んでおり、ドリフト層３とリサーフ層９とは、シリコン基板２に平行な方向に交互に現れるように配列されている。 - 特許庁

A p-anode layer 3 is formed in the surface layer of the epitaxial growth layer 20, and an n^+-layer 4 is formed by introducing As of 1×10^18 cm^-3 or higher in a surface concentration in the surface layer of the n-cathode layer 1.例文帳に追加

このエピタキシャル成長層２０の表面層にｐアノード層３を形成し、ｎカソード層１の表面層に１×１０^１８ｃｍ^−３以上の表面濃度のＡｓを導入してｎ^＋ 層４を形成する。 - 特許庁

This take-up device is provided with a take-up shaft 3 having a pair of parallel first tip shaft part 1 and second tip shaft part 2 relatively movable to be close to or separated from each other, and a rotating driving mechanism 4 for rotating the take-up shaft 3 around one shaft center P.例文帳に追加

相対的に接近・離間移動可能な平行な一対の第１先端軸部１・第２先端軸部２を有する巻取軸３と、巻取軸３を一軸心Ｐ廻りに回転させる回転駆動機構４と、を備える。 - 特許庁

The 4-port 3-position valve 21 is blocked at the P-port in the normal position, and the pressurized oil to be fed from the pressurized oil generating means 10 to the 4-port 3-position valve 21 is constantly boosted to the pressure sufficient to driven the attitude maintaining means 9.例文帳に追加

４ポート３位置弁21を、ノーマル位置ではＰポートをブロックし、圧油発生手段10から４ポート３位置弁21に供給される圧油は、姿勢維持手段９を駆動するに足る圧力に常時昇圧されているよう構成した。 - 特許庁

A pinch roller pair 3 for pinching paper P and conveying it toward a print head 2 is provided and the arranging place of the pinch roller pair 3 is set to the downstream side (the print head 2 side) from a part in which a belt 14 is wound on a driven roller 12.例文帳に追加

紙Ｐを挟持して印字ヘッド２に向かって搬送するためのピンチローラ対３を備えさせ、このピンチローラ対３の配設箇所を、ベルト１４が従動ローラ１２に巻き付く部分よりも下流側（印字ヘッド２側）に設定する。 - 特許庁

The control section 30 controls power supply to the coil member 3 in such a way that the magnet member 2 and the moving side member of the coil member 3 move back and forth in a range L being a part of pitch p of the magnetic poles N, S of the magnet member 2.例文帳に追加

制御部３０は、磁石部材２およびコイル部材３のうちの移動側の部材が、磁石部材２の磁極Ｎ，Ｓのピッチｐの一部の使用範囲Ｌで往復移動するように、コイル部材３への通電を制御する。 - 特許庁

When the resin pipe P is inserted in the insertion part 22 of the bar member 2 and inserted into the cap 3 by pushing the folded piece 33 of the cap 3 open, the resin pipe is anchored by the inner peripheral side edge of the folded piece 33.例文帳に追加

そして、樹脂管Ｐが棒材２の挿入部２２に挿入されるとともに、キャップ３の折返片３３を押し開いてキャップ３内に挿入された際に、樹脂管が折返片３３の内周側端縁によって係留される。 - 特許庁

A timing circuit 11 controls optical switches 9 and 3 so that the light pulse P2 which is generated by an optical switch 9 and reflected by the return element 6 and the light pulse P generated by an optical switch 3 collide against each other at a measurement point A.例文帳に追加

タイミング回路１１は、光スイッチ９で生成され折り返し素子６で反射された光パルスＰ２と光スイッチ３で生成された光パルスＰ１とが測定点Ａで衝突するように光スイッチ９，３を制御する。 - 特許庁

The Ni-Cr-Cu-Fe-based brazing material for a heat exchanger includes, by weight, 20 to 30% Cr, 5 to 15% Cu, 5 to 30% Fe, 3 to 6% Si, and 3 to 8% P with the balance being Ni and unavoidable impurities.例文帳に追加

重量％で、Ｃｒを２０〜３０％、Ｃｕを５〜１５％、Ｆｅを５〜３０％、Ｓｉを３〜６％、Ｐを３〜８％、残部をＮｉと不可避不純物からなる熱交換器用Ｎｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｆｅ系ろう材である。 - 特許庁

A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加

ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁

The infrared LEDs 3 are horizontally arranged according to the outside of a infrared irradiation range to make definite the limited infrared irradiation border P of the infrared communication range of the infrared LEDs 3.例文帳に追加

赤外線ＬＥＤ３の配置を赤外線照射範囲の外側に合わせて、水平に配置することによって、赤外線ＬＥＤ３の赤外線通信範囲を、限定した赤外線照射境界Ｐを明確化させるようにする。 - 特許庁

When the insulating layer 3 and the conductive layer 4 are formed at the inside circumferential surface of the fixing roller 1, a coating gun 10 is inserted in the roller 1 and coating material P (liquid for forming the layer 3 or the layer 4) is forcibly fed.例文帳に追加

定着ローラ１の内周面に絶縁層３および導電層４を形成するとき、塗装ガン１０を定着ローラ１内に挿入し、塗料Ｐ（絶縁層３または導電層４を形成するためのの液体）を圧送する。 - 特許庁