「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

A source region 4, a drain region 5, and a p well region 3 are formed in an n well region 2 of a lateral MOSFET, an anode electrode 15 is provided in the n well region 2 to form a Schottky junction 16.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域４、ドレイン領域５、ｐウェル領域３が形成されるｎウェル領域２にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁

The laminate S comprises a nitride semiconductor, and has, for example, a lamination structure in which a light emitting layer 3 is sandwiched between an n type layer 2 and a p type layer 4, with the n type layer positioned on the substrate side.例文帳に追加

積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 - 特許庁

An n-side reflection prevention layer 2 and a p-side Bragg reflection layer 4 are formed in such a manner as to pinch an MQW active layer 3 as a light emitting area, and they have a double hetero structure.例文帳に追加

発光領域としてのＭＱＷ活性層３を挟むようにしてｎ側反射防止層２とｐ側ブラッグ反射層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

Consequently, a breakdown is made at an upper corner part 2b of the n^+-type region 2a and a body break can be made between the p-type base region 3 and n^+-type region 2a.例文帳に追加

これにより、ｎ^+型領域２ａのうち上方側のコーナー部２ｂにおいてブレークダウンさせられ、ｐ型ベース領域３とｎ^+型領域２ａとの間でのボディーブレークが可能となる。 - 特許庁

In the vicinity of the edge heaters 2a, 2b, a material straightening apparatus 3 for limiting the amount of camber of the rolled stock P which is conveyed to the induction heating apparatus 1, is provided.例文帳に追加

そして、エッジヒータ２ａ，２ｂの近傍には、誘導加熱装置１に対して搬送されてくる圧延材Ｐの反り量を制限する材料矯正装置３が設けられている。 - 特許庁

The cleaning tag 1 having a recording face 4 for managing the washing object P is formed by mixing a non heat-fusible fiber 3 into a heat-fusible substrate 2.例文帳に追加

被洗濯物Ｐ管理用の記録面４を備えたクリーニング用タグ１を、熱溶着可能な熱溶着性基材２に、熱不溶性繊維素材３を混入含有させて形成する。 - 特許庁

The correcting means 5 is formed of, for example, a tape 51 drawn and stuck up to the predetermined position P of an outside surface of the outer wall panel 1 via the lower end from the upper end of the rain barrier 3.例文帳に追加

前記修正手段５は、例えば、レインバリア３の上端から同下端を経由して外壁パネル１の外側表面の所定位置Ｐまで延伸貼設されたテープ５１とされる。 - 特許庁

In such an arrangement, it is sufficient for the trench 5 to be dug to the vicinity of the interface of the N-type drift layer 2 and the P+type base region 3, so the depth of the trench 5 are not increased.例文帳に追加

このような構成では、トレンチ５がＮ−型ドリフト層２とＰ＋型ベース領域３の界面のあたりまで掘られていれば済むため、トレンチ５の深さが増大することもない。 - 特許庁

In the control box 1, a pulse power source and a body impedance measurement circuit are accommodated, an operation panel P is provided on a front side, and electrode tights 3 are connected through a connector C and a cable 2.例文帳に追加

コントロールボックス１は、パルス電源と人体インピーダンス測定回路を内蔵し、正面に操作パネルＰを配備し、コネクタＣとケーブル２を介して電極タイツ３を接続する。 - 特許庁

A projection 3 projecting in the tire width direction is continuously formed in the tire circumferential direction in a tire maximum width position including an intersection P of a contour line between the tread part 1 and the sidewall part 2.例文帳に追加

トレッド部１とサイドウォール部２との外郭線の交点Ｐを含むタイヤ最大幅位置に、タイヤ幅方向に突出する突起３が、タイヤ周方向に連続して形成されている。 - 特許庁

After a trench 7 reaching the N^--type drift layer 2 through the N^+-type layer 5 and the P^+-type layer 3 is formed, an N^--type channel layer 8 is formed on the internal surface of the trench 7 using an epitaxial growth.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型層５およびＰ^+型層３を貫通してＮー型ドリフト層２に達するトレンチ７を形成し、トレンチ７の内壁面にＮ^-型チャネル層８をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A two-dimensional periodic recess and projection structure is formed in a p-GaN layer 4 so that the period of recess and projection is 1 to 20 times larger than the wavelength reflected by an active layer 3.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層４に２次元周期構造の凹凸を形成し、前記凹凸の周期が活性層３から放射される光の半導体中での波長の１〜２０倍とする。 - 特許庁

A plurality of strip n-type impurity regions 3a and a plurality of strip p-type impurity regions 3b are formed in a single crystal silicon layer 3 on the surface of an SOI substrate 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板４の表面の単結晶シリコン層３に短冊状のＮ型不純物領域３ａおよびＰ型不純物領域３ｂが交互に複数形成される。 - 特許庁

This field effect transistor is provided with a nitride semiconductor lamination structure 2 wherein an n-type GaN layer 3, a p-type GaN layer 4 and an n-type GaN layer 5 are successively laminated.例文帳に追加

この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、順に積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

Recording paper P is held between a fixing roll 1 and a first pad 3a provided to a pressing pad 3 via an endless belt 2 and a toner image is press-fixed to the recording paper by being heat melted.例文帳に追加

無端状ベルト２を介して定着ロール１と加圧パッド３が有する第１のパッド３ａとの間に記録紙Ｐを挟み込み、トナー像を加熱溶融して記録紙に圧着する。 - 特許庁

An undulation 66 with surface unevenness in the shape of triangular waves having a wave pitch P of 3 mm and a wave height H of 2 mm is formed on that surface of the side plate 62 on its side with the main plate 61.例文帳に追加

側板６２の主板６１側の面には、波ピッチＰが３ｍｍ、波高さＨが２ｍｍの三角波状を有する凹凸形状の波形形状６６が成形されている。 - 特許庁

A field effect transistor has a nitride semiconductor laminated structure 1 where an n-type GaN layer 2, a p-type GaN layer 3, and an n-type GaN layer 4 are laminated in order.例文帳に追加

この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。 - 特許庁

This coating adhesion amount measuring device 100 is equipped with a p-polarized light reflection intensity measuring means 1, an s-polarized light reflection intensity measuring means 2, and a signal processing means 3.例文帳に追加

本発明に係る皮膜付着量測定装置１００は、ｐ偏光反射強度測定手段１とｓ偏光反射強度測定手段２と信号処理手段３とを備える。 - 特許庁

Then, a slanted axial line of the circular saw main body 4 in adjusting the angle is set to a crossing line P of an elongated face of the sliding face of the surface plate 1 and a face in the cut in direction of the saw edge 3.例文帳に追加

そして、角度調整時の丸鋸本体４の傾動軸線を定盤１の摺動面の延長面と鋸刃３の切込方向の面との交線Ｐに設定した。 - 特許庁

The energizing force of the 2nd elastic force apply means 20 is made smaller than the moving pressurizing force of the paper P, which pressurizes the guide 12 in contact with the guide 12, after being fed from the fixing roller 3.例文帳に追加

第２の弾力付勢手段２０の付勢力は、定着ローラ３から送り出されてくる用紙Ｐがガイド１２に接して押圧する移動押圧力よりも弱くされている。 - 特許庁

For the projection member 71, a distance L between the outer surface of the most projected part 71B of the projection member 71 and a game board surface 13A is 3 times or more of the diameter of a game ball P.例文帳に追加

突出部材７１は、その最も突出した部分７１Ｂの外面と遊技盤面１３Ａとの距離Ｌが遊技球Ｐの直径の３倍以上となるようにされている。 - 特許庁

C(carbon) is ion-implanted to a predetermined depth, deeper than an n-type source region 3 at a reserved portion to form a p-type gate region 4 in a surface layer of an n-type drift region 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、ｐ型ゲート領域４の形成予定部分に、ｎ型ソース領域３よりも深い所定深さまでＣ（炭素）をイオン注入する。 - 特許庁

The source and drain of the memory cell are constituted by an inverting layer (local data line) formed in a p-type well 3 at the lower part of the embedded gate 8 when a positive voltage is applied to the embedded gate 8.例文帳に追加

メモリセルのソース、ドレインは、埋め込みゲート８に正の電圧を印加した時に、埋め込みゲート８の下部のｐ型ウエル３に形成される反転層（ローカルデータ線）によって構成される。 - 特許庁

The appliance body contact parts 24 of the fixture body 2 are arranged on lamp mounting surface 100a sides of a luminaire body 100 by a thickness portion of the catching piece 3 relative to the tangential line P.例文帳に追加

又、取付具本体２の器具本体当接部２４は、接線Ｐよりも挟持片３の厚さ分だけ、照明器具本体１００のランプ取付面１００ａ側に配置されている。 - 特許庁

An undoped GaN layer 2, an n-type AlGaN drain layer 3, an n-type GaN layer 4, a p-type GaN channel layer 5, and an n-type GaN source layer 6 are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３、ｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。 - 特許庁

Chamfering processing is carried out to a second delivery cylinder 3 on the peripheral surface S so that the part to which the paper bottom side of sheet P contacts may radially become reduced diameter of a cylinder rather than a near gripper G.例文帳に追加

第二排紙胴３は、その周面Ｓについて、グリッパＧ付近よりも、枚葉紙Ｐの紙尻側が当接する部分が、胴の径方向で径小となるように面取り加工されている。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5 and a p-type GaN layer 6 are sequentially laminated and a separation groove A for separating between the elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The inflection point P is situated between the rim contact point e of the standard rim and the upper end 3a of the bead filler 3 with respect to the tire radial direction.例文帳に追加

そして、変曲点Ｐについては、タイヤの径方向に対し前記標準リムのリム接触点ｅと前記ビードフィラ３の上端部３ａの相互間に位置するように構成する。 - 特許庁

3-Aminopiperidine is optically resolved by a diastereomer method using as a resolving agent (A) optically active 2-methoxyphenylacetic acid or (B) optically active N-(p-toluenesulfonyl)phenylalanine.例文帳に追加

３−アミノピペリジンに、分割剤として、（Ａ）光学活性な２−メトキシフェニル酢酸、または（Ｂ）光学活性なＮ−ｐ−トルエンスルホニルフェニルアラニンを使用し、ジアステレオマー法により光学分割を行なう。 - 特許庁

This structure is constituted by shifting the trenches 2a in the direction perpendicular to the length direction, so that n-type regions 2b and p-type regions 3 are equalized in volume.例文帳に追加

この構造をトレンチ２ａを長手方向に対する垂直方向にずらすことによって構成しているため、ｎ型領域２ｂとｐ型領域３の体積を等しくすることができる。 - 特許庁

A dust core 10 comprises an insulator layer 2 including a particulate metallic oxide 3 among a metal powder 1, in which the insulator layer 2 includes Ca, P, O, Si, and C as elements.例文帳に追加

圧粉磁心１０は、金属粉１間に、粒子状金属酸化物３を含む絶縁層２を備えた圧粉磁心であって、絶縁層２は、元素としてＣａ、Ｐ、Ｏ、Ｓｉ及びＣを含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a substrate (for example, a P-type semiconductor substrate 3) and an element isolation region 2 isolating an element formation region 1 formed on the substrate from other regions.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（例えば、Ｐ型半導体基板３）と、基板に形成され素子形成領域１を他の領域と分離する素子分離領域２と、を有している。 - 特許庁

A saddle band 3 and a support pad 2 for supporting the pipe P are fastened to the fixed plate 4 by bolts 8 and nuts 9 together with the first slip plate 5 and the second slip plate 6.例文帳に追加

配管Ｐを支持するサドルバンド３および支持パッド２は、第１の滑り板５および第２の滑り板６とともに、ボルト８とナット９とにより固定板４に締結される。 - 特許庁

In a region where a diode structure is formed, an n^+ type impurity region 3, not just a p^+ type impurity region 2, is partially formed on the reverse side of an n^- type drift layer 1.例文帳に追加

ダイオード構造が形成された領域において、ｎ^-型ドリフト層１の裏面側に、ｐ^+型不純物領域２だけでなく部分的にｎ^+型不純物領域３を形成する。 - 特許庁

The paper cassette 3 is constituted so that a separating inclined face 10b forming the inner wall opposed to the front edge of recording paper P can switch a first state (inclined) and a second state (vertical).例文帳に追加

用紙カセット３は、記録用紙Ｐの先端と対向する内壁を形成する分離斜面１０ｂが、第１状態（傾斜）と第２状態（垂直）とを切り換え可能に構成されている。 - 特許庁

The rotating detection device 10 comprises: a body part 15 which is attached to an apparatus body 3 of the audio apparatus 2; and a rotary shaft 16 which is rotatably provided around a shaft core P.例文帳に追加

回転検出器１０はオーディオ装置２の機器本体３に取り付けられた本体部１５と軸芯Ｐ回りに回転自在に設けられた回転軸１６とを有している。 - 特許庁

Furthermore, the leg part 3 for erection is provided with a projection part 4 for locking like an outer projection for hooking and locking the opening fringe end part of the dust bag P hung and held on the annular hanging part 2.例文帳に追加

さらに起立用脚部３には、環状掛架部２に掛架保持したゴミ袋Ｐの開口縁端部を引っ掛け係止するための外側突起状の係止用突起部４を備える。 - 特許庁

Water to be treated is fed from a discharge pipe 8 to a cooling tower through an introduction flow passage 3, a fluidized bed (an antibacterial agents treatment part) 2, and a flow-out passage 4 by the operation of a water feed pump P.例文帳に追加

送水ポンプＰの運転により、被処理水が導入流路３、流動床（抗菌剤処理部）２及び送出流路４を経て排出管８から冷却塔へ送られる。 - 特許庁

A nonskid member 7 is attached on the inner side of the upper clamping part 3 and a leaf spring 11 in a chevron shape capable of bringing the peak part into press contact with the plate P is attached to the lower clamping part 4.例文帳に追加

上方挟持部３の内側には滑り止め部材７を取り付け、下方挟持部４には山形形状をしてその頂部を皿Ｐに圧接し得る板ばね１１を取り付ける。 - 特許庁

A P-polarized component transmitting the PBS array 3 (PBS 3b-3c) is converted to S-polarized light by the 1/2 wave length plate 5 pasted to an incident surface side of the second rod integrator 4.例文帳に追加

ＰＢＳアレイ３（のＰＢＳ３ｂ、３ｃ）を透過するＰ偏光成分は、第２ロッドインテグレータ４の入射面側に貼り付けられた１／２波長板５によりＳ偏光に変換される。 - 特許庁

An X-directional or Y-directional distance L between a land 3b of the outer peripheral land group 3 and a land 4a of the outer peripheral land group 4 position which is positioned right near it is 1.5 time as large as the pitch P.例文帳に追加

外周ランド群３のランド３ｂと、その直近に位置する、内周ランド群４のランド４ａとのＸ方向またはＹ方向の距離Ｌは、ピッチＰの１．５倍とされる。 - 特許庁

The connecting wires 11c, 12c are joined via a connecting member 15 through welding, and this weld P is set, at a portion that is not located opposite to the axial end face 3a of the stator 3.例文帳に追加

そして、渡り線１１ｃ，１２ｃは接続部材１５を介して溶接にて接合され、その溶接接合部Ｐは、ステータ３の軸方向端面３ａと非対向な部位に設定される。 - 特許庁

This hair cosmetic comprises the following components (A), (B) and (C): (A) a cationic surfactant and/or an amphoteric surfactant; (B) 1- methyl-p-isopropenyl-1-cyclohexene and methyl 2-pentyl-3-oxocyclopropeneten-1-yl acetate; and (C) ethanol.例文帳に追加

（Ａ）カチオン性界面活性剤及び／又は両性界面活性剤 （Ｂ）１−メチル−ｐ−イソプロペニル−１−シクロヘキセン及びメチル２−ペンチル−３−オキソシクロペンテ−１−イルアセテート （Ｃ）エタノール - 特許庁

In addition, respective concentrations of type p impurity and type n impurity are set to 5×10^17/cm^3 or less at the area near the junction region of the base region and the emitter region.例文帳に追加

そして、ベース領域とエミッタ領域との接合領域近傍において、ｐ型不純物とｎ型不純物のそれぞれの濃度を５×１０^１７／ｃｍ^３以下にする。 - 特許庁