「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The inner peripheral surface of the connection port 4a is provided with regulating parts 4b facing the end face 3d of the protective duct 3 fitted into the connection port 4a, to regulate the entry amount of the protective duct 3 into the inner part in an extended direction P of the connection port 4a.例文帳に追加

そして、接続口４ａの内周面には、その接続口４ａに嵌まる保護ダクト３の端面３ｄに対向して、その接続口４ａの延設方向Ｐにおける奥方への保護ダクト３の進入量を制限する規制部４ｂが設けられる。 - 特許庁

In each center of the burners 2 and 3, there is provided a cooling container detecting sensor for detecting a cooking container, and canceling switches 25 and 35 for canceling detection of the cooking container P on the burners 2 and 3 by the cooling container detecting sensor 22 are provided on an operation panel 13.例文帳に追加

バーナ２，３の各中央には、調理容器を検知する調理容器検知センサが設けられており、操作パネル１３には調理容器検知センサ２２によるバーナ２，３上の調理容器Ｐの検知を解除するための解除スイッチ２５，３５が設けられている。 - 特許庁

Accompanying movement of the saddle band 3 with the first slip plate 5 and the second slip plate 6 in the orthogonal direction is permitted, when the load of the predetermined magnitude or more is applied to the saddle band 3 in the direction orthogonal to the axial direction of the pipe P.例文帳に追加

サドルバンド３に対して配管Ｐの軸方向に直交する方向へ所定の強さ以上の負荷が作用した場合に、サドルバンド３が第１の滑り板５および第２の滑り板６とともに上記直交する方向へ同行移動するのを許容する。 - 特許庁

In the case of transmitting the electronic mail from the communication server 3 installed in the general office 1, a PDC-P channel controller 13 connected to the communication server 3 directly transfers the message of the electronic mail to a packet network service 9 served by a communication enterprise.例文帳に追加

一般のオフィス１に設置された通信サーバ３から電子メールを送信する場合に、通信サーバ３に接続したＰＤＣ−Ｐ回線コントローラ１３から通信事業者が提供するパケットネットワークサービス９へ直接Ｅメールのメッセージを転送する。 - 特許庁

The laminate comprising the cardboard 2 is provided with a lot of spaces between the liner 3 and the core material 4; the stem S of the cut flower P can be easily inserted into the space because the core material 4 gets crushed and the liner 3 bends to widen the space.例文帳に追加

段ボール２の積層物の特性として、ライナ３と中しん４の隙間が多数形成され、この隙間に切花Ｐの茎Ｓを挿し込む際、中しん４が潰れてライナ３が撓み、隙間が押し広げられるので、茎Ｓを容易に挿し込むことができる。 - 特許庁

The treatment apparatus is provided with a treating section on which the substrate P is installed, a stirring member 3 which has a flat face 31 and installed on the countering position to the adhered face P1 with a space and a displacement means which displaces the stirring member 3 to the face direction of the adhered face P1.例文帳に追加

この処理装置は、支持体Ｐが設置される処理部と、付着面Ｐ１に対し、間隙を介して対向配置された平面３１を有する撹拌部材３と、撹拌部材３を付着面Ｐ１の面方向に変位させる変位手段とを有している。 - 特許庁

In the halogen metal vapor lamp having a ceramic casing (2) and the current lead-in part (3) arranged in the ceramic casing (2), a glass covering part of the current lead-in part (3) is formed of a P-doped niobium alloy.例文帳に追加

セラミックケーシング（２）と、このセラミックケーシング（２）に配置される電流引き込み部（３）とを有するハロゲン金属蒸気ランプにおいて、上記の電流引き込み部（３）のガラス被覆部は、リンがドーピングされたニオブ合金であることを特徴とするハロゲン金属蒸気ランプを提供する。 - 特許庁

In the precision positioning device comprising a positioning stage (3) provided with a piezoelectric actuator and a capacitive position sensor (4), P component, I component and D component of the control parameters of a precision positioning stage can be adjusted individually.例文帳に追加

圧電アクチュエータを備えた位置決めステージ(3)と静電容量型位置検出センサ(4)とから構成される精密位置決め装置において、位置決めステージの制御パラメータの、Ｐ成分，Ｉ成分、及びＤ成分を個別に調整可能とする精密位置決めステージ装置。 - 特許庁

At a first positioning step, the first abutment portion 56 of a first positioning jig 51 is placed in a wire connection position P set on the stator 3 in correspondence with a position where the wire connection portion 33 at the end of the stator 3 on the one side in the axial direction should be placed.例文帳に追加

第１位置決め工程において、第１位置決め治具５１の第１当接部５６を、ステータ３の軸方向の片側端部における結線部３３が配置されるべき位置に対応してステータ３に対して設定された結線位置Ｐに配置する。 - 特許庁

Two upper/lower stage stop shelves 9 which stop a vehicle C along with pallets P are provided between the lift hoistway 7 and the carrier traveling passage 3 so as to be mated with the aligned direction side part of the prescribed storage shelf 4 in the front row side in relation to the carrier traveling passage 3.例文帳に追加

車両ＣをパレットＰごと停留させる上下２段の停留棚９をリフト昇降路７と台車走行路３との間に台車走行路３に対して前列側の所定の格納棚４の列設方向側部に対応して設置する。 - 特許庁

The first V-shaped conductors 1a and 1b and second V-shaped conductors 2a and 2b are disposed rotationally symmetrical about P as a center of rotation, and the lines 3-1 and 3-2 are disposed in parallel in the same direction to mutually cancel magnetic fields thereof.例文帳に追加

第１のＶ形導体１ａ，１ｂと第２のＶ形導体２ａ，２ｂは、Ｐを回転中心として回転対称に配置されるとともに、線路３−１と３−２は互いの磁界を打ち消すように平行かつ同じ方向に向けて配置されている。 - 特許庁

Since a detector 7 detects not only the rotational speed of the pickup roller 3 but also the position of the rotating plate 6 after its movement, the rotational speed of the pickup roller 3 can be maintained at a certain level, the paper sheets P can be fed out at a certain speed, and jams can be prevented.例文帳に追加

検出器７は、ピックアップローラ３の回転速度だけでなく、回転板６の移動後の位置も検出するので、ピックアップローラ３の回転速度を一定に保つことができ、用紙Ｐを一定速度で繰り出すことができ、ジャムの発生を防止できる。 - 特許庁

In the MOS transistor Tn1, a semiconductor substrate 1 is formed with an N-type 1st well 2; the 1st well 2 is formed with a P-type 2nd well 3; and the 2nd well 3 is formed with an N-type diffused layer 4 for a drain area and a source area.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴｎ１において、半導体基板１にＮ型の第１ウェル２が形成され、該第１ウェル２にＰ型の第２ウェル３が形成され、該第２ウェル３にはドレイン領域及びソース領域となるＮ型拡散層４が形成されている。 - 特許庁

Further, the equipment is composed in a way that a reciprocally driving means 4, which makes the welding head part 2 and the backup member 3 synchronously and mutually approach and separate, is provided so that the electrodes 1 and the backup member 3 clamp and pressurize the work which is placed at the work position P and the welding is performed.例文帳に追加

さらに、溶接ヘッド部２とバックアップ部材３とを同期的に相互に接近・離間させる往復駆動手段４を設け、ワーク設置位置Ｐに設置されたワークに電極１，１とバックアップ部材３とが挾持状に圧接しつつ溶接するように構成する。 - 特許庁

A joining portion J1 (a part having supporting shafts 61, 61) between the link 5 and the vehicular body frame 4, and a joining portion J2 between the link 5 and the power unit 3 are disposed along a virtual line L extending from a contact point P of a rear wheel 2 through a gravity center of the power unit 3.例文帳に追加

リンク５と車体フレーム４との連結部Ｊ１（支軸６１，６１を有する部分）と、リンク５と動力ユニット３との連結部Ｊ２とを、後輪２の接地点Ｐから動力ユニット３の重心Ｇを通って延びる仮想線Ｌに沿うように配置した。 - 特許庁

A packaging box 1 which keeps an abutting plane M between opposing flap portions 4, 5 and a side surface 3 sealed by a tape 6 is constituted in such a way that cutting lines P are set at an end part of the side surface 3 of at least one flap part 4 or 5 within a range hidden by the tape 6.例文帳に追加

対向するフラップ部４，５の合せ目Ｍと側面３とをテープ６で封する梱包箱１において、少なくとも一方のフラップ部４または５の側面３側端部に、テープ６により隠される範囲に破断線Ｐを入れて構成する。 - 特許庁

A laser light source 1 emits a pulse laser beam p1 linearly polarized so as to be P polarized light to the polarization beam splitter 3, and a laser light source 2 emits a pulse laser beam p2 linearly polarized so as to be S polarized light to the polarization beam splitter 3.例文帳に追加

レーザ光源１が、偏光ビームスプリッタ３に対するＰ偏光となるように直線偏光されたパルスレーザビームｐ１を出射し、レーザ光源２が、偏光ビームスプリッタ３に対するＳ偏光となるように直線偏光されたパルスレーザビームｐ２を出射する。 - 特許庁

A plurality of characters P forming a first formation are displayed on an image display section 3 on the basis of first formation data X1n from among a plurality of formation data X and items corresponding to each of a plurality of item data K are displayed on the image display section 3.例文帳に追加

複数のフォーメーションデータＸのうちの第１フォーメーションデータＸ１ｎに基づいて、第１フォーメーションを形成する複数のキャラクタＰが画像表示部３に表示され、複数の項目データＫそれぞれに対応する項目が画像表示部３に表示される。 - 特許庁

In this gear pump, a high-pressure side relief groove 41 is formed on the inner surface of a member 4 that adjoins and seals side faces of gears 2 and 3 meshed with each other in pairs, and an auxiliary relief groove 42 extending from the high-pressure side relief groove 41 near the pitch point P of the gears 2 and 3 is formed.例文帳に追加

対をなし噛合する歯車２、３の側面に添接してシールする部材４の内側面に高圧側逃げ溝４１を設け、さらに、高圧側逃げ溝４１から歯車２、３のピッチ点Ｐ近傍まで延伸する補助逃げ溝４２を形成した。 - 特許庁

In the remote plasma CVD device 1, a plasma generating region P is separated from a treatment substrate S so that the treatment substrate S is not exposed to plasma and also a mesh-type shield member 5 composed of a substance selected among Mo, Ti, W and WC is provided between the plasma generating region P and a substrate stage 3.例文帳に追加

リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 - 特許庁

Further, a through hole 5 reaching the transparent electrode 3 piercing through the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type semiconductor layer 2 is formed, so that a current can be extracted from a rear surface by a metal electrode 7a as a rear electrode formed on the second main surface side of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

さらにｐ型半導体基板１およびｎ型半導体層２を貫通して透明電極３に至るスルーホール５を形成し、ｐ型半導体基板１の第２主面側に形成された裏面電極である金属電極７ａによって電流を裏面から取り出すことができるようにする。 - 特許庁

This method for testing the cytotoxicity comprises evaluating toxicity of a test object based on the toxicity to an established cell line derived from a sturgeon, wherein a STIP-1 cell line (FERM P-18909) or a STIP-3 cell line (FERM P-18910) is exemplified as the suitable established cell line derived from the sturgeon.例文帳に追加

本発明は、チョウザメ由来の株化細胞に対する毒性に基づいて被検物質の毒性評価を行う細胞毒性試験方法であり、好適なチョウザメ由来の株化細胞としては、ＳＴＩＰ−１細胞（ＦＥＲＭ Ｐ−１８９０９）とＳＴＩＰ−３細胞（ＦＥＲＭ Ｐ−１８９１０）が挙げられる。 - 特許庁

The p-type region 8 is formed to generate a depletion layer DL covering at least a surface layer S23 of a joint J23 between a first p-type region 3 and an n-type semiconductor substrate 2 while no voltage is applied to a back electrode 7 (zero bias) or large voltage is applied by ESD.例文帳に追加

この第２のＰ型領域８は、裏面電極７への電圧非印加時（ゼロバイアス時）にもＥＳＤによる大電圧印加時にも、第１のＰ型領域３とＮ型半導体基板２の接合部Ｊ２３のうち、少なくとも表層部Ｓ２３を覆う空乏層ＤＬを発生させるように形成されている。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

Each of first p type conductive areas 8, 9, 10 in the first n type conductive area 2 and each of second p type conductive areas 5, 11, 12 in the second n type conductive areas 3 are located alternately to be formed in point symmetry when seeing the semiconductor substrate 100 in plane view.例文帳に追加

また、第１Ｎ型導電領域２内にそれぞれ第１Ｐ型導電領域８，９，１０と、前記第２Ｎ型導電領域３内にそれぞれ第２Ｐ型導電領域５，１１，１２を、半導体基板１００を平面的に見たときに、互い違いになるように配置して点対称に形成する。 - 特許庁

Assuming the distance between a first LED head 31 and a second LED head 32 in the subscanning direction is L, the circumference P of the pitch circle of a power transmission gear 10 is set such that the distance L is equal to n (n=1, 2, 3,...) times of the moving distance of the surface of a photosensitive body 1 corresponding to the circumference P.例文帳に追加

第１のＬＥＤヘッド３１と第２のＬＥＤヘッド３２との副走査方向間隔の距離をＬとすると、間隔の距離Ｌが、動力伝達用歯車１０のピッチ円の円周Ｐに対応する感光体１の表面の移動距離のｎ倍（ｎ＝１、２、３、…、ｎ）になるようにピッチ円の円周Ｐを設定する。 - 特許庁

A side beam scans the position which is offset by nearly (1/4+n) P or (3/4+n) P to a main beam in the direction of the radius of the optical disk 22 and the track-cross signal TCS is generated by generating a difference signal from push-pull signals PPs1 and PPs2 of the returned light by the side beam.例文帳に追加

本発明は、メインビームに対して、ほぼ（１／４＋ｎ）Ｐ又は（３／４＋ｎ）Ｐだけ、光ディスク２２の半径方向にオフセットした位置をサイドビームが走査するようにして、サイドビームによる戻り光のプッシュプル信号ＰＰｓ１、ＰＰｓ２より差信号を生成してトラッククロス信号ＴＣＳを生成する。 - 特許庁

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a.例文帳に追加

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。 - 特許庁

The inspection position P on the surface of a semiconductor wafer 1 to be inspected is irradiated with pulse beam from a pulse laser 2 and scattered light generated by scattering when the inspection position P is an abnormal place due to refuse or a flaw is detected by a photodetector 3 using detection gate function.例文帳に追加

パルスレーザ２からのパルス光を照射光として検査対象である半導体ウエハ１の表面上の検査位置Ｐに照射し、検査位置Ｐがゴミまたはキズによる異常箇所であった場合に散乱によって生じる散乱光を検出ゲート機能を有する光検出器３によって検出する。 - 特許庁

An altered region 20 is formed by irradiation with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between the reverse surface 3b and the p-type semiconductor regions 7 to be inside a depletion layer 19 spreading from the pn junction 11 between the semiconductor substrate 3 and p-type semiconductor region 7.例文帳に追加

改質領域２０は、裏面３ｂとｐ型半導体領域７との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって形成されており、半導体基板３とｐ型半導体領域７とのｐｎ接合１１から広がる空乏層１９の内部に形成されている。 - 特許庁

In addition, it is constituted so that a common base current amplification factor α_1 of a first transistor, where a first N type conductive region 2 is a collector, and the third P type conductive region 12 and the fourth P type conductive region 13 and a substrate conductive region 1 are a base, and a second N type conductive region 3 is an emitter.例文帳に追加

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第３Ｐ型導電領域１２、第４Ｐ型導電領域１３及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域３をエミッタとする第１のトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。 - 特許庁

A plurality of trenches T reaching the N-type drain region 2a through the low-concentration P-type body regions 3 from the upper surfaces of the N-type source regions 4 and the high-concentration P-type body regions 5, and extending in the same direction while repeating recesses and projections in top view are formed, and the gate electrodes 7 are embedded in the trenches T.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域４および高濃度Ｐ型ボディ領域５の上面から低濃度Ｐ型ボディ領域３を貫通してＮ型ドレイン領域２ａに達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチＴが形成されており、ゲート電極７はトレンチＴに埋め込まれている。 - 特許庁

In a sputtering film deposition apparatus which deposits a film while swinging a magnet 24 nearly parallel to the surface of the target 18, the film is deposited under such a condition that the ratio P/V of sputtering power density P (W/cm^2) to the average swing speed V (cm/s) of the magnet 24 is ≥0.2 (W×s/cm^3).例文帳に追加

ターゲット１８表面に略平行にマグネット２４を揺動させつつ成膜を行うスパッタリング成膜装置において、スパッタリング電力密度Ｐ（ワット／平方センチメートル）と、マグネット２４の平均揺動速度Ｖ（センチメートル／秒）の比Ｐ／Ｖが０．２（ワット・秒／立方センチメートル）以上となる条件で成膜する。 - 特許庁

A steering damper 10 of a power steering device is provided with a flow passage selector valve CV for selectively switching and connecting a pump P, a tank T, and left and right chambers CL, CR of a power cylinder P/C in accordance with steering operation and a pair of cylinder passages 3, 4 for connecting the flow passage selector valve with the left and right chambers of the power cylinder.例文帳に追加

ポンプＰおよびタンクＴとパワーシリンダＰ／Ｃの左右室ＣＬ、ＣＲとの間を舵取り操作に応じて選択的に切換え接続する流路切換弁ＣＶと、流路切換弁をパワーシリンダの左右室に接続する一対のシリンダ通路３、４を備えたパワーステアリング装置のステアリングダンパ１０である。 - 特許庁

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask.例文帳に追加

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an n-type crack preventive layer 5, an n-type AlGaN first clad layer 6, an MQW light emitting layer 7, a p-type AlGaN second clad layer 8, and a p-type contact layer 9 are formed sequentially on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、バッファ層２、アンドープのＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層６、ＭＱＷ発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８、ｐ−コンタクト層９が順に形成されてなる。 - 特許庁

An n-side electrode and a p-side electrode 35 of a first semiconductor light emitting element 11 to which an n-side electrode 34 and a p-side electrode 35 of a second semiconductor light emitting element 21 are not connected, and an electrode pattern 3 formed on the wiring board 1 are wire-bonded on one side of the first semiconductor light emitting element group 10.例文帳に追加

第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極及びｐ側電極３５と配線基板１に形成された電極パターン３とを、第１半導体発光素子群１０の片側でワイヤボンディングする。 - 特許庁

The semiconductor memory is formed on a P-type silicon substrate 1, an ONO film 5 composed of a first silicon oxide film 2, a first silicon nitride film 3, and a second silicon oxide film 4, and on an SOONO substrate including an SOONO layer 6, wherein the ONO film 5 contacts with a back gate BG formed in the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型シリコン基板１と、第１のシリコン酸化膜２、第１のシリコン窒化膜３、及び第２のシリコン酸化膜４からなるＯＮＯ膜５と、ＳＯＯＮＯ層６とを含むＳＯＯＮＯ基板上に形成されており、ＯＮＯ膜５はＰ型シリコン基板１に形成されたバックゲートＢＧに接している。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a p-type well region 3, an n-type drift region 4, a plurality of n^+-type source regions 5, and an n^+-type drain region 6 that are formed on a p-type substrate.例文帳に追加

ｐ型基板に、ｐ型ウェル領域３、ｎ型ドリフト領域４、複数のｎ^+型ソース領域５およびｎ^+型ドレイン領域６が形成された半導体装置１を、ｎ^+型ドレイン領域６と各ｎ^+型ソース領域５との間に形成されるチャネルがｎ^+型ドレイン領域６の周囲に略楕円状に配置されるような構造とする。 - 特許庁

This damping property-imparting agent contains at least one of 4,4'-bis(α,α-dimethylbenzyl)diphenylamine, p-(p-toluenesulfonylamido)diphenylamine, 2,2'-methylenebis(4-ethyl-6-tert-butylphenol), and N,N'-hexane-1,6-diylbis[3-(3,5-di-tert-4-hydroxyphenyl)propionamide] as an active ingredient.例文帳に追加

減衰性付与剤は、４，４′−ビス（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン、ｐ−（ｐ−トルエンスルホニルアミド）ジフェニルアミン、２，２′−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、及びＮ，Ｎ′−ヘキサン−１，６−ジイルビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］から選ばれる少なくとも一種を有効成分として含有する。 - 特許庁

The p^+ impurity area 4 is formed so as to surround a part of the n^- semiconductor layer 3, and a high potential island area 101 in which an n^+ impurity area 5 being the cathode area of a logic circuit 103 and a boot strap diode 102 and a p^+ impurity area 6 being an anode area are arranged is formed.例文帳に追加

そして、ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の一部を取り囲むように形成されており、ロジック回路１０３、ブートストラップダイオード１０２のカソード領域であるｎ^+不純物領域５及びアノード領域であるｐ^+不純物領域６が配置される高電位島領域１０１を形成している。 - 特許庁

After a p-type GaAlAs active layer 2 and an n-type GaAlAs clad layer 3 are successively subjected to liquid phase epitaxial growth on a p-type GaAs substrate 1 installed in a liquid phase epitaxial growth apparatus, heat treatment for raising the temperature again in the liquid phase epitaxial growth apparatus is directly carried out to manufacture the epitaxial wafer.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。 - 特許庁

The phenolic resin composition comprises 70-97 wt.% of a phenolic resin and 3-30 wt.% of a silicone rubber component wherein the ratio of the o-linked methylene bridges to the p-linked methylene bridges in the phenolic resin (o/p ratio) is characteristically in the range of 2-9.例文帳に追加

本発明により、フェノール系樹脂７０〜９７重量％、及びシリコーン系ゴム成分３〜３０重量％を含むフェノール系樹脂組成物であって、フェノール系樹脂中のメチレン結合におけるオルソ結合対パラ結合の比（ｏ／ｐ比）が２〜９であることを特徴とするフェノール系樹脂組成物が提供される。 - 特許庁

The moving device for the UOE steel pipe has the inclined skid 1 for moving the butt-welded steel pipe P in a horizontal direction perpendicular to a pipe axis while rotating it around the pipe axis; and a pusher 3 for pushing out the steel pipe P on the inclined skid 1 in a direction along a rolling surface 1a of the inclined skid 1.例文帳に追加

突合せ溶接した鋼管Ｐを管軸周りに回転させつつ管軸と直角の水平方向へ移動させる傾斜スキッド１と、この傾斜スキッド１上の鋼管Ｐを傾斜スキッド１の転動面１ａに沿う方向へ押し出すプッシャー３を有するＵＯＥ鋼管の移動装置である。 - 特許庁

A mask 11 for selective growth is formed on a sapphire substrate 1 as a substrate for growth, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order on an AlN buffer layer 2, and a mixed doped GaN layer 6a is formed on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。 - 特許庁