「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The solar cell has a structure in which a second conductivity type (p-type) hydrogenated amorphous silicon oxide layer 3 is formed on a first conductivity type (n-type) crystal silicon substrate 1 via a nondoped hydrogenated amorphous silicon layer 2.例文帳に追加

第一導電型（ｎ型）の結晶シリコン基板１上に、ノンドープの水素化アモルファスシリコン層２を介して第二導電型（ｐ型）の水素化アモルファスシリコンオキサイド層３を備えた太陽電池である。 - 特許庁

In the digital camera, during a photographing mode, a lens move control section 40 of a lens position control unit 35 moves a photographing lens 3 from a storage position S to a photographing position P and stops it through a lens moving mechanism 30.例文帳に追加

デジタルカメラでは、撮影モードになると、レンズ位置制御部３５のレンズ移動制御部４０は、レンズ移動機構３０によって撮影レンズ３を収納位置Ｓから撮影位置Ｐに移動して停止する。 - 特許庁

The distance from the position at which the net doping concentration of the N^+ first buffer layer 2 is maximum to the interface between the P^+ collector layer 3 and the second buffer layer 12 is determined to be 5 μm or more to 30 μm or less.例文帳に追加

また、Ｎ^+第１バッファ層２のネットドーピング濃度が極大の位置から、Ｐ^+コレクタ層３と第２バッファ層１２との界面までの距離を、５μｍ以上３０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁

A wafer with an n-type semiconductor layer 17a and a p-type semiconductor layer 17b each formed of a group III-V compound semiconductor laminated on a surface 3 of a substrate 1 is cut along a cut-planned line.例文帳に追加

基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

The oxide optical device has a structure wherein an n-type transparent electrode layer 1 consisting of the wide gap conductive oxide mixed crystal, a light emitting layer 2, and a p-type electrode layer 3 are laminated on a substrate 4.例文帳に追加

酸化物光デバイスは、上記ワイドギャップ導電性酸化物混晶からなるｎ型透明電極層１、発光層２、ｐ型電極層３が基板４の上に積層した構造を有している。 - 特許庁

A mullion gasket 30 is mounted on the indoor side of the overhanging portion 3C of a mullion 3 and is brought into elastic contact with a vertical panel holding gasket 22 located on the outdoor surface of a panel P.例文帳に追加

方立３の張出し部３Ｃの室内側に方立ガスケット３０を取り付け、この方立ガスケット３０をパネルＰの室外面の縦パネル保持ガスケット２２と弾性的に接触させたものである。 - 特許庁

Grooves 3 having preferably 0.5 to 2 mm opening width r, preferably 0.5 to 2 mm depth d and preferably 5 to 20 mm pitch P are formed on the principal plane 2A of a 'Teflon(R)' plate 2.例文帳に追加

テフロン製の板２の主面２Ａに、開口幅ｒが好ましくは０．５〜２ｍｍであり、深さｄが好ましくは０．５〜２ｍｍであり、ピッチＰが好ましくは５〜２０ｍｍである溝部３を形成する。 - 特許庁

The junction FET 1 has a built-in pn diodes 2, 3 formed on the main face of the n^+ substrate 12 to electrically connect the p^+ layer 9 in the gate region to the gate electrode 14.例文帳に追加

この接合ＦＥＴ１は、さらに、ｎ^＋基板１２の主面に形成され、ゲート領域のｐ^＋層９とゲート電極１４とを電気的に接続するｐｎダイオード２、３を内蔵している。 - 特許庁

A source electrode 9 is electrically connected to the n-type silicon carbide source layer 5 and to the p-type silicon carbide base layer 3, and the drain electrode 10 is provided on the rear surface of the n-type silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

ソース電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５、および、ｐ型炭化珪素ベース層３に電気的に接続して設けられ、ドレイン電極１０は、ｎ型炭化珪素基板１裏面に設けられる。 - 特許庁

When the hub 3 and the first and second input plates rotate relatively, the rollers 35 move in a rotational direction R1 or R2 self-rotating around an axis P which is parallel with its rotational axis 0.例文帳に追加

ローラ３５はハブ３と第１及び第２入力プレート６，７とが相対回転すると、回転軸Ｏに平行な軸回りＰを中心に自転しながら回転方向Ｒ１又はＲ２に移動する。 - 特許庁

The dough extruder 2 is provided with an extrusion rate controlling mechanism 3 to detect the extrusion rate of the dough P and control the rotation speed of the driving motor 5 to obtain a prescribed extrusion rate.例文帳に追加

該生地押出装置２には、生地Ｐの押出速度を検出し、それによって所定の押出速度になるように駆動モータ５の回転数を制御する押出速度制御機構３を備える。 - 特許庁

Fire alarms 15-11 to 15-32 are connected to detector lines 18-1 to 18-3, lead out of a P-type receiver 10, and an alarm signal is transmitted at occurrence of a fire for outputting an alarm.例文帳に追加

火災感知器１５−１１〜１５−３２をＰ型受信機１０から引き出された感知器回線１８−１〜１８−３に接続し、火災検出時に発報信号を送って警報を出力させる。 - 特許庁

The thermoelectric conversion apparatus 11 is provided with: a substrate 1; and a pair of a p-type semiconductor film 2 and an n-type semiconductor film 3, which are provided on the substrate 1, and are bonded to each other at one terminal thereof.例文帳に追加

熱電変換装置１１には、基板１と、基板１の上方に設けられ、互いに一端が接合されたｐ型半導体膜２及びｎ型半導体膜３の対と、が設けられている。 - 特許庁

A small amount of liquid sample is dropped to a prescribed location in the groove 3 of the horizontally held sample holding part 1 with a pipette P, and the presser plate 7 is lowered over it and placed over the sample holding part 1.例文帳に追加

水平に保持された試料保持部１の溝３の所定位置にピペットＰで微量の液体試料を滴下し、その上に押さえ板７を降下させて試料保持部１の上に載せる。 - 特許庁

The control means 52 detects the turning angle of the turning body 3 by comparing the reference image data stored in the image memory 56 with the input image P outputted from the imaging means 6.例文帳に追加

制御手段５２は、画像メモリ５６に記憶されている参照画像データと撮像手段６から出力された前記入力画像Ｐを比較することにより旋回体３の旋回角度を検出する。 - 特許庁

A photovoltaic cell element 1 is formed which is provided with an n-type silicon substrate 2 and through-holes 3 penetrating the silicon substrate 2, and has a p-type diffusion layer 4 provided at least on a top surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２と、シリコン基板２を貫通するスルーホール３を設け、シリコン基板２の少なくとも表面に設けたｐ型の拡散層４を有する光電池セル素子１を形成する。 - 特許庁

In the body apparatus 3, the light signal is converted to an electric signal by an electrooptical transducer 31 and, after the electric signal is parallelly converted by an S/P converter 32, usual processing on and after a beam former circuit 33 is performed.例文帳に追加

本体装置３では、光信号を光電変換素子３１で電気信号に変換し、Ｓ／Ｐ変換器３２でパラレルに変換した後、ビームフォーマ回路３３以降の通常の処理を行う。 - 特許庁

In a drive control system S for an unmanned carrier V, the number of the unmanned carriers V1, V2, existing within a merging area A including a merging point P, is counted by a counter 2 and limit switches 3-5.例文帳に追加

無人搬送車Ｖの走行制御システムＳでは、カウンタ２及びリミットスイッチ３〜５により、接続点Ｐを含む接続エリアＡ内に存在する無人搬送車Ｖ１，Ｖ２の数が計数される。 - 特許庁

During print start position correction processing, a control section controls an alignment sensor 6 to measure the end of a sheet P and calculates a correction value based on the position of a carrier 3 measured by a carrier encoder 5 at that time.例文帳に追加

印字開始位置補正処理時に、制御部は、アライメントセンサ６に用紙Ｐの用紙端を測定させ、そのときのキャリアエンコーダ５が測定したキャリア３の位置を基に補正値を計算する。 - 特許庁

To provide a radiation tomograph capable of obtaining tomographic images even though X-ray transparent images P are photographed while changing the speed of the X-ray tube 3 and the FPD 4 to the subject.例文帳に追加

Ｘ線管３，ＦＰＤ４を被検体Ｍに対して変速させながらＸ線透視画像Ｐが撮影されたとしても、断層画像を取得することができる放射線断層撮影装置を提供する。 - 特許庁

The current-voltage conversion circuit includes a current input terminal 1, a reference voltage input terminal 2, a voltage output terminal 3, and an operational amplifier 4 and an NPN-type transistor 5 which are formed on a P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

電流入力端子１と、基準電圧入力端子２と、電圧出力端子３と、Ｐ型半導体基板上に形成された演算増幅器４およびＮＰＮ型トランジスタ５とを備える。 - 特許庁

Selection transistors are characterized in that an N-channel MOS transistor 2 and a P-channel MOS transistor 3 are connected in parallel, and the word line and an inversion word line are connected to gates.例文帳に追加

選択トランジスタがＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２とＰチャンネルＭＯＳトランジスタ３とを並列接続され、ゲートにそれぞれワード線と反転ワード線とが接続された構成であることを特徴とする。 - 特許庁

The p^+ diffusion layer 10a is provided to cover the protective film 4 on the element separation region 3, and a spacer-like sidewall film n^+ diffusion layer 10b is provided on a step 4a' thus caused.例文帳に追加

このｐ＋拡散層１０ａは素子分離領域３上の保護膜４を被覆するように設けられ、これにより生じた段差部４ａ’にはスペーサ状の側壁膜ｎ＋拡散層１０ｂが設けられる。 - 特許庁

The subject 4,4"-di-(aryl)-3',4',5',6'-tetraphenyl-p-terphenyl derivative is expressed by formula (1), the method for producing the same, the host material consisting of the same, and the electro-luminescent element by using the same are also provided.例文帳に追加

下記一般式（１）で示される４，４″−ジ−（アリール）−３′，４′，５′，６′−テトラフェニル−ｐ−ターフェニル誘導体、その製法、それよりなるホスト材料およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Especially, the post-treatment device 200 of this embodiment is structured to have a paper diverging portion 4 for turning upside down of the output paper P after changing the carrying direction and guiding that to the trays 2, 3.例文帳に追加

特に、本実施形態の後処理装置２００は、搬送方向切換後の出力用紙Ｐにつき、その表裏を反転させてトレイ２、３に案内する用紙分岐部４を有する構成としている。 - 特許庁

The display panel supporting device mainly includes a wall fixed member 1 fixed to a wall surface W, a panel fixing member 2 for fixing a display panel P, and a coupling member 3 for connecting the wall fixed member 1 to the panel fixing member 2.例文帳に追加

壁面Ｗに固定される壁固定部材１と、表示パネルＰが固定されるパネル固定部２と、壁固定部材１とパネル固定部２とを連結する連結部材３と、で主体が構成される。 - 特許庁

This Pachinko game machine 1 shoots out a Pachinko ball P onto the approximately circular game face 4 side by striking it with a ball striker 3 with ball striking force corresponding to the operation quantity by the rotating operation of an operating means 2.例文帳に追加

パチンコ遊戯機１は、操作手段２の回動操作によりこの操作量に応じた打球力をもって打球体３にてパチンコ球Ｐを打球して略円形状の遊戯面４側に打ち出す。 - 特許庁

The second outgoing surface 122 has a shape that refracts the radiation light radiated from the base point P and arriving at the second outgoing surface 122 at the arrival point to make it arrive at the surface 3 to be irradiated.例文帳に追加

第２出射面１２２は、基点Ｐから放射されて第２出射面１２２に到達する放射光をその到達点で屈折させて被照射面３に到達させる形状を有している。 - 特許庁

Thus, the screw member 3 can attach the bulletin object to a wall face W and a bulletin object P can be attached to the reverse face 5 by magnetic attraction of a ferromagnetic material S attached to the reverse face thereof.例文帳に追加

従って、壁面Ｗにはねじ部材３で取付けでき、背面５には掲示物Ｐを、その裏面に取付けられた強磁性体Ｓが磁気吸着することにより取付けることができる。 - 特許庁

After applying the tension to be required for wind-up with a brake roll 2, the paper sheets P is wound up by the winding shaft 3 so as to be formed into a roll of the continuous paper sheets.例文帳に追加

小分けすべき連続用紙の先頭端を固定軸上に配置し、その上から固定クサビを固定溝に装着した後、巻取軸を回転させることにより、連続用紙が巻取軸に巻き取られる。 - 特許庁

A rotation center axial line P of each hinge-connection part of the respective external terminals 4 and 5 and the respective relay terminals 8 and 9 is arranged coaxially with the tilting center axial line O of the piece 7 with respect to the plug body 3.例文帳に追加

各外部端子４，５と各中継端子８，９との各ヒンジ結合部分の回動中心軸線Ｐが、プラグ本体３に対する駒７の傾動中心軸線Ｏと同軸に配置されている。 - 特許庁

Guide rollers 101, 102, 103 and 104 with channels 111 with prescribed pitch P interval on which the core wire cord 3 runs are arranged between the mold rolls 1 and 2 in parallel to the mold rolls 1 and 2.例文帳に追加

金型ロール１，２間に、所定ピッチＰ間隔の溝１１１であって、心線コード３が乗り上げる溝１１１を有するガイドローラ１０１，１０２，１０３，１０４を、金型ロール１，２に平行に配置する。 - 特許庁

A P-type well region 2 is selectively formed in a surface layer under the main surface on one side of the main surfaces of an N-type semiconductor substrate 1, and an N-type source region 3 is formed in the surface layer of this region 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１の一方の主面の表面層にｐ形のウエル領域２を選択的に形成し、このウエル領域２の表面層にｎ形のソース領域３を形成する。 - 特許庁

The region 4 is one formed directly under a p-type well 3 under at least an element isolation oxide film and the concentration in the region 4 is set higher than that in the layer 2.例文帳に追加

ｎ型領域４は、少なくとも素子分離酸化膜下のｐ型ウェル３の直下に形成されたものであり、ｎ型領域４の濃度は、前記ｎ型拡散層２の濃度よりも大きく設定されている。 - 特許庁

When the N-type FET 10a is turned on and the P-type FET 10d is turned on at a duty ratio 1/3, only the first motor M1 is forward-driven by power corresponding to a continuous operation time with 14-V power.例文帳に追加

ｎ型ＦＥＴ１０ａをＯＮにし、ｐ型ＦＥＴ１０ｄをデューティ比１／３でＯＮさせると、第１モータＭ１のみ１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電力で正転駆動できる。 - 特許庁

When the first pinch roller 26 is moved in the right by a thickness of a paper P, a first swing member 2 is rotated in a counterclockwise about a fixed shaft 5 as a fulcrum to move a slide member 3 to the left.例文帳に追加

用紙Ｐの厚みによって第１ピンチローラ２６が右方向に移動すると、第一揺動部材２は固定軸５を支点として反時計回りに回動しスライド部材３を左方向に移動させる。 - 特許庁

A water circulation passage 4, in which a water supplying pump P is interposed, includes a first internal passage 12 formed of a first pipe 1 buried in the ground and a water passage 31 of a steam heat exchanger 3 provided on the ground.例文帳に追加

水給送用ポンプＰを介在した水循環経路４が、地中に埋設した第１パイプ１の第１内部通路１２と地上に設置した気水熱交換器３の水通路３１とを含む。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element 3 comprises a support substrate 11, a melting layer (joining member) 12, an embedded layer 13, a semiconductor laminated structure 14, an insulating layer 15, a p side electrode 16, and an n side electrode 17.例文帳に追加

半導体発光素子３は、支持基板１１、融着層（接合部材）１２、埋め込み層１３、半導体積層構造１４、絶縁層１５、ｐ側電極１６、ｎ側電極１７を備えている。 - 特許庁

The function layers comprise a titan oxide thin film 3 as an n-type semiconductor layer, and a friction transferring film (organic semiconductor layer) 4 of PPV as a p-type semiconductor layer which is pressure bonded and swept on the surface of the titan oxide film.例文帳に追加

機能層は、ｎ型半導体層としてチタン酸化物薄膜３と、その表面に圧着掃引したｐ型半導体層としてのPPVの摩擦転写膜（有機半導体層）４とから構成される。 - 特許庁

A body includes a wall fixing member 1 fixed to a wall surface W, a panel fixing part 2 to which a display panel P is fixed, and a coupling member 3 for coupling the wall fixing member 1 and the panel fixing part 2.例文帳に追加

壁面Ｗに固定される壁固定部材１と、表示パネルＰが固定されるパネル固定部２と、壁固定部材１とパネル固定部２とを連結する連結部材３と、で主体が構成される。 - 特許庁

The p-type MgZnO-based thin film 1 is designed so that the concentration of an n-type impurity of a group 4 element such as silicon, which serves as a donor, is not more than about 1.0×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるシリコン等の４族の元素からなるｎ型不純物が約１．０×１０^１７ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁

A fixed layer P formed by filling and solidifying non-conductive filler is disposed around the joint between the cooling pipe 2 and the joint main pipe 3 and the fixed part between the frame body 1 and the bent part 2B of the cooling pipe 2.例文帳に追加

冷却管２と連結主管３との連結部及び枠体１と冷却管２屈曲部２Ｂとの固定部周囲に、非電導性の充填材を充填固化した固着層Ｐを設ける。 - 特許庁

Bearing pressure P is applied so that the pressure contact washers 5 and 6 are brought into pressure contact with the pair of joining object members 1 and 2 and the doubling plates 3 and 4, and a rotary member 11 is inserted into and engaged with the insertion holes 5c and 6c.例文帳に追加

一対の被接合部材１、２と添板３、４に圧接ワッシャ５、６が圧接するように面圧Ｐをかけるとともに、挿通孔５ｃ、６ｃに回動部材１１を挿入して係合させる。 - 特許庁