「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

When the passerby P is on the left side from the center of the right and left direction with respect to the speaker system 1, he/she hears the sound emitted from the electrostatic speakers 10B of the units 100-3 to 100-6.例文帳に追加

通行人Ｐがスピーカシステム１に向かって左右方向中央より向かって左側にいる場合、ユニット１００−３〜１００−６の静電型スピーカ１０Ｂから放射された音が聞こえる。 - 特許庁

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁

The fuel cell power generation system S includes a desulfurizer D removing a sulfur compound from sulfur-compound-containing raw fuel gas P, a reformer 3 reforming the raw fuel gas P desulfurized by the desulfurizer D to produce reformed gas R containing hydrogen as the principal component, and a fuel cell 6 generating power using the reformed gas R supplied from the reformer 3.例文帳に追加

硫黄化合物を含有する原燃料ガスＰから硫黄化合物を除去するための脱硫装置Ｄと、脱硫装置Ｄによって脱硫処理された原燃料ガスＰを改質して、水素を主成分とする改質ガスＲを生成させる改質装置３と、改質装置３から供給される改質ガスＲを燃料として用いて発電する燃料電池６と、を備えた燃料電池発電システムＳ。 - 特許庁

The thermoelectric power generation element 1 comprises an n-type and a p-type semiconductor 2, 3 electrically connected alternately in series by electrodes 4, 5 at their end parts, and at least either the n-type or the p-type semiconductor 2, 3 is connected to the electrode via a conductive elastic member 6 at least at one of the electrodes 4, 5 of the both end part.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型の半導体２，３がそれら端部で電極４，５によって電気的に直列となるよう交互に接続された熱電発電素子１において、ｎ型及びｐ型の半導体２，３の少なくとも一方が両端部の電極４，５の少なくとも一方で導電性の弾性部材６を介して電極に接続されていることを特徴とする熱電発電素子を提供する。 - 特許庁

Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5.例文帳に追加

各電界効果型トランジスタセル２０は、ＭＯＳＦＥＴの構造を有し、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁

In the heat-sensitive recording medium with the recording layer containing a colorless or a pale-color basic dye and a coloring agent which develops a color in contact with the dye, the coloring agent to be used is a eutectic body of a 3-(p-hydroxyphenyl)-1,1-3-trimethyl-5-indanol and a 4,4'- dihydroxy diphenylsulfone.例文帳に追加

無色ないし淡色の塩基性染料と、該染料と接触して呈色し得る呈色剤を含有する記録層を設けた感熱記録体において、呈色剤として３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−１，１，３−トリメチルー５−インダノールと４、４′−ジヒドロキシージフェニルスルホンの共晶体を使用した。 - 特許庁

In the power semiconductor device comprising a gate electrode 11 buried in a groove via a gate insulating film, a p-type depletion region enlargement layer 4 is provided between two n-type drift layers 3 and 5, and the groove is formed to reach the n-type drift layer 3.例文帳に追加

溝の中にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極１１を備えた電力用半導体装置において、二つのｎ型ドリフト層３、５の間にｐ型空乏領域拡大層４を挟み、前記溝は、前記ｎ型ドリフト層３に達するように形成される。 - 特許庁

The method is to fire glass frit containing glass power whose softening point lies not more than 620°C, wherein the pressure P of the atmosphere in which the firing is conducted is over 10^4 Pa while the water content of the atmosphere is 2.0 g/m^3 or less.例文帳に追加

軟化点が６２０℃以下であるガラス粉末を含有するガラスフリットを焼成する方法であって、該焼成を行う雰囲気の圧力Ｐが１０^4Ｐａ以上であり、かつ、該雰囲気の水の含有量が２．０ｇ／ｍ^3以下であることを特徴とするガラスフリット焼成方法。 - 特許庁

A semiconductor circuit is constituted of transistors 1 and 2 for inputting input signals P and N, transistors 3-6 for gain control and transistors 7a, 7b, 8a and 8b for foldover for transferring the current of the transistors 1 and 2 for input to the transistors 3-6 for the gain control.例文帳に追加

入力信号Ｐ及びＮを入力するトランジスタ１及び２と、ゲイン制御用のトランジスタ３〜６と、前記入力用トランジスタ１及び２の電流を前記ゲイン制御用トランジスタ３〜６に受け渡すための折り返し用のトランジスタ７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂから半導体回路を構成する。 - 特許庁

P-type semiconductor material 2 and n-type semiconductor material 3, both of which are conductive materials, are joined by the insulating material 4 and the conductive material 5 and these semiconductor materials 2, 3 are alternately stacked to make up a honeycomb structure 1, of which a honeycomb thermoelement is constituted.例文帳に追加

そして、導電性材料であるｐ型の半導体材料２とｎ型の半導体材料３とを、絶縁性材料４と導体性材料５とで結合し、これらが交互に積層されてなるハニカム構造体１から構成されるハニカム型の熱電素子を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device, having the vertical PNP bipolar transistor, formed in a prescribed element area on a semiconductor substrate, is provided with a high-density embedded N+layer 3 formed in the prescribed element region and a P-type collector layer 5, formed on the layer 3 in close contact.例文帳に追加

半導体基板上の所定の素子領域に縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された半導体装置であって、所定の素子領域に形成された高濃度の埋め込みＮ＋層３と、埋め込みＮ＋層３上に密着して形成されたＰ型のコレクタ層５とを備える。 - 特許庁

This magnetic recording medium is produced by forming a first underlaid film 2 containing at least Co or Cu and P on a nonmagnetic substrate 1, a second underlaid film 3 consisting of Cr as a principal component and nonmagnetic materials on the first underlaid film 2, a magnetic film 5 on the second underlaid film 3.例文帳に追加

非磁性の基板１上にＣｏあるいはＣｕの少なくとも１種とＰを含む第１の下地膜２と、第１の下地膜２の上にＣｒを主成分とする非磁性材料からなる第２の下地膜３と、第２の下地膜３の上に磁性膜５とが形成される。 - 特許庁

The extruded moldings P are molded by inserting an internal conductor 2 into a cross head 1 and extruding molten resins 3, 3 from the cross head 1 and spirally winding a corduroy string 4 on the outer peripheral side of the internal conductor 2 and covering the internal conductor 2 and the corduroy string 4 with an insulated tube 5.例文帳に追加

内部導体２をクロスヘッド１に挿通し、かつ、クロスヘッド１から溶融樹脂３，３を押出して、内部導体２の外周側に螺旋状にコルデル紐４を巻設しかつ内部導体２とコルデル紐４とを絶縁チューブ５にて被覆して押出成形品Ｐを形成する。 - 特許庁

The two agents-mixing vessel includes a vessel body 2 having an opening at one end and the first chamber P inside, an inner vessel 3 having the second chamber Q inside and inserted in the vessel body 2, and a cap 4 screwed on the vessel body 2 to seal the inner vessel 3.例文帳に追加

二剤混合容器は、一端に口部を有すると共に内部に第一室Ｐを有する容器本体２と、内部に第二室Ｑを有していて容器本体２内に挿入する中容器３と、容器本体２と螺合して中容器３を封止するキャップ４とを備える。 - 特許庁

Holes h for inserting a rod-like teaser 3 drawing attention of a pet animal P are formed on one side surface of a box body 1, and the holes h for projecting at least the tip of the teaser 3 inserted from the side surface are formed on the upper surface of the box body 1.例文帳に追加

箱本体１の一側面に、愛玩動物Ｐの注意を引く棒状のじゃらし３を挿入する孔部ｈ・・・を設け、前記箱本体１の上面に、前記側面から挿入された前記じゃらし３の少なくとも先端部分を飛び出させる孔部ｈ・・・を設ける。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by subjecting a semiconductor crystal 4 of a wurtzite structure having, on a substrate, an n-type GaN layer 1, an InGaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 to c-axis growth, the semiconductor crystal 4 having the respective layers 1, 2, 3 is erected in a nanosize sheet-like form from the substrate.例文帳に追加

基板上に、ｎ型ＧａＮ層１、ＩｎＧａＮ活性層２、ｐ型ＧａＮ層３を有するウルツ構造の半導体結晶４がｃ軸成長されて成る半導体発光素子において、前記の各層１，２，３による半導体結晶４を、基板からナノサイズのシート状に立設する。 - 特許庁

An angiography device has a bed 2 with a table 2b to put a subject P on, a C-shaped C arm 3, and an X-ray generating means 6 mounted on one end and an X-ray detecting means 5 mounted on the other end of the C arm 3 in a manner that they face each other.例文帳に追加

本発明に係るアンギオ装置は、被検体Ｐを載置する天板２ｂを備えた寝台２、略Ｃ字形状となるＣアーム３並びに該Ｃアーム３の一端及び他端にそれぞれ対向するよう備えられたＸ線発生手段６及びＸ線検出手段５を有する。 - 特許庁

The barrier layer 8 has a p-type semiconductor layer 7 located between a region 22 on the top surface 8a with the gate electrode 5 formed thereon and the channel layer 3, and a semiconductor layer 10 located between a region 21 on the top surface 8a exposed from the gate electrode 5 and the channel layer 3.例文帳に追加

バリア層８は、ゲート電極５が形成された頂面８ａ上の領域２２とチャネル層３との間に位置するｐ型半導体層７と、ゲート電極５から露出する頂面８ａ上の領域２１とチャネル層３との間に位置する半導体層１０とを有する。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 and n-type semiconductor layer 3 are laminated with a silicon oxide film 2 in between, while a p-type semiconductor layer 9 and n+-layer semiconductor layer 11 are formed on the surface of n-type semiconductor layer 3, with a source electrode 13 and drain electrode 14 provided, respectively.例文帳に追加

半導体基板１とｎ−型半導体層３とをシリコン酸化膜２を挟んで積層すると共に、当該ｎ−型半導体層３の表面に、ｐ型半導体層９やｎ＋型半導体層１１を形成して、それぞれにソース電極１３、ドレイン電極１４を設ける。 - 特許庁

When the leading edge of the transfer material P is caught by the nip of a fixing device 7, the drum 9 is separated from a photoreceptor drum 3 and a gear fixed on the drum 9, which is engaged with a gear rotating together with the drum 3 with the same center, is disengaged and freely rotates.例文帳に追加

転写材Ｐの先端が定着器７のニップでくわえられると、転写ドラム９は感光ドラム３から離されると共に、感光ドラム３と同一中心で共に回転するギアと噛合っている転写ドラム９に固定したギアは噛合いが外れ自在に回転する。 - 特許庁

The camera section 21 is configured such that the camera section 21 focuses an object (e.g., a point P) on the same plane as a placing face 50 and takes a close-up picture of the object when the first and second cases 2, 3 are opened and the outer side surface 3b of the second case 3 is placed on the placing face 50.例文帳に追加

第１の筐体２と第２の筐体３とを開いた状態で、かつ第２の筐体３の外側表面３ｂを載置面５０に載置した状態で、カメラ部２１は載置面５０と同一平面にある被写体（たとえば点Ｐ）に焦点を合わせて接写できるよう構成されている。 - 特許庁

Further, the method includes the processes of: (c) dipping a surface of the SiO_2 film 3 in a catalyst liquid containing Pd ions to form an adhesion layer 4 of Pd on the surface of the SiO_2 film 3; and (d) forming the P-type electrode 5 in contact with the adhesion layer 4 to cover the ridge 2.例文帳に追加

そして、（ｃ）Ｐｄイオンを含む触媒液にＳｉＯ_2膜３表面を浸漬させて、Ｐｄからなる密着層４をＳｉＯ_2膜３表面上に形成する工程と、（ｄ）密着層４と接触して、リッジ２を覆うＰ型電極５を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The n-type base region (2) has a recombination region (21) formed between the p-type base region (3) and a collector electrode (8), and the recombination region (21) acquires minority carriers accumulated around the recombination region (21) within the n-type base region (2) and improves the recovery property of the diode.例文帳に追加

Ｎ型ベース領域(2)は、Ｐ型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲し、ダイオードのリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

The video data signals are read from FIFO memory circuits 3-1 to 3-n according to a read clock signal, a system field signal, etc., and a read reset signal from a CLK circuit 5, pseudo synchronizing signals are added to the video data signals at a P/S circuit 6 and pseudo HDTV serial digital video signals are outputted.例文帳に追加

ＣＬＫ回路５からの読出しクロック信号、システムフィールド信号等、読出しリセット信号に従って、ＦＩＦＯメモリ回路３−１〜３−ｎから映像データ信号を読出し、Ｐ／Ｓ回路６では擬似的な同期信号を付加して、擬似ＨＤＴＶシリアルデジタル映像信号を出力する。 - 特許庁

When the vessel P is advanced, a closing film 22 of the first gasket 1 is peeled by a pressing part 31 of the communication member 3, and a puncture needle part 32 of the communication member 3 is stuck into the second gasket 5, so that the chambers 13 and 42 can be brought into fluid communication with each other.例文帳に追加

そして、プランジャ状容器Ｐを前進させると、連通部材３の押圧部３１により第１ガスケット１の閉鎖フィルム２２が剥離するとともに、連通部材３の穿刺針部３２により第２ガスケット５が刺通されて、溶解液室１３と薬剤室４２が液体連通する。 - 特許庁

Further, the cooling water flowing through the flow passages 12a, 12b flows substantially perpendicularly to a propagation plane P of the light L to be amplified, so that the solid state laser medium 3 can be cooled such that the temperature of the solid state laser medium 3 is made uniform in the direction of the propagation of the light L to be amplified.例文帳に追加

しかも、流路１２ａ，１２ｂを流通する冷却水は、被増幅光Ｌの伝播面Ｐに略垂直な方向に流通するため、被増幅光Ｌの伝播方向に沿っては、固体レーザ媒質３の温度が均一となるように固体レーザ媒質３を冷却することができる。 - 特許庁

A heavily doped transparent thin film 6 made of a GZO thin film, AZO thin film, or IZO thin film having carrier concentration higher than that of the n-type ZnO substrate 3 is interposed between the p-type GaN layer 24 and the n-type ZnO substrate 3 at the LED thin-film section 2.例文帳に追加

ＬＥＤ薄膜部２におけるｐ形ＧａＮ層２４とｎ形ＺｎＯ基板３との間にｎ形ＺｎＯ基板３よりもキャリア濃度が高濃度のＧＺＯ薄膜もしくはＡＺＯ薄膜もしくはＩＺＯ薄膜からなる高濃度透明薄膜６を介在させてある。 - 特許庁

The main pipe nozzle 101 of the filling machine 100 for supplying the foamable plastic raw material P is fixed to the inner mold 3 to be attached to the mold 1 equipped with the inner molds 2 and 3 constituting a molding chamber A and a back plate 4 for constituting a vapor chamber B.例文帳に追加

成形室Ａを構成する中型２，３と、蒸気室Ｂを構成するバックプレート４とを具備してなる成形金型１に、発泡性プラスチック原料Ｐを供給するための充填機１００の主管ノズル１０１を中型３に固定することにより取り付ける。 - 特許庁

The lighting device 1 irradiates the visible light from the second light source 3 to the plant P before sunrise, irradiates the ultraviolet from the first light source 2 and the visible light from the second light source 3 for 30 minute to 2 hours after sunrise, and irradiates the ultraviolet from the first light source 2 afterwards.例文帳に追加

本照明装置１は、植物Ｐに対し、日の出前に第２の光源３からの可視光を照射し、日の出後から３０分間〜２時間にかけて第１の光源２からの紫外線と第２の光源３からの可視光とを照射し、その後、第１の光源２からの紫外線を照射する。 - 特許庁

In the formula (I), X presents a trivalent group selected from CR^1, nitrogen atom, phosphorus atom and P=O, R^1 presents hydrogen atom or a prescribed substituent and Y^1 to Y^3 respectively present hydrogen atom or prescribed substituents, wherein at least two are substituted or nonsubstituted allyl groups.例文帳に追加

式中、ＸはＣＲ^1、窒素原子、燐原子及びＰ＝Ｏから選ばれる３価の基を；Ｒ^1は水素原子又は所定の置換基を；Ｙ^1〜Ｙ^3はそれぞれ水素原子又は所定の置換基を表すが、少なくとも二つは置換もしくは無置換のアリール基である。 - 特許庁

The liquid crystal resin P remaining in a molten state at an outlet 3c of the polymerization vessel 3 is re-ejected from the polymerization vessel 3 by a gauge pressure higher than 0.005 MPa after the resin ejecting process for each lot and before the resin producing process of the subsequent lot.例文帳に追加

各ロットに対する樹脂吐出工程の後であって次のロットに対する樹脂生成工程の前に、重合容器３の吐出口３ｃに溶融状態で残存している液晶樹脂Ｐを０．００５ＭＰａを超えるゲージ圧で重合容器３から再吐出する。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion devices and the n-type thermoelectric conversion devices are arranged in a lattice shape between the first substrate 1 and the second substrate 3, and are electrically connected in series by the electrode 5a on the first substrate 1 side and the electrode 5b on the second substrate 3 side.例文帳に追加

これらのｐ型熱電変換素子とｎ型熱電変換素子とが第１基板１と第２基板３との間で格子状に配置されるとともに、第１基板１側の電極５ａと、第２基板３側の電極５ｂによって電気的に直列に接続されている。 - 特許庁

A mounting member 3 is fitted to the composition 1 to make the foamed member P for a hollow member, and the member 3 is attached in the inner space of a pillar 2, and the composition 1 is foamed and cured by heating to form the filling foam 6.例文帳に追加

そして、その発泡用組成物１に取付部材３を装着して中空部材用発泡部材Ｐを作製し、その取付部材３をピラー２の内部空間に取り付けて、その後、発泡用組成物１を加熱し、発泡および硬化させることにより充填用発泡体６を形成する。 - 特許庁

The resin formable raw liquid P is supplied to the gap between a pair of surface materials 2 and 3 opposedly arranged so as to leave an interval to form a foamed layer and edges are treated for determining the lateral width of the foamed layer at the left and right edge parts of the surface materials 2 and 3.例文帳に追加

互いに間隔を空けて対向配置された一対の表面材２、３間に樹脂発泡原液Ｐを供給させて発泡層を形成すると共に、この発泡層の横幅を定めるための端部処理を、表面材２、３の左右端部夫々において行う。 - 特許庁

The adhesive tapes 3 and the sheet 1 are bonded through primers 5 for bonding composed of a solution of solid-matter concentration of 3-25 mass % mainly comprising the bromide of an isobutylene-p-methylstyrene copolymer and using an aliphatic hydrocarbon solvent as a solvent main component.例文帳に追加

そして、接着テープ３と防水シート１とを、イソブチレン−ｐ−メチルスチレン共重合体の臭素化物を主成分とし、脂肪族炭化水素系溶剤を溶剤主成分とする固形分濃度３〜２５質量％の溶液からなる接着用プライマー５を介して接着させる。 - 特許庁

A metal run-in tooth body of a run-in device is engaged with a stair-like tooth flank Q of a gear element 120 (refer to a figure 3 (b)) forming a worm wheel 12, and running-in is performed to finish the tooth flank P (refer to a figure 3 (a)) of the worm wheel 12 into an ideal shape.例文帳に追加

ウォームホイール１２を形成するための歯車素体１２０〔図３（ｂ）を参照〕の階段状の歯面Ｑに、なじみ運転装置の金属製のなじみ歯体を噛み合わせて、なじみ運転を行い、ウォームホイール１２の歯面Ｐ〔図３（ａ）を参照〕を理想的な形状に仕上げる。 - 特許庁

This loading apparatus includes a weight 11 being the source of force, a force receiver 2 which is given a force from the weight 11 caused to free-fall, a force applier 3 giving a force to a pile P, and a friction coupler 4 for slidably coupling the force receiver 2 and the force applier 3 in a state where frictional force arises.例文帳に追加

力の発生源となる錘部１１と、自由落下させた錘部１１から力の付与を受ける受力部２と、杭Ｐに対して力を付与する加力部３と、受力部２と加力部３とを摩擦力が発生する状態でスライド可能に連結させる摩擦連結部４とを備えている。 - 特許庁

Also, the semiconductor integrated circuit (1) preferably includes a deep N-well (3) formed on the substrate (2) lower than the element isolation region (7) and formed along a second direction different from the first direction, and a deep P-well (4) formed along the second direction and formed adjacently to the deep N-well (3).例文帳に追加

そして、素子分離領域（７）よりも下の基板（２）に形成され、第１方向と異なる第２方向に沿って形成されたディープＮウェル（３）と、第２方向に沿って形成され、ディープＮウェル（３）に隣接して形成されたディープＰウェル（４）とを具備することが好ましい。 - 特許庁

The polylactide film comprises polylactic acid polymer having the face orientation (▵P) of ≥3.0×10^-3 and the difference of the crystal-melting heat from the crystallization heat (▵Hm-▵Hc) of ≥20 J/g.例文帳に追加

ポリ乳酸系重合体からなり、面配向度△Ｐが３．０×１０^-3以上であり、かつ、フィルムを昇温したときの結晶融解熱量△Ｈｍと昇温中の結晶化により発生する結晶化熱量△Ｈｃとの差（△Ｈｍ−△Ｈｃ）が２０Ｊ／ｇ以上であることを特徴とするポリ乳酸系フィルム。 - 特許庁

A p-type gate region 3 is provided on the surface of an n-type semiconductor layer 2, n-type drain region 4 and source region 5 are respectively provided on the surface of the n-type semiconductor layer holding the gate region 3 there between, and thus the junction field effect transistor is formed.例文帳に追加

ｎ形半導体層２の表面にｐ形のゲート領域３が設けられ、そのゲート領域３を挟んでｎ形半導体層２の表面にｎ形のドレイン領域４およびソース領域５がそれぞれ設けられることにより接合型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The peptide producing enzyme has an amino acid sequence of proline amino peptitase (PAP TH-3) of Streptomyces aureofaciens TH-3 strain (FERM P-21343) and an amino acid sequence similar to this, and has the activity to produce peptide containing the proline residue by condensing a proline derivative and amino acid.例文帳に追加

Ｓｔｒｅｐｔｏｍｙｃｅｓ ａｕｒｅｏｆａｃｉｅｎｓ ＴＨ−３株（ＦＥＲＭ Ｐ−２１３４３）のプロリンアミノペプチダーゼ（ＰＡＰ ＴＨ−３）のアミノ酸配列、およびそれと類似のアミノ酸配列を有し、プロリン誘導体とアミノ酸とを縮合させてプロリン残基を含有するペプチドを生成する活性を有するペプチド生成酵素。 - 特許庁

A rotor 3 has at least one pair of magnetic salient poles 31 and at least one pair of segment magnetic paths 32 that face a stator core 1, having a plurality of stator magnetic poles (teeth) 11 disposed at a magnetic pole pitch P (equal to (electric angle×π)÷N (N is an integer of 3 or larger)).例文帳に追加

磁極ピッチＰ（＝電気角π÷Ｎ（Ｎは３以上の整数））で配置された多数のステータ磁極部（ティース）１１を有するステータコア１に対面して、少なくとも一対の磁気突極部３１と、少なくとも一対のセグメント磁路部３２とをもつロータ３を設ける。 - 特許庁

The driving device comprises at least two pulleys (1, 2) and a plurality of power transmission toothed belts (3) which are looped aligned in parallel over the pulleys (1, 2), where all the belts (3) have the same pitch (P) between the teeth, and the positions of the tooth tips of the belts are not aligned.例文帳に追加

少なくとも２個のプーリ（１、２）とそれらのプーリ（１、２）間に並列して複数本巻かれた動力伝達をおこなう歯付きベルト（３）を有する駆動装置において、全ての歯付きベルト（３）の歯と歯のピッチ（Ｐ）を等しくし、それぞれの歯付きベルト（３）の歯先位置をずらす駆動装置とする。 - 特許庁

The conduit water stop device seals a conduit P in which a cable C is laid, and comprises a holding member 1, a sealing member 2 which elastically deforms and covers the holding member 1, pressurizing plates 3 and 4 arranged across the sealing member 2, and a fastening member that fastens the pressurizing plates 3 and 4.例文帳に追加

ケーブルＣが敷設された管路Ｐを密封する管路止水装置であって、保持部材１と、保持部材１を覆う弾性変形可能な密封部材２と、密封部材２を挟んで配置される押圧板３、４と、押圧板３、４を締結する締結手段とを備える。 - 特許庁