「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

In a moving picture decoder, I and P frames of four encoded streams S31-S34 received in a stream receiving section 5 in correspondence with four displayed images 1, 2, 3 and 4 are entirely stored in stream buffers 91-94.例文帳に追加

表示中の４つの画像１，２，３，４については、それらに対応してストリーム受信部５で受信した４つの符号化ストリームＳ３１〜Ｓ３４の全てのＩ，Ｐフレームをストリームバッファ９１〜９４に蓄積する。 - 特許庁

The gap to the inner surface on the front face side inside the button case member 11 is made practicable to be sealed by the push-button operating member 20, and also a seal member P to seal the panel hole 7 is installed between the panel 3 and button case member 11.例文帳に追加

押しボタン操作部材によってボタンケース部材内の前面側の内周面との間をシール可能にするとともに、パネルとボタンケース部材との間にパネル穴をシールするシール部材Ｐを設ける。 - 特許庁

In the grip 1 equipped with an elastic grip body 2 of a cylindrical shape to be fitted to the barrel of the writing utensil P, numerous independent small protuberances 3 are dotted on the inner peripheral surface 2a of the elastic grip body 2.例文帳に追加

筆記具Ｐの軸体に装着される円筒状の弾性グリップ本体２を備えるグリップ１において、前記弾性グリップ本体２の内周面２ａに、多数の独立小突起３を点在させる。 - 特許庁

The low-cost wavelength holding circuit comprises an optical branching unit 4 for branching an input light from a wavelength variable light source 12, and an optical frequency discriminator 5 which can output an intensity (p) of the input light and the intensity of the transmitted light of an optical branching element 3.例文帳に追加

波長可変光源１２からの入力光を光分岐器４で分岐し、入力光の強度ｐと、光弁別素子３の透過光の強度とを出力可能な光周波数弁別器５を使用する。 - 特許庁

The drainage pipe P has a water suction port 10 which is connected with an internal space of a casing (the drawing omitted) in an upper end part 3 and a pair of drain ports 20 which are opened to sides of a lower end part 5 with mutually back to back form.例文帳に追加

本発明の水抜きパイプＰは、上端部３にケーシング（図略）の内部空間と連通する吸水口１０をもち、下端部５に側方へ開口する一対の互いに背向する排水口２０をもつ。 - 特許庁

The hanger 3 is individually provided with positioning blocks 13 and 14 for supporting a lower part of a side sill S on front and rear two portions, a pad 8 for supporting a part near a rear pillar P, and an end stopper 15 for supporting an arch part front side of a rear wheel house H.例文帳に追加

ハンガー３には、サイドシルＳ下部の前後二箇所を支える位置決めブロック１３，１４と、リアピラーＰ近傍を支えるパッド８と、リアホイールハウスＨのアーチ部前側を支えるエンドストッパー１５を個別に設ける。 - 特許庁

The first inner container 1 and the second inner container 2 are accommodated in an outer container 3 by fully containing water-soluble paint P in the first inner container 1, contracting the second inner container 2, and making the first inner container 1 contact with the second inner container 2.例文帳に追加

第１内側容器１に水性塗料Ｐを満杯に収容するとともに第２内側容器２を収縮させ、各内側容器１，２を互いに接触させて外側容器３に収容する。 - 特許庁

This therapeutic warming room is provided with a temperature control means 2 controlling the inside temperature of the room P to approximately 38°C by the radiant heat of far-infrared light, and a humidity control means 3 controlling the relative humidity inside the room to approximately 55% RH.例文帳に追加

遠赤外線による輻射熱によってルームＰ内温度を約３８℃に制御する温度制御手段２と、ルーム内の相対湿度を約５５％ＲＨに制御する湿度制御手段３とを備える。 - 特許庁

A porous box is mounted on the periphery of the inside body 2, shells 4 is filled as the aggregate between the box and the inside body 2, and then concrete paste P is sprayed to form an outer cylindrical body 3.例文帳に追加

この内筒体２の外周縁に通水性の型枠を設け、この型枠と内筒体２の間に骨材として貝殻４を充填した後、貝殻４にコンクリートペーストＰを吹き付けて外筒体３を成形する。 - 特許庁

The refrigerator 1, a personal computer 20 of the store 2, a personal computer 30 of the service providing company 3 and the cell phone 4 possessed by the user P are connected through a communication line 5 so as to transmit/receive a variety of information.例文帳に追加

冷蔵庫１と商店２のパソコン２０とサービス提供会社３のパソコン３０と利用者Ｐの所持する携帯電話機４とを通信回線５を介して各種の情報を送受信するように接続する。 - 特許庁

Pixel values P of an image signal of a (n-1)-th field, interpolated values M of an interpolation signal obtained by an interpolating circuit 3, and pixel values S of an image signal of a (n+1)-th field are given to an intermediate value selecting circuit 4.例文帳に追加

中間値選択回路４には第（ｎ−１）フィールドの映像信号の画素値Ｐ、補間回路３により得られる補間信号の補間値Ｍおよび第（ｎ＋１）フィールドの映像信号の画素値Ｓが与えられる。 - 特許庁

A device for paying out a workpiece W from a workpiece support part 3 of a working machine 2 to a predetermined discharge position P, comprises a turning arm 4 which can turn around a turning center axis O.例文帳に追加

この装置は、加工機械２のワーク支持部３から所定の排出位置ＰへワークＷを払い出す装置であって、ワーク支持部３から排出位置Ｐまで、旋回軸心Ｏ回りに旋回可能な旋回アーム４を備える。 - 特許庁

The flux 3 is discharged from each of the flux discharging nozzles 52 of the plurality of flux discharging nozzles 52 arranged in line with a pitch p positioned over the bump forming part 2 as the head 51 is moved to a work 1.例文帳に追加

ワーク１に対してフラックス供給ヘッド５１を移動させながら、ピッチｐで並べられた複数のフラックス吐出ノズル５２のうちバンプ形成部２上部に位置する各フラックス吐出ノズル５２からフラックス３を吐出する。 - 特許庁

When a dedicated fixing button 71 of a remote controller 52 is pushed, a pull-in strap 3 locked to a wheelchair 2 is started to be pulled in towards a device body 21, and the pull-in force P is gradually changed from a low output to a high output.例文帳に追加

リモートコントローラー５２の固定専用ボタン７１を押すと、車椅子２に係止された引込ベルト３の装置本体２１への引込が開始し、その引込力Ｐが徐々に低出力から高出力に変化する。 - 特許庁

The pin members 4 are arranged on the reverse side of cloth F, the body part 2 is arranged on the obverse side, the needle parts P of the pin members 4 are pierced through the cloth F from the reverse side, and are pierced in elastic holding parts Q of the obverse side holding members 3.例文帳に追加

服地Ｆの裏面側にピン部材４を、表面側に本体部２を配置し、ピン部材４の針部Ｐを裏面側から服地Ｆを刺し通して、表面側の保持部材３の弾性保持部Ｑに突き刺す。 - 特許庁

A pressure pad 3 for bringing the fixing roll 1 in press contact with the endless belt 2 includes: a first pad 3a disposed on the upstream side in the moving direction of the recording paper P; and a second pad 3b disposed on the downstream side.例文帳に追加

定着ロール１とエンドレスベルト２とを圧接させる加圧パッド３は、記録紙Ｐの移動方向における上流側に設けられた第１のパッド３ａと下流側に設けられた第２のパッド３ｂとを有する。 - 特許庁

Inclinations in each IC component mounting position of the substrate B are detected previously, and when mounting each IC component P, the inclination of the substrate installation table 3 is adjusted so as to match with the inclination of the IC component mounting position.例文帳に追加

基板Ｂの各ＩＣ部品実装位置における傾きを予め検出しておき、各ＩＣ部品Ｐの実装時にそのＩＣ部品実装位置の傾きに合わせて基板設置テーブル３の傾きを調整する。 - 特許庁

After plasma etching treatment, interior of the vacuum vessel 1 in a plasma etching apparatus is cleaned by means of plasma P while exposing the surface of a susceptor 3, and reaction products A adhering to the interior of the vacuum vessel 1 are removed.例文帳に追加

プラズマエッチング処理後に、サセプタ３の表面を露出した状態でプラズマエッチング装置の真空容器１の内部をプラズマＰによりクリーニングし真空容器１の内部に付着した反応生成物Ａを除去する。 - 特許庁

At least one layer of a layer constituting the n-type layer 3, a layer constituting the photoelectric conversion layer 4 and a layer constituting the p-type layer 5 has a preferred crystal orientation surface which is different from other layers.例文帳に追加

そして、ｎ型層３を構成する層、光電変換層４を構成する層およびｐ型層５を構成する層のうちの少なくとも１つの層は、他の層と異なる優先結晶配向面を有する。 - 特許庁

In each of the prisms 4, 4', the depth D becomes larger toward a deep end although a pitch P in the depth direction of the light guide plate 3, namely the direction of distance L from the center point So, is fixed.例文帳に追加

また、これらプリズム４，４’は夫々、光源チップ２，２’からみて導光板３の奥行き方向（即ち、中心点Ｓｏからの距離Ｌの方向）のピッチＰが一定であるが、その深さＤが奥のものほど深くなる。 - 特許庁

In an n^+-silicon substrate 1 having the main surface 1a and rear surface 1b, a trench 2 is extended in thickness direction from the main surface 1a and a p-type silicon layer 3 made of epitaxial films is formed in the trench 2.例文帳に追加

主表面１ａと裏面１ｂとを有するＮ^＋シリコン基板１においてトレンチ２が主表面１ａから厚み方向に延設され、トレンチ２内にエピタキシャル膜からなるＰ型シリコン層３が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor chip SC having the bidirectional planer diode, there is provided a lifetime control region 13 in a p^+-type semiconductor region 2 between an n^++-type semiconductor region 1 and n^++-type semiconductor regions 3, 4.例文帳に追加

双方向プレーナ型ダイオードを有する半導体チップＳＣにおいて、ｎ^＋＋型半導体領域１と、ｎ^＋＋型半導体領域３，４との間のｐ^＋型半導体領域２にライフタイム制御領域１３を設けた。 - 特許庁

In the organic thin film solar battery, the photoelectric conversion layer 3 where a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor are blended is arranged between two electrodes 4 and 5 either of which is optically transparent.例文帳に追加

ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体がブレンドされた光電変換層３を、少なくとも一方が光透過性である二つの電極４，５の間に設けて形成される有機薄膜太陽電池に関する。 - 特許庁

In the image forming apparatus, an auxiliary tray 4 for adjusting the degree of an angle of a slope 32 of a paper delivery tray 3 is detachably attached to the slope 32 to reduce the degree of an angle at which a tip part of the delivered paper P comes into contact with the auxiliary tray 4.例文帳に追加

排紙トレイ３の傾斜部３２の角度を調整する補助トレイ４を傾斜部３２に着脱可能に取り付け、排出された用紙Ｐの先端部が補助トレイ４と当たる角度を小さくする。 - 特許庁

Each of the top surfaces 4 is formed on the side of the apex C of the protrusive streak 2 with respect to a limiting line L which connects a bottom apex T of the recessed groove 1 of the top portion 3 with a point P of intersection of a backside extension line S and a surface.例文帳に追加

各頂面４は頂部３における凹溝１の底頂点Ｔと、裏面延長線Ｓと表面との交点Ｐとを結ぶ限界線Ｌよりも凸条２の頂点Ｃ側に形成する。 - 特許庁

In the leak measuring instrument, a recess 12 is formed in the cap 3 of the cylinder C and a relationship of D1<D2<D3 is established wherein D2 is the inside diameter of the recess 12; D3 is the outside diameter of the piston P; and D1 the outside diameter of the sensor element 8.例文帳に追加

シリンダＣのキャップ３に凹部１２を形成するとともに、この凹部１２の内径Ｄ2、ピストンＰの外径Ｄ3、センサー素子８の外径Ｄ1としたとき、Ｄ1＜Ｄ2＜Ｄ3となる関係にした点に特徴を有する。 - 特許庁

The moving body detector comprises: an imaging means 6 installed in a turning body 3; and a control means 52 having an image memory 56 for temporarily storing the input image P from the imaging means 6 as reference image data.例文帳に追加

動体検出装置は、旋回体３に設置された撮像手段６と、撮像手段６からの入力画像Ｐを参照画像データとして一時的に記憶する画像メモリ５６を有する制御手段５２と、を有する。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

This continuous heat treatment device is provided with a one, or two or more of heat treatment zone(s), and a cycled type conveyer 3 for conveying the treated object P, and is constituted to temporarily stop the treated object within the heat treatment zone(s).例文帳に追加

連続熱処理装置は、１または２以上の熱処理ゾーンおよび被処理物Ｐをタクト搬送するタクト式搬送装置３を備え、被処理物が熱処理ゾーン内で一時的に停止するようになされている。 - 特許庁

The second drain region 23B has the same impurity concentration and diffusion depth of a conductive type as that of a channel stop region 31 (see Fig. 3) of a p-channel MOS transistor formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第２ドレイン領域２２Ｂは、半導体基板１０上に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルストップ領域３１（図３参照）と同一の導電型の不純物濃度および拡散深さを有している。 - 特許庁

The image forming apparatus P includes a paper feed tray part 1; a paper carrying part 2; a resist roller part 3; an image forming part 4; an image transfer part 5; an image fixing part 6; a paper discharge part 7; and a controller part 8.例文帳に追加

画像形成装置Ｐは、給紙トレイ部１と、用紙搬送部２と、レジストローラ部３と、画像形成部４と、画像転写部５と、画像定着部６と、用紙排出部７と、コントローラ部８とを備えている。 - 特許庁

Moreover, in the process of mounting the plug body P on the pipe joint 11, the bending part 14 is flexibly bent inside as shown in Fig.3, so that the seal protrusion 15 can easily pass over an external thread part 11a.例文帳に追加

しかも、プラグ本体Ｐを管接手１１に装着する過程で、上記屈折部１４が図３に示すように、内側に柔軟に折れ曲がり、シール突部１５が雄ねじ部１１ａを乗り越えやすくしている。 - 特許庁

The method includes adjusting the roll-separating force P of a pair of drive rotary-type planishing rolls 3 (a rolling-reduction cylinder 4) based on the total amount T of the plate thickness t1 of a preceding cold rolled steel plate 1a and the plate thickness t2 of a succeeding cold rolled steel plate 1b.例文帳に追加

先行の冷延鋼板１ａの板厚ｔ１と後行の冷延鋼板１ｂの板厚ｔ２との合計値Ｔに基づいて駆動回転式プラニッシュロール３（圧下シリンダー４）の圧下力Ｐを調整する。 - 特許庁

A 1st circular point (8) of contact is provided to the upper film (4) of a flexible sheet (3) and a 2nd thin and long rectangular point (10) of contact is provided to the lower film (5) to obtain the contact area of both the points (8 and 10) of contact corresponding to the load (P).例文帳に追加

可撓性シート（３）の上フイルム（４）に円形の第１の接点（８）を設け、下フイルム（５）に細長い矩形の第２の接点（１０）を設け負荷（Ｐ）に応じた両接点（８，１０）の接触面積を得る。 - 特許庁

A thrusting tip part 2 is driven into a road surface P corresponding to a place where the pipe cable Q laid under the ground exists and a chip- type recording medium 4 like an RF-ID(radio frequency-identification) element is burried in the inside of an exposed bolt head 3.例文帳に追加

地中に埋設した管・ケーブルＱ存在箇所に相当する路面Ｐに差し込み尖端部２を打ち込み、露出するボルト頭３内部にＲＦ−ＩＤ素子の如きチップ型の記録媒体４を埋設する。 - 特許庁

In this oil seal, when an inclination of the rib 3 is set at or larger than three degrees and lower than five degrees and a rib height H is set at or larger than 0.04 mm and lower than 0.055 mm, a circumferential pitch P is set at or larger than 6 mm and lower than 8 mm.例文帳に追加

そして、このオイルシールでは、リブ３の傾斜角度θが、３°≦θ＜５°、リブの高さＨが、０．０４ｍｍ≦Ｈ＜０．０５５ｍｍである場合、周方向ピッチＰを６ｍｍ≦Ｐ＜８ｍｍに設定する。 - 特許庁

The mesa type semiconductor element 1 comprises an n^+-type semiconductor layer 3, an n^--type semiconductor layer 4, and a p-type semiconductor layer 5, which are formed in a silicon substrate 2, and is formed with a mesa recess 6 on the side face.例文帳に追加

メサ型半導体素子１は、シリコンからなる基板２に形成されたｎ^＋型半導体層３と、ｎ^−型半導体層４と、ｐ型半導体層５とを備えるとともに、側面にはメサ溝６が形成されている。 - 特許庁

The glow discharge is generated under the atmospheric pressure, to generate the plasma P from the plasma generation gas by applying an AC field into the reaction vessel 1, at the position corresponding to the area between the electrodes 2, 3.例文帳に追加

電極２、３の間に対応する位置において反応容器１内に交流電界を印加することにより、大気圧下でグロー状の放電を生じさせてプラズマ生成用ガスからプラズマＰを生成する。 - 特許庁

This thin film deposition apparatus comprises a vacuum tank 2, and an evaporation unit 3 comprising a plurality of host evaporation sources 30 and dopant evaporation sources 31 which are disposed in the vacuum tank 2 at a predetermined pitch P.例文帳に追加

本発明の薄膜形成装置は、真空槽２と、真空槽２内において所定のピッチＰで配設された複数のホスト蒸発源３０及びドーパント蒸発源３１から構成される蒸発部３とを備えている。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 1 is formed as a drain region, a P type body diffusion region 2 is formed in the epitaxial layer 1, and a hollow gate electrode 3 is formed so that the plane shape is polygonal.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層１をドレイン領域とし、そのエピタキシャル層１内にＰ型のボディー拡散領域２を形成し、平面形状が多角形となるように中抜きされたゲート電極３を形成する。 - 特許庁

Then, processing for forming an epitaxial layer whose impurity concentration is lower than that of the n type buffer layer 3, and for selectively injecting the n type impurity and the p type impurity into the upper face is repeated.例文帳に追加

次に、不純物濃度がｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低いエピタキシャル層を形成し、その上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する処理を繰り返す。 - 特許庁

The output fetching electrode 7 is arranged so as to intersects to the plural grating electrodes 6 on the semiconductor layer, and the semiconductor layer consists of the laminated layers of an n type semiconductor layer 3 and a p type semiconductor layer 4.例文帳に追加

出力取り出し電極７は半導体層上で複数のグレーティング電極６と交差するように配置され、半導体層をｎ型半導体層３とｐ型半導体層４の積層から構成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a semiconductor multilayer film which is provided on a substrate 1; and contains an active layer 3 for generating light, a p-electrode 7 formed on the semiconductor multilayer film, and a plasmon generation layer 8.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１上に設けられ、光を生成する活性層３を含む半導体多層膜と、半導体多層膜上に形成されたｐ電極７と、プラズモン発生層８とを備えている。 - 特許庁

When the p-type SiC epitaxial layer 3 is grown, a gas containing chemical species containing silicon (Si) (hereinafter Si species) and a gas containing chemical species containing carbon (C) (hereinafter C species) are supplied into a chamber.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３を成長させるに際し、チャンバー内には、シリコン（Ｓｉ）を含有する化学種（以下、Ｓｉ種とする）を含むガスと炭素（Ｃ）を含有する化学種（以下、Ｃ種とする）を含むガスを供給する。 - 特許庁

A p-InP blocking layer 8 and an n-InP blocking layer 9 are laminated adjacently to the upper region of the buffer layer 2, the active layer 3 and the spacer layer 4.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４に隣接してｐ−ＩｎＰブロッキング層８、ｎ−ＩｎＰブロッキング層９が積層される。 - 特許庁