「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cylindrical drum 3 supported by a frame 1, a high pressure hose 4 of which the intermediate is wound along the inner peripheral wall of the drum 3 has a joint 5 to a hyperbaric pressure water source at the proximal end and mounts a nozzle member 6 with a nozzle 6a for cleaning the inner wall of the piping P at the leading front.例文帳に追加

枠体１に支持された円筒状ドラム３において、同ドラム３の内周壁に沿い中間部を巻付けられた高圧ホース４が、その基端に高圧水源への接続部５を有するとともに、その先端には配管Ｐの内壁を清掃するためのノズル６ａ付きノズル部材６を装着されている。 - 特許庁

The heavy oil composition has density of 0.88-0.95 g/cm^3 at 15°C, a carbon residue content in a 10% residual oil of 0.21-1.0 mass%, an aromatics content of 30-90 vol%, and an oxygen content (p mass%) within a range satisfying equation (1) below with an aromatics content (q vol%).例文帳に追加

１５℃における密度が０．８８〜０．９５ｇ／ｃｍ^3、１０％残留炭素分が０．２１〜１．０質量％、芳香族分が３０〜９０容量％であって、酸素含有量（ｐ質量％）が芳香族分（ｑ容量％）と下記の式（１）を満たす範囲であることを特徴とする重油組成物である。 - 特許庁

Since a winding 4 for detecting temperature which mutually cancels inductance component with a secondary winding 2 of a transformer 1 is arranged, and one end P of the secondary winding 2 and one end M of the winding 4 for detecting temperature are connected with a resistance measuring circuit 3, a voltage is not applied almost at all across the measuring terminals of the resistance measuring circuit 3.例文帳に追加

トランス１の二次巻線２と互いにインダクタンス成分を相殺しあう温度検出用巻線４を設け、二次巻線２の一端Ｐと温度検出用巻線４の一端Ｍとを抵抗値測定回路３に接続するため、抵抗値測定回路３の測定端子間にはほとんど電圧は印加されなくなる。 - 特許庁

This hair cutter 1 adjusts the cutting height by vertically slidably moving the cutting height adjusting comb 3 to be fitted to the upper part of a cutter body 4, and is provided with a wire spring (a resilient member) 10 thrustingly energizing the both insides 3a and 4b of the cutting height adjusting comb 3 in the both side outward directions P.例文帳に追加

カッター本体４の上部に被嵌する刈り高さ調整用コーム３を上下スライド移動させて、刈り高さを調整するヘアカッター１であって、刈り高さ調整用コーム３の両側内部３ａ，４ｂを、両側外方向Ｐに突っ張るように付勢する線バネ（弾性部材）１０を設けた。 - 特許庁

This inkjet printer 1 comprises a recording head 3 having a nozzle 5 mounted thereon for ejecting ink 4 to a recording medium P, an intermediate tank 9 for applying back-pressure to the nozzle 5 of the recording head 3, and pressuring/moisturizing means 14, 15, 20 for pressurizing the inner section of the intermediate tank 9 by injecting a moisturized air thereto.例文帳に追加

インクジェットプリンタ１は、記録媒体Ｐに対してインク４を吐出するためのノズル５が設けられた記録ヘッド３と、記録ヘッド３のノズル５に対し背圧を発生させる中間タンク９と、中間タンク９に保湿された空気を送って中間タンク９内を加圧するための加圧保湿手段１４、１５、２０とを備える。 - 特許庁

Useful substances used in combination include: medetomidine with various copper and zinc formulations, tolylfluanide, diclofluanide, Diuron and Irgarol, or more general herbicides such as SeaNine (4,5-dichloro-2-n-octyl-3(2H)-isothiazolone) or EcoNea (2-(p-chlorophenyl)-3-cyano-4-bromo-5-trifluoromethyl).例文帳に追加

有用な物質の例として、メデトミジンと各種の鉛あるいは亜鉛の調合物、トリルフルアニド、ジクロフルアニド、ジウロンあるいはイルガノール、あるいはより一般的な除草剤（例えばシーナイン（４，５−ジクロロ−２−ｎ−オクチル−３（２Ｈ）−イソチアゾロン）あるいはエコニア（２−（ｐ−クロロフェニル）−３−シアノ−４−ブロモ−５−トリフルオロメチル）との併用が挙げられる。 - 特許庁

By a bombardment object azimuth calculation means (processor 4), an estimated azimuth nd of the bombardment object 1 on the basis of a position of the impulse wave detection means (acoustic sensor 3) is calculated based on the sound pressure detection signal u output from the impulse wave detection means (acoustic sensor 3), and azimuth information p is generated.例文帳に追加

砲撃体方位算出手段（処理装置４）により、衝撃波検出手段（音響センサ３）から出力された音圧検出信号ｕに基づいて、同衝撃波検出手段（音響センサ３）の位置を基準とする砲撃体１の推定方位ｎｄが算出されて方位情報ｐが生成される。 - 特許庁

Thereafter, titanium silicide layers 9a, 9b, and 9c are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 3 and P^+ type diffusion layers 6a and 6b by partially silicifying the titanium layer 8 which is in contact with the gate electrode 3 and diffusion layers 6a and 6b by performing heat treatment as shown in Fig (b).例文帳に追加

その後、図３（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、ゲート電極８及びＰ＋型拡散層６ａ，６ｂと接触したチタン層８が部分的にシリサイド化され、ゲート電極３上の表面にチタンシリサイド層９ａ、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂの表面にそれぞれチタンシリサイド層９ｂ，９ｃが形成される。 - 特許庁

The unsymmetrical gas separation membrane is an unsymmetrical membrane that is composed to contain a polyimide backbone, which is characterized in that (1) the membrane does not dissolve even when immersed in parachlorophenol at 50°C for 30 minutes and (2) the permeation rate (P'_MeOH) of methanol steam is 1×10^-4 cm^3 (STP)/cm^2×sec×cmHg or more.例文帳に追加

ポリイミド骨格を含有して構成された非対称膜であって、（１）５０℃のパラクロロフェノール中に３０分間浸漬しても溶解しない、（２）メタノール蒸気の透過速度（Ｐ'_MeOH）が１×１０^-4ｃｍ^3（ＳＴＰ）／ｃｍ^2・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ以上であることを特徴とする非対称ガス分離膜。 - 特許庁

The resin-covered steel sheet 100 is provided in order with an Sn alloy layer 2, a chemical conversion coating film layer 3, a copolyester layer 4a and an oriented polyethylene terephthalate layer 4b and the chemical conversion coating film layer 3 comprises P of 0.5-100 mg/m^2 and Si of 0.1-250 mg/m^2.例文帳に追加

鋼板１の表面に、Ｓｎ合金層２と、化成被膜層３と、共重合ポリエステル層４ａと、配向性ポリエチレンテレフタレート層４ｂとを順次設けてなる樹脂被覆鋼板１００であって、前記化成被膜層３が、０．５〜１００ｍｇ／ｍ^^2 のＰ及び０．１〜２５０ｍｇ／ｍ^2 のＳｉを含有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an n-type epitaxial layer 2; a trench 3 formed on the n-type epitaxial layer 2, where an embedded electrode 5 is provided inside; and a p^+-type impurity region 2a formed at a prescribed region at the upper surface side of the n-type epitaxial layer 2 with a prescribed interval to the trench 3 when viewed in plan view.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ型エピタキシャル層２と、このｎ型エピタキシャル層２に形成され、内部に埋め込み電極５が設けられたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の上面側の所定領域に、平面的に見て、トレンチ３と所定の間隔を隔てて形成されたｐ^+型不純物領域２ａとを備えている。 - 特許庁

An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加

ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁

This vehicular lighting fixture 1 comprises a light source bulb 2, a reflector 3 for reflecting light of the light source bulb 2, a lamp housing 4 for housing the light source bulb 2 and the reflector 3, and a lamp lens 5 for widening the light of the light source bulb 2, and a light room P is sectioned by the lamp lens 5 and the lamp housing 4.例文帳に追加

この車両用灯具１は、光源バルブ２と、光源バルブ２の光を反射するリフレクタ３と、光源バルブ２およびリフレクタ３を収容するランプハウジング４と、光源バルブ２の光を拡幅するランプレンズ５とを含み、ランプレンズ５およびランプハウジング４により灯室Ｐが区画されている。 - 特許庁

Ion implantation of arsenic ions or the like is performed from the upper part of the trench 3 having the composition in parallel with the trench sidewall 3a and vertically or at a certain angle to a P-type well layer 1 to form the N+ type source layer 4 opposed to a floating gate FG6 extended from the bottom of the trench 3 to the trench sidewall 3b over a wide area.例文帳に追加

かかる構成のトレンチ３の上部からトレンチ側壁３ａに平行で、且つＰ型ウエル層１に垂直又は角度をもった砒素イオン等のイオン注入を行い、トレンチ３底面からトレンチ側壁３ｂに延在するフローティングゲートＦＧ６と広い面積で対峙するＮ＋型ソース層４を形成する。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

In addition, the upper part side protruding portion 6 is in contact with the lower seat back 1, in this state, the upper seat back 3 is tilted and folded against the lower seat back 1 on a contact point P of the upper side protruding portion 6 as a folding point of both the seat backs keeping backrest surfaces 7A, 7B of both the seat backs 1, 3 into a continuous state.例文帳に追加

そして、この上部側突起部６を、下部シートバック１に接触させた状態で、その上部側突起部６の接触点Ｐを両シートバックの中折れ点として両シートバック１、３の背もたれ面７Ａ、７Ｂの連続状態を保ちながら下部シートバック１に対して上部シートバック３を傾動させる。 - 特許庁

In the cap equipped with a visor 2 projecting forward from the lower edge of a crown 1, a cloth 3 for pocket formation, which is semicircular in the plane view, is superposed on the surface of the visor 2, the front end of the visor 2 and the front end of the cloth 3 for pocket formation are mutually sewed to form a pocket P on the upper surface side of the visor 2.例文帳に追加

クラウン１の下縁から前方に突出して庇２を設けた帽子において、平面視半円状のポケット形成用生地３を庇２の上面に重ねて、庇２の先端縁とポケット形成用生地３の先端縁とを互いに縫着して、庇２の上面側にポケットＰを形成する。 - 特許庁

The resistance change element X includes: an electrode 1 composed of a non-oxidizing metal; an electrode 2 composed of an oxidizing metal; an oxygen defective oxide layer 3 disposed between the electrodes 1 and 2 and contacting with the electrode 2; and an oxide layer 4 disposed between the electrode 1 and the oxide layer 3 and having a p-type semiconductivity.例文帳に追加

抵抗変化型素子Ｘは、非酸化性金属からなる電極１と、酸化性金属からなる電極２と、電極１，２間に位置し且つ電極２と接する酸素欠損型の酸化物層３と、電極１および酸化物層３の間に介在し且つＰ型半導性を有する酸化物層４とを含む。 - 特許庁

In a solar cell module 200 having an optical reuse sheet 20, the optical reuse sheet 20 has a base material 2 and a reflection forming layer 3, and in an upper surface of the reflection forming layer 3, a plurality of recesses 201 for reflection are formed along a plane parallel to a plane P which is parallel to an optical injection surface 110 of a front board 22.例文帳に追加

光再利用シート２０を有する太陽電池モジュール２００において、光再利用シート２０は基材２と反射形成層３を備え、反射形成層３の上面には、複数の反射用の凹部２０１が前面板２２の光入射面１１０と平行な平面Ｐと平行な面に沿い形成される。 - 特許庁

A hydrophobic printing area 4 is formed of an organic compound which is decomposed and removed by irradiating at least a part of a coating layer 3 of the plate material P for printing having a hydrophilic coating layer 3 containing the titanium oxide photocatalyst with a light having a higher energy than the band gap energy of a titanium oxide photocatalyst.例文帳に追加

酸化チタン光触媒を含む親水性のコート層３を有する印刷用版材Ｐの、コート層３の少なくとも一部に、酸化チタン光触媒のバンドギャップエネルギーより高いエネルギーをもつ光を照射することにより分解除去される有機系化合物で疎水性の画線部４を形成するようにした。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises an n-type semiconductor region 4 formed in a semiconductor substrate, a p-type semiconductor region 3 formed in a position deeper than the region 4 from the surface of the semiconductor substrate, and a heavy-metal-capturing region 5 formed in a part of the region 3.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板中に形成されたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４よりも半導体基板の表面から深い位置に形成されたｐ型半導体領域３と、ｐ型半導体領域３の一部に形成された重金属捕獲領域５とを有する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

When an upper die 3 is lifted by rotation drive of a servo-motor after crimping a terminal 14a, the lifting speed of the upper die 3 is reduced for a prescribed time at an intermediate position before the following terminal 14b reaches a crimping position P on the lower die 4, and the operation speed of an interlocking arm 11 is delayed.例文帳に追加

端子１４ａの圧着後、サーボモータの回転駆動によって上型３を上昇させる際、サーボモータの回転数の制御により、次の端子１４ｂが下型４上の圧着位置Ｐに達する前の中間位置で、上型３の上昇速度を所定時間減速して、連動アーム１１の動作速度を遅らせる。 - 特許庁

In the antenna device 1 for receiving the television broadcast to the antenna element 30 comprising a base 2 and a radiation conductor 3 to which a power supply signal is supplied via a matching circuit, the matching circuit has variable capacity elements (varactor diodes) 4, 5 and inductance elements 6, 7 and serially connected to a power supply part P of the radiation conductor 3.例文帳に追加

基体２と放射導体３からなるアンテナ素子３０に整合回路を介して給電信号が供給されるテレビジョン放送受信用のアンテナ装置１であって、この整合回路が可変容量素子（バラクタダイオード）４，５とインダクタンス素子６，７とを有して放射導体３の給電部Ｐに直列に接続されている。 - 特許庁

This expanding graphite yarn 1 is formed by winding the periphery of the expanding graphite base material 1 formed by twisting and having 3 mm of width and 0.38 mm of thickness with the reinforcing wire material 3 formed from a stainless steel wire easy to be plastically deformed and having 0.05-0.2 mm of wire diameter with 0.5-5 mm of narrow width pitch P.例文帳に追加

膨張黒鉛製編み糸１は、ひねり加工した幅３ｍｍ、厚さ０，３８ｍｍの膨張黒鉛基材２の外周を、塑性変形しやすいステンレス線からなる線径０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの補強線材３によって、０．５ｍｍ〜５ｍｍの狭幅ピッチＰで緩みなくスパイラル状に巻回したものである。 - 特許庁

This light-emitting element is characterized in that at least an n-type semiconductor layer 1, a light-emitting layer 2 and a p-type semiconductor layer 3 are laminated to form a light-emitting element 5, and the brittle light-transmissive insulator 6 is provided around the light-emitting element 5 having the layers 1, 2 and 3.例文帳に追加

本発明は、少なくともｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３が積層されて発光素子部５が構成され、前記ｎ型半導体層１、発光層２、ｐ型半導体層３を備えた発光素子部５の周囲に脆性透光性絶縁体部６が設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

The insertion part 4 of the price card P is formed between the front face plate 2 and the rear face plated 3 of a holding body 1 obtained by bending and superposing a transparent synthetic resin plate, and a fitting body 6 into the card rail R of the shelf plate 5 is formed at a nearly upper half part on the rear side of the plate 3.例文帳に追加

透明合成樹脂板を断面略Ｕ字状に折り曲げ重ね合わせてなる保持体１の前面板２と後面板３の間にプライスカードＰの挿入部４を形成すると共に、後面板３の裏側の略上半部に棚板５のカードレールＲへの嵌合体６を設けたものとしている。 - 特許庁

The sterilizer for performing a sterilization treatment of containers 3 intermittently fed into a chamber 11 with high-temperature and high-pressure steam fed into the chamber 11 has a means P for detecting the pressure of the steam fed into the chamber 11 in one cycle from loading the containers 3 into the chamber 11 till unloading them off the chamber 11.例文帳に追加

チャンバ１１に、容器３を間欠的に供給し、チャンバ１１に供給した高温・高圧の蒸気で殺菌処理を行う殺菌装置において、容器３をチャンバ１１に搬入してから搬出するまでの一サイクルで、チャンバ１１内に供給された蒸気の圧力を検出する圧力検出手段Ｐを設けた。 - 特許庁

The hybrid type secondary power supply is composed of a positive electrode chiefly containing electric conductive high-polymers admitting p-doping (for example, one of the polythiophene, poly-3-(4-fluorophenyl)thiophene, and poly-3-methylthiophene), a negative electrode chiefly containing a carbonic substance capable of occluding and emitting lithium ions, and an organic electrolytic solution containing lithium salts.例文帳に追加

ｐ−ドーピング可能な導電性高分子（例えば、ポリチオフェン、ポリ−３−（４−フルオロフェニル）チオフェンまたはポリ−３−メチルチオフェンからなる群より選ばれる１種）を主体とする正極と、リチウムイオンを吸蔵、脱離しうる炭素材料を主体とする負極と、リチウム塩を含む有機電解液とを有するハイブリッド型二次電源。 - 特許庁

The outermost peripheral gate wiring 10 of a power MOSFET is formed parallel to one end side 5 of a silicon substrate 3, while a P layer 4 of the power MOSFET, an N^+ source layer 6, a channel region 15 and a gate electrode 8 are formed oblique to the end side 5 of the silicon substrate 3.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの最外周のゲート配線１０は、シリコン基板３の一端辺５に対して平行に形成され、前記パワーＭＯＳＦＥＴのＰ層４、Ｎ＋ソース層６、チャネル領域１５、及びゲート電極８は、シリコン基板３の一端辺５に対して斜め方向に傾斜して形成されている。 - 特許庁

This crimp terminal for crimping a wire barrel part 3 to a high strength small diameter wire 7 having tensile strength higher than that of a crimp terminal material is characterized by setting width P of a serration 5, which is formed in the inner surface of the wire barrel part 3, 0.8-1.3 times of the diameter D of the high strength small diameter wire.例文帳に追加

圧着端子材料の引張強度より高い引張強度を有する高強度細径線７に、ワイヤーバレル部３を圧着する圧着端子であって、ワイヤーバレル部３の内面に形成したセレーション５の幅Ｐが高強度細径線の直径Ｄの０．８倍以上、１．３倍以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The number of C atoms per 1 cm^3 in an interface between the group III nitride substrate and the epitaxial layer is ≥2×10^16 and ≤5×10^17, and the number of atoms of a p-type metal element per 1 cm^3 in the interface is ≥2×10^16 and ≤1×10^17.例文帳に追加

III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における１ｃｍ^３当たりのＣ原子の個数が２×１０^１６個以上５×１０^１７個以下であり、当該界面における１ｃｍ^３当たりのｐ型金属元素の原子の個数が２×１０^１６個以上１×１０^１７個以下である。 - 特許庁

In the rubber composition using as the rubber component a polymer formed by brominating an isobutylene/p-methylstyrene copolymer, the rubber composition incorporates 0.5-3 mass pts. of a thiazole crosslinking accelerator and 0.1-2 mass pts. of a citraconimide compound based on 100 mass pts. of the above polymer, and it does not incorporate sulfur as a crosslinking agent.例文帳に追加

イソブチレン／ｐ-メチルスチレン共重合体をブロモ化したポリマーをゴム成分とするゴム組成物において、上記ポリマー100質量部に対して、チアゾール系架橋促進剤0.5〜3質量部と、シトラコンイミド化合物0.1〜2質量部とを配合し、架橋剤としての硫黄を配合しないことを特徴とするゴム組成物である。 - 特許庁

The membrane mask 1a comprises a thin-film shaped membrane 5, which has opening patterns (p) through which charged particle beams (b) pass, and which is supported by a support frame 3 under tension; and heat dissipation plugs 9 which are embedded in the supports 3, while one end thereof contacts the membrane 5.例文帳に追加

荷電粒子線ｂが透過する開口パターンｐを有する薄膜状のメンブレン５を備えたメンブレンマスク１ａであり、このメンブレンマスク１ａは、支持枠３に張設支持されたメンブレン５を備えており、さらに一端がメンブレン５に接する状態で支持枠３内に埋設された放熱プラグ９を備えている。 - 特許庁

When an overshoot value of the measured PIM in regard to a target PIM exceeds a specified value (for example, -20kPa), feedback gain (P, I, D gains kp, ki, kd) calculated by each gain table 3, 3, 5 is multiplied by a correction coefficient (for example, 0.95) smaller than 1 from next calculation, and changed to a small value.例文帳に追加

目標ＰＩＭに対する実測ＰＩＭのオーバーシュート値が所定値（例えば、−２０ｋＰａ）を越えた場合は、各ゲインテーブル３、４、５で演算されるフィードバックゲイン（Ｐ、Ｉ、Ｄゲインｋｐ、ｋｉ、ｋｄ）に、次回の演算から１より小さい値の補正係数（例えば、０．９５）を乗算して小さい値に変更する。 - 特許庁

This ring-lighting system 1 includes a plurality of LEDs 2, arranged in a ring shape around the optical axis A of an objective lens 10 for emitting mutually different three kinds of color light; a prism 3 for compositing each color light; and a reflecting mirror 4 for condensing the light composited by the prism 3 on an intersection P.例文帳に追加

リング照明装置１は、対物レンズ１０の光軸Ａの周囲にリング状に配列されるとともに、互いに異なる３種類の色光を射出する複数のＬＥＤ２と、各色光を合成するプリズム３と、プリズム３にて合成された光を交点Ｐに集光する反射鏡４とを備える。 - 特許庁

The decorative plate P comprises laminating a stainless plate 1 on a surface of a core material layer 2 composed of an inorganic core material, an inorganic filler and a thermosetting resin, wherein a protective layer 3 composed of a moisture-proof material is laminated on a reverse surface of the core material layer 2, and the protective layer 3 is removed in case of construction.例文帳に追加

無機芯材、無機質骨材及び熱硬化性樹脂とよりなる芯材層２の表面にステンレス板１を積層してなる化粧板Ｐにおいて、芯材層２の裏面に湿気を通過させない材料からなる保護層３を積層し、施工時、この保護層３を取り外して施工するようにする。 - 特許庁

The problems can be solved by using a method for forming a silica film 4 which is characterized by comprising a step of forming a polysilazane containing film 3 on the surface 1a of a substrate 1 and a step of converting the polysilazane containing film 3 into a silica film 4 by spraying a carrier gas P which has passed through an atmospheric pressure plasma region.例文帳に追加

基材１の表面１ａにポリシラザン含有膜３を形成する工程と、大気圧プラズマ領域を通過させたキャリアガスＰを前記ポリシラザン含有膜３に吹き付けてシリカ膜４へ転化させる工程と、を有することを特徴とするシリカ膜４の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

A socket 9 for the connection pipe P to receive its one end is formed between the inside surface of a slipoff preventive ring holding cylinder 7 made of transparent or translucent material and the outside surface of a guide cylinder 3, while an insertion guide ring intruding space 4 is formed between the outside surface of the guide cylinder 3 and the inside surface of a guide ring conceal cylinder 5.例文帳に追加

透明若しくは半透明の抜止めリング保持筒７の内周と案内筒３の外周との間に接続管Ｐの一端部を受け入れる接続管受口９を形成するとともに、案内筒３の外周とガイドリング隠蔽筒５の内周との間に挿入ガイドリング進入空間部４を形成する。 - 特許庁

Meanwhile, when the material P is cardboard or the second surface of the plain paper or OHT, the transfer bias is high and the transfer negative ghost is easily caused, so that the device 20 is turned on by the controller 21 so as to irradiate the surface of the drum 3 with discharging light from the device 20 in synchronization with the driving of the drum 3.例文帳に追加

一方、転写材Ｐが厚紙，普通紙の２面目，ＯＨＴなどの場合には、転写バイアスが高くて転写ネガゴーストが発生しやすいので、制御手段２１により除電装置２０をＯＮにし、感光ドラム３の駆動に同期させて除電装置２０から感光ドラム３表面に除電光を照射する。 - 特許庁

A cooling air passage 27 is provided in a punch bush 5 provided on a punch holder 3 for slidably supporting a punch guide 7 of a punch die P, and by passing cooling air through the cooling air passage 27 to cool the punch bush, the punch holder 3 and the punch guide 7 are cooled to indirectly cool a punch 9.例文帳に追加

パンチ金型Ｐのパンチガイド７を摺動自在に支持するためにパンチホルダ３に設けられたパンチブッシュ５に冷却用のエアー通路２７を設け、この冷却用のエアー通路２７に冷却のエアーを通してパンチブッシュを冷却することによりパンチホルダ３やパンチガイド７を冷却して間接的にパンチ９を冷却する。 - 特許庁

The crushing plate 14 is peeled from an edge 11a by gas pressure P within the shock-absorbing bag 3 which rises at the moment when the bag is exerted with impact, so that gas leaks at an appropriate constant flow rate from the shock-absorbing bag 3 to reduce impact forces applied to the subject of shock absorption.例文帳に追加

そして、衝撃を受けた瞬間に上昇する緩衝用袋３内部のガス圧力Ｐにより破裂板１４が縁部１１ａからはがれるようにして、緩衝用袋３から適切な一定の流量でガス抜きをして緩衝対象物が受ける衝撃力を緩和するようにしている。 - 特許庁

The blank mold is a substantially equally split two-piece one having a contouring surface 2 that molds gobs G into a parison P of a specified side periphery shape and an abutting face 3 on each side of the contouring surface 2 and is characterized in that the contouring surface 2 is provided with a swollen part 51 with an outward swell increasing toward the abutting faces 3.例文帳に追加

ゴブＧを所定の側周形状のパリソンＰに成形する姿面２と、この姿面２の両側に突合わせ面３を有したほぼ半割りの粗型であって、姿面２に、突合わせ面３に向かって外側への膨らみが増加するはらし部５１を形成したことにより、上記目的を達成する。 - 特許庁

A slit part 3a having a width slightly narrower than the wire diameter of the lead wire 2 without a solder 3b attached is formed on the central line of the land 3 on the printed wiring board P provided with the land 3 with the solder 3b attached in order to solder by hand the exposing-end part 2a of the lead wire 2 of the parallel jumper 1.例文帳に追加

平行ジャンパ１のリード線２の露出端部２ａを手作業でハンダ付けするために、ハンダ３ｂの付着したランド３を設けたプリント配線基板Ｐにおいて、ランド３の中心線上に、リード線２の線径よりも少し幅が狭いハンダ３ｂの付着してないスリット部３ａを形成する。 - 特許庁

The present invention relates to hydrochloride, hydrobromide, hemi-citrate, acetate, p-tosylate, L-tartrate, hemi-succinate, and mesylate salt forms of 3-(4-bromo-2,6-difluoro-benzyloxy)-5-[3-(4-pyrrolidin-1-yl-butyl)-ureido]-isothiazole-4-carboxylic acid amide represented by formula (I).例文帳に追加

本発明は以下の式；式（Ｉ）を有する３−（４−ブロモ−２，６−ジフルオロ−ベンジルオキシ）−５−［３−（４−ピローリジン−１−イル−ブチル）−ウレイド］−イソチアゾール−４−カルボン酸アミドの塩酸塩、臭化水素酸塩、ヘミ−クエン酸塩、酢酸塩、ｐ−トシレート塩、Ｌ−酒石酸塩、ヘミ−琥珀酸塩、及びメシレート塩形に関する。 - 特許庁